JPH01286056A - Interleave memory access device - Google Patents

Interleave memory access device

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JPH01286056A
JPH01286056A JP11495088A JP11495088A JPH01286056A JP H01286056 A JPH01286056 A JP H01286056A JP 11495088 A JP11495088 A JP 11495088A JP 11495088 A JP11495088 A JP 11495088A JP H01286056 A JPH01286056 A JP H01286056A
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address
access device
bank
memory access
addresses
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Abstract

PURPOSE:To output data from a bank with delaying for a prescribed time and to make them fit for a pipe line control by executing the access of the address to the bank while evenly and symmetrically shifting it. CONSTITUTION:A memory access device possesses a decoder 9 to decide two low-order bits a1 and a0 of the address in order to obtain control signals E0 to E3 to hold and control the address for respective banks 1, 3, 5 and 7 of a memory, and latches 11, 13, 15 and 17 provided according to the respective banks in order to hold the address of the respective banks 1, 3, 5 and 7 according to a control signal from the decoder 9. The decoder 9 outputs the control signal by the two low-order bits a1 and a0 of the address. The address is supplied to latches 11 to 17 through an address bus 19 to the latches 11 to 17, and the data are outputted from the banks 1, 3, 5 and 7 through a data bus 21 to the latches 11 to 17.

Description

【発明の詳細な説明】 I     [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、複数のバンクを有する記憶装置に記憶された
マイクロ命令等のデータをアクセスするためのインタリ
ーブメモリアクセスシステムに関し、特に、パイプライ
ン制御に適合する様に記憶装τをアクセスするインタリ
ーブメモリアクセス装置に関(る。
[Detailed Description of the Invention] I [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to an interleaved memory access system for accessing data such as microinstructions stored in a storage device having a plurality of banks. In particular, the present invention relates to an interleaved memory access device that accesses storage τ in a manner compatible with pipeline control.

(従来の技術) 近年、マイクロ命令等のデータを記憶した制御記憶装置
からマイクロ命令をアクセスして実行するマイクロプロ
グラム制御において、上記アクセス時間を短縮するため
の方法としてインタリブメモリアクセス方式が知られて
いる。この方式は、制御記憶装置を複数のバンクに分割
し、それらを並列に読み出すことで複数のマイクロ命令
を事前に得、実行結果によって、それらのマイクロ命令
を選択するものである。
(Prior Art) In recent years, an interleaved memory access method has been known as a method for shortening the access time in microprogram control in which microinstructions are accessed and executed from a control storage device that stores data such as microinstructions. ing. In this method, a control storage device is divided into a plurality of banks, a plurality of microinstructions are obtained in advance by reading them in parallel, and the microinstructions are selected based on the execution results.

第2図に、インタリブ方式による従来のメモリアクセス
システムの概略構成図を示し、第1図に、第2図に示す
装置における従来のメモリアクセス処理のタイムチャー
トを示す。
FIG. 2 shows a schematic configuration diagram of a conventional memory access system using the interleaving method, and FIG. 1 shows a time chart of the conventional memory access processing in the device shown in FIG.

第2図に示づ如くに、この従来例において、メモリ10
1は、4バンク(0,1,2,3)に分割されており、
アドレスがアドレスバス103を通して各メモリ101
へ供給され、メモリ101よりのデータは出力タイミン
グ制御部105よりの制御信号によってデータバス10
7へ供給される。上記アドレスバス103を通って上記
メモリ101へ与えられる上記4つのバンクに対応づる
アドレスAo 、A+ 、A2 、A3は、第1a図に
示す如くに供給される。ここでは、最初に与えられるア
ドレスAoを4ビットとした場合、アドレスAoの上位
2ピツトは4つのバンクに対して共通となっており、下
位2ビットは、バンクの指定を行なっている。そして、
他のアドレスA1.A2、A3は、それぞれバンクを指
定する2ビットから成っている。従って、各バンクに与
えられる実質的なアクセス時間は、第1b図に示す如く
に不均一であり、最初のアドレスAoと続く3つのアド
レスA* 、A2 、A3とでは異なるものであった。
As shown in FIG. 2, in this conventional example, the memory 10
1 is divided into 4 banks (0, 1, 2, 3),
Addresses are sent to each memory 101 through an address bus 103.
The data from the memory 101 is supplied to the data bus 10 by a control signal from the output timing control section 105.
7. Addresses Ao, A+, A2, and A3 corresponding to the four banks are supplied to the memory 101 through the address bus 103 as shown in FIG. 1a. Here, when the first given address Ao is 4 bits, the upper two pits of the address Ao are common to the four banks, and the lower two bits specify the bank. and,
Other address A1. A2 and A3 each consist of two bits specifying a bank. Therefore, the actual access time given to each bank is non-uniform, as shown in FIG. 1b, and differs between the first address Ao and the following three addresses A*, A2, and A3.

また、バンク0に対する最初のアドレスAOと次のアド
レスA4との間には時間的間隔T。
Also, there is a time interval T between the first address AO and the next address A4 for bank 0.

があった。そのため、上記データバス107を通ってメ
モリ101から供給されるデータは第1C図に示す如く
になる。
was there. Therefore, data supplied from the memory 101 through the data bus 107 becomes as shown in FIG. 1C.

(発明が解決しようとする課題) すなわち、各アドレスの長さが異なり、各バンクに与え
られるアクセス時間が不均一なために、データバス10
7を通してデータが供給される時と、供給されない時と
が生じ、特に、データDo。
(Problem to be Solved by the Invention) In other words, since the length of each address is different and the access time given to each bank is uneven, the data bus 10
There are times when data is supplied through 7 and times when it is not, especially data Do.

Dl、D2 、D3とデータD4 、 Ds 、 De
 、 Dlとの間にロスタイムTaが生じてしまうとい
う問題点があった。
Dl, D2, D3 and data D4, Ds, De
, Dl, there is a problem in that a loss time Ta occurs between the two.

最も大きな問題点は、4のバンクに対するアドレスAo
〜A3の長さが異なると共に、メモリ101よりのデー
タの出力時間が不均一であるためにこれらのデータをア
クセスする装置をパイプライン制御で作動させようとし
た時に、パイプラインに乱れが生じ、それでもなおパイ
プライン制御を行おうとすると、その制御が極めて複雑
になるという欠点があった。
The biggest problem is that the address Ao for bank 4
~Since the lengths of ~A3 are different and the output times of data from the memory 101 are uneven, when an attempt is made to operate a device that accesses these data by pipeline control, a disturbance occurs in the pipeline. However, if pipeline control is attempted, the disadvantage is that the control becomes extremely complex.

[発明の構成] (12題を解決するための手段) 本発明に従うメモリアクセス装置は、上記従来技術によ
る課題を解決するためになされたものであり、メモリの
複数のバンクに並列に、かつ同じアクセスタイムを有す
る様に複数のアドレスを連続して供給する手段を具備し
、上記アドレスに対応した複数の情報が、対応するアド
レスに対して一定の遅延時間を持って連続して上記バン
クより出力される様にしたことを特徴とする特(作用) 上記アドレス供給手段を設けることにより、上記バンク
へのアドレスのアクセスが、均一にしかも対称的にシフ
トしながら行なわれる。その結果、上記バンクより、デ
ータが、供給されるアドレスに対して、それぞれ上記バ
ンクに共通したブック数だけ遅延して、連続して出力さ
れるものである。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the 12 Problems) A memory access device according to the present invention has been made in order to solve the problems of the above-mentioned prior art. It is equipped with a means for continuously supplying a plurality of addresses so as to have an access time, and a plurality of pieces of information corresponding to the above-mentioned addresses are successively output from the above-mentioned bank with a certain delay time with respect to the corresponding addresses. Features (Function) characterized in that: By providing the address supply means, the address access to the bank is performed while shifting uniformly and symmetrically. As a result, data is successively outputted from the bank with a delay corresponding to the number of books common to each bank with respect to the supplied address.

(実施例) 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。(Example) Hereinafter, the present invention will be explained in detail using the drawings.

第5図に本発明を実施したメモリアクセス装置の概略構
成図を示す。
FIG. 5 shows a schematic configuration diagram of a memory access device embodying the present invention.

このメモリアクセス装置の第1実施例は、メモリの各バ
ンク1.3,5.7に対するアドレスの保持制御を行う
制御信号Eo−E3を得るためにアドレスAo〜A7の
下位2ビットal、aQをデコードするためのデコーダ
9と、上記デコーダ9よりの制御信号Eo=E3に従っ
て各バンク1〜7のアドレスAo=Ayを保持するため
各バンクに対応して設けられたラッチ11,13.15
゜17とを有している。
The first embodiment of this memory access device uses the lower two bits al and aQ of addresses Ao to A7 to obtain control signals Eo to E3 that control address retention for each bank 1.3 and 5.7 of the memory. A decoder 9 for decoding, and latches 11, 13.15 provided corresponding to each bank to hold the address Ao=Ay of each bank 1 to 7 according to the control signal Eo=E3 from the decoder 9.
゜17.

上記デコーダ9は、アドレスの下位2ビットa1、ao
の値によって第4図に示す表に従って制御信号Eo =
E3を出力する様になっている。
The decoder 9 inputs the lower two bits a1 and ao of the address.
According to the table shown in FIG. 4, the control signal Eo =
It is designed to output E3.

また、ラッチ11〜17へは、アドレスバス19を介し
て上記アドレスAo−Ayが供給され、上記メモリのバ
ンクからはデータバス21を介してデータが出力される
様になっている。
Further, the addresses Ao-Ay are supplied to the latches 11 to 17 via the address bus 19, and data is output from the memory bank via the data bus 21.

次に、第3a図〜第3d図を参照して上記メモリアクセ
ス装置におけるアクセス処理の動作について説明する。
Next, the operation of access processing in the memory access device will be described with reference to FIGS. 3a to 3d.

まず、上記アドレスバス19を介して、第3a図に示す
如く、長さの等しいアドレスAo〜A7が、上記ラッチ
11〜17へ供給される。上記デコーダ9へは上記アド
レスAo=A7の下位2ビットaloaoが供給され、
デコーダ9は、第4図に示す表に従って制御信号Eo〜
E3を生成し、その制御信号Eo〜E3は、ラッチネー
ブル信号として上記ラッチ11〜17へ供給される。
First, addresses Ao-A7 of equal length are supplied to the latches 11-17 via the address bus 19, as shown in FIG. 3a. The lower two bits aloao of the address Ao=A7 are supplied to the decoder 9,
The decoder 9 receives control signals Eo~ according to the table shown in FIG.
The control signals Eo to E3 are supplied to the latches 11 to 17 as latch enable signals.

上記制御信号Eo=E3の波形は、第3b図に示す如く
になる。すなわち、ここでは、アドレスAOの下位2ビ
ットal、aQが(0,0)であり、アドレスA1の下
位2ビットal、aが(0゜1)であり、アドレスA2
の下位2ビットaI。
The waveform of the control signal Eo=E3 is as shown in FIG. 3b. That is, here, the lower two bits al and aQ of address AO are (0, 0), the lower two bits al and a of address A1 are (0°1), and address A2
The lower two bits aI of.

aOが(1,0)であり、アドレスA3の下位2ビット
al、aQが(1,1)である。そして、アドレスバス
19を介してアドレスAoがラッチ11〜17へ供給さ
れると、上記デコーダ9がらラッチ11ヘイネーブル信
号EOが供給される。
aO is (1, 0), and the lower two bits al and aQ of address A3 are (1, 1). When the address Ao is supplied to the latches 11 to 17 via the address bus 19, the decoder 9 supplies the latch 11 with an enable signal EO.

そのため、ラッチ11を介して、アドレスAoがバンク
1ヘアクセスされる。次に、アドレスA1がラッチ11
〜17へ供給されると、上記デコーダ9からラッチ13
ヘイネーブル信号E1が供給される。そのため、ラッチ
13を介して、アドレスA1がバンク3へ供給される。
Therefore, address Ao is accessed to bank 1 via latch 11. Next, address A1 is latch 11
~17, the latch 13 is supplied from the decoder 9
A hay enable signal E1 is provided. Therefore, address A1 is supplied to bank 3 via latch 13.

アドレスA2がラッチ11〜17へ供給されると、上記
デコーダ9からラッチ15ヘイネーブル信号E2が供給
される。そのため、ラッチ15を介して、アドレスA2
がバンク5へ供給される。そして、アドレスA3がラッ
チ11〜17へ供給されると、ラッチ17ヘイネーブル
信号E3が供給される。そのため、ラッチ17を介して
、アドレスA3がバンク7へ供給される。
When the address A2 is supplied to the latches 11 to 17, the decoder 9 supplies the latch 15 hay enable signal E2. Therefore, via the latch 15, the address A2
is supplied to bank 5. Then, when the address A3 is supplied to the latches 11 to 17, the latch 17 hay enable signal E3 is supplied. Therefore, address A3 is supplied to bank 7 via latch 17.

そして、アドレスA4がラッチ11〜17へ供給される
と、上記デコーダ9から再度ラッチ11ヘイネーブル信
号Eoが供給される。そのため、ラッチ11を介して、
アドレスA4がバンク1へ供給される。アドレスA5〜
A7のアクセス動作は、前述したアドレスA+〜A3の
アクセス動作と同様なので説明を省略する。
Then, when the address A4 is supplied to the latches 11 to 17, the decoder 9 again supplies the latch 11 hay enable signal Eo. Therefore, via the latch 11,
Address A4 is provided to bank 1. address A5~
The access operation of A7 is similar to the access operation of addresses A+ to A3 described above, so the explanation will be omitted.

従って、上記バンク1〜7へのアドレスAo〜A3のア
クセスが、第3C図に示す如くに均一にしかも対称的に
シフトしながら行なわれる。すなわち、アドレスAo 
=A3は、上記各バンク1〜7へ並列に、しかも同じア
クセスタイムを有する様に供給される。そして、第3C
図に示す如くに対称的にアクセスが行なわれた結果、第
3d図に示す如くにデータバス21を介してデータDo
〜D7が供給される。すなわち、データDo=Dyは、
供給されるアドレスAo =A+ に対してそれぞれ上
記バンク1〜7に共通したブック数だけ遅延して、均一
にしかも連続して出力され、従来技術の様にデータDo
=D3とデータD4〜D7との間にロスタイムが生じる
こともない。
Therefore, accesses of addresses Ao to A3 to banks 1 to 7 are performed while shifting uniformly and symmetrically as shown in FIG. 3C. That is, address Ao
=A3 is supplied to each bank 1 to 7 in parallel and with the same access time. And the third C
As a result of symmetrical access as shown in the figure, the data Do is transferred via the data bus 21 as shown in FIG.
~D7 is supplied. That is, data Do=Dy is
The supplied address Ao = A+ is delayed by the number of books common to banks 1 to 7, and is output uniformly and continuously, and the data Do is output as in the prior art.
No loss time occurs between =D3 and data D4 to D7.

また、上記4つのバンク1〜7に対するアドレスAo”
−A7の長さが同一であると共に、メモリよりのデータ
が上記アドレスAo=Asに対応して一定の遅延時間を
持って出力されるため、このメモリアクセス装置は、バ
イブライン制御と非常によく適合することができる。言
い換えれば、各バンクのアドレスとデータの関係が対称
となるために、バイブライン制御を簡単かつ高速に行な
えると言える。
Also, address Ao” for the above four banks 1 to 7
- Since the length of A7 is the same and the data from the memory is output with a certain delay time corresponding to the above address Ao=As, this memory access device is very compatible with vibe line control. can be adapted. In other words, since the relationship between the address and data of each bank is symmetrical, it can be said that vibration line control can be performed easily and at high speed.

次に、第6図および第7図を参照して本発明に従うメモ
リアクセス装置の第2実施例について説明する。
Next, a second embodiment of the memory access device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7.

この第2実施例は、メモリとしてダイナミックランダム
アクセスメモリを用いており、第1実施例におけるラッ
チ回路11〜17を省略した形となっている。
The second embodiment uses a dynamic random access memory as the memory, and the latch circuits 11 to 17 in the first embodiment are omitted.

第6図に示す如くに、このメモリアクセス装置は、アド
レスを保持するためのRAS信号およびCAS信号と、
データバス29ヘデータを出力するための出力イネーブ
ル信号OEと、上記データバス29より修正されたデー
タ等を書き込むためのWE倍信号を制御信号として4つ
のバンクに分かれたDRAM21〜27へ供給する制御
波形生成部31と、アドレス信号をマルチプレクサした
ma倍信号各バンクへ供給するアドレスマルチプレクサ
33とを有している。
As shown in FIG. 6, this memory access device has a RAS signal and a CAS signal for holding addresses;
A control waveform that supplies an output enable signal OE for outputting data to the data bus 29 and a WE double signal for writing modified data etc. from the data bus 29 as control signals to the DRAMs 21 to 27 divided into four banks. It has a generation section 31 and an address multiplexer 33 which supplies a multiplexed address signal (ma) to each bank.

次に、第7図を参照して、第6図に示した実施例の動作
について説明する。
Next, with reference to FIG. 7, the operation of the embodiment shown in FIG. 6 will be described.

すなわち、ダイナミックランダムアクセスメモリにはR
AS (ローアドレスストローブ)、CAS(カラムア
ドレスストローブ)信号によってメモリ素子の中にアド
レスを保持出来る機能があり、これによって第5図に示
す第1実施例の回路の機能を更に少ない部品で達成する
ことが出来る。
In other words, dynamic random access memory has R
There is a function that can hold addresses in the memory element by AS (row address strobe) and CAS (column address strobe) signals, and thereby the function of the circuit of the first embodiment shown in Fig. 5 can be achieved with even fewer parts. I can do it.

DRAMにはアドレス信号をマルチプレクサしたma倍
信号与えられ、それがRAS、CAS信号の立ち上りで
DRAMに保持される。−〇E倍信号出力イネーブル信
号であって、例えば−〇EO1によってデータバス29
上に(OR)で示されるデータが出力される。第2実施
例においてはアクセスモードののちモディファイライト
動作を行っており、(OR)に続く、(OW)で示され
るデータの内容が、−WEO信号によってバンクOのメ
モリに書き込まれる。この第2実施例は、画像イメージ
を保持する記憶装置に対応した例である。
The DRAM is given a signal multiplied by ma by multiplexing the address signal, which is held in the DRAM at the rising edge of the RAS and CAS signals. -〇E times signal output enable signal, for example, by -〇EO1, the data bus 29
The data indicated by (OR) above is output. In the second embodiment, a modify write operation is performed after the access mode, and the contents of data indicated by (OW) following (OR) are written into the memory of bank O by the -WEO signal. This second embodiment is an example corresponding to a storage device that holds images.

そして、この第2実施例においても、バンク21〜27
が対称的に動作するため、出力のビデオデータの連続し
てなめらかに出てくるものである。
Also in this second embodiment, banks 21 to 27
Because they operate symmetrically, the output video data comes out continuously and smoothly.

第8図は、上述したメモリアクセス装置の第2実施例の
制御波形生成部31と、アドレスマルチプレクサ33と
をさらに詳細に示したものである。
FIG. 8 shows in more detail the control waveform generator 31 and address multiplexer 33 of the second embodiment of the memory access device described above.

次に、第9図を参照して第6図に示したデータバス29
に接続され、DRAMより読み出されたデータを直ちに
修正して書き込むための回路について説明する。
Next, referring to FIG. 9, the data bus 29 shown in FIG.
A circuit connected to the DRAM for immediately modifying and writing data read from the DRAM will be described.

この組み合わせ回路は、第7図に示すクロックCによっ
て動作され、DRAMより読み出されたデータを高速で
DRAMへ送り返す様に構成されている。
This combinational circuit is operated by a clock C shown in FIG. 7, and is configured to send data read from the DRAM back to the DRAM at high speed.

[発明の効果] 以上説明したように、この発明によれば、メモリの複数
のバンクに並列に、かつ同じアクセスタイムを有する様
に複数のアドレスを連続して供給する手段を具備し、上
記アドレスに対応した複数の情報が、対応するアドレス
に対して一定の遅延時間を持って連続して上記バンクよ
り出力される様にしたため、上記バンクへのアドレスの
アクセスが、均一にしかも対称的にシフトしながら行な
われる。その結果、上記バンクより、データが、供給さ
れるアドレスに対して、それぞれ上記バンクに共通した
ブック数だけ遅延して、連続して出力され、バイブライ
ン制御に適合することができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, a means is provided for successively supplying a plurality of addresses to a plurality of banks of memory in parallel so as to have the same access time. Since multiple pieces of information corresponding to the above bank are successively output from the above bank with a certain delay time to the corresponding address, accesses to the above bank are uniformly and symmetrically shifted. It is done while As a result, data is successively outputted from the banks with a delay of the number of books common to the banks with respect to the supplied address, thereby making it possible to comply with vibe line control.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1a図〜第1C図は、従来のメモリアクセス装置の動
作タイミング図である。 第2図は、第1図に動作を示した従来のメモリアクセス
装置の概略構成図である。 第3a〜第3d図は、本発明を実施したメモリアクセス
装置の動作タイミング図である。 第4図は、本発明の実施例におけるアドレスの下位2ビ
ットとメモリの各バンクへのアドレスラッチ制御信号と
の関係を示す図である。 第5図は、本発明を実施したメモリアクセス装置の概略
構成図である。 第6図は、本発明に従うメモリアクセス装置の第2実施
例の概略構成図である。 第7図は、第6図に示すメモリアクセス装置の動作タイ
ミング図である。 第8図は、第6図に示す制御波形生成部と、アドレスマ
ルチプレクサとのさらに詳細な回路図である。 第9図は、第6図に示すデータバスに接続される組み合
せ回路図である。 1.3,5.7・・・メモリのバンク 9・・・デコーダ 11.13.15.17・・・ラッチ 19・・・アドレスバス 21・・・データバス 21.23.25.27・・・DRAM31・・・制御
波形生成部 33・・・マルチプレクサ
FIGS. 1A to 1C are operation timing diagrams of a conventional memory access device. FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the conventional memory access device whose operation is shown in FIG. 1. 3a to 3d are operation timing diagrams of a memory access device implementing the present invention. FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the lower two bits of an address and address latch control signals to each bank of the memory in the embodiment of the present invention. FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a memory access device implementing the present invention. FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a second embodiment of a memory access device according to the present invention. FIG. 7 is an operation timing diagram of the memory access device shown in FIG. 6. FIG. 8 is a more detailed circuit diagram of the control waveform generator and address multiplexer shown in FIG. 6. FIG. 9 is a combination circuit diagram connected to the data bus shown in FIG. 6. 1.3, 5.7...Memory bank 9...Decoder 11.13.15.17...Latch 19...Address bus 21...Data bus 21.23.25.27...・DRAM31...Control waveform generation section 33...Multiplexer

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)複数のバンクから成るメモリに記憶された情報を
並列にアクセスするためのインタリーブメモリアクセス
装置にして、上記メモリの各バンクに並列に、かつ同じ
アクセスタイムを有する様に複数のアドレスを連続して
供給する手段を具備し、上記アドレスに対応した複数の
情報が、対応するアドレスに対して一定の遅延時間を持
つて連続して上記複数バンクより順次出力されることを
特徴とするインタリーブメモリアクセス装置。
(1) An interleave memory access device for accessing information stored in a memory consisting of multiple banks in parallel, and multiple addresses are consecutively accessed in each bank of the memory in parallel and with the same access time. interleave memory, characterized in that a plurality of pieces of information corresponding to the address are successively output from the plurality of banks with a certain delay time with respect to the corresponding address. Access device.
(2)上記一定の遅延時間が、各バンクに共通したブッ
ク数であることを特徴とする請求項1項に記載のインタ
リーブメモリアクセス装置。
(2) The interleave memory access device according to claim 1, wherein the certain delay time is a number of books common to each bank.
(3)上記複数のアドレスが、同じアドレス長を有して
いることを特徴とする請求項1項に記載のインタリーブ
メモリアクセス装置。
(3) The interleave memory access device according to claim 1, wherein the plurality of addresses have the same address length.
(4)上記複数のアドレスが、上記各バンクごとに上記
アドレスのアドレス長だけ遅延して供給されることを特
徴とする請求項3項に記載のインタリーブメモリアクセ
ス装置。
(4) The interleaved memory access device according to claim 3, wherein the plurality of addresses are supplied with a delay of an address length of the addresses for each bank.
(5)前記アドレス供給手段が、上記各バンクに対する
アドレスの保持制御を行う制御信号を得るために上記ア
ドレスの下位2ビットをデコードするためのデコードと
、上記デコーダよりの制御信号に従つて各バンクのアド
レスを保持するため各バンクに対応して設けられたラッ
チとから成ることを特徴とする請求項1項に記載のイン
タリーブメモリアクセス装置。
(5) The address supply means decodes the lower two bits of the address in order to obtain a control signal for controlling address retention for each bank, and the address supply means performs decoding for each bank according to the control signal from the decoder. 2. The interleave memory access device according to claim 1, further comprising a latch provided corresponding to each bank to hold the address of the interleave memory access device.
(6)上記ラッチの制御信号が、イネーブル信号である
ことを特徴とする請求項5項に記載のインタリーブメモ
リアクセス装置。
(6) The interleaved memory access device according to claim 5, wherein the latch control signal is an enable signal.
(7)上記メモリが、複数のバンクから成るDRAMか
ら成ることを特徴とする請求項1項に記載のインタリー
ブメモリアクセス装置。
(7) The interleaved memory access device according to claim 1, wherein the memory is comprised of a DRAM consisting of a plurality of banks.
(8)前記アドレス供給手段が、アドレスを保持するた
めのRASおよびCAS信号と、データバスへデータを
出力するための出力イネーブル信号OEと、上記データ
バスより修正されたデータ等を書き込むためのWE信号
とを制御信号として4つのバンチに分かれたDRAMへ
供給する制御波形生成部と、アドレス信号をマルチプレ
クスしたma信号を各バンクへ供給するアドレスマルチ
プレクサとから成ることを特徴とする請求項7項に記載
のインタリーブメモリアクセス装置。
(8) The address supply means receives RAS and CAS signals for holding addresses, an output enable signal OE for outputting data to the data bus, and WE for writing modified data etc. from the data bus. 8. The control waveform generation section that supplies a control signal to the DRAM divided into four bunches as a control signal, and an address multiplexer that supplies a ma signal obtained by multiplexing the address signal to each bank. The interleaved memory access device described in .
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