JPH0127293Y2 - - Google Patents
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- JPH0127293Y2 JPH0127293Y2 JP4535083U JP4535083U JPH0127293Y2 JP H0127293 Y2 JPH0127293 Y2 JP H0127293Y2 JP 4535083 U JP4535083 U JP 4535083U JP 4535083 U JP4535083 U JP 4535083U JP H0127293 Y2 JPH0127293 Y2 JP H0127293Y2
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- tuning
- circuit
- tuning section
- high frequency
- primary winding
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Landscapes
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
イ 産業上の利用分野
本考案は、ラジオ受信機の高周波増幅回路に関
するもので、特にAMラジオ受信機の高周波信号
を増幅するに適した高周波増幅回路に関する。 ロ 従来技術 高周波増幅回路としては、例えば第１図に示す
如き回路が従来から提案されている。第１図の高
周波増幅回路は、アンテナ１に受信された高周波
信号を増幅する第1FET２と、該第1FET２の出
力信号がAGCトランジスタ３を介して供給され
る一次巻線４と二次巻線５と可変容量ダイオード
６とを含む第１同調回路７と、該第１同調回路７
を通過した高周波信号を増幅する第2FET８と、
該第2FET８の出力信号が供給される一次巻線９
と二次巻線１０と可変容量ダイオード１１とを含
む第２同調回路１２とによつて構成されており、
アンテナ１に受信された高周波信号を選択増幅し
て出力端子１３から後段の混合回路（図示せず）
に伝送するものである。しかして、第１及び第２
可変容量ダイオード６及び１１の一端は、制御電
圧端子１４及び１５に接続されており、該制御電
圧端子１４及び１５に制御電圧Vtを印加するこ
とにより、前記第１及び第２可変容量ダイオード
６及び１１の容量を変化させ、それによつて第１
及び第２同調回路７及び１２の同調周波数を変化
させる様に成されている。第１図の高周波増幅回
路は、所定帯域の高周波信号を増幅して後段に伝
送するという動作を行うが、同調周波数を変化さ
せる為に可変容量ダイオード６及び１１に印加さ
れる制御電圧Vtの値を変化すると、それに応じ
て前記可変容量ダイオード６及び１１の容量が変
化し、同調インピーダンスが変化して、利得が変
化するという欠点を有する。すなわち、例えば第
１図の第１同調回路７において、同調インピーダ
ンスは、二次巻線５のインダクタンスに比例し、
コンデンサ１６と可変容量ダイオード６との直列
容量に反比例し、かつ利得は前記同調インピーダ
ンスに比例するが、同調周波数を高くする為に、
可変容量ダイオード６の容量を小とすると、同調
インピーダンスが大となり、その結果利得も大と
なつて、第２図の如き周波数対利得特性を持つて
しまい、帯域内の感度差が大となつてしまう。 前記欠点を解消する為の１つの方法として、ア
ンテナ１に受信された高周波信号を、同調コイル
を介して第1FET２のゲートに印加する方法があ
る。すなわち、追加の同調コイルのインダクタン
スとアンテナ回路のストレー容量とによつて共振
回路を形成し、その共振周波数を帯域内の下限周
波数近傍（例えば500KHz）に設定すれば、前記
第1FET２のゲートに印加される高周波信号は、
第２図と逆の特性（周波数が高くなるほど減衰を
受ける）でそのレベルが制御され、その結果、出
力端子１３に得られる出力信号のレベルを周波数
変化に関わらず一定とすることが出来る。 しかしながら、その様な追加の同調コイルを使
用する方法は、強入力時に磁気飽和を生じ、高周
波信号の歪率が悪化するという欠点や、部品点数
が増加するという欠点を生じるので、あまり好ま
しくない。 ハ 考案の目的 本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、帯
域内の感度差を解消することが出来、しかも新た
な欠点を生じない高周波増幅回路を提供せんとす
るものである。 ニ 考案の構成 本考案に係る高周波増幅回路は、帯域内の高周
波信号を後段に伝送する同調回路を備えており、
該同調回路は、一次巻線と二次巻線と可変容量素
子とを含む第１同調部と、一次巻線と二次巻線と
可変容量素子とを含む第２同調部とを有し、前記
第１同調部の二次巻線と前記第２同調部の一次巻
線とのうちの一方の少くとも一部が他方と直列接
続された構成となつている。 ホ 実施例 第３図は、本考案の一実施例を示す回路図で、
１７はアンテナ、１８は該アンテナ１７に受信さ
れた高周波信号を増幅する為のFET、１９はエ
ミツタが前記FET１８の出力端に接続され、ベ
ースに印加されるAGC信号に応じた利得制御を
行うAGCトランジスタ、２０は一次巻線２１と
二次巻線２２とコンデンサ２３と可変容量ダイオ
ード２４とを備え、同調制御信号Vtに応じて同
調周波数が設定される第１同調部、２５は一次巻
線２６と二次巻線２７とコンデンサ２８と可変容
量ダイオード２９とを備え、同調制御信号Vtに
応じて同調周波数が設定される第２同調部、及び
３０は増幅された高周波信号が得られる出力端子
であり、特に第１同調部２０の二次巻線２２の中
間タツプと、第２同調部２５の一次巻線２６の一
端とが接続されており、前記第１及び第２同調部
２０及び２５によつて所定帯域の高周波信号を選
択的に通過させる選択同調回路が形成されてい
る。 アンテナ１７に受信された高周波信号は、まず
FET１８により増幅され、増幅された高周波信
号は、AGCトランジスタ１９で、そのベースに
印加されるAGC信号VAGCにより利得制御されて、
前記AGCトランジスタ１９のコレクタから選択
同調回路の第１同調部２０に供給される。前記第
１同調部２０は、二次巻線２２とコンデンサ２３
と可変容量ダイオード２４とによつて同調周波数
が設定されており、前記可変容量ダイオード２４
に印加される同調制御信号Vtに応じた同調周波
数となる。従つて、アンテナ１７に受信され、
FET１８によつて増幅され、AGCトランジスタ
１９によつて利得制御された高周波信号のうち、
第１同調部２０の同調周波数を中心とする所定範
囲の高周波信号のみが前記第１同調部２０の二次
巻線２２の中間タツプから第２同調部２５に伝送
される。第２同調部２５は、一次巻線２６とコン
デンサ２８と可変容量ダイオード２９とにより同
調周波数が設定され、前記可変容量ダイオード２
９に、第１同調部２０に印加される同調制御信号
Vtと等しい信号が印加されることにより、前記
第１同調部２０の同調周波数と等しい同調周波数
に設定されている。従つて、第１同調部２０から
第２同調部２５に印加される高周波信号は、前記
第２同調部２５で更に選択され、出力端子３０に
同調周波数を中心とする所定範囲の高周波信号の
みが得られる。 ところで、第１同調部２０の二次巻線２２の一
部は、第２同調部２５の一次巻線２６と直列接続
される様な回路接続と成されており、この点が本
考案の大きな特徴である。すなわち、その様な回
路構成とすることにより、第１同調部２０の一次
巻線２１と第２同調部２５の一次巻線２６とがＭ
結合されることになり、前記Ｍ結合の量が増大す
る。しかして、Ｍ結合は、同調周波数が高くなる
ほど小になり、かつＭ結合が小になるとそれに応
じて利得が低下するので、Ｍ結合の量を増大させ
ると、同調周波数の変化に対する利得の変化量を
増加させることが出来る。例えば、同調周波数が
高くなつていくと、それに応じてＭ結合が小にな
り、利得が小になる。従つて、同調インピーダン
スの変化方向と前記Ｍ結合変化方向とは逆にな
り、結果として帯域内の利得を一定とすることが
出来、感度差を解消することが出来る。 第４図は、本考案の別の実施例を示すもので、
３１は一次巻線３２と二次巻線３３と可変容量ダ
イオードを含む容量回路３４とによつて構成され
る第１同調部、及び３５は一次巻線３６と二次巻
線３７と可変容量ダイオードを含む容量回路３８
とによつて構成される第２同調部である。尚、第
４図におけるその他の回路部分は、第１図と同一
に付省略する。第４図において、第１同調部３１
の二次巻線３３の一端は、第２同調部３５一次巻
線３６の中間タツプに接続されており、前記二次
巻線３３は、前記一次巻線３６の一部と直列接続
されており、それによつて帯域内の利得を一定と
し、感度差を解消することが出来る。 第５図及び第６図は、それぞれ本考案の別の実
施例を示すもので、第５図は、第１同調部３１の
二次巻線３３と第２同調部３５の一次巻線３６と
を直列接続し、容量回路３８を第２同調部３５の
二次巻線３７に接続した例を示し、第６図は、第
１同調部３１の二次巻線３３と第２同調部３５の
一次巻線３６とを直列接続し、容量回路３４を第
１同調部３１の一次巻線３２に接続した例を示す
ものであり、いずれの場合も、第３図と同様帯域
内の感度差を解消することが出来る。尚、可変容
量ダイオード２４及び２９の容量を変化させたと
きの同調インピーダンスの変化を測定し、その変
化状態に応じて第３図乃至第６図の実施例の１つ
を選択して回路を構成すれば、同調周波数の変化
に対する利得変化を最小に押さえることができ
る。 ヘ 考案の効果 以上述べた如く、本考案に依れば、帯域内の感
度差が解消された高周波増幅回路を得ることが出
来るという利点を有する。また、その際、部品点
数を増加する必要が無く、かつ強入力時の歪発生
等の新たな欠点が生じないので、設計が容易であ
るという利点も有する。
するもので、特にAMラジオ受信機の高周波信号
を増幅するに適した高周波増幅回路に関する。 ロ 従来技術 高周波増幅回路としては、例えば第１図に示す
如き回路が従来から提案されている。第１図の高
周波増幅回路は、アンテナ１に受信された高周波
信号を増幅する第1FET２と、該第1FET２の出
力信号がAGCトランジスタ３を介して供給され
る一次巻線４と二次巻線５と可変容量ダイオード
６とを含む第１同調回路７と、該第１同調回路７
を通過した高周波信号を増幅する第2FET８と、
該第2FET８の出力信号が供給される一次巻線９
と二次巻線１０と可変容量ダイオード１１とを含
む第２同調回路１２とによつて構成されており、
アンテナ１に受信された高周波信号を選択増幅し
て出力端子１３から後段の混合回路（図示せず）
に伝送するものである。しかして、第１及び第２
可変容量ダイオード６及び１１の一端は、制御電
圧端子１４及び１５に接続されており、該制御電
圧端子１４及び１５に制御電圧Vtを印加するこ
とにより、前記第１及び第２可変容量ダイオード
６及び１１の容量を変化させ、それによつて第１
及び第２同調回路７及び１２の同調周波数を変化
させる様に成されている。第１図の高周波増幅回
路は、所定帯域の高周波信号を増幅して後段に伝
送するという動作を行うが、同調周波数を変化さ
せる為に可変容量ダイオード６及び１１に印加さ
れる制御電圧Vtの値を変化すると、それに応じ
て前記可変容量ダイオード６及び１１の容量が変
化し、同調インピーダンスが変化して、利得が変
化するという欠点を有する。すなわち、例えば第
１図の第１同調回路７において、同調インピーダ
ンスは、二次巻線５のインダクタンスに比例し、
コンデンサ１６と可変容量ダイオード６との直列
容量に反比例し、かつ利得は前記同調インピーダ
ンスに比例するが、同調周波数を高くする為に、
可変容量ダイオード６の容量を小とすると、同調
インピーダンスが大となり、その結果利得も大と
なつて、第２図の如き周波数対利得特性を持つて
しまい、帯域内の感度差が大となつてしまう。 前記欠点を解消する為の１つの方法として、ア
ンテナ１に受信された高周波信号を、同調コイル
を介して第1FET２のゲートに印加する方法があ
る。すなわち、追加の同調コイルのインダクタン
スとアンテナ回路のストレー容量とによつて共振
回路を形成し、その共振周波数を帯域内の下限周
波数近傍（例えば500KHz）に設定すれば、前記
第1FET２のゲートに印加される高周波信号は、
第２図と逆の特性（周波数が高くなるほど減衰を
受ける）でそのレベルが制御され、その結果、出
力端子１３に得られる出力信号のレベルを周波数
変化に関わらず一定とすることが出来る。 しかしながら、その様な追加の同調コイルを使
用する方法は、強入力時に磁気飽和を生じ、高周
波信号の歪率が悪化するという欠点や、部品点数
が増加するという欠点を生じるので、あまり好ま
しくない。 ハ 考案の目的 本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、帯
域内の感度差を解消することが出来、しかも新た
な欠点を生じない高周波増幅回路を提供せんとす
るものである。 ニ 考案の構成 本考案に係る高周波増幅回路は、帯域内の高周
波信号を後段に伝送する同調回路を備えており、
該同調回路は、一次巻線と二次巻線と可変容量素
子とを含む第１同調部と、一次巻線と二次巻線と
可変容量素子とを含む第２同調部とを有し、前記
第１同調部の二次巻線と前記第２同調部の一次巻
線とのうちの一方の少くとも一部が他方と直列接
続された構成となつている。 ホ 実施例 第３図は、本考案の一実施例を示す回路図で、
１７はアンテナ、１８は該アンテナ１７に受信さ
れた高周波信号を増幅する為のFET、１９はエ
ミツタが前記FET１８の出力端に接続され、ベ
ースに印加されるAGC信号に応じた利得制御を
行うAGCトランジスタ、２０は一次巻線２１と
二次巻線２２とコンデンサ２３と可変容量ダイオ
ード２４とを備え、同調制御信号Vtに応じて同
調周波数が設定される第１同調部、２５は一次巻
線２６と二次巻線２７とコンデンサ２８と可変容
量ダイオード２９とを備え、同調制御信号Vtに
応じて同調周波数が設定される第２同調部、及び
３０は増幅された高周波信号が得られる出力端子
であり、特に第１同調部２０の二次巻線２２の中
間タツプと、第２同調部２５の一次巻線２６の一
端とが接続されており、前記第１及び第２同調部
２０及び２５によつて所定帯域の高周波信号を選
択的に通過させる選択同調回路が形成されてい
る。 アンテナ１７に受信された高周波信号は、まず
FET１８により増幅され、増幅された高周波信
号は、AGCトランジスタ１９で、そのベースに
印加されるAGC信号VAGCにより利得制御されて、
前記AGCトランジスタ１９のコレクタから選択
同調回路の第１同調部２０に供給される。前記第
１同調部２０は、二次巻線２２とコンデンサ２３
と可変容量ダイオード２４とによつて同調周波数
が設定されており、前記可変容量ダイオード２４
に印加される同調制御信号Vtに応じた同調周波
数となる。従つて、アンテナ１７に受信され、
FET１８によつて増幅され、AGCトランジスタ
１９によつて利得制御された高周波信号のうち、
第１同調部２０の同調周波数を中心とする所定範
囲の高周波信号のみが前記第１同調部２０の二次
巻線２２の中間タツプから第２同調部２５に伝送
される。第２同調部２５は、一次巻線２６とコン
デンサ２８と可変容量ダイオード２９とにより同
調周波数が設定され、前記可変容量ダイオード２
９に、第１同調部２０に印加される同調制御信号
Vtと等しい信号が印加されることにより、前記
第１同調部２０の同調周波数と等しい同調周波数
に設定されている。従つて、第１同調部２０から
第２同調部２５に印加される高周波信号は、前記
第２同調部２５で更に選択され、出力端子３０に
同調周波数を中心とする所定範囲の高周波信号の
みが得られる。 ところで、第１同調部２０の二次巻線２２の一
部は、第２同調部２５の一次巻線２６と直列接続
される様な回路接続と成されており、この点が本
考案の大きな特徴である。すなわち、その様な回
路構成とすることにより、第１同調部２０の一次
巻線２１と第２同調部２５の一次巻線２６とがＭ
結合されることになり、前記Ｍ結合の量が増大す
る。しかして、Ｍ結合は、同調周波数が高くなる
ほど小になり、かつＭ結合が小になるとそれに応
じて利得が低下するので、Ｍ結合の量を増大させ
ると、同調周波数の変化に対する利得の変化量を
増加させることが出来る。例えば、同調周波数が
高くなつていくと、それに応じてＭ結合が小にな
り、利得が小になる。従つて、同調インピーダン
スの変化方向と前記Ｍ結合変化方向とは逆にな
り、結果として帯域内の利得を一定とすることが
出来、感度差を解消することが出来る。 第４図は、本考案の別の実施例を示すもので、
３１は一次巻線３２と二次巻線３３と可変容量ダ
イオードを含む容量回路３４とによつて構成され
る第１同調部、及び３５は一次巻線３６と二次巻
線３７と可変容量ダイオードを含む容量回路３８
とによつて構成される第２同調部である。尚、第
４図におけるその他の回路部分は、第１図と同一
に付省略する。第４図において、第１同調部３１
の二次巻線３３の一端は、第２同調部３５一次巻
線３６の中間タツプに接続されており、前記二次
巻線３３は、前記一次巻線３６の一部と直列接続
されており、それによつて帯域内の利得を一定と
し、感度差を解消することが出来る。 第５図及び第６図は、それぞれ本考案の別の実
施例を示すもので、第５図は、第１同調部３１の
二次巻線３３と第２同調部３５の一次巻線３６と
を直列接続し、容量回路３８を第２同調部３５の
二次巻線３７に接続した例を示し、第６図は、第
１同調部３１の二次巻線３３と第２同調部３５の
一次巻線３６とを直列接続し、容量回路３４を第
１同調部３１の一次巻線３２に接続した例を示す
ものであり、いずれの場合も、第３図と同様帯域
内の感度差を解消することが出来る。尚、可変容
量ダイオード２４及び２９の容量を変化させたと
きの同調インピーダンスの変化を測定し、その変
化状態に応じて第３図乃至第６図の実施例の１つ
を選択して回路を構成すれば、同調周波数の変化
に対する利得変化を最小に押さえることができ
る。 ヘ 考案の効果 以上述べた如く、本考案に依れば、帯域内の感
度差が解消された高周波増幅回路を得ることが出
来るという利点を有する。また、その際、部品点
数を増加する必要が無く、かつ強入力時の歪発生
等の新たな欠点が生じないので、設計が容易であ
るという利点も有する。
第１図は、従来の高周波増幅回路を示す回路
図、第２図はその特性を示す特性図、第３図は本
考案の一実施例を示す回路図、第４図乃至第６図
はそれぞれ本考案の別の実施例を示す回路図であ
る。 主な図番の説明、１８……FET、２０，２５
……第１及び第２同調部、２１，２６……一次巻
線、２２，２７……二次巻線、２４，２９……可
変容量ダイオード。
図、第２図はその特性を示す特性図、第３図は本
考案の一実施例を示す回路図、第４図乃至第６図
はそれぞれ本考案の別の実施例を示す回路図であ
る。 主な図番の説明、１８……FET、２０，２５
……第１及び第２同調部、２１，２６……一次巻
線、２２，２７……二次巻線、２４，２９……可
変容量ダイオード。
Claims (1)
- アンテナに受信された高周波信号を増幅する為
の高周波増幅回路において、前記高周波信号を増
幅する為の増幅素子と、該増幅素子の出力信号を
選択的に伝送する為の同調回路とを備え、前記同
調回路は、一次巻線と二次巻線と可変容量素子と
を含む第１同調部及び一次巻線と二次巻線と可変
容量素子とを含む第２同調部から成り、前記第１
同調部の二次巻線と前記第２同調部の一次巻線と
のうちの一方の少くとも一部を他方と直列接続
し、第１同調部及び第２同調部の巻線間のＭ結合
を増大させたことを特徴とする高周波増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4535083U JPS59152822U (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 高周波増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4535083U JPS59152822U (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 高周波増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59152822U JPS59152822U (ja) | 1984-10-13 |
| JPH0127293Y2 true JPH0127293Y2 (ja) | 1989-08-15 |
Family
ID=30175864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4535083U Granted JPS59152822U (ja) | 1983-03-28 | 1983-03-28 | 高周波増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59152822U (ja) |
-
1983
- 1983-03-28 JP JP4535083U patent/JPS59152822U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59152822U (ja) | 1984-10-13 |
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