JPH01275771A - 無電解メッキ装置及び該無電解メッキ装置を用いた無電解メッキ方法 - Google Patents
無電解メッキ装置及び該無電解メッキ装置を用いた無電解メッキ方法Info
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- JPH01275771A JPH01275771A JP10569488A JP10569488A JPH01275771A JP H01275771 A JPH01275771 A JP H01275771A JP 10569488 A JP10569488 A JP 10569488A JP 10569488 A JP10569488 A JP 10569488A JP H01275771 A JPH01275771 A JP H01275771A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は無電解メッキ装置及び該装置に適用される無電
解メッキ方法に関する。
解メッキ方法に関する。
［在米技術］
無電解メッキは、材料表面の接触作用による還元を利用
したメッキ方法で、電気メッキ、化学メッキと異なり、
窪んだ場所においても−様な厚さのメッキ層を得ること
が可能である。特に無電解コバルト・リンメッキはその
性質を利用して、高密度磁気記録ディスクの製造方法と
して注目されている、この無電解メッキにおけるメッキ
層の厚さは、無電解メッキ液の各成分濃度、温度、水素
イオン指数等の要因及びメッキ時間等に影響される。
したメッキ方法で、電気メッキ、化学メッキと異なり、
窪んだ場所においても−様な厚さのメッキ層を得ること
が可能である。特に無電解コバルト・リンメッキはその
性質を利用して、高密度磁気記録ディスクの製造方法と
して注目されている、この無電解メッキにおけるメッキ
層の厚さは、無電解メッキ液の各成分濃度、温度、水素
イオン指数等の要因及びメッキ時間等に影響される。
特にメッキ時間は、メッキ層の厚さと路線形な関係を有
すため、一般に被メッキ物を浸漬させてから引上るまで
の時間を一定にすることにより、メッキ層の厚さの管理
を行っていた。
すため、一般に被メッキ物を浸漬させてから引上るまで
の時間を一定にすることにより、メッキ層の厚さの管理
を行っていた。
第４図は、−船釣な無電解コバルト・リンメッキにおい
て無電解メッキ液と接触する銀、塩化銀電極の電位を基
準（ＯＶ）とした被メッキ物の電位の変化を示すグラフ
である。無電解メッキ液中に被メッキ物を浸漬させると
（第４図におけるａの時点）、被メッキ物と前記電極と
の間に所定の電位差（略−４５０ｍＶ）が生じる。この
電位差は、十数秒程度の過渡期間（同すの区間）を経過
した後、所定の電位差（略−９５０ｍＶ）で定常状態（
同Ｃの区間）となる。この定常状態となった時点より、
メッキ処理の化学変化が開始しメッキ材の析出が始まる
。
て無電解メッキ液と接触する銀、塩化銀電極の電位を基
準（ＯＶ）とした被メッキ物の電位の変化を示すグラフ
である。無電解メッキ液中に被メッキ物を浸漬させると
（第４図におけるａの時点）、被メッキ物と前記電極と
の間に所定の電位差（略−４５０ｍＶ）が生じる。この
電位差は、十数秒程度の過渡期間（同すの区間）を経過
した後、所定の電位差（略−９５０ｍＶ）で定常状態（
同Ｃの区間）となる。この定常状態となった時点より、
メッキ処理の化学変化が開始しメッキ材の析出が始まる
。
従って、メッキ時間は無電解メッキ液中に被メッキ物を
浸漬させている時間から、前記過渡期間を引いた時間と
なる。
浸漬させている時間から、前記過渡期間を引いた時間と
なる。
［発明が解決しようとする課題１
しかしながら無電解メッキにおいて、無電解メッキ液に
被メッキ物を浸漬した後、化学反応が始まりメッキ材の
析出が開始するまでの過渡期間は、無電解メッキ液の各
成分濃度、温度、水素イオン指数等の要因に影響されて
いる。一般にこれらの総てを一定に管理することは困難
で、そのため前記時間は数秒乃至数十秒の幅を持つ。磁
気記録ディスク等の製造では、メッキ時間は１２０秒稈
度であり、上記のような誤差による影響は大きい。
被メッキ物を浸漬した後、化学反応が始まりメッキ材の
析出が開始するまでの過渡期間は、無電解メッキ液の各
成分濃度、温度、水素イオン指数等の要因に影響されて
いる。一般にこれらの総てを一定に管理することは困難
で、そのため前記時間は数秒乃至数十秒の幅を持つ。磁
気記録ディスク等の製造では、メッキ時間は１２０秒稈
度であり、上記のような誤差による影響は大きい。
また、メッキの終了は、無電解メッキ液より被メッキ物
を取出すことにより行われているが、被メッキ物の上部
及び下部では僅かながら、引上げる時間に差が生じる。
を取出すことにより行われているが、被メッキ物の上部
及び下部では僅かながら、引上げる時間に差が生じる。
このように従来の方法ではメッキ層の厚さを正確に管理
することが困難で、薄膜化の進む磁気記録ディスク等の
製造方法として対応できなくなりつつある。
することが困難で、薄膜化の進む磁気記録ディスク等の
製造方法として対応できなくなりつつある。
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたも
のであり、無電解メッキにおけるメッキ層を所望の厚さ
に管理することが可能な無電解メッキ装置及び方法を提
供することを目的とする。
のであり、無電解メッキにおけるメッキ層を所望の厚さ
に管理することが可能な無電解メッキ装置及び方法を提
供することを目的とする。
［課題を解決するための手段１
上記目的を達成するために本発明は、無電解メッキ浴槽
と、無電解メッキ液に接触する第１の電極と、被メッキ
物と接触する第２の電極と、前記第１の電極及び第２の
電極に電荷を蓄積あるいは除去する手段とを有すること
を特徴とする。
と、無電解メッキ液に接触する第１の電極と、被メッキ
物と接触する第２の電極と、前記第１の電極及び第２の
電極に電荷を蓄積あるいは除去する手段とを有すること
を特徴とする。
また上記のような無電解メッキ装置を用い、メッキ開始
時に前記第１の電極及び第２の電極に電荷を付与するこ
とを特徴とする。
時に前記第１の電極及び第２の電極に電荷を付与するこ
とを特徴とする。
更に上記のような無電解メッキ装置を用い、メッキ終了
時に前記第１の電極及び第２の電極に蓄積された電荷を
放電させることを特徴とする。
時に前記第１の電極及び第２の電極に蓄積された電荷を
放電させることを特徴とする。
［作用１
本発明では、先ず被メッキ物を無電解メッキ液内に浸漬
させる。この状態ではすぐには化学反応が始まらない。
させる。この状態ではすぐには化学反応が始まらない。
次に前記第１の電極及Ｖ第２の電極に電圧を印加し、各
電極に電荷を付与する。この電荷の作用により化学反応
が開始され、メッキ材の析出が始まる。−旦メッキ材の
析出が開始すると、電荷の付与を中止しても析出された
メッキ材自身が触媒となり、化学反応が持続しメッキが
進行していく。また、このとき第１の電極及び第２の電
極には、前記化学反応に起因する所定の電圧が生じてい
る。メッキの進行を止める場合には、各電極の電荷を放
電させ、前記化学反応に起因して生じた電圧を降下させ
る。この電荷を放電させている状態では新たに化学反応
が開始することはない。
電極に電荷を付与する。この電荷の作用により化学反応
が開始され、メッキ材の析出が始まる。−旦メッキ材の
析出が開始すると、電荷の付与を中止しても析出された
メッキ材自身が触媒となり、化学反応が持続しメッキが
進行していく。また、このとき第１の電極及び第２の電
極には、前記化学反応に起因する所定の電圧が生じてい
る。メッキの進行を止める場合には、各電極の電荷を放
電させ、前記化学反応に起因して生じた電圧を降下させ
る。この電荷を放電させている状態では新たに化学反応
が開始することはない。
［実施例］
以下に本発明を具体化した一実施例を図面を参照して説
明する０本実施例では、磁気記録ディスクの基材２４に
無電解メッキによりコバルト・リンの磁性層を形成する
装置及びその工程を示している。
明する０本実施例では、磁気記録ディスクの基材２４に
無電解メッキによりコバルト・リンの磁性層を形成する
装置及びその工程を示している。
まず本実施例のメッキ浴１０について第１図を参照して
説明する。容器１１にはヒータ１２が設けられ、内部に
水１３が満されている。この容器１１の内部には、無電
解メッキ浴槽１４が設けられている。この無電解メッキ
浴槽１４の内部には次に示す各成分の混合溶液である無
電解メッキ液１５が満されている。
説明する。容器１１にはヒータ１２が設けられ、内部に
水１３が満されている。この容器１１の内部には、無電
解メッキ浴槽１４が設けられている。この無電解メッキ
浴槽１４の内部には次に示す各成分の混合溶液である無
電解メッキ液１５が満されている。
硫酸コバルト溶液（Ｃｏ Ｓ ０４．７ ＨｚＯ）・・
・０．０５ ｍｏｌｄｌｌ−” 次亜リン酸ナトリウム溶ｌ（Ｎ ａＰ Ｈ２０２・Ｈ２
Ｏ）・・・０．１９Ｔａｏｌｄ「３酒石酸ナトリウム溶
液（Ｋ Ｎ ａ Ｃ４Ｈ−０、・４ Ｈ２０）・・・０
、７１ ｎｏ／ ｄＩｌ−３硫酸アンモニウム（（Ｎ
Ｈ４）２８０４）・・・０．６１−〇ｌｄ「３ この無電解メッキ液１５の水素イオン指数は１０（ｐＨ
）に保たれている。この無電解メッキ液１５内には温度
センサ１６が設けられ、この温度センサ１６は温度コン
トローラ１７に接続されている。
・０．０５ ｍｏｌｄｌｌ−” 次亜リン酸ナトリウム溶ｌ（Ｎ ａＰ Ｈ２０２・Ｈ２
Ｏ）・・・０．１９Ｔａｏｌｄ「３酒石酸ナトリウム溶
液（Ｋ Ｎ ａ Ｃ４Ｈ−０、・４ Ｈ２０）・・・０
、７１ ｎｏ／ ｄＩｌ−３硫酸アンモニウム（（Ｎ
Ｈ４）２８０４）・・・０．６１−〇ｌｄ「３ この無電解メッキ液１５の水素イオン指数は１０（ｐＨ
）に保たれている。この無電解メッキ液１５内には温度
センサ１６が設けられ、この温度センサ１６は温度コン
トローラ１７に接続されている。
この温度コントローラ１７には前記ヒータ１２が接続す
れ、温度コントローラ１７は前記温度センサ１６によっ
て感知される無電解メッキ液１５の温度が８０℃となる
ようにヒータ１２の発熱量を制御する。また無電解メッ
キ浴槽１４内には無電解メッキ液を攪拌するための攪拌
器１８が設けられている。＊た無電解メッキ浴槽１４に
は第１の電極１９としての銀、塩酸銀（Ａｇ／ＡｇＣｊ
り電極が設けられている。
れ、温度コントローラ１７は前記温度センサ１６によっ
て感知される無電解メッキ液１５の温度が８０℃となる
ようにヒータ１２の発熱量を制御する。また無電解メッ
キ浴槽１４内には無電解メッキ液を攪拌するための攪拌
器１８が設けられている。＊た無電解メッキ浴槽１４に
は第１の電極１９としての銀、塩酸銀（Ａｇ／ＡｇＣｊ
り電極が設けられている。
次に被メッキ物としての基材２４を固定するための治具
２０について！５２図を参照して説明する。
２０について！５２図を参照して説明する。
前記基材２４は、ニッケル・リンメッキを施され、導電
性を有したディスクである。第２図において軸受１４ｅ
２１には円板状の取付板２２が軸２３を中心に回転可能
に軸支されている。この取付板２２の輸２３より僅かに
偏心した位置には基材２４を取付けるための取付共２５
が設けられている。この取付共２５における基材２４と
の接触部は、第２の電極２６として働く、前記取付板２
２の周部は、ラック状となっている。この周部はギヤ２
７と係合しており、該ギヤ２７は軸受１４Ｃ２１に取付
けられたモータ２８の回転軸に取付けられたギヤ２９と
係合している。
性を有したディスクである。第２図において軸受１４ｅ
２１には円板状の取付板２２が軸２３を中心に回転可能
に軸支されている。この取付板２２の輸２３より僅かに
偏心した位置には基材２４を取付けるための取付共２５
が設けられている。この取付共２５における基材２４と
の接触部は、第２の電極２６として働く、前記取付板２
２の周部は、ラック状となっている。この周部はギヤ２
７と係合しており、該ギヤ２７は軸受１４Ｃ２１に取付
けられたモータ２８の回転軸に取付けられたギヤ２９と
係合している。
前記！＃１の電極１９と第２の電極２６とには、＠ｉ図
に示すように電荷を蓄積あるいは除去する手段に対応す
る安定化電源３０が取付けられ、タイマ３１と連動する
コントローラ３２の制御に従って第１の電極１９及び第
２の電極２６間に電圧を印加する。
に示すように電荷を蓄積あるいは除去する手段に対応す
る安定化電源３０が取付けられ、タイマ３１と連動する
コントローラ３２の制御に従って第１の電極１９及び第
２の電極２６間に電圧を印加する。
以上のように構成されたメッキ浴１０及び治具２０を用
いた無電解メッキ方法について説明する。
いた無電解メッキ方法について説明する。
先ず治具２０の取付共２５に基材２４を取付け、取付本
２２全体が無電解メッキ液１５内に浸漬するように治具
２０を固定する。その後モータ２８を回転させて取付板
２２を回転させる。これは基材２４のメッキ面に発生す
る気泡等の影響を防ぐためである。この無電解メッキ液
１５は攪拌器１８により攪拌され、またその温度は８０
℃に保たれている。
２２全体が無電解メッキ液１５内に浸漬するように治具
２０を固定する。その後モータ２８を回転させて取付板
２２を回転させる。これは基材２４のメッキ面に発生す
る気泡等の影響を防ぐためである。この無電解メッキ液
１５は攪拌器１８により攪拌され、またその温度は８０
℃に保たれている。
基材２４が無電解メッキ液１５中に浸漬されると、第３
図の（、）に示すようにその直後に前記第１の電極１つ
の電位を基準とした前記第２の電極２６の電位が一４５
０１１＋Ｖ 程度になる。この後、特別の処理を行わな
ければ前述のように数秒乃至数十秒の過渡期を経過した
後に前記第２の電極の電位が一９５０ｍＶ 程度となり
、メッキ材の積出が開始する１本実施例では前記コント
ローラ３２の制御により、タイマ３１は計時を開始する
とともに安定化電源３０は浸漬の２秒後に第３図の（ｂ
）に示すように前記第２の電極２６に一９５０―Ｖの電
圧を２秒間印加する。この電圧の印加により、前記第１
の電極１９及び第２の電極２６に電荷が付与されて化学
反応が強制的に開始され、前記基材２４にメッキ材（コ
バルト・リン）が積出されていく、−旦メッキ材の積出
が始まると、積出されたメッキ材自身が触媒として働き
、電荷の付与を停止した後も反応が持続する。電荷の付
与を停止した後は、前記安定化電源は無限大の抵抗とし
て働き、前記化学反応を阻害しない。
図の（、）に示すようにその直後に前記第１の電極１つ
の電位を基準とした前記第２の電極２６の電位が一４５
０１１＋Ｖ 程度になる。この後、特別の処理を行わな
ければ前述のように数秒乃至数十秒の過渡期を経過した
後に前記第２の電極の電位が一９５０ｍＶ 程度となり
、メッキ材の積出が開始する１本実施例では前記コント
ローラ３２の制御により、タイマ３１は計時を開始する
とともに安定化電源３０は浸漬の２秒後に第３図の（ｂ
）に示すように前記第２の電極２６に一９５０―Ｖの電
圧を２秒間印加する。この電圧の印加により、前記第１
の電極１９及び第２の電極２６に電荷が付与されて化学
反応が強制的に開始され、前記基材２４にメッキ材（コ
バルト・リン）が積出されていく、−旦メッキ材の積出
が始まると、積出されたメッキ材自身が触媒として働き
、電荷の付与を停止した後も反応が持続する。電荷の付
与を停止した後は、前記安定化電源は無限大の抵抗とし
て働き、前記化学反応を阻害しない。
タイマー３１により計時される時間が１２０秒を経過す
ると、コントローラ３２の制御により安定化電源３０は
前記＃＆２の電極２６に−８００＋ａ■を印加する。こ
のとき安定化電源３０は内部抵杭が略零であるので、電
荷が吸収されて第３図の（、）に示すように第１の電極
の電位が一８００１１１■ となり、化学反応が停止す
る。この状態において治具２０を引き上げ、基材２４を
水洗し、処理を終了する。
ると、コントローラ３２の制御により安定化電源３０は
前記＃＆２の電極２６に−８００＋ａ■を印加する。こ
のとき安定化電源３０は内部抵杭が略零であるので、電
荷が吸収されて第３図の（、）に示すように第１の電極
の電位が一８００１１１■ となり、化学反応が停止す
る。この状態において治具２０を引き上げ、基材２４を
水洗し、処理を終了する。
［発明の効果］
以上詳述したことから明らかなように、本発明によれば
、メッキ時間の始動及び終了が任意に行えるため、メッ
キ時間の管理が正確に行える。そのため意図したとおり
の厚さのメッキ層を得ることが可能となる。従って、薄
膜化の進む次世代の磁気記録媒体の製造方法として利用
可能である。
、メッキ時間の始動及び終了が任意に行えるため、メッ
キ時間の管理が正確に行える。そのため意図したとおり
の厚さのメッキ層を得ることが可能となる。従って、薄
膜化の進む次世代の磁気記録媒体の製造方法として利用
可能である。
ｔｔｆＪ１図乃至第３図は本発明の実施例を示すもので
、ｔＪＳ１図は無電解メッキ浴の図、第２図は治具の正
面図（、）及び側面図（ｂ）、第３図は電極間電圧の変
化を示す図（ａ）及び安定化電源の開放端電圧の変化を
示す図（ｂ）である、また、第４図は従来の技術を説明
するためのもので、被メッキ材の電位を示す図である。 図中、１４はメッキ浴槽、１９は第１の電極、２４は基
材、２６は第２の電極、３０は安定化電源である。
、ｔＪＳ１図は無電解メッキ浴の図、第２図は治具の正
面図（、）及び側面図（ｂ）、第３図は電極間電圧の変
化を示す図（ａ）及び安定化電源の開放端電圧の変化を
示す図（ｂ）である、また、第４図は従来の技術を説明
するためのもので、被メッキ材の電位を示す図である。 図中、１４はメッキ浴槽、１９は第１の電極、２４は基
材、２６は第２の電極、３０は安定化電源である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、無電解メッキ液を内部に保持する無電解メッキ浴槽
を有し、導電性の被メッキ物にメッキを行う無電解メッ
キ装置において、 無電解メッキ液と接触する位置に設けられた第１の電極
と、 被メッキ物と接触する位置に設けられた第２の電極と、 前記第１の電極及び第２の電極に電荷を蓄積あるいは除
去する手段とを有することを特徴とする無電解メッキ装
置。 ２、無電解メッキ液に導電性の被メッキ物が浸漬され、
且つ被メッキ物にメッキ被膜形成反応が進行していない
状態において、前記無電解メッキ液に接触する第１の電
極と前記被メッキ物に接触する第２の電極とに電荷を付
与することにより、メッキ材の析出を開始させることを
特徴とする無電解メッキ方法。 ３、無電解メッキ液に導電性の被メッキ物が浸漬され、
且つ被メッキ物にメッキ材が析出されている状態におい
て、前記無電解メッキ液に接触する第１の電極と前記被
メッキ物に接触する第２の電極とに蓄積された電荷を放
電させ、メッキ材の析出を停止させることを特徴とする
無電解メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10569488A JPH01275771A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 無電解メッキ装置及び該無電解メッキ装置を用いた無電解メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10569488A JPH01275771A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 無電解メッキ装置及び該無電解メッキ装置を用いた無電解メッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01275771A true JPH01275771A (ja) | 1989-11-06 |
Family
ID=14414498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10569488A Pending JPH01275771A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 無電解メッキ装置及び該無電解メッキ装置を用いた無電解メッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01275771A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005336612A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Komag Inc | めっき中に基板に電圧を印加する方法および装置 |
| US8893648B2 (en) | 2011-04-04 | 2014-11-25 | Nitto Denko Corporation | Electroless plating apparatus, method of electroless plating, and manufacturing method of printed circuit board |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP10569488A patent/JPH01275771A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005336612A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Komag Inc | めっき中に基板に電圧を印加する方法および装置 |
| US8893648B2 (en) | 2011-04-04 | 2014-11-25 | Nitto Denko Corporation | Electroless plating apparatus, method of electroless plating, and manufacturing method of printed circuit board |
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