JPH01277008A - 発振回路 - Google Patents

発振回路

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JPH01277008A
JPH01277008A JP10687488A JP10687488A JPH01277008A JP H01277008 A JPH01277008 A JP H01277008A JP 10687488 A JP10687488 A JP 10687488A JP 10687488 A JP10687488 A JP 10687488A JP H01277008 A JPH01277008 A JP H01277008A
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JP
Japan
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circuit
transistors
common
differential
pair
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Application number
JP10687488A
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English (en)
Inventor
Nobuyuki Nemoto
根本　伸之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は差動増幅回路を用いた発振回路に関し、特に、
高周波の局部発振器に適した発振回路に関する。
［従来の技術］ 従来より、例えば、高周波チューナにおける局部発振回
路として第２図に示すような差動タイプのものが知られ
ている。エミッタ接地のバイポーラトランジスタＱＩＯ
ＩＱＩＩは差動対を構成し、その共通エミッタと接地と
の間には定電流源１１が接続されている。トランジスタ
ＱＩＯのコレクタは回路電源ＶＣＣも接続され、トラン
ジスタＱ１□のコレクタはダンピング抵抗Ｒ１及び負荷
インダクタＬ０を介して電源ＶＣＣに接続されている。
また、トランジスタＱ目のベースは接地コンデンサＣ６
を介して接地されている。差動増幅回路の出力となるト
ランジスタＱ！ｔのコレクタ出力は、帰還ループ形成コ
ンデンサＣ，，ｃ２を介してトランジスタＱ１ｏのベー
ス入力として正帰還されている。
更に、帰還ループ形成コンデンサＣ１，Ｃ，の接続点Ｐ
にはチューニング回路が接続されている。
このチューニング回路は発振周波数の調整のためのチュ
ーニング電源■↑を抵抗Ｒ２を介して接続点Ｐに接続す
ると共に、接続点Ｐと接地との間にコンデンサＣ３を接
続し、更に、接続点Ｐと接地との間にマイクロストリッ
プ線路からなるインダクタＬ２を介してコンデンサＣ４
と可変容量ダイオードＣ５の並列回路を接続して構成さ
れている。
このように構成された発振回路では、差動増幅回路の出
力がコンデンサＣＩ　＋　Ｃ２を介して正帰還すること
により発振動作を維持する。このときの発振周波数はチ
ューニング電源Ｖ↑の調整により変えることができる。
［発明が解決しようとする課題］ 上述した従来の発振回路は差動タイプであるため、特に
、高周波においてトランジスタＱｌｏ。
Ｑｌｔのコレクタ・ベース間容量Ｃ０ｂに起因したミラ
ー効果の影響が大きく現れ、利得が低下して発振動作を
維持するのが困難になるという問題点があった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
差動タイプの発振回路にあっても高周波におけるミラー
効果の影響を抑制でき、安定した発振動作を維持できる
発振回路を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明に係る発振回路は、差動増幅回路を構成するエミ
ッタ接地トランジスタ対と、このエミッタ接地トランジ
スタ対の出力を正帰還する帰還ループと、前記エミッタ
接地トランジスタ対の各コレクタ側に夫々介挿され前記
エミッタ接地トランジスタ対との間でカスコード回路を
構成するベース接地トランジスタ対とを具備したことを
特徴とする。
［作用］ 本発明によれば、差動増幅回路を構成するエミッタ接地
トランジスタ対の各コレクタ側にベース接地トランジス
タを介挿してカスコード回、路の差動対を構成している
ので、内部帰還容量を十分小さく抑えることができる。
このため、帰還容量に起因するミラー効果の影響を抑制
することができ、超高周波においても安定した発振動作
を維持することができる。
［実施例コ 以下、添付の図面を参照して本発明の実施例について具
体的に説明する。
第１図は本発明の実施例に係る発振回路の回路図である
。なお、第１図において第２図と同一物には同一符号を
付してその説明を省略する。
本実施例の発振回路が第２図の従来回路と異なる点は、
差動増幅回路を構成するエミッタ接地のバイポーラトラ
ンジスタＱＳ、Ｑ４の各コレクタ側にベース接地のバイ
ポーラトランジスタＱｌｌＱ２を夫々介挿した点である
。トランジスタＱ１゜Ｃ２の各ベースはバイアス電源Ｖ
Ｂによって共通にバイアスされている。
このように構成された本実施例の発振回路によれば、ト
ランジスタＱ１とＣ３及びトランジスタＱ２とＣ４で夫
々カスコード回路が構成される。
従って、差動増幅回路の内部帰還容量を十分に小さく抑
えることができ、ミラー効果の影響を抑制できる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではない０
例えば、チューニング回路の構成等は特に例示されたも
のに限定されず、種々の形態を適用可能である。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明は差動増幅回路を構成する
エミッタ接地の差動トランジスタ対の各コレクタ側にベ
ース接地トランジスタを付加することにより、高周波に
おけるミラー効果の影響を抑制し、安定した高周波動作
が可能となる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例に係る発振回路の回路図、第２
図は従来の差動タイプ発振回路の回路図である。 Ｑ１＋　Ｃ２；ベース接地のバイポーラトランジスタ、
Ｑ　ｓ　＋　Ｑ　４ｒ　Ｑ　ｌｏ＋　Ｑ　ｔｔ　：エミ
ッタ接地のバイポーラトランジスタ、Ｒ１；ダンピング
抵抗、Ｌｌ　；負荷インダクタ、■ｃｃ；回路電源、Ｖ
Ｂ；バイアス電源、ＶＴ；チューニング電源、Ｃ３＋Ｃ
４；コンデンサ、Ｃ５：可変容量ダイオード、Ｒ１；抵
抗、工、；定電流源、Ｃ６；接地コンデンサ、Ｃ１＋　
０２　：帰還ループ形成コンデンサ、Ｒ２；インダクタ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）差動増幅回路を構成するエミッタ接地トランジス
    タ対と、このエミッタ接地トランジスタ対の出力を正帰
    還する帰還ループと、前記エミッタ接地トランジスタ対
    の各コレクタ側に夫々介挿され前記エミッタ接地トラン
    ジスタ対との間でカスコード回路を構成するベース接地
    トランジスタ対とを具備したことを特徴とする発振回路
    。
JP10687488A 1988-04-28 1988-04-28 発振回路 Pending JPH01277008A (ja)

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