JPH01272491A - 半導体素子の実装構造 - Google Patents
半導体素子の実装構造Info
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- JPH01272491A JPH01272491A JP63101982A JP10198288A JPH01272491A JP H01272491 A JPH01272491 A JP H01272491A JP 63101982 A JP63101982 A JP 63101982A JP 10198288 A JP10198288 A JP 10198288A JP H01272491 A JPH01272491 A JP H01272491A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、カード状樹脂基板体に半導体素子を薄く高
信頼度に実装する方法及び構造に関する。
信頼度に実装する方法及び構造に関する。
この発明は、ＩＣカード等のカード状樹脂基板体に半導
体素子を実装してなる装置において、予め半導体素子を
樹脂基板体に埋め込んだ後、接続用の薄いフィルム基板
により半導体素子の電極及び樹脂基板体上の回路パター
ンを接続するようにした事により、半導体素子実装部の
剛性を上げ耐屈曲性を向上させたものである。
体素子を実装してなる装置において、予め半導体素子を
樹脂基板体に埋め込んだ後、接続用の薄いフィルム基板
により半導体素子の電極及び樹脂基板体上の回路パター
ンを接続するようにした事により、半導体素子実装部の
剛性を上げ耐屈曲性を向上させたものである。
従来、第２図に示すように、予め、多層基板２３に半導
体素子２１をダイアタッチし、ワイヤー２４で半導体素
子の電極と多層基板間を結線し、液状樹脂２５で成形硬
化させた回路モジュールを製作し、塩化ビニール等によ
る樹脂基体２２の孔２９に一致する形状の回路モジュー
ルを孔２９に挿入し、更に化粧フィルム２６．２７を貼
付することによって回路モジュールを樹脂基体に収容し
て一体化する半導体素子の実装構造が知られており、各
種の文献にも紹介され、ｔＣカードシステムの実用試験
も行われている。
体素子２１をダイアタッチし、ワイヤー２４で半導体素
子の電極と多層基板間を結線し、液状樹脂２５で成形硬
化させた回路モジュールを製作し、塩化ビニール等によ
る樹脂基体２２の孔２９に一致する形状の回路モジュー
ルを孔２９に挿入し、更に化粧フィルム２６．２７を貼
付することによって回路モジュールを樹脂基体に収容し
て一体化する半導体素子の実装構造が知られており、各
種の文献にも紹介され、ｔＣカードシステムの実用試験
も行われている。
しかし、従来のカード状樹脂基体への半導体素子の実装
構造では、いわゆる国際標準（ＩＳＯ）ＩＣカードにお
いては、カード厚さが０．７６ｍｍと非常に薄く、第２
図に示す回路モジュール構造では従来から用いられてい
るワイヤーボンド法による接続手段では薄くする目的に
対し非常に不利な実装法である、その為、モジュールを
製作するに際し半導体素子のバックラップやボンディン
グワイヤーを低くする為の特殊な工夫が必要であり、樹
脂による成形硬化時の歩留り低下等もあり非常に費用の
かかる欠点があった。又、回路モジュール自体は１００
角程度の硬い部品と考えられ、薄い樹脂基体の貫通孔に
埋め込まれているだけである為、カード状樹脂基体が屈
曲すると飛び出しやすく、耐屈曲性が悪いという欠点も
あった。
構造では、いわゆる国際標準（ＩＳＯ）ＩＣカードにお
いては、カード厚さが０．７６ｍｍと非常に薄く、第２
図に示す回路モジュール構造では従来から用いられてい
るワイヤーボンド法による接続手段では薄くする目的に
対し非常に不利な実装法である、その為、モジュールを
製作するに際し半導体素子のバックラップやボンディン
グワイヤーを低くする為の特殊な工夫が必要であり、樹
脂による成形硬化時の歩留り低下等もあり非常に費用の
かかる欠点があった。又、回路モジュール自体は１００
角程度の硬い部品と考えられ、薄い樹脂基体の貫通孔に
埋め込まれているだけである為、カード状樹脂基体が屈
曲すると飛び出しやすく、耐屈曲性が悪いという欠点も
あった。
そこで、この発明は従来のこのような欠点を解決するた
め、半導体素子がカード状樹脂基体へ埋め込まれた部分
の耐屈曲性を上げ、半導体素子の電極との結線を薄く、
作業性良く行なう事ができる実装構造を提供することを
目的としている。
め、半導体素子がカード状樹脂基体へ埋め込まれた部分
の耐屈曲性を上げ、半導体素子の電極との結線を薄く、
作業性良く行なう事ができる実装構造を提供することを
目的としている。
上記問題点を解決するために、この発明は、半導体素子
を直接カード状樹脂基板体の収容凹部に埋め込み、半導
体素子の電極と、カード状樹脂基板体の回路パターンと
の接続には薄いフィルムに形成された導体の圧着によっ
て行い、特に半導体素子とフィルム上の導体との接続部
は半導体の上面（電極面）と周辺の埋込み部に施した接
着剤によって加熱圧着硬化させ、カード状樹脂基板体と
半導体素子の実装部を一体化させる構造とし、半導体素
子の実装部の耐屈曲性の向上と生産性の向上をはかるよ
うにした。
を直接カード状樹脂基板体の収容凹部に埋め込み、半導
体素子の電極と、カード状樹脂基板体の回路パターンと
の接続には薄いフィルムに形成された導体の圧着によっ
て行い、特に半導体素子とフィルム上の導体との接続部
は半導体の上面（電極面）と周辺の埋込み部に施した接
着剤によって加熱圧着硬化させ、カード状樹脂基板体と
半導体素子の実装部を一体化させる構造とし、半導体素
子の実装部の耐屈曲性の向上と生産性の向上をはかるよ
うにした。
上記のように構成されたカード状樹脂基板体への半導体
素子の実装構造は、それ自身耐屈曲性に優れているが、
従来よりも薄くできる為、更に金属製等の化粧板を被せ
て機械的強度を増すことができる。又、半導体素子の電
極とフィルム上に形成された導体の電気的接続に接着剤
を介して加熱圧着硬化させることは、同時に半導体素子
の樹脂封止と、半導体素子のカード状樹脂基体への埋め
込み補強を行っている事であり、半導体装工程の短縮と
加工費用の削減が実現できるのである。
素子の実装構造は、それ自身耐屈曲性に優れているが、
従来よりも薄くできる為、更に金属製等の化粧板を被せ
て機械的強度を増すことができる。又、半導体素子の電
極とフィルム上に形成された導体の電気的接続に接着剤
を介して加熱圧着硬化させることは、同時に半導体素子
の樹脂封止と、半導体素子のカード状樹脂基体への埋め
込み補強を行っている事であり、半導体装工程の短縮と
加工費用の削減が実現できるのである。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図において、図１−ａは樹脂基板体２の収容凹部３
に半導体素子１を落とし込み、穴の各コーナ一部４で、
樹脂を変形して固定している状況を示す９次に図１−ｂ
に示すように半導体素子の上面に紫外線硬化型の液状樹
脂６を塗布する。塗布された液状樹脂６は図１−ａの半
導体素子１と樹脂基板体２とのスキマ３にも浸透する。
に半導体素子１を落とし込み、穴の各コーナ一部４で、
樹脂を変形して固定している状況を示す９次に図１−ｂ
に示すように半導体素子の上面に紫外線硬化型の液状樹
脂６を塗布する。塗布された液状樹脂６は図１−ａの半
導体素子１と樹脂基板体２とのスキマ３にも浸透する。
次に図１−ｃに示すように導体パターン８が形成された
光透過性樹脂フィルム９を、図１−ｄに示すように半導
体素子１の上に重ねて配設し、半導体素子１の電極５と
図１−ｃに示しである導体パターン突起部８′とを位置
合わせし、ヒートコラム１０とベースブロック１１で押
圧加熱すると共に光透過性樹脂フィルム９の裏面側より
紫外線を照射して、樹脂フィルム９と半導体素子１のス
キマ１２の紫外線硬化型液状樹脂及び半導体素子１の側
面のスキマ３の同液状樹脂を硬化させる。導体パターン
突起部８°は金メツキされており、半導体素子１の電極
５はアルミ電極上に、更に金が薄くスパッタされた電極
が良い。半導体素子電極の接合部は押圧によって液状樹
脂が排除され金と金の良好なコンタクトが得られたとこ
ろで、液状樹脂の硬化によって固定化される。ヒートコ
ラム１０について更に述べると、紫外線照射光の伝達効
率上先端部は硬質ガラス又はダイヤモンドが良い。
光透過性樹脂フィルム９を、図１−ｄに示すように半導
体素子１の上に重ねて配設し、半導体素子１の電極５と
図１−ｃに示しである導体パターン突起部８′とを位置
合わせし、ヒートコラム１０とベースブロック１１で押
圧加熱すると共に光透過性樹脂フィルム９の裏面側より
紫外線を照射して、樹脂フィルム９と半導体素子１のス
キマ１２の紫外線硬化型液状樹脂及び半導体素子１の側
面のスキマ３の同液状樹脂を硬化させる。導体パターン
突起部８°は金メツキされており、半導体素子１の電極
５はアルミ電極上に、更に金が薄くスパッタされた電極
が良い。半導体素子電極の接合部は押圧によって液状樹
脂が排除され金と金の良好なコンタクトが得られたとこ
ろで、液状樹脂の硬化によって固定化される。ヒートコ
ラム１０について更に述べると、紫外線照射光の伝達効
率上先端部は硬質ガラス又はダイヤモンドが良い。
以上の如く、半導体素子埋め込み実装部の工程が済んだ
ら、図１−ｄに示すように光透過性樹脂フィルム９の半
導体素子部以外の部分を圧着によって樹脂基板体２に貼
り付けると共に、樹脂フィルム９の導体パターンの一部
８”を樹脂基板体２の上の回路パターン１３にレーザー
半田リフロー等の方法で電気的に接続する。樹脂基板体
は各種の方法で作成できるが、半導体素子を収納する凹
部等の複雑な形状を生産性良く成形するには射出成形に
よる基板が良い。本基板は無電解メツキ法、ラミネート
転写等により三次元の回路パターン（図１−ｄの１３）
を付けることが可能であり、低コストとＩＣカード等で
の外部との入出力端子位置の自由度の拡大が得られる。
ら、図１−ｄに示すように光透過性樹脂フィルム９の半
導体素子部以外の部分を圧着によって樹脂基板体２に貼
り付けると共に、樹脂フィルム９の導体パターンの一部
８”を樹脂基板体２の上の回路パターン１３にレーザー
半田リフロー等の方法で電気的に接続する。樹脂基板体
は各種の方法で作成できるが、半導体素子を収納する凹
部等の複雑な形状を生産性良く成形するには射出成形に
よる基板が良い。本基板は無電解メツキ法、ラミネート
転写等により三次元の回路パターン（図１−ｄの１３）
を付けることが可能であり、低コストとＩＣカード等で
の外部との入出力端子位置の自由度の拡大が得られる。
第３図は、本方式による半導体素子実装構造の別の実施
例を示すもので、ＩＣカードとしての実施例であるが、
基本的には第１の構造に半導体素子実装部の保護とカー
ドとしての剛性を向上させる為、金属製等の化粧板を付
加したものである。
例を示すもので、ＩＣカードとしての実施例であるが、
基本的には第１の構造に半導体素子実装部の保護とカー
ドとしての剛性を向上させる為、金属製等の化粧板を付
加したものである。
カード状樹脂基板体と半導体素子の実装部が一体化構造
となっており、かつ金属化粧板が付加され、半導体素子
の実装部はかなりの耐屈曲性を持っている。更に安全性
を確保する為、半導体素子の裏面に凹部７を設けて半導
体素子裏面への応力の集中を防ぐようにしている。
となっており、かつ金属化粧板が付加され、半導体素子
の実装部はかなりの耐屈曲性を持っている。更に安全性
を確保する為、半導体素子の裏面に凹部７を設けて半導
体素子裏面への応力の集中を防ぐようにしている。
この発明は、以上説明したように半導体素子を直接カー
ド状樹脂基板体の収容凹部に埋め込み、半導体素子の電
極とカード状樹脂基板体の回路パターン間の接続には予
め薄いフィルム上に形成された導体の圧着によっている
為、半導体素子結線部を薄くでき、生産性も向上できカ
ード状基板体としての耐屈曲性も向上する効果がある。
ド状樹脂基板体の収容凹部に埋め込み、半導体素子の電
極とカード状樹脂基板体の回路パターン間の接続には予
め薄いフィルム上に形成された導体の圧着によっている
為、半導体素子結線部を薄くでき、生産性も向上できカ
ード状基板体としての耐屈曲性も向上する効果がある。
第１図ａないしｄはこの発明の方法による半導体素子の
実装構造の平面図及び断面図、第２図は従来の半導体素
子の実装構造の縦断面図、第３図はこの発明の方法によ
る半導体素子の実装構造例の縦断面図である。 １．２１・・・半導体素子 ２・・・・・樹脂基板体 ３・・・・・収容凹部 ６・・・・・液状樹脂 ８・・・・・導体パターン ９・・・・・樹脂フィルム １３・・・・・回路パターン ２２・・・・・樹脂基体 ２３・・・・・多層基板 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 第１図ａ も１図す 弔１図 Ｃ 木４と９月１７”）Ｂ−Ｂ＃σｔ＞ＱＩＳ／’）餠６１
１ａ第１図ｄ
実装構造の平面図及び断面図、第２図は従来の半導体素
子の実装構造の縦断面図、第３図はこの発明の方法によ
る半導体素子の実装構造例の縦断面図である。 １．２１・・・半導体素子 ２・・・・・樹脂基板体 ３・・・・・収容凹部 ６・・・・・液状樹脂 ８・・・・・導体パターン ９・・・・・樹脂フィルム １３・・・・・回路パターン ２２・・・・・樹脂基体 ２３・・・・・多層基板 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 第１図ａ も１図す 弔１図 Ｃ 木４と９月１７”）Ｂ−Ｂ＃σｔ＞ＱＩＳ／’）餠６１
１ａ第１図ｄ
Claims (2)
- （１）光透過性の樹脂フィルム上に形成された導体パタ
ーンと、樹脂基板体の凹部に収納され、光硬化性液状樹
脂を上面に施し半導体素子の電極とを相互に位置合わせ
し、電気的接続を行なうと同時に前記半導体素子上の光
硬化性液状樹脂を硬化させて樹脂フィルムと樹脂基板体
とを固定したことを特徴とした半導体素子の実装構造。 - （２）前記光透過性樹脂フィルム上の導体パターンの一
部を前記樹脂基板体上の回路パターンに電気的に接続す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
素子の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101982A JPH01272491A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 半導体素子の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63101982A JPH01272491A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 半導体素子の実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01272491A true JPH01272491A (ja) | 1989-10-31 |
Family
ID=14315059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63101982A Pending JPH01272491A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 半導体素子の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01272491A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000057738A (ko) * | 1999-01-14 | 2000-09-25 | 린텍 코포레이션 | 비접촉 데이터 캐리어의 제조방법 |
| JP2009049059A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Toppan Forms Co Ltd | 部品実装基板およびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4857580A (ja) * | 1971-11-18 | 1973-08-13 | ||
| JPS5211863A (en) * | 1975-07-18 | 1977-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
| JPS62132331A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP63101982A patent/JPH01272491A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4857580A (ja) * | 1971-11-18 | 1973-08-13 | ||
| JPS5211863A (en) * | 1975-07-18 | 1977-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
| JPS62132331A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000057738A (ko) * | 1999-01-14 | 2000-09-25 | 린텍 코포레이션 | 비접촉 데이터 캐리어의 제조방법 |
| JP2009049059A (ja) * | 2007-08-14 | 2009-03-05 | Toppan Forms Co Ltd | 部品実装基板およびその製造方法 |
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