JPH01283981A - 半導体レーザの取付け方法 - Google Patents
半導体レーザの取付け方法Info
- Publication number
- JPH01283981A JPH01283981A JP11238888A JP11238888A JPH01283981A JP H01283981 A JPH01283981 A JP H01283981A JP 11238888 A JP11238888 A JP 11238888A JP 11238888 A JP11238888 A JP 11238888A JP H01283981 A JPH01283981 A JP H01283981A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical
- electrode
- electrode wiring
- optical waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 56
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 7
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体レーザの取付は方法に関し、
半導体レーザの光発振領域を汚染せずに光発振領域と光
導波路を正確に軸合わせすることを目的とし、 基板上の光導波路中に設けた半導体レーザ収納用間隙の
底面に形成した電極配線に、半導体レーザの電極の一方
を対向させ、前記半導体レーザを前記半導体レーザ収納
用間隙に嵌入する半導体レーザ嵌込み手段と、上記半導
体レーザの光発振領域と上記光導波路を軸合わせして保
持する軸合わせ保持手段と、該軸合わせ保持手段により
軸合わせ保持した上記基板と上記半導体レーザをメッキ
液中に浸漬し、上記基板の上記電極配線に電界メッキ用
の電源を印加して電界メッキするメッキ手段とを含み構
成する。
導波路を正確に軸合わせすることを目的とし、 基板上の光導波路中に設けた半導体レーザ収納用間隙の
底面に形成した電極配線に、半導体レーザの電極の一方
を対向させ、前記半導体レーザを前記半導体レーザ収納
用間隙に嵌入する半導体レーザ嵌込み手段と、上記半導
体レーザの光発振領域と上記光導波路を軸合わせして保
持する軸合わせ保持手段と、該軸合わせ保持手段により
軸合わせ保持した上記基板と上記半導体レーザをメッキ
液中に浸漬し、上記基板の上記電極配線に電界メッキ用
の電源を印加して電界メッキするメッキ手段とを含み構
成する。
本発明は、半導体レーザの取付は方法に関する。
半導体レーザをヒートシンクに取付ける場合には、第８
図に見られるように、Ａｕ−Ｇｅ 、 Ａｕ−５ｎ等よ
りなる半田４２を介してヒートシンク４１の上に半導体
レーザ３を置き、ヒートシンク４１の下から熱を加えて
半田４２を溶融し、半導体レーザ３を固定するようにし
ている。
図に見られるように、Ａｕ−Ｇｅ 、 Ａｕ−５ｎ等よ
りなる半田４２を介してヒートシンク４１の上に半導体
レーザ３を置き、ヒートシンク４１の下から熱を加えて
半田４２を溶融し、半導体レーザ３を固定するようにし
ている。
しかし、この種の方法によって、第９図に見られるよう
な基板２上に設けた光導波路７中の間隙５０に半導体レ
ーザ３を取付ける場合には、間隙５０内の半田５１を加
熱溶融しつつ半導体レーザ３両端面の光発振領域３９を
光導波路７の軸に合わせるようにするため、冷却の際に
半導体レーザ３と光導波路７の光軸がズレ易く、しかも
、溶融した半田５１が半導体レーザ３の両端面に付着し
て光発振領域３９を遮ってしまうといった問題がある。
な基板２上に設けた光導波路７中の間隙５０に半導体レ
ーザ３を取付ける場合には、間隙５０内の半田５１を加
熱溶融しつつ半導体レーザ３両端面の光発振領域３９を
光導波路７の軸に合わせるようにするため、冷却の際に
半導体レーザ３と光導波路７の光軸がズレ易く、しかも
、溶融した半田５１が半導体レーザ３の両端面に付着し
て光発振領域３９を遮ってしまうといった問題がある。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたちのであって
、半導体レーザの光発振領域を汚染せずに光発振領域と
光導波路を正確に軸合わせができる半導体レーザの取付
は方法を提供することを目的とする。
、半導体レーザの光発振領域を汚染せずに光発振領域と
光導波路を正確に軸合わせができる半導体レーザの取付
は方法を提供することを目的とする。
上記した課題は、基板２上の光導波路７中に設けた半導
体レーザ収納用間隙６の底面に形成した電極配線４に、
半導体レーザ３の電極の一方を対向させ、前記半導体レ
ーザ３を前記半導体レーザ収納用間隙６に嵌入する半導
体レーザ嵌込み手段と、上記半導体レーザ３の光発振領
域３９と上記光導波路７を軸合わせして保持する軸合わ
せ保持手段と、該軸合わせ保持手段により軸合わせ保持
した上記基板２と上記半導体レーザ３をメッキ液中に浸
漬し、上記基板２の上記電極配線４に電界メッキ用の電
源を印加して電界メッキするメッキ手段とを有すること
を特徴とする半導体レーザの取付は方法によって達成す
る。
体レーザ収納用間隙６の底面に形成した電極配線４に、
半導体レーザ３の電極の一方を対向させ、前記半導体レ
ーザ３を前記半導体レーザ収納用間隙６に嵌入する半導
体レーザ嵌込み手段と、上記半導体レーザ３の光発振領
域３９と上記光導波路７を軸合わせして保持する軸合わ
せ保持手段と、該軸合わせ保持手段により軸合わせ保持
した上記基板２と上記半導体レーザ３をメッキ液中に浸
漬し、上記基板２の上記電極配線４に電界メッキ用の電
源を印加して電界メッキするメッキ手段とを有すること
を特徴とする半導体レーザの取付は方法によって達成す
る。
本発明において、まず、基板２上の光導波路７の光路中
に設けた半導体レーザ収納用間隙６に半導体レーザ３を
嵌め入れる。この場合に、半導体レーザ収納用間隙６の
底面に形成した電極配線４に、半導体レーザ３の電極の
一方を対向させるようにする（第５図（ａ））。
に設けた半導体レーザ収納用間隙６に半導体レーザ３を
嵌め入れる。この場合に、半導体レーザ収納用間隙６の
底面に形成した電極配線４に、半導体レーザ３の電極の
一方を対向させるようにする（第５図（ａ））。
次に、半導体レーザ３の光発振領域３９と上記光導波路
７を軸合わせして保持し、この状態を保ったままで半導
体レーザ３と基板２とをメッキ液に浸漬し、メッキ液中
のプレート電極と基板２上の電極配線４との間に直流電
源を印加すると、電界メッキ法によって電極配線４に少
しずつメッキが付着成長し、ついには半導体レーザ３の
下側の電極３６に達し、相対向する電極３６と電極配線
４は一体的に固着する（第５図（ｂ））。
７を軸合わせして保持し、この状態を保ったままで半導
体レーザ３と基板２とをメッキ液に浸漬し、メッキ液中
のプレート電極と基板２上の電極配線４との間に直流電
源を印加すると、電界メッキ法によって電極配線４に少
しずつメッキが付着成長し、ついには半導体レーザ３の
下側の電極３６に達し、相対向する電極３６と電極配線
４は一体的に固着する（第５図（ｂ））。
ここで、電極配線４から成長したメッキが半導体レーザ
３端部の光発振領域３９に到る前に、基板２及び半導体
レーザ３をメッキ曹から引き上げ、純水等を使用してメ
ッキ液を除去する。
３端部の光発振領域３９に到る前に、基板２及び半導体
レーザ３をメッキ曹から引き上げ、純水等を使用してメ
ッキ液を除去する。
第１〜６図は、本発明の一実施例を示すものであって、
第１図において図中符号１０は、後述するシリコン基板
２を挟持する挟持部材１１を底部に備えたメッキ曹で、
このメッキ曹１０の上方には、上下及び側方向に移動可
能、かつ回動可能なレーザ保持アーム１２が臨んでいて
、このレーザ保持アーム１２の先端に貼着剤を塗布した
り、吸引口を設けることにより、後述する半導体レーザ
３を保持するように構成されている。
第１図において図中符号１０は、後述するシリコン基板
２を挟持する挟持部材１１を底部に備えたメッキ曹で、
このメッキ曹１０の上方には、上下及び側方向に移動可
能、かつ回動可能なレーザ保持アーム１２が臨んでいて
、このレーザ保持アーム１２の先端に貼着剤を塗布した
り、吸引口を設けることにより、後述する半導体レーザ
３を保持するように構成されている。
上記した挟持部材１１は、内方に付勢される２つの移動
材１１ａ、ｌｌｂからなり、基板２の端部と接触するこ
れらの内側端のそれぞれには、基板２上の後述する光導
波路７に光を透過させる発光素子１３と、透過光を受光
する受光素子１４が取付けられている。
材１１ａ、ｌｌｂからなり、基板２の端部と接触するこ
れらの内側端のそれぞれには、基板２上の後述する光導
波路７に光を透過させる発光素子１３と、透過光を受光
する受光素子１４が取付けられている。
第２図において図中符号１は、シリコン基板２上に形成
したシリコン酸化膜（ｓ＋ｏｚｌｌりで、このＳｔＯ，
膜２上の中央には、後述する半導体レーザ３とほぼ同一
の幅か、又はそれより狭い幅の電極配線４が外縁に至る
長さに形成され、また、５ｉ０２膜１の上には、第３図
（ａ）に示すように、ポリメチルメタクリレート膜（以
下、ＰＭＭＡｒｇ、という）５がスピンコーティングに
より均一の厚さに塗布されている。
したシリコン酸化膜（ｓ＋ｏｚｌｌりで、このＳｔＯ，
膜２上の中央には、後述する半導体レーザ３とほぼ同一
の幅か、又はそれより狭い幅の電極配線４が外縁に至る
長さに形成され、また、５ｉ０２膜１の上には、第３図
（ａ）に示すように、ポリメチルメタクリレート膜（以
下、ＰＭＭＡｒｇ、という）５がスピンコーティングに
より均一の厚さに塗布されている。
このＰＭＭＡ＊５表面の電極配線４上方を通過する位置
には、露光により光重合を起こさせて屈折率を大きくし
た帯状の光導波路７が形成されている。さらに、電極配
線４の上のＰＭＭＡ膜５には、帯状の光導波路７中に間
隙６を形成する半導体レーザ収納部８が穿設されており
、この半導体レーザ収納部８は、チタン（Ｔｉ）により
形成したマスク９をＰＭＭＡ膜５上に置いて反応性イオ
ンエツチング（ＲＩＥ）により形成したものである（第
３図（ｂ））。
には、露光により光重合を起こさせて屈折率を大きくし
た帯状の光導波路７が形成されている。さらに、電極配
線４の上のＰＭＭＡ膜５には、帯状の光導波路７中に間
隙６を形成する半導体レーザ収納部８が穿設されており
、この半導体レーザ収納部８は、チタン（Ｔｉ）により
形成したマスク９をＰＭＭＡ膜５上に置いて反応性イオ
ンエツチング（ＲＩＥ）により形成したものである（第
３図（ｂ））。
上記した半導体レーザ３は、第４図に見られるように、
上下面の絶縁ｒｌｉ３Ｌ、３２に形成したコンタクト溝
３３．３４を通してその外側に設けた一対の電極３５．
３６と接しており、コンタクト溝３３．３４間に電流が
流れる際に、内部に設けた２つのクラッド層３７に挾ま
れる活性層３８のうち電流が流れる部分の端部、即ち光
発振領域３９からレーザ光が放射するように構成されて
いる。
上下面の絶縁ｒｌｉ３Ｌ、３２に形成したコンタクト溝
３３．３４を通してその外側に設けた一対の電極３５．
３６と接しており、コンタクト溝３３．３４間に電流が
流れる際に、内部に設けた２つのクラッド層３７に挾ま
れる活性層３８のうち電流が流れる部分の端部、即ち光
発振領域３９からレーザ光が放射するように構成されて
いる。
なお、第１図中符号１５は、メッキ曹１０にメッキ液を
供給するメッキ液供給管、１６は、ＰＭＭＡ膜５から露
出した電極配線４と、メッキ曹１０内のプレート電極１
７にそれぞれ反対極性の端子を接続する直流電源を示し
ている。
供給するメッキ液供給管、１６は、ＰＭＭＡ膜５から露
出した電極配線４と、メッキ曹１０内のプレート電極１
７にそれぞれ反対極性の端子を接続する直流電源を示し
ている。
次に、半導体レーザ３の取付は方法について説明する。
先ず、半導体レーザ３を保持したレーザ保持アーム１２
をメッキ曹１０底部に向けて徐々に降下し、挟持部材１
１ ａＳｂによって固定された基板２のレーザ収納部８
に位置調節をしながら嵌め込んでゆく（第５図（ａ））
。
をメッキ曹１０底部に向けて徐々に降下し、挟持部材１
１ ａＳｂによって固定された基板２のレーザ収納部８
に位置調節をしながら嵌め込んでゆく（第５図（ａ））
。
ここで、発光素子１３から照射した光を光導波路７の中
に通し、透過した光を受光素子１４により受光する。
に通し、透過した光を受光素子１４により受光する。
そして、レーザ保持アーム１２の位置や傾斜度を変える
ことにより、光導波路７を通る光を半導体レーザ３の光
発振領域３９に照射し、受光素子１４の受光量の大小を
検知することにより光振動領域３９の軸と光導波路７の
軸を一致させてその状態を維持する。
ことにより、光導波路７を通る光を半導体レーザ３の光
発振領域３９に照射し、受光素子１４の受光量の大小を
検知することにより光振動領域３９の軸と光導波路７の
軸を一致させてその状態を維持する。
次に、メッキ液供給管１５からメッキ液を供給して半導
体レーザ３と基板２とをメッキ液に浸漬し、メッキ曹１
０内のプレート電極１７と基板２上の電極配線４との間
に直流電源を印加すると、電界メッキ法によって電極配
線４に少しずつメッキが付着成長し、ついには半導体レ
ーザ３の下方の電極３６に達し、相対向する電極３６と
電極配線４は一体的に固着する（第５図（ｂ）、第６図
）。
体レーザ３と基板２とをメッキ液に浸漬し、メッキ曹１
０内のプレート電極１７と基板２上の電極配線４との間
に直流電源を印加すると、電界メッキ法によって電極配
線４に少しずつメッキが付着成長し、ついには半導体レ
ーザ３の下方の電極３６に達し、相対向する電極３６と
電極配線４は一体的に固着する（第５図（ｂ）、第６図
）。
ここで、電極配線４から成長したメッキが半導体レーザ
３端部の光発振領域３９に到る前に、基板２及び半導体
レーザ３をメッキ曹１０から引き上げ、純水等を使用し
てメッキ液を除去する。
３端部の光発振領域３９に到る前に、基板２及び半導体
レーザ３をメッキ曹１０から引き上げ、純水等を使用し
てメッキ液を除去する。
なお、上記した実施例では、半導体レーザ３下面に形成
した電極３６を半導体レーザ３の表面全体に形成したが
、第７図に示すように半導体レーザ３の長さよりも短く
形成することにより、過剰なメッキ処理をした場合に、
メッキが側方にはみ出ることを未然に防止することがで
きる。
した電極３６を半導体レーザ３の表面全体に形成したが
、第７図に示すように半導体レーザ３の長さよりも短く
形成することにより、過剰なメッキ処理をした場合に、
メッキが側方にはみ出ることを未然に防止することがで
きる。
また、上記した実施例では、ＰＭＭＡを露光して屈折率
を変えることにより、光導波路を形成したが、屈折率の
高いガラスのような透過材によって光導波路を形成する
こともできる。
を変えることにより、光導波路を形成したが、屈折率の
高いガラスのような透過材によって光導波路を形成する
こともできる。
以上述べたように本発明によれば、半導体レーザ収納用
の間隙の底部に形成した電極配線と半導体レーザの電極
とを対向するとともに、半導体レーザの光発振領域と光
導波路との光軸杏合わせた状態のまま半導体レーザを保
持し、電極配線と半導体レーザの電極とをメッキ法によ
り一体的に固着したので、正確な光軸合わせをすること
ができるとともに、半導体レーザの電極と基板上の配線
電極とを徐々に固着して、接合剤による光路の汚染を未
然に防止することができる。
の間隙の底部に形成した電極配線と半導体レーザの電極
とを対向するとともに、半導体レーザの光発振領域と光
導波路との光軸杏合わせた状態のまま半導体レーザを保
持し、電極配線と半導体レーザの電極とをメッキ法によ
り一体的に固着したので、正確な光軸合わせをすること
ができるとともに、半導体レーザの電極と基板上の配線
電極とを徐々に固着して、接合剤による光路の汚染を未
然に防止することができる。
第１図は、本発明に使用する装置の一例を示す概要構成
図、 第２図は、本発明に使用する光導波路を備えた基板の一
例を示す断面図及び斜視図、 第３図は、光導波路の形成工程を示す断面図、第４図は
、半導体レーザの一例を示す斜視図、第５図は、本発明
の動作説明図、 第６図は、半導体レーザのメッキ状態を示す斜視図、 第７図は、本発明の他の寞施例を示す装置の断面図、 第８図は、半田により半導体レーザを取付けた装置の断
面図、 第９図は、半田により半導体レーザを先導波路中に取付
けた装置の断面図である。 （符号の説明） １・・・シリコン酸化膜、 ２・・・基板、 ３・・・半導体レーザ、 ４・・・電極配線、 ５・・・ＰＭＭＡ膜、 ６・・・間隙、 ７・・・光導波路、 ８・・・半導体レーザ収納部、 １０・・・メッキ曹、 １１・・・挟持部材、 １２・・・レーザ保持アーム、 １６・・・直流電源、 １７・・・プレート電極。
図、 第２図は、本発明に使用する光導波路を備えた基板の一
例を示す断面図及び斜視図、 第３図は、光導波路の形成工程を示す断面図、第４図は
、半導体レーザの一例を示す斜視図、第５図は、本発明
の動作説明図、 第６図は、半導体レーザのメッキ状態を示す斜視図、 第７図は、本発明の他の寞施例を示す装置の断面図、 第８図は、半田により半導体レーザを取付けた装置の断
面図、 第９図は、半田により半導体レーザを先導波路中に取付
けた装置の断面図である。 （符号の説明） １・・・シリコン酸化膜、 ２・・・基板、 ３・・・半導体レーザ、 ４・・・電極配線、 ５・・・ＰＭＭＡ膜、 ６・・・間隙、 ７・・・光導波路、 ８・・・半導体レーザ収納部、 １０・・・メッキ曹、 １１・・・挟持部材、 １２・・・レーザ保持アーム、 １６・・・直流電源、 １７・・・プレート電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板（２）上の光導波路（７）中に設けた半導体レーザ
収納用間隙（６）の底面に形成した電極配線（４）に、
半導体レーザ（３）の電極の一方を対向させ、前記半導
体レーザ（３）を前記半導体レーザ収納用間隙（６）に
嵌入する半導体レーザ嵌込み手段と、 上記半導体レーザ（３）の光発振領域（３９）と上記光
導波路（７）を軸合わせして保持する軸合わせ保持手段
と、 該軸合わせ保持手段により軸合わせ保持した上記基板（
２）と上記半導体レーザ（３）をメッキ液中に浸漬し、
上記基板（２）の上記電極配線（４）に電界メッキ用の
電源を印加して電界メッキするメッキ手段とを有するこ
とを特徴とする半導体レーザの取付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11238888A JPH01283981A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 半導体レーザの取付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11238888A JPH01283981A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 半導体レーザの取付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283981A true JPH01283981A (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=14585428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11238888A Pending JPH01283981A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 半導体レーザの取付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283981A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997013170A1 (fr) * | 1995-10-02 | 1997-04-10 | Hitachi, Ltd. | Module optoelectronique, procede de montage d'un dispositif optoelectronique et systeme optique comprenant ledit module optoelectronique |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP11238888A patent/JPH01283981A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997013170A1 (fr) * | 1995-10-02 | 1997-04-10 | Hitachi, Ltd. | Module optoelectronique, procede de montage d'un dispositif optoelectronique et systeme optique comprenant ledit module optoelectronique |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5574811A (en) | Method and apparatus for providing optical coupling between optical components | |
| KR100762387B1 (ko) | Ｓｉ-기판 상의 능동 및 수동 광학 소자들의 하이브리드 집적 | |
| US5533158A (en) | Electrostatic bonding of optical fibers to substrates | |
| JP2790067B2 (ja) | 電気泳動装置 | |
| JPS6155792B2 (ja) | ||
| JP2005352167A (ja) | 突き合わせ装置およびこの突き合わせ装置を備えた融着接続装置 | |
| JPH10311937A (ja) | 端面発光素子或は受光素子の実装構造 | |
| JP4248610B2 (ja) | 液体回路 | |
| JPH01283981A (ja) | 半導体レーザの取付け方法 | |
| KR20010102194A (ko) | 섬유 정렬 구조물 | |
| JPH0667059A (ja) | 光学−電子的構成要素に光ファイバを結合するための方法および得られる接続装置 | |
| JPH07140361A (ja) | 光伝送用モジュール及びそれに用いられるレンズホルダー受け | |
| US4956066A (en) | Device for carrying out field supported ion exchange in plane-parallel plates | |
| GB2293687A (en) | Semiconductor laser device and method of fabrication semiconductor laser device | |
| TW200304557A (en) | Ceramic waferboard | |
| US6344150B1 (en) | Etching method | |
| JPH06160676A (ja) | 半導体レーザモジュールの製造方法 | |
| GB2257260A (en) | Optoelectronic assemblies. | |
| JPS63113505A (ja) | 光フアイバの固定方法 | |
| JP4289729B2 (ja) | 光出力装置および光合波装置 | |
| JPS62274683A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0247609A (ja) | 光半導体アセンブリ | |
| JP2003004989A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JPH01120513A (ja) | 光半導体モジュールの製造方法 | |
| JPS60145935A (ja) | 光導波路の製造方法 |