JPH0128514B2 - - Google Patents
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- JPH0128514B2 JPH0128514B2 JP57084966A JP8496682A JPH0128514B2 JP H0128514 B2 JPH0128514 B2 JP H0128514B2 JP 57084966 A JP57084966 A JP 57084966A JP 8496682 A JP8496682 A JP 8496682A JP H0128514 B2 JPH0128514 B2 JP H0128514B2
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Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、プリント配線用基板の製造方法に関
するものであり、特に本発明は、１次、２次の各
陽極酸化処理に異なる電解液を使用するとともに
一連の連続的処理による耐熱性ならびに耐電圧の
高いプリント配線用基板の製造方法に関するもの
である。
するものであり、特に本発明は、１次、２次の各
陽極酸化処理に異なる電解液を使用するとともに
一連の連続的処理による耐熱性ならびに耐電圧の
高いプリント配線用基板の製造方法に関するもの
である。
従来、プリント配線基板は紙或いはガラス繊維
と熱硬化性樹脂と銅箔より構成される銅張り積層
板が最も広く用いられており、放熱効果が悪く耐
熱性が乏しかつた。このため放熱効果が大きい基
板として例えば特公昭46―13234号により、陽極
酸化により酸化アルミニウム皮膜が施されたアル
ミニウム基板が提案された。しかし、前記酸化ア
ルミニウム皮膜とアルミニウムとの熱膨張係数の
差により酸化アルミニウム皮膜に発生する高温時
のクラツク、前記酸化アルミニウム皮膜に存在す
る微細孔等のために酸化アルミニウム皮膜のみで
は電気的絶縁性の点で不完全であるので、これら
をできるだけ少なくさせる方法或いはこれらを封
着させる方法が種々提案されている。
と熱硬化性樹脂と銅箔より構成される銅張り積層
板が最も広く用いられており、放熱効果が悪く耐
熱性が乏しかつた。このため放熱効果が大きい基
板として例えば特公昭46―13234号により、陽極
酸化により酸化アルミニウム皮膜が施されたアル
ミニウム基板が提案された。しかし、前記酸化ア
ルミニウム皮膜とアルミニウムとの熱膨張係数の
差により酸化アルミニウム皮膜に発生する高温時
のクラツク、前記酸化アルミニウム皮膜に存在す
る微細孔等のために酸化アルミニウム皮膜のみで
は電気的絶縁性の点で不完全であるので、これら
をできるだけ少なくさせる方法或いはこれらを封
着させる方法が種々提案されている。
例えば特開昭54―13967号によれば、アルミニ
ウム基板の表面に陽極酸化により酸化アルミニウ
ム皮膜を形成させた後に微細孔を封孔する際、長
時間の封孔処理を施すと加熱の際にクラツクが発
生するので、短時間の封孔処理を余儀なくされて
いるが、かかる方法によればいまだクラツクの発
生を完全になくすることは困難であつた。また特
開昭54―66463によれば、アルミニウム基板の表
面に陽極酸化により酸化アルミニウム皮膜を形成
させ、前記酸化皮膜にできた微細孔を封孔処理し
た後、加熱して前記酸化皮膜にクラツクを発生さ
せ、再び陽極酸化を行う方法であるが、この方法
によればなお前記陽極酸化されたクラツク部分に
再びクラツクが発生して電気的絶縁性の点では信
頼性に乏しかつた。また特開昭54―66462号によ
れば、アルミニウム基板と該アルミニウム基板の
表面に陽極酸化により形成された酸化皮膜と該酸
化皮膜に発生したクラツクと該クラツク内に含浸
された液状絶縁物とを具備した基板であるが、こ
の基板の製造方法によれば前記クラツクの発生す
る高温処理により微細孔内が乾燥するので微細孔
内に液状絶縁物を完全に充填させることは困難で
あつた。
ウム基板の表面に陽極酸化により酸化アルミニウ
ム皮膜を形成させた後に微細孔を封孔する際、長
時間の封孔処理を施すと加熱の際にクラツクが発
生するので、短時間の封孔処理を余儀なくされて
いるが、かかる方法によればいまだクラツクの発
生を完全になくすることは困難であつた。また特
開昭54―66463によれば、アルミニウム基板の表
面に陽極酸化により酸化アルミニウム皮膜を形成
させ、前記酸化皮膜にできた微細孔を封孔処理し
た後、加熱して前記酸化皮膜にクラツクを発生さ
せ、再び陽極酸化を行う方法であるが、この方法
によればなお前記陽極酸化されたクラツク部分に
再びクラツクが発生して電気的絶縁性の点では信
頼性に乏しかつた。また特開昭54―66462号によ
れば、アルミニウム基板と該アルミニウム基板の
表面に陽極酸化により形成された酸化皮膜と該酸
化皮膜に発生したクラツクと該クラツク内に含浸
された液状絶縁物とを具備した基板であるが、こ
の基板の製造方法によれば前記クラツクの発生す
る高温処理により微細孔内が乾燥するので微細孔
内に液状絶縁物を完全に充填させることは困難で
あつた。
本発明は、従来のプリント配線用基板の有する
前記欠点を除去、改良した製造方法を提供するこ
とを目的とするものであつて、その特徴とすると
ころは、 アルミニウム基板の少なくとも１面を、リン
酸、クロム酸の何れか少なくとも１種の溶液にて
１次陽極酸化処理することによつてポア層とバリ
ア層とからなる酸化アルミニウム皮膜を形成さ
せ、引き続いて水洗し、 次に、ホウ酸アンモニウム、酒石酸アンモニウ
ムの何れか少なくとも１種の水溶液と、メタノー
ル、エタノール、Ｎ―メチルピロリドンのなかか
ら選ばれる何れか少なくとも１種との混合溶液に
て２次陽極酸化処理することによつて前記バリア
層を成長させた肥厚化酸化アルミニウム皮膜を形
成させ、引き続いてＮ―メチルピロリドン液中で
洗浄し、 その後直ちにポリイミド樹脂のＮ―メチルピロ
リドン溶液中に浸漬させることにより、前記酸化
アルミニウム皮膜に存在する微細孔ならびに欠陥
部を前記ポリイミド樹脂により封着させる、 ことを特徴とするプリント配線用基板の製造方法
にある。
前記欠点を除去、改良した製造方法を提供するこ
とを目的とするものであつて、その特徴とすると
ころは、 アルミニウム基板の少なくとも１面を、リン
酸、クロム酸の何れか少なくとも１種の溶液にて
１次陽極酸化処理することによつてポア層とバリ
ア層とからなる酸化アルミニウム皮膜を形成さ
せ、引き続いて水洗し、 次に、ホウ酸アンモニウム、酒石酸アンモニウ
ムの何れか少なくとも１種の水溶液と、メタノー
ル、エタノール、Ｎ―メチルピロリドンのなかか
ら選ばれる何れか少なくとも１種との混合溶液に
て２次陽極酸化処理することによつて前記バリア
層を成長させた肥厚化酸化アルミニウム皮膜を形
成させ、引き続いてＮ―メチルピロリドン液中で
洗浄し、 その後直ちにポリイミド樹脂のＮ―メチルピロ
リドン溶液中に浸漬させることにより、前記酸化
アルミニウム皮膜に存在する微細孔ならびに欠陥
部を前記ポリイミド樹脂により封着させる、 ことを特徴とするプリント配線用基板の製造方法
にある。
即ち、本発明によれば、酸性電解液を使う１次
陽極酸化処理ではポア層とバリア層の厚い皮膜を
形成することができ、そしてほぼ中性の電解液を
使う２次陽極酸化処理では前記バリア層を成長さ
せた皮膜を形成することができ、そして樹脂含浸
では微細孔等を樹脂封着することができ、高温時
のクラツク発生がなく、また電気的に完全な絶縁
皮膜を極めて容易に形成させることを特徴とする
ものである。
陽極酸化処理ではポア層とバリア層の厚い皮膜を
形成することができ、そしてほぼ中性の電解液を
使う２次陽極酸化処理では前記バリア層を成長さ
せた皮膜を形成することができ、そして樹脂含浸
では微細孔等を樹脂封着することができ、高温時
のクラツク発生がなく、また電気的に完全な絶縁
皮膜を極めて容易に形成させることを特徴とする
ものである。
次に本発明のプリント配線用基板の製造方法を
図面に基づいて詳細に説明する。
図面に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明の製造方法中アルミニウム基板
に第１回目の陽極酸化を施した後のアルミニウム
基板と、ポア層とバリア層とからなる酸化アルミ
ニウム皮膜との縦断面図であり、アルミニウム基
板１の少なくとも一面を苛性ソーダ溶液或いはリ
ン酸系溶液中で脱脂、研摩した後、水洗し、次い
で硝酸溶液中で酸洗した後、水洗し、次いでリン
酸、クロム酸の何れか少なくとも１種の溶液中で
陽極酸化して酸化アルミニウム皮膜２が形成され
ている。なお第２図は前記アルミニウム基板と酸
化アルミニウム皮膜とを拡大した縦断面図であ
り、ポア層２ａとバリア層２ｂとからなる前記酸
化アルミニウム皮膜のうち、該ポア層２ａの部分
には微細孔３が並んで存在し、この微細孔３の最
奥端は前記バリア層２ｂの部分を残してアルミニ
ウム基板１の表面近くにまで達している。また第
３図に示す如く前記酸化アルミニウム皮膜２中に
は通常酸化アルミニウムが欠落している開口欠陥
孔４ならびに非開口欠陥空洞５の如き欠陥部が点
在ていしている。本発明によれば前記第１回目の
陽極酸化を施した後、水洗し、次いでホウ酸アン
モニウム、酒石酸アンモニウムの何れか少なくと
も１種の水溶液とメタノール、エタノール、Ｎ―
メチルピリドンのなかから選ばれる何れか少なく
とも１種との混合溶液中で第２回目の陽極酸化し
てさらにバリア層２ｂが肥厚化した酸化アルミニ
ウム皮膜を形成させる。第４図はこのように第２
回目の陽極酸化を施してさらに肥厚化（バリア
層）酸化アルミニウム皮膜を形成させた後のアル
ミニウム基板と酸化アルミニウム皮膜とを拡大し
た縦断面図であり、微細孔３の最奥端部とアルミ
ニウム基板１との間に形成されている皮膜中バリ
ア層２ｂの部分が成長して肥厚化し、その分だけ
皮膜全体が肥厚化したものとなる。これは中性電
解液にて陽極酸化処理することの必然的な結果で
あり、いわゆる微細孔３の多いポア層が酸性電解
液を使つたときに発生するのに比べると対称的な
皮膜の形成・成長の仕方である。図示した６はそ
の肥厚化バリア層を示している。
に第１回目の陽極酸化を施した後のアルミニウム
基板と、ポア層とバリア層とからなる酸化アルミ
ニウム皮膜との縦断面図であり、アルミニウム基
板１の少なくとも一面を苛性ソーダ溶液或いはリ
ン酸系溶液中で脱脂、研摩した後、水洗し、次い
で硝酸溶液中で酸洗した後、水洗し、次いでリン
酸、クロム酸の何れか少なくとも１種の溶液中で
陽極酸化して酸化アルミニウム皮膜２が形成され
ている。なお第２図は前記アルミニウム基板と酸
化アルミニウム皮膜とを拡大した縦断面図であ
り、ポア層２ａとバリア層２ｂとからなる前記酸
化アルミニウム皮膜のうち、該ポア層２ａの部分
には微細孔３が並んで存在し、この微細孔３の最
奥端は前記バリア層２ｂの部分を残してアルミニ
ウム基板１の表面近くにまで達している。また第
３図に示す如く前記酸化アルミニウム皮膜２中に
は通常酸化アルミニウムが欠落している開口欠陥
孔４ならびに非開口欠陥空洞５の如き欠陥部が点
在ていしている。本発明によれば前記第１回目の
陽極酸化を施した後、水洗し、次いでホウ酸アン
モニウム、酒石酸アンモニウムの何れか少なくと
も１種の水溶液とメタノール、エタノール、Ｎ―
メチルピリドンのなかから選ばれる何れか少なく
とも１種との混合溶液中で第２回目の陽極酸化し
てさらにバリア層２ｂが肥厚化した酸化アルミニ
ウム皮膜を形成させる。第４図はこのように第２
回目の陽極酸化を施してさらに肥厚化（バリア
層）酸化アルミニウム皮膜を形成させた後のアル
ミニウム基板と酸化アルミニウム皮膜とを拡大し
た縦断面図であり、微細孔３の最奥端部とアルミ
ニウム基板１との間に形成されている皮膜中バリ
ア層２ｂの部分が成長して肥厚化し、その分だけ
皮膜全体が肥厚化したものとなる。これは中性電
解液にて陽極酸化処理することの必然的な結果で
あり、いわゆる微細孔３の多いポア層が酸性電解
液を使つたときに発生するのに比べると対称的な
皮膜の形成・成長の仕方である。図示した６はそ
の肥厚化バリア層を示している。
つぎに、前記第２回目陽極酸化処理の後は、引
き続いてＮ―メチルピロリドン液中で洗浄後、直
ちにポリイミド樹脂のＮ―メチルピロリドン溶液
中に浸漬させた後、前記ポリイミド樹脂を乾燥、
硬化させ、前記酸化アルミニウム皮膜２に存在す
る微細孔３と開口欠陥孔４、非開口欠陥空洞５の
如き欠陥部とを前記ポリイミド樹脂により封着さ
せる。なお、非開口欠陥空洞５の中にも前記微細
孔３を経てポリイミド樹脂が滲透する。
き続いてＮ―メチルピロリドン液中で洗浄後、直
ちにポリイミド樹脂のＮ―メチルピロリドン溶液
中に浸漬させた後、前記ポリイミド樹脂を乾燥、
硬化させ、前記酸化アルミニウム皮膜２に存在す
る微細孔３と開口欠陥孔４、非開口欠陥空洞５の
如き欠陥部とを前記ポリイミド樹脂により封着さ
せる。なお、非開口欠陥空洞５の中にも前記微細
孔３を経てポリイミド樹脂が滲透する。
次に本発明の製造方法中第１回目の陽極酸化処
理について説明する。リン酸、クロム酸の何れか
少なくとも１種の溶液中の正リン酸換算濃度１〜
800ｇ／、無水クロム酸換算濃度１〜400ｇ／
、液温０〜70℃、電流密度0.1〜10A／ｄm2、
電圧10〜200Vの条件により陽極酸化し、酸化皮
膜厚１〜50μとなすことが好ましい。
理について説明する。リン酸、クロム酸の何れか
少なくとも１種の溶液中の正リン酸換算濃度１〜
800ｇ／、無水クロム酸換算濃度１〜400ｇ／
、液温０〜70℃、電流密度0.1〜10A／ｄm2、
電圧10〜200Vの条件により陽極酸化し、酸化皮
膜厚１〜50μとなすことが好ましい。
次に第２回目の陽極酸化処理について説明す
る。ホウ酸アンモニウム、酒石酸アンモニウムの
何れか少なくとも１種の水溶液とメタノール、エ
タノール、Ｎ―メチルピロリドンのなかから選ば
れる何れか少なくとも１種との混合溶液中の四ホ
ウ酸アンモニウム濃度0.1〜100ｇ／、酒石酸ア
ンモニウム濃度0.1〜100ｇ／、水10〜900ｇ／
、液温０〜70℃、電流密度0.01〜1A／ｄm2、
電圧10〜1000Vの条件により陽極酸化するが、酸
化皮膜厚の測定が困難であるのでその処理時間を
10〜120minとすることが好ましい。
る。ホウ酸アンモニウム、酒石酸アンモニウムの
何れか少なくとも１種の水溶液とメタノール、エ
タノール、Ｎ―メチルピロリドンのなかから選ば
れる何れか少なくとも１種との混合溶液中の四ホ
ウ酸アンモニウム濃度0.1〜100ｇ／、酒石酸ア
ンモニウム濃度0.1〜100ｇ／、水10〜900ｇ／
、液温０〜70℃、電流密度0.01〜1A／ｄm2、
電圧10〜1000Vの条件により陽極酸化するが、酸
化皮膜厚の測定が困難であるのでその処理時間を
10〜120minとすることが好ましい。
次に前記第２回目の陽極酸化処理後のポリイミ
ド樹脂のＮ―メチルピロリドン溶液中への浸漬処
理について説明する。前記溶液中のポリイミド樹
脂濃度10〜700ｇ／、液温100℃以下とし、その
浸漬時間を1min以上とすることが好ましい。
ド樹脂のＮ―メチルピロリドン溶液中への浸漬処
理について説明する。前記溶液中のポリイミド樹
脂濃度10〜700ｇ／、液温100℃以下とし、その
浸漬時間を1min以上とすることが好ましい。
ところで本発明によれば第１回目の陽極酸化処
理、第２回目の陽極酸化処理ならびにポリイミド
樹脂溶液中への浸漬処理は連続的に施すことが必
要である。もし前記第１回目の陽極酸化処理と第
２回目の陽極酸化処理とを連続して施さないと、
第１回目の陽極酸化処理により生じた微細孔に空
気が取り込まれ、第２回目の陽極酸化処理が完全
には施されなくなる。また同様の理由により第２
回目の陽極酸化処理とポリイミド樹脂溶液中への
浸漬処理との間に酸化アルミニウム皮膜が乾燥す
ると、微細孔中にポリイミド樹脂が完全に充填さ
れない部分が発生し、酸化アルミニウム皮膜の電
気的信頼性を向上させることができない。この酸
化アルミニウム皮膜を乾燥させないために、第２
回目の陽極酸化処理液にメタノール、エタノー
ル、Ｎ―メチルピロリドンのなかから選ばれる何
れか少なくとも１種の水溶性有機溶媒を混合し、
さらに第２回目の陽極酸化処理とポリイミド樹脂
溶液中への浸漬処理との間にポリイミド樹脂の有
機溶媒であるＮ―メチルピロリドン液による洗浄
処理を入れ、第２回目の陽極酸化処理とポリイミ
ド樹脂溶液中への浸漬処理とを連続的に施すので
ある。即ち本発明は、特に酸化アルミニウム皮膜
を形成させる処理と微細孔ならびに欠陥部すなわ
ち開口欠陥孔ならびに非開口欠陥空洞を封着させ
る処理とを連続させることによつて電気的に完全
な絶縁皮膜を極めて容易に形成させることを特徴
とするものである。
理、第２回目の陽極酸化処理ならびにポリイミド
樹脂溶液中への浸漬処理は連続的に施すことが必
要である。もし前記第１回目の陽極酸化処理と第
２回目の陽極酸化処理とを連続して施さないと、
第１回目の陽極酸化処理により生じた微細孔に空
気が取り込まれ、第２回目の陽極酸化処理が完全
には施されなくなる。また同様の理由により第２
回目の陽極酸化処理とポリイミド樹脂溶液中への
浸漬処理との間に酸化アルミニウム皮膜が乾燥す
ると、微細孔中にポリイミド樹脂が完全に充填さ
れない部分が発生し、酸化アルミニウム皮膜の電
気的信頼性を向上させることができない。この酸
化アルミニウム皮膜を乾燥させないために、第２
回目の陽極酸化処理液にメタノール、エタノー
ル、Ｎ―メチルピロリドンのなかから選ばれる何
れか少なくとも１種の水溶性有機溶媒を混合し、
さらに第２回目の陽極酸化処理とポリイミド樹脂
溶液中への浸漬処理との間にポリイミド樹脂の有
機溶媒であるＮ―メチルピロリドン液による洗浄
処理を入れ、第２回目の陽極酸化処理とポリイミ
ド樹脂溶液中への浸漬処理とを連続的に施すので
ある。即ち本発明は、特に酸化アルミニウム皮膜
を形成させる処理と微細孔ならびに欠陥部すなわ
ち開口欠陥孔ならびに非開口欠陥空洞を封着させ
る処理とを連続させることによつて電気的に完全
な絶縁皮膜を極めて容易に形成させることを特徴
とするものである。
第１回目の陽極酸化処理により形成させた酸化
アルミニウム皮膜は300℃以上の高温時でもクラ
ツクを発生しないが、第１回目の陽極酸化処理溶
液以外の溶液、例えば硫酸溶液或いはシユウ酸溶
液中での陽極酸化処理により形成させた酸化アル
ミニウム皮膜は200℃くらいで多数のクラツクを
発生する。この理由は第１回目の陽極酸化処理に
より形成させた酸化アルミニウム皮膜の微細孔が
比較的大きいために、酸化アルミニウム皮膜とア
ルミニウムとの熱膨張係数の差が吸収されること
によるものであると考えられる。
アルミニウム皮膜は300℃以上の高温時でもクラ
ツクを発生しないが、第１回目の陽極酸化処理溶
液以外の溶液、例えば硫酸溶液或いはシユウ酸溶
液中での陽極酸化処理により形成させた酸化アル
ミニウム皮膜は200℃くらいで多数のクラツクを
発生する。この理由は第１回目の陽極酸化処理に
より形成させた酸化アルミニウム皮膜の微細孔が
比較的大きいために、酸化アルミニウム皮膜とア
ルミニウムとの熱膨張係数の差が吸収されること
によるものであると考えられる。
また第２回目の陽極酸化処理により肥厚化酸化
アルミニウム皮膜を形成させることによつて耐電
圧が向上する。この理由は前述の如く酸化アルミ
ニウム皮膜２のうち、肥厚化バリア層６が新たに
形成されることによるものであるが、いまだ充分
な電気的信頼性に乏しい。
アルミニウム皮膜を形成させることによつて耐電
圧が向上する。この理由は前述の如く酸化アルミ
ニウム皮膜２のうち、肥厚化バリア層６が新たに
形成されることによるものであるが、いまだ充分
な電気的信頼性に乏しい。
第２回目の陽極酸化処理後、ポリイミド樹脂溶
液中への浸漬処理により酸化アルミニウム皮膜に
存在する微細孔ならびに欠陥部すなわち開口欠陥
孔ならびに非開口欠陥空洞をポリイミド樹脂によ
り封着せることによつて耐電圧が向上する。なお
ポリイミド樹脂は比較的耐熱性ならびに耐薬品性
が高いので、他の樹脂を用いた場合よりも耐熱性
ならびに耐薬品性において優れている。また前記
樹脂により封着された基板表面には前記樹脂の薄
い皮膜が自動的に形成されている。
液中への浸漬処理により酸化アルミニウム皮膜に
存在する微細孔ならびに欠陥部すなわち開口欠陥
孔ならびに非開口欠陥空洞をポリイミド樹脂によ
り封着せることによつて耐電圧が向上する。なお
ポリイミド樹脂は比較的耐熱性ならびに耐薬品性
が高いので、他の樹脂を用いた場合よりも耐熱性
ならびに耐薬品性において優れている。また前記
樹脂により封着された基板表面には前記樹脂の薄
い皮膜が自動的に形成されている。
次に本発明を実施例ならびに比較例について説
明する。
明する。
実施例 １
アルミニウム基板の少なくとも一面をリン酸溶
液中の正リン酸換算濃度55ｇ／、液温25℃、電
流密度1A／ｄm2、電圧120Vの条件により１次陽
極酸化して酸化アルミニウム皮膜厚20μを形成さ
せた後、水洗し、次いでホウ酸アンモニウム水溶
液とＮ―メチルピロリドンとの混合溶液中の四ホ
ウ酸アンモニウム濃度10ｇ／、水100ｇ／、
液温20℃、電流密度0.05A／ｄm2、電圧500V、処
理時間60minの条件により２次陽極酸化し、引き
続いてＮ―メチルピロリドン液中で洗浄後、直ち
にポリイミド樹脂のＮ―メチルピロリドン溶液中
のポリイミド樹脂濃度200ｇ／、液温25℃、浸
漬時間60minの条件によりポリイミド樹脂溶液中
に浸漬させて、酸化アルミニウム皮膜に存在する
微細孔ならびに欠陥部すなわち開口欠陥孔ならび
に非開口欠陥空洞をポリイミド樹脂により封着さ
せた。前記一連の連続的処理により形成させた絶
縁皮膜は300℃でもクラツクを発生せず、300℃で
の熱処理後の耐電圧は2.0KV、熱伝導率は
0.42cal／sec・cm・℃であつた。
液中の正リン酸換算濃度55ｇ／、液温25℃、電
流密度1A／ｄm2、電圧120Vの条件により１次陽
極酸化して酸化アルミニウム皮膜厚20μを形成さ
せた後、水洗し、次いでホウ酸アンモニウム水溶
液とＮ―メチルピロリドンとの混合溶液中の四ホ
ウ酸アンモニウム濃度10ｇ／、水100ｇ／、
液温20℃、電流密度0.05A／ｄm2、電圧500V、処
理時間60minの条件により２次陽極酸化し、引き
続いてＮ―メチルピロリドン液中で洗浄後、直ち
にポリイミド樹脂のＮ―メチルピロリドン溶液中
のポリイミド樹脂濃度200ｇ／、液温25℃、浸
漬時間60minの条件によりポリイミド樹脂溶液中
に浸漬させて、酸化アルミニウム皮膜に存在する
微細孔ならびに欠陥部すなわち開口欠陥孔ならび
に非開口欠陥空洞をポリイミド樹脂により封着さ
せた。前記一連の連続的処理により形成させた絶
縁皮膜は300℃でもクラツクを発生せず、300℃で
の熱処理後の耐電圧は2.0KV、熱伝導率は
0.42cal／sec・cm・℃であつた。
実施例 ２
アルミニウム基板の少なくとも一面をリン酸溶
液中の正リン酸換算濃度55ｇ／、液温25℃、電
流密度1A／ｄm2、電圧120Vの条件により１次陽
極酸化して酸化アルミニウム皮膜厚20μを形成さ
せた後、水洗し、次いでホウ酸アンモニウム水溶
液とエタノールとの混合溶液中の四ホウ酸アンモ
ニウム濃度7.5ｇ／、水200ｇ／、液温20℃、
電流密度0.05A／ｄm2、電圧500V、処理時間
60minの条件により２次陽極酸化し、引き続いて
Ｎ―メチルピロリドン液中で洗浄後、直ちにポリ
イミド樹脂のＮ―メチルピロリドン溶液中のポリ
イミド樹脂濃度200ｇ／、液温25℃、浸漬時間
60minの条件によりポリイミド樹脂溶液中に浸漬
させて、酸化アルミニウム皮膜に存在する微細孔
ならびに欠陥部すなわち開口欠陥孔ならびに非開
口欠陥空洞をポリイミド樹脂により封着させた。
前記一連の連続的処理により形成させた絶縁皮膜
は300℃でもクラツクを発生せず、300℃での熱処
理後の耐電圧は2.0KV、熱伝導率は0.42cal／
sec・℃であつた。
液中の正リン酸換算濃度55ｇ／、液温25℃、電
流密度1A／ｄm2、電圧120Vの条件により１次陽
極酸化して酸化アルミニウム皮膜厚20μを形成さ
せた後、水洗し、次いでホウ酸アンモニウム水溶
液とエタノールとの混合溶液中の四ホウ酸アンモ
ニウム濃度7.5ｇ／、水200ｇ／、液温20℃、
電流密度0.05A／ｄm2、電圧500V、処理時間
60minの条件により２次陽極酸化し、引き続いて
Ｎ―メチルピロリドン液中で洗浄後、直ちにポリ
イミド樹脂のＮ―メチルピロリドン溶液中のポリ
イミド樹脂濃度200ｇ／、液温25℃、浸漬時間
60minの条件によりポリイミド樹脂溶液中に浸漬
させて、酸化アルミニウム皮膜に存在する微細孔
ならびに欠陥部すなわち開口欠陥孔ならびに非開
口欠陥空洞をポリイミド樹脂により封着させた。
前記一連の連続的処理により形成させた絶縁皮膜
は300℃でもクラツクを発生せず、300℃での熱処
理後の耐電圧は2.0KV、熱伝導率は0.42cal／
sec・℃であつた。
実施例 ３
アルミニウム基板の少なくとも一面をクロム酸
溶液中の無水クロム酸換算濃度30ｇ／、液温40
℃、電流密度0.5A／ｄm2、電圧100Vの条件によ
り１次陽極酸化して酸化アルミニウム皮膜厚20μ
を形成させた後、水洗し、次いで酒石酸アンモニ
ウム水溶液とメタノールとの混合溶液中の酒石酸
アンモニウム濃度7.5ｇ／、水200ｇ／、液温
20℃、電流密度0.05A／ｄm2、電圧400V、処理時
間60minの条件により２次陽極酸化し、引き続い
てＮ―メチルピロリドン液中で洗浄後、直ちにポ
リイミド樹脂のＮ―メチルピロリドン溶液中のポ
リイミド樹脂濃度200ｇ／、液温25℃、浸漬時
間60minの条件によりポリイミド樹脂溶液中に浸
漬させて酸化アルミニウム皮膜に存在する微細孔
ならびに欠陥部すなわち開口欠陥孔ならびに非開
口欠陥空洞をポリイミド樹脂により封着させた。
前記一連の連続的処理により形成させた絶縁皮膜
は300℃でもクラツクを発生せず、300℃での熱処
理後の耐電圧は1.8KV、熱伝導率は0.42cal／
sec・cm・℃であつた。
溶液中の無水クロム酸換算濃度30ｇ／、液温40
℃、電流密度0.5A／ｄm2、電圧100Vの条件によ
り１次陽極酸化して酸化アルミニウム皮膜厚20μ
を形成させた後、水洗し、次いで酒石酸アンモニ
ウム水溶液とメタノールとの混合溶液中の酒石酸
アンモニウム濃度7.5ｇ／、水200ｇ／、液温
20℃、電流密度0.05A／ｄm2、電圧400V、処理時
間60minの条件により２次陽極酸化し、引き続い
てＮ―メチルピロリドン液中で洗浄後、直ちにポ
リイミド樹脂のＮ―メチルピロリドン溶液中のポ
リイミド樹脂濃度200ｇ／、液温25℃、浸漬時
間60minの条件によりポリイミド樹脂溶液中に浸
漬させて酸化アルミニウム皮膜に存在する微細孔
ならびに欠陥部すなわち開口欠陥孔ならびに非開
口欠陥空洞をポリイミド樹脂により封着させた。
前記一連の連続的処理により形成させた絶縁皮膜
は300℃でもクラツクを発生せず、300℃での熱処
理後の耐電圧は1.8KV、熱伝導率は0.42cal／
sec・cm・℃であつた。
比較例 １
アルミニウム基板の少なくとも一面をリン酸溶
液中の正リン酸換算濃度55ｇ／、液温25℃、電
流密度1A／ｄm2、電圧120Vの条件により陽極酸
化して酸化アルミニウム皮膜厚20μを形成させた
後、水洗し、乾燥させた。次にホウ酸アンモニウ
ム水溶液とＮ―メチルピロリドンとの混合溶液中
の四ホウ酸アンモニウム濃度10ｇ／、水100
ｇ／、液温20℃、電流密度0.05A／ｄm2、電圧
500V、処理時間60minの条件により再び陽極酸
化し、Ｎ―メチルピロリドン液中で洗浄後、乾燥
させた。次にポリイミド樹脂のＮ―メチルピロリ
ドン溶液中のポリイミド樹脂濃度200ｇ／、液
温25℃、浸漬時間60minの条件によりポリイミド
樹脂溶液中に浸漬させて、酸化アルミニウム皮膜
に存在する微細孔ならびに欠陥部すなわち開口欠
陥孔ならびに非開口欠陥空洞をポリイミド樹脂に
より封着させた。前記不連続処理により形成させ
た絶縁皮膜は300℃でもクラツクを発生せず、300
℃での熱処理後の耐電圧は1.0KVと低かつた。
液中の正リン酸換算濃度55ｇ／、液温25℃、電
流密度1A／ｄm2、電圧120Vの条件により陽極酸
化して酸化アルミニウム皮膜厚20μを形成させた
後、水洗し、乾燥させた。次にホウ酸アンモニウ
ム水溶液とＮ―メチルピロリドンとの混合溶液中
の四ホウ酸アンモニウム濃度10ｇ／、水100
ｇ／、液温20℃、電流密度0.05A／ｄm2、電圧
500V、処理時間60minの条件により再び陽極酸
化し、Ｎ―メチルピロリドン液中で洗浄後、乾燥
させた。次にポリイミド樹脂のＮ―メチルピロリ
ドン溶液中のポリイミド樹脂濃度200ｇ／、液
温25℃、浸漬時間60minの条件によりポリイミド
樹脂溶液中に浸漬させて、酸化アルミニウム皮膜
に存在する微細孔ならびに欠陥部すなわち開口欠
陥孔ならびに非開口欠陥空洞をポリイミド樹脂に
より封着させた。前記不連続処理により形成させ
た絶縁皮膜は300℃でもクラツクを発生せず、300
℃での熱処理後の耐電圧は1.0KVと低かつた。
比較例 ２
アルミニウム基板の少なくとも一面を硫酸溶液
中の硫酸換算濃度183ｇ／、液温25℃、電流密
度1A／ｄm2、電圧10Vの条件により陽極酸化し
て酸化アルミニウム皮膜厚20μを形成させた後、
水洗し、乾燥させた。次にホウ酸アンモニウム水
溶液中の四ホウ酸アンモニウム濃度30ｇ／、液
温20℃、電流密度0.1A／ｄm2、電圧350V、処理
時間60minの条件により再び陽極酸化し、水洗
後、乾燥させた。次にポリイミド樹脂のＮ―メチ
ルピロリドン溶液中のポリイミド樹脂濃度200
ｇ／、液温25℃、浸漬時間60minの条件により
ポリイミド樹脂溶液中に浸漬させて、酸化アルミ
ニウム皮膜に存在す微細孔ならびに欠陥部すなわ
ち開口欠陥孔ならびに非開口欠陥空洞をポリイミ
ド樹脂により封着させた。前記不連続処理により
形成させた絶縁皮膜は200℃でクラツクを発生し、
300℃での熱処理後の耐電圧は0.5KVと低かつた。
また前記方法により酸化アルミニウム皮膜厚5μ
を形成させた場合には絶縁皮膜は300℃でもクラ
ツクを発生しない場合もあるが300℃での熱処理
後の耐電圧は0.3KVと極めて低かつた。
中の硫酸換算濃度183ｇ／、液温25℃、電流密
度1A／ｄm2、電圧10Vの条件により陽極酸化し
て酸化アルミニウム皮膜厚20μを形成させた後、
水洗し、乾燥させた。次にホウ酸アンモニウム水
溶液中の四ホウ酸アンモニウム濃度30ｇ／、液
温20℃、電流密度0.1A／ｄm2、電圧350V、処理
時間60minの条件により再び陽極酸化し、水洗
後、乾燥させた。次にポリイミド樹脂のＮ―メチ
ルピロリドン溶液中のポリイミド樹脂濃度200
ｇ／、液温25℃、浸漬時間60minの条件により
ポリイミド樹脂溶液中に浸漬させて、酸化アルミ
ニウム皮膜に存在す微細孔ならびに欠陥部すなわ
ち開口欠陥孔ならびに非開口欠陥空洞をポリイミ
ド樹脂により封着させた。前記不連続処理により
形成させた絶縁皮膜は200℃でクラツクを発生し、
300℃での熱処理後の耐電圧は0.5KVと低かつた。
また前記方法により酸化アルミニウム皮膜厚5μ
を形成させた場合には絶縁皮膜は300℃でもクラ
ツクを発生しない場合もあるが300℃での熱処理
後の耐電圧は0.3KVと極めて低かつた。
ところで、特開昭54―66463号によれば第１回
目の陽極酸化処理と第２回目の陽極酸化処理との
間に加熱処理を施すために、第１回目の陽極酸化
処理により生じた微細孔内が乾燥し、第２回目の
陽極酸化処理が微細孔の最奥端部において完全に
施されることが困難であるばかりか、なお加熱処
理によりクラツクが発生するという欠点を避ける
ことができない。また特開昭54―66462号によれ
ば陽極酸化処理と液状絶縁物中への浸漬処理との
間に高温処理が施されるために、陽極酸化処理に
より生じた微細孔内が乾燥し、微細孔内に液状絶
縁物を完全に充填させることが困難である。
目の陽極酸化処理と第２回目の陽極酸化処理との
間に加熱処理を施すために、第１回目の陽極酸化
処理により生じた微細孔内が乾燥し、第２回目の
陽極酸化処理が微細孔の最奥端部において完全に
施されることが困難であるばかりか、なお加熱処
理によりクラツクが発生するという欠点を避ける
ことができない。また特開昭54―66462号によれ
ば陽極酸化処理と液状絶縁物中への浸漬処理との
間に高温処理が施されるために、陽極酸化処理に
より生じた微細孔内が乾燥し、微細孔内に液状絶
縁物を完全に充填させることが困難である。
従つて本発明は特開昭54―66463号と特開昭54
―66462号とにそれぞれ記載された発明を単に組
合せた発明ではないことは明らかであり、即ち本
発明は第１回目の陽極酸化処理溶液を選定するこ
とによつて第１回目の陽極酸化処理により形成さ
せた酸化アルミニウム皮膜に発生する高温時のク
ラツクを完全になくし、第１回目の陽極酸化処
理、第２回目の陽極酸化処理ならびにポリイミド
樹脂溶液中への浸漬処理を連続的に施すことによ
つて電気的に完全な絶縁皮膜を極めて容易に形成
させることができる。よつて本発明の製造方法に
より得られるプリント配線用基板は放熱効果が大
きく、耐熱性ならびに耐電圧が高いので、部品実
装の高密度化と信頼性向上を可能ならしめ、本発
明の製造方法がプリント配線基板工業に与える利
益は大である。
―66462号とにそれぞれ記載された発明を単に組
合せた発明ではないことは明らかであり、即ち本
発明は第１回目の陽極酸化処理溶液を選定するこ
とによつて第１回目の陽極酸化処理により形成さ
せた酸化アルミニウム皮膜に発生する高温時のク
ラツクを完全になくし、第１回目の陽極酸化処
理、第２回目の陽極酸化処理ならびにポリイミド
樹脂溶液中への浸漬処理を連続的に施すことによ
つて電気的に完全な絶縁皮膜を極めて容易に形成
させることができる。よつて本発明の製造方法に
より得られるプリント配線用基板は放熱効果が大
きく、耐熱性ならびに耐電圧が高いので、部品実
装の高密度化と信頼性向上を可能ならしめ、本発
明の製造方法がプリント配線基板工業に与える利
益は大である。
第１図はアルミニウム基板に第１回目の陽極酸
化を施した後のアルミニウム基板と酸化アルミニ
ウム皮膜との縦断面図、第２図ならびに第３図は
それぞれ前記アルミニウム基板と酸化アルミニウ
ム皮膜とを拡大した縦断面図、、第４図はアルミ
ニウム基板に第２回目の陽極酸化を施した後のア
ルミニウム基板と酸化アルミニウム皮膜とを拡大
した縦断面図である。 １…アルミニウム基板、２…酸化アルミニウム
皮膜、２ａ…ポア層、２ｂ…バリア層、３…微細
孔、４…開口欠陥孔、５…非開口欠陥空洞、６…
肥厚化バリア層。
化を施した後のアルミニウム基板と酸化アルミニ
ウム皮膜との縦断面図、第２図ならびに第３図は
それぞれ前記アルミニウム基板と酸化アルミニウ
ム皮膜とを拡大した縦断面図、、第４図はアルミ
ニウム基板に第２回目の陽極酸化を施した後のア
ルミニウム基板と酸化アルミニウム皮膜とを拡大
した縦断面図である。 １…アルミニウム基板、２…酸化アルミニウム
皮膜、２ａ…ポア層、２ｂ…バリア層、３…微細
孔、４…開口欠陥孔、５…非開口欠陥空洞、６…
肥厚化バリア層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルミニウム基板の少なくとも１面を、リン
酸、クロム酸の何れか少なくとも１種の溶液にて
１次陽極酸化処理することによつてポア層とバリ
ア層とからなる酸化アルミニウム皮膜を形成さ
せ、引き続いて水洗し、 次に、ホウ酸アンモニウム、酒石酸アンモニウ
ムの何れか少なくとも１種の水溶液とメタノー
ル、エタノール、Ｎ―メチルピロリドンのなかか
ら選ばれる何れか少なくとも１種との混合溶液に
て２次陽極酸化処理することによつて前記バリア
層を成長させた肥厚化酸化アルミニウム皮膜を形
成させ、引き続いてＮ―メチルピロリドン液中で
洗浄し、 その後直ちにポリイミド樹脂のＮ―メチルピロ
リドン溶液中に浸漬させることにより、前記酸化
アルミニウム皮膜に存在する微細孔ならびに欠陥
部を前記ポリイミド樹脂により封着させる、 ことを特徴とするプリント配線用基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8496682A JPS58202590A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | プリント配線用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8496682A JPS58202590A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | プリント配線用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58202590A JPS58202590A (ja) | 1983-11-25 |
| JPH0128514B2 true JPH0128514B2 (ja) | 1989-06-02 |
Family
ID=13845359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8496682A Granted JPS58202590A (ja) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | プリント配線用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58202590A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61264784A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-22 | 伊勢電子工業株式会社 | プリント配線基板の製造方法 |
| FR2646311B1 (fr) * | 1989-04-24 | 1994-04-08 | Pechiney Recherche | Substrats metalliques isoles et procede de fabrication desdits substrats |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5336670A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method of producing printed circuit board using alumite film |
| JPS554954A (en) * | 1978-06-28 | 1980-01-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing alumite printed circuit board |
-
1982
- 1982-05-21 JP JP8496682A patent/JPS58202590A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5336670A (en) * | 1976-09-17 | 1978-04-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method of producing printed circuit board using alumite film |
| JPS554954A (en) * | 1978-06-28 | 1980-01-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing alumite printed circuit board |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58202590A (ja) | 1983-11-25 |
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