JPH01272123A - 半導体チップの実装方法 - Google Patents
半導体チップの実装方法Info
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- JPH01272123A JPH01272123A JP10010288A JP10010288A JPH01272123A JP H01272123 A JPH01272123 A JP H01272123A JP 10010288 A JP10010288 A JP 10010288A JP 10010288 A JP10010288 A JP 10010288A JP H01272123 A JPH01272123 A JP H01272123A
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- semiconductor chip
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- substrate
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- heated
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Links
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
複数個の半導体チップをセラミック基板等の支持基板に
共晶ハンダを用いて実装する場合の実装方法に関し、 複数個の半導体チップを同一基板上に正確な位置決めで
実装可能とすることを目的とし、予め複数個の半導体チ
ップが実装される位置にそれぞれ共晶ハンダが被着され
た支持基板を加熱し、その温度を前記共晶ハンダの融点
温度以下に保持しつつ、該共晶ハンダの上に半導体チッ
プを載置し、次いで半導体チップを個別に加熱する手段
を用いて前記半導体チップとその実装される基板を局所
的に共晶ハンダの融点温度以上に加熱し、共晶ハンダを
溶融させた状態でチップの位置決めを行なうように構成
する。
共晶ハンダを用いて実装する場合の実装方法に関し、 複数個の半導体チップを同一基板上に正確な位置決めで
実装可能とすることを目的とし、予め複数個の半導体チ
ップが実装される位置にそれぞれ共晶ハンダが被着され
た支持基板を加熱し、その温度を前記共晶ハンダの融点
温度以下に保持しつつ、該共晶ハンダの上に半導体チッ
プを載置し、次いで半導体チップを個別に加熱する手段
を用いて前記半導体チップとその実装される基板を局所
的に共晶ハンダの融点温度以上に加熱し、共晶ハンダを
溶融させた状態でチップの位置決めを行なうように構成
する。
本発明は、半導体チップをセラミック基板等の支持基板
に共晶ハンダを用いて実装する場合の実装方法に関する
。
に共晶ハンダを用いて実装する場合の実装方法に関する
。
従来の半導体装置では、ＳｉやＧａＡｓ 、及びＩｎＰ
及びこれらを主成分とした複数個の半導体チツブが共晶
ハンダを用いてセラミック基板やリードフレーム等の支
持基板に取付けられて用いられる場合がある。このよう
な半導体装置における半導体チップの基板への実装方法
は第３図に示すように、基板加熱用ヒータ５によって基
板１を共晶ハンダ（以下ハンダと略称する）３の融点以
上に加熱し、その上に半導体チップ２ｂを載置し位置決
め治具４により位置決めするようになっている。
及びこれらを主成分とした複数個の半導体チツブが共晶
ハンダを用いてセラミック基板やリードフレーム等の支
持基板に取付けられて用いられる場合がある。このよう
な半導体装置における半導体チップの基板への実装方法
は第３図に示すように、基板加熱用ヒータ５によって基
板１を共晶ハンダ（以下ハンダと略称する）３の融点以
上に加熱し、その上に半導体チップ２ｂを載置し位置決
め治具４により位置決めするようになっている。
一方、光通信向けＩＣにおいては、半導体レーザやＬＥ
Ｄ、フォトダイオード等の光電気変換素子を複数個同一
基板上に実装し、モジュールとすることが要求されるよ
うになって来ている。この場合各光電気変換素子は光軸
を一致させて実装する必要があり、そのため基板上の定
められた所に正確に位置決めして実装する必要があり、
その要求精度は面内方向において±２μ鴎以内である。
Ｄ、フォトダイオード等の光電気変換素子を複数個同一
基板上に実装し、モジュールとすることが要求されるよ
うになって来ている。この場合各光電気変換素子は光軸
を一致させて実装する必要があり、そのため基板上の定
められた所に正確に位置決めして実装する必要があり、
その要求精度は面内方向において±２μ鴎以内である。
上記光通信向けＩＣのような場合、前述した従来の半導
体チップの実装方法を用いると、例えば第３図に示すよ
うに、最初に第１のチップ２ａを実装した後、第２のチ
ップ２ｂを゛実装している際に、基板１がハンダ３の融
点以上であるため第１のチップ２ａが位置ずれを起こし
てしまうという問題があった。
体チップの実装方法を用いると、例えば第３図に示すよ
うに、最初に第１のチップ２ａを実装した後、第２のチ
ップ２ｂを゛実装している際に、基板１がハンダ３の融
点以上であるため第１のチップ２ａが位置ずれを起こし
てしまうという問題があった。
本発明は、複数個の半導体チップを同一基板上に正確な
位置決めで実装可能とすることを目的とする。
位置決めで実装可能とすることを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の半導体チップの実
装方法は、予め複数個の半導体チップが実装される位置
にそれぞれ共晶ハンダ１２が被着された支持基板１１を
加熱し、その温度を前記共晶ハンダ１２の融点温度以下
に保持しつつ、咳共品ハンダ１２の上に半導体チップ１
０を載置し、次いで半導体チップを個別に加熱する手段
を用いて前記半導体チップ１０とその実装される基板１
１を局所的に共晶ハンダの融点温度以上に加熱し、共晶
ハンダ１２を溶融させた状態で半導体チップ１０の位置
決めを行なうものである。
装方法は、予め複数個の半導体チップが実装される位置
にそれぞれ共晶ハンダ１２が被着された支持基板１１を
加熱し、その温度を前記共晶ハンダ１２の融点温度以下
に保持しつつ、咳共品ハンダ１２の上に半導体チップ１
０を載置し、次いで半導体チップを個別に加熱する手段
を用いて前記半導体チップ１０とその実装される基板１
１を局所的に共晶ハンダの融点温度以上に加熱し、共晶
ハンダ１２を溶融させた状態で半導体チップ１０の位置
決めを行なうものである。
〔作 用］
基板１１を共晶ハンダの融点温度以下に保持した状態で
半導体チップ及びその周辺の基板部分を個別に加熱して
ハンダを溶融させ位置決めすることにより正確な位置決
めができ、且つ前に実装されているチップのハンダを溶
融することがないため、その位置ずれを起こさせること
もなく、全てのチップを正確な位置決めで実装すること
ができる。
半導体チップ及びその周辺の基板部分を個別に加熱して
ハンダを溶融させ位置決めすることにより正確な位置決
めができ、且つ前に実装されているチップのハンダを溶
融することがないため、その位置ずれを起こさせること
もなく、全てのチップを正確な位置決めで実装すること
ができる。
（実施例）
第１図は本発明の実施°例を説明するための図である。
本実施例は同図に示す様に、半導体チップ１０を基板１
１にハンダペースト１２を用いてハンダ付けする場合、
ハンダに共晶ハンダを用い、チップの取付けと位置決め
用を兼ねた治具１３に加熱ヒータ１４を付加しておく。
１にハンダペースト１２を用いてハンダ付けする場合、
ハンダに共晶ハンダを用い、チップの取付けと位置決め
用を兼ねた治具１３に加熱ヒータ１４を付加しておく。
そしてハンダペースト１２を介して半導体チップ１０が
載置された基板１１を下面より加熱ヒータ１５で加熱し
基板１１の温度を共晶ハンダの融点（共晶ハンダは半融
の状態はな（一定の温度ＴＨで固体から液体に変る）よ
り以下の温度（例えばＴ８ ：ｓ。°Ｃ）に保持する。
載置された基板１１を下面より加熱ヒータ１５で加熱し
基板１１の温度を共晶ハンダの融点（共晶ハンダは半融
の状態はな（一定の温度ＴＨで固体から液体に変る）よ
り以下の温度（例えばＴ８ ：ｓ。°Ｃ）に保持する。
次いで半導体チップ１０に治具１３を押し当て、その加
熱ヒータ１４により半導体チップ１０及びその下のハン
ダペースト１２を加熱すると共に、その下の基板１１も
局所的に加熱して（加熱温度は例えば’ｒ＋ ＋１００
”Ｃ）ハンダペースト１２を溶融させ治具１３で位置決
めした後冷却する。
熱ヒータ１４により半導体チップ１０及びその下のハン
ダペースト１２を加熱すると共に、その下の基板１１も
局所的に加熱して（加熱温度は例えば’ｒ＋ ＋１００
”Ｃ）ハンダペースト１２を溶融させ治具１３で位置決
めした後冷却する。
本実施例によれば、基板１１を下面から加熱するヒータ
１５の加熱のみではハンダは熔融せず、チップ取付兼位
置決め用治具１３の加熱ヒータ１４が補助することによ
り、該治具で押圧されたチップｌＯの下のハンダペース
ト１２のみが溶融するので、他の既にハンダ付けを終っ
たチップには何ら影響を与えることはない。
１５の加熱のみではハンダは熔融せず、チップ取付兼位
置決め用治具１３の加熱ヒータ１４が補助することによ
り、該治具で押圧されたチップｌＯの下のハンダペース
ト１２のみが溶融するので、他の既にハンダ付けを終っ
たチップには何ら影響を与えることはない。
第２図は本発明の他の実施例を説明するための図である
。
。
本実施例が前実施例と異なるところは、前実施例がチッ
プの取付と位置決めを兼ねた治具１３に付加した加熱ヒ
ータ１４の代りに、治具１３の上方に該治具１３及びそ
の周辺を加熱することができる赤外線ヒータ１６を設け
ている。
プの取付と位置決めを兼ねた治具１３に付加した加熱ヒ
ータ１４の代りに、治具１３の上方に該治具１３及びそ
の周辺を加熱することができる赤外線ヒータ１６を設け
ている。
そしてハンダペースト１２を介して半導体チップ１０が
載置された基板１１を下面より加熱ヒータ１５で加熱し
基板１１の温度を共晶ハンダの融点Ｔ、より以下の温度
（例えばＴ、４（。’ｃ ＞に保持しながら半導体チッ
プ１０に治具１３を押し当て、赤外線ヒータ１６により
治具１３と半導体チップ１０とその下のハンダペースト
１２を加熱すると共にその下の基板１１も局所的に加熱
して（加熱温度は例えば’ｒｌ ＋１００°Ｃ）ハンダ
ペースト１２を溶解させ治具１３で半導体チップＩＯを
位置決めした後冷却する。
載置された基板１１を下面より加熱ヒータ１５で加熱し
基板１１の温度を共晶ハンダの融点Ｔ、より以下の温度
（例えばＴ、４（。’ｃ ＞に保持しながら半導体チッ
プ１０に治具１３を押し当て、赤外線ヒータ１６により
治具１３と半導体チップ１０とその下のハンダペースト
１２を加熱すると共にその下の基板１１も局所的に加熱
して（加熱温度は例えば’ｒｌ ＋１００°Ｃ）ハンダ
ペースト１２を溶解させ治具１３で半導体チップＩＯを
位置決めした後冷却する。
本実施例によれば前実施例と全く同様な効果が得られる
。
。
以上説明した様に、本発明によれば、全体をハンダの融
点より僅かに下の温度に加熱しておき、位置決めすべき
半導体チップのみ別の加熱ヒータで局所的に加熱するこ
とにより、既に位置決めされている半導体チップの位置
ずれを起させることなく、容易に目的の半導体チップの
実装が可能となる。
点より僅かに下の温度に加熱しておき、位置決めすべき
半導体チップのみ別の加熱ヒータで局所的に加熱するこ
とにより、既に位置決めされている半導体チップの位置
ずれを起させることなく、容易に目的の半導体チップの
実装が可能となる。
第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は本
発明の他の実施例を説明するための図、 第３図は従来の半導体チップの実装方法を説明するため
の図である。 図において、 １０は半導体チップ、 １１は基板、 １２はハンダペースト、 １３は治具、 １４、１５ は加熱ヒータ、 １６は赤外線ヒータ、 を示す。
発明の他の実施例を説明するための図、 第３図は従来の半導体チップの実装方法を説明するため
の図である。 図において、 １０は半導体チップ、 １１は基板、 １２はハンダペースト、 １３は治具、 １４、１５ は加熱ヒータ、 １６は赤外線ヒータ、 を示す。
Claims (1)
- １、予め複数個の半導体チップが実装される位置にそれ
ぞれ共晶ハンダ（１２）が被着された支持基板（１１）
を加熱し、その温度を前記共晶ハンダ（１２）の融点温
度以下に保持しつつ、該共晶ハンダ（１２）の上に半導
体チップ（１０）を載置し、次いで半導体チップを個別
に加熱する手段を用いて前記半導体チップ（１０）とそ
の実装される基板（１１）を局所的に共晶ハンダの融点
温度以上に加熱し、共晶ハンダ（１２）を溶融させた状
態で半導体チップ（１０）の位置決めを行なうことを特
徴とする半導体チップの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10010288A JPH01272123A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 半導体チップの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10010288A JPH01272123A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 半導体チップの実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01272123A true JPH01272123A (ja) | 1989-10-31 |
Family
ID=14265029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10010288A Pending JPH01272123A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 半導体チップの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01272123A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011104826A1 (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュールの製造方法，半導体モジュールおよび製造装置 |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP10010288A patent/JPH01272123A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011104826A1 (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュールの製造方法，半導体モジュールおよび製造装置 |
| US8791564B2 (en) | 2010-02-24 | 2014-07-29 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method of Manufacturing a semiconductor module and device for the same |
| JP5561356B2 (ja) * | 2010-02-24 | 2014-07-30 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュールの製造方法，半導体モジュールおよび製造装置 |
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