JPH012857A - ウエーハの研摩方法及び研摩装置 - Google Patents

ウエーハの研摩方法及び研摩装置

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JPH012857A
JPH012857A JP62-272658A JP27265887A JPH012857A JP H012857 A JPH012857 A JP H012857A JP 27265887 A JP27265887 A JP 27265887A JP H012857 A JPH012857 A JP H012857A
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(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体、ガラス等のウェーハの研摩に好適な
研摩方法及び研摩装置に関する6(従来の技術) 従来半導体ウェーハの研摩は第7図(a)に示すように
して行なわれていた。すなわちウェーハWをプレート1
の一面にマウンティング材、ワックス等で貼付し、この
プレート1を、上面にパフ(研摩布)2を接着した水平
旋回するターンテーブル3上に、ウェーハを貼付した面
を下にして載せ、プレート1上面をウェイト4を載せた
逆皿状のトップリング5で押圧し、ノズル6から砥液7
を供給しながら上記バフ2とウェーハWとの間に相対滑
りを生じさせ研摩するものである。
あるいは第7図(b)に示すように、ターンテーブル3
に載せたプレート1を、上下駆動される下面が逆皿状の
回転トップリング基で押圧し、プレ−ト1上面に冷却水
を循環させながら研摩する。
弾性シールリング9は冷却水の漏出を防ぐものである。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記従来の研摩装置では、第7図(a)
、(b)から明らかなように、プレート1が逆皿状のト
ップリング5または旦によってその上面周縁を局部的に
抑圧されるため、第8図(a)、(b)に示すように、
プレート面が中高の曲面となり、ウェーハ而に外ずり(
プレートの周辺側1こ位置する部分が多く削られること
)を生じ平行度が損なわれるという欠点があった。
近年半導体デバイスの高集積化等に伴い、半導体ウェー
ハには従来よりさらに高平行度及び高平坦度が要求され
るようになったので、前記欠点を全く解消しなければこ
れに対応できない情勢となり、研摩時に前記プレート1
に撓み変形を生ぜず。
より高い平坦度が保たれる方法及び装置が要望されてき
た。
かかる問題点を解決する手段として、第7図(、)の場
合、プレー1〜1の中心部の荷重が周辺部の荷重よりも
大きくなるようプレートに荷重を加える方法が提案され
ている(特開昭57−194874)。この方法は、プ
レート中央に鋼球とこの鋼球を受ける半球状の窪みから
なる受座を設け、プレートを連結体を介して支軸に対し
揺回動自在に支持し。
上記鋼球を介して支軸により上方から連結体に荷重を加
えるようにしたものである。
しかし、上記方法では、プレート中心に荷重がかかるた
め周辺部への荷重が減少し、プレート全体にわたる均一
な抑圧を実現することは不可能である。
また、第7図(b)の場合は、冷却水の温度を下げてプ
レート1の上面を冷却、収縮させ、プレートを平面化す
ることもできるが、トップリングの重さ、ウェーハの大
きさと枚数、冷却水の温度と流量等の多数の条件を調節
しなければならず、非常に複雑で実用的でない。
(問題点を解決するための手段) 本発明はかかる問題点を解決するため、研摩時のプレー
トの平坦度を高く保ってウェーハが高精度の平行、平坦
面を有するように研摩する研摩方法及び研摩装置を提供
するするもので、第1の発明は、一面にウェーハを貼付
した回転可能なプレートを、ターンテーブル上に鎖部を
下にして載せ、下部が逆皿状のトップリングで該プレー
トを押圧し、ウェーハとターンテーブルとの相対滑りに
よってウェーハを鏡面研摩する°にあたり、該トップリ
ング下面に可撓性薄膜を張設して密閉空間を形成し、該
密閉空間に圧力流体を供給して該プレートを押圧するこ
とを特徴とするウェーハの研摩方法であり、 第2の発明は、一面にウェーハを貼付した回転可能なプ
レートと、該プレートを核部を下にして載せるターンテ
ーブルと、該プレートを押圧する下部が逆皿状トップリ
ングとよりなり、ウェーハとターンテーブルとの相対滑
りによってウェーハを鏡面研摩する研摩装置において、
該トップリング下面に可撓性薄膜を張設して密閉空間を
形成し、該密閉空間に圧力流体を供給する流体供給源と
該圧力流体の圧力調節機構を設けてなることを特徴とす
るウェーハの研摩装置である。
上記トップリング内に形成される密閉空間に圧力流体を
供給すれば、該圧力流体が可撓性薄膜(以下押し板とい
う)を介してプレート上面を押圧し、圧力調節機構で流
体圧力を調節することによりプレート1の撓み変形を実
質的になくシ、これの平坦度を高く保ち、この結果、半
導体ウェーハ等を高精度の平行、平坦面を有するように
研摩することができる。
(作用) 以下に本発明の作用を添付図面に基いて詳しく説明する
まず、本発明の装置の一例を原理的に示す第1図及び第
2図(a)、(b)によって説明すると、3は図示矢印
方向に一定速度で水平に回転駆動されるターンテーブル
であり、この上にはバフ2が接着され、外周部上方には
回転自在のトップリング8が垂下している。トップリン
グ旦の下部には四部が形成され、中に逆皿状の押圧箱1
oが収納されており、その下面は前記押し板11で閉塞
され密閉空間12が形成される。この密閉空間12には
圧力調節機[13を経て二重円筒構造をなす流体供給管
14及び流体排出管15が開口している。
つぎに下面に複数の半導体ウェーハWを貼付したプレー
ト1をウェーハ貼付面を下にしてターンテーブル3のバ
フ2上に載置し、上方からトップリング乱を下降させ、
この下面に張設した押し板11をプレート1の上面に接
触させる。ついで、流体供給管14から圧縮エアーを密
閉空間12に供給すれば、該圧縮エアーの圧力は押し板
11を介してプレート1上面に作用し、これを押圧する
ここで、圧力調節機構13によって圧縮エアーの圧力を
調節しプレート1上面に作用する圧力を変えると、押し
板11及びプレート1が第2図(a)。
(b)に示すように撓み変形する。すなわち前記抑圧箱
lOの下端周縁圧力よりエアー圧力を低くすれば、第2
図(a)に示すように押し板11とプレート1は上に凸
の中高曲面をなし、ウェーハ面は外すすされ、逆に高く
すれば、第2図(b)に示すように下に凸の中低曲面と
なり、ウェーハ面は中すり(プレートの中心付近に位置
する部分が多く削られること)される。
したがって圧力調節機構13によって圧縮エアーの圧力
を調節し、押し板11を介してプレート1上面に均一に
圧力が作用するようにすれば、第2図(a)、(b)と
は異なる中間の状態、すなわちプレート1に撓み変形が
生じない状態を得ることができ、この結果プレート1の
下面に貼付された半導体ウェーハWを高精度の平行、平
坦面を有するように研摩することができる。なお゛姓導
体つェーハWを研摩する際に発生する摩擦熱は、ノズル
6から噴出する砥液7またはターンテーブル3の図示し
ない冷却水の温度を下げて取り去るようにすればよい。
第3図(a)、(b)には本発明の他の例を示すが、押
し板11を環状に成形し、これを押圧箱10の下面周囲
にねじ16によって張り付けている。これによれば、半
導体ウェーハWを貼付していないプレート1の中心部は
押圧されないため、半導体ウェーハWの研摩面は一層均
等に押圧され高精度に研摩される。
また第4図には本発明のさらに他の例を示すが。
トップリング乱に半導体ウェーハWと同数の抑圧箱10
(たとえば6個)を設け、各抑圧箱lOの下面に押し板
11を張設して各抑圧箱10内に形成される密閉空間1
2に圧縮エアーを供給するようにしたものである。これ
によればさらにウェーハの研摩精度をあげることができ
る。
(実施例) つぎに本発明の装置の実施例を第5図、第6図によって
さらに詳しく説明する。
円板状のターンテーブル3はモータ等を含む図示しない
駆動装置によって中心軸まわりに所定の速度で水平に回
転駆動され、その上面には適度の弾性を有するバフ2が
接着されている。またこのターンテーブル3の外周部上
方には複数(本実施例では4本)のロッド17(図では
1本のみ表示)が垂設され、各ロッド17は上部ロッド
17aと下部ロッド17bとをフランジ18.19及び
ボルト20にて連結一体化して構成される。ロッド17
は上部ロッド17aに結着された上下作動板21を介し
て図示しない上下駆動装置によって上下駆動され、その
下端部にはステンレス鋼(sus304)にて逆皿状に
成形されたトップリング旦が上下動自在に遊嵌されてい
る。 そして、上記トップリング−〇−の上面には円筒
状の保護パイプ22が下部ロッド17bの外周を被うよ
うにしてボルト23にて結着され、ロッド保護パイプ2
2の外周側には鉛にてリング状に成形された複数枚(図
示例では9枚)のウェイト24が載置されており、これ
らウェイト24はねじ25によって一体的に固定され、
その上面及び外周部はステンレス鋼(sus304)製
のウェイトカバー26,27にて被われる。またトップ
リング旦の下面にはVリング当て金28とスライダー押
さえリング29とが上下2段にボルト30.31にて結
着され、これらVリング当て金28とスライダー押さえ
リング29との間に形成される空間内にはリング状のス
ライダー32が摺動自在に嵌装されている。そして、こ
のスライダ−32内周部には前記下部ロッド17bの下
端外周に摺接するオイルシール33が上下2段に保持さ
れ、スライダー32の外周部には前記Vリング当て金2
8の下面に摺接するVリング34が嵌合保持されている
。なおVリング当て金28のトップリング炙下面への接
合部はOリング35によって気密が保たれる。
またトップリング基の下面はシリコンゴムにて薄円板状
に成形された押し板11にて閉塞されるが、トップリン
グ基の下面周縁には2つのリング状凹溝8a、8bが同
心状に形成され、他方押し板11の上面周縁には同心状
に2つのリング状突起11a、11bが突設され、それ
ぞれ前記凹溝8a、8b内に嵌合させることによって押
し板11はトップリング下面に気密に張設される。かく
て、トップリング8内には気密にシールされた密閉空間
12が形成され、この空間には前記ロッド17内に穿設
された流体供給孔36の一端が開口している。そして密
閉空間12には第6図に示す流体供給系を経て所定圧力
の圧縮エアーが供給される。
しかして、上記押し板11で前記バフ2に押圧されてい
るプレート1はセラミック等の剛性の高い材料にて平板
状に形成され、該プレート1の下面には複数枚(本実施
例では4枚)のウェーハである薄円板状のウェーハWが
ワックス等で貼付されている。プレート1の外周は回転
自在な支持ローラ37によって支えられているので、プ
レート1がトップリング基から脱落することはない。
つぎに、前記トップリング鼻内に形成される密閉空間1
2へ所定圧力の圧縮エアーを供給する流体供給系競の構
成を第6図に基いて説明する。3は図示矢印方向に回転
駆動される前記ターンテーブルであり、その上面側には
複数(図示例では4つ)のトップリング基が等角度ピッ
チ(図示例では90゜ピッチ)でその中心軸周りに回転
可能に配されており、各トップリング−β−の下部には
前記密閉空間12が形成されている。
また39はエアーコンプレッサー等のエアー供給源で、
その吐出側に接続される管路aの中間にエアーフィルタ
ー40及びエアーレギュレーター41が介設されている
。そして、管路aからは管路b、各管路すからはさらに
管路Cが分岐し、各管路Cの端部はロッド17内に嵌設
された前記流体供給孔36に接続される。なお各管路C
にはブースターリレー44.電磁弁43及び圧力センサ
ー42が介設され。
ブースターリレー44には精密コントローラ45、圧力
計46及びサイレンサー47が併設される。精密コント
ローラ45は前記圧力センサー42から送られてくる電
気信号に基いて、トップリング見向の密閉空間12へ供
給される圧縮エアーの圧力を所定値に保つべく制御する
ものである。
つぎに本研摩装置による研摩方法を説明する。
ターンテーブル3は図示しない駆動装置によってその中
心軸周りに一定速度で回転駆動されており、このとき各
トップリング見向に形成された密閉空間12には第6図
に示す流体供給系並から所定圧力の圧縮エアーが供給さ
れる。すなわちエアーコンプレッサー39で発生する圧
縮エアーは、エアーフィルター40及びエアーレギュレ
ーター41を経て管路aから管路す、 cへと流れ、ブ
ースターリレー44及び電磁弁43を経て第5図に示す
各ロッド17の流体供給孔36からトップリング−βユ
内の密閉空間12へ供給される。このとき密閉空間1z
へ供給されるエアーの圧力pcL□の大きさは、前記精
密コントローラ45によって調節されるが、トップリン
グ基とウェイト24との総重量G、ウェーハWの総研摩
面積A′と研摩圧力P、エアーの圧力p(2if及び押
し板11のプレート1上面への接触面積Aの間にはつぎ
の関係がなりたつ。
G=PXA’ ==pcL、、XA A′は一定であるから、上式より明らかなように、最適
Pを得るようGを調節する。同時に押し板11がプレー
ト1の全接触面積Aを均一に押圧するようp、Z□の値
を調節しなければならない。
第5図では、研摩圧力Pを変えるために、ウェイト24
を増減するが、必ずしもウェイト24の加減のみによら
ず、別の方法たとえばバネの伸縮応力、流体圧力(エア
ーシリンダー、油圧シリンダー等)などを利用してもよ
い。
このようにエアー圧力p(2L□を適当に調節すれば、
プレート1上面にほぼ全面にわたって均一な荷重が押し
板11を介して加わり、プレート1の撓み変形をなくし
てこれの平坦度を高く保ち、プレート1下面に貼付され
たすべてのウェーハWは全面にわたって均一な圧力Pを
受ける。
しかして、ターンテーブル3上のバフ2には半径方向に
周速度差があるので、半導体ウェーハW。
プレート1、トップリング見、ウェイト24等はロッド
17の周りを回転する。この回転によって半導体ウェー
ハWとバフ2との間には相対滑りが生じ。
各半導体ウェーハWは図示しないノズルから砥液の供給
を受けながらバフ2によって鏡面研摩される。 ここで
エアー圧力p、2.’)−の値を適当に調節すれば、プ
レート1の撓み変形をなくしてこれの平坦度を高く保つ
ことができるため、半導体ウェーハWが高精度に研摩さ
れてその平行度及び平坦度が高く保たれ、近年の半導体
デバイスの高集積化に伴い半導体ウェーハに要求される
精度を充分満足し得るものとなる。
つぎに本発明方法及び従来方法によりウェーハを研摩し
たときの平坦度(厚さのばらつき単位μm)を下表に示
す。
いずれも試料400枚の平均である。
また本発明によれば、ウェーハの表面を意図的に凹また
は凸あるいはウェーハの研摩面周辺端の面取りを行うこ
とも容易である。
なお以上の実施例においては、本発明に係わる研摩方法
及び研摩装置を特に半導体ウェーハを研摩する場合に限
って説明したが、ガラスその他任意のウェーハの研摩に
対しても適用可能である。
また上記実施例においては、プレート上面を抑圧する媒
体として特に圧縮エアーを用いたが、水等の液体その他
の流体を用いることもでき、この場合は、ウェーハ研摩
の際発生する摩擦熱の除去効果があるという利点が得ら
れる。
この実施例においては、トップリング五が自由回転する
ように構成したが、研摩速度を高める必要等のためトッ
プリングを強制回転させるように構成してもよい。また
押し板11の材質としてシリコンゴムを用いたが、これ
に代えてステンレス箔等の金属箔を用いてもよく、ウェ
ーハのプレートへの貼付はワックスレス法、減圧吸着法
によってもよい。
さらに本発明は、バフ研摩以外、たとえば粗い遊離砥粒
を用いて片面のみの平面仕上げ加工を行う金属、セラミ
ック、半導体ウェーハ等のラップ加工方法及び装置に対
しても適用可能である。
(発明の効果) 以上の説明で明らかなように本発明の方法及び装置によ
れば、研摩時にプレート上面に均一に所定の流体圧力を
作用させるため、プレートの撓み変形を実質的になくし
てプレートの平坦度を高く保ち、ウェーハを高精度に研
摩することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の装置の一例を示す断面図を、第2図(
a)、(b)は第1図の例の動作状況の説明図を、第3
図(a)、(b)は本発明の装置の他の例を示す斜視図
と断面図を、第4図は本発明の装置のさらに他の例を示
す断面図を、第5図は本発明の実施例における装置の断
面図を、第6図は第5図の装置の流体供給系図を、第7
図(a)、(b)は従来の研摩装置の断面図を、第8図
(a)、(b)は第7図(a)、(b)の装置の動作状
況の説明図を示す。 W・・・ウェーハ、  1・・・プレート、  2・・
・バフ、3・・・ターンテーブル、  4・・・ウェイ
ト、5・・・トップリング、  6・・・ノズル。 7・・・砥液、 −β−・・・トップリング、8a、8
b・・・凹溝、 9・・・弾性シールリング。 IO・・・押圧箱、 11・・・可撓性薄膜(押し板)
、12・・・密閉空間、 13・・・圧力調節a4M、
14・・・流体供給管、15・・・流体排出管。 16・・・ねじ、 17・・・ロッド、 17a・・・
上部ロッド、17b・・・下部ロッド、 18.19・
・・フランジ、20・・・ボルト、 21・・・上下作
動板、22・・・保護パイプ、 23・・・ボルト、 
24・・・ウェイト、25・・・ねじ、26.27・・
・ウェイトカバー、28・・・Vリング当て金。 29・・・スライダー押さえリング、 30.31・・・ボルト、 32・・・スライダー、3
3・・・オイルシール、 34・・・Vリング、35・
・・Oリング、36・・・流体供給孔、37・・・支持
ローラ、 38−・・流体供給系、39・・・エアーコ
ンプレッサー、 40・・・エアーフィルター、 41・・・エアーレギュレーター、 42・・・圧力センサー、 43・・・電磁弁、44・
・・ブースターリレー、 45・・・精密コントローラ、 46・・・圧力計、4
7・・・サイレンサー、 a、b、c・・・管路。 1−、シ′ 銅2図 (a)            (b)(b) W            W 第5図 第6図 只 第7図 (a) (b)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一面にウェーハを貼付した回転可能なプレートを
    、ターンテーブル上に該面を下にして載せ、下部が逆皿
    状のトップリングで該プレートを押圧し、ウェーハとタ
    ーンテーブルとの相対滑りによってウェーハを鏡面研摩
    するにあたり、該トップリング下面に可撓性薄膜を張設
    して密閉空間を形成し、該密閉空間に圧力流体を供給し
    て該プレートを押圧することを特徴とするウェーハの研
    摩方法。
  2. (2)一面にウェーハを貼付した回転可能なプレートと
    、該プレートを該面を下にして載せるターンテーブルと
    、該プレートを押圧する下部が逆皿状トップリングとよ
    りなり、ウェーハとターンテーブルとの相対滑りによっ
    てウェーハを鏡面研摩する研摩装置において、該トップ
    リング下面に可撓性薄膜を張設して密閉空間を形成し、
    該密閉空間に圧力流体を供給する流体供給源と該圧力流
    体の圧力調節機構を設けてなることを特徴とするウェー
    ハの研摩装置。
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