JPH01268177A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH01268177A JPH01268177A JP9763888A JP9763888A JPH01268177A JP H01268177 A JPH01268177 A JP H01268177A JP 9763888 A JP9763888 A JP 9763888A JP 9763888 A JP9763888 A JP 9763888A JP H01268177 A JPH01268177 A JP H01268177A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、低しきい値電流（以下１ｔｈと記す。）、か
つ高効率な、低雑音・高出力半導体レーザ（以下ＬＤと
記す。）の構造に関する。
つ高効率な、低雑音・高出力半導体レーザ（以下ＬＤと
記す。）の構造に関する。
半導体レーザ（以下ＬＤと記す。）を光情報処理用装置
等の光源として使用する際、出射光の一部が外部光学系
等により反射され再度ＬＤの共振器に戻ることにより、
干渉効果によってＬＤからの出力光の雑音成分（以下戻
り光雑音と記す。）か増大し、実用に供することが不可
能となる場合がある。この戻り光雑音を低減させる手段
として縦モードを多軸発振させる方法がある。これを実
現する方法として、第３図に示す如く構造のＬＤがあっ
た。ｎ型−ＧａＡｓ基板３０１上に、ｎ型−ＧａＡｓバ
ッファー層３０２、ｎ型Ａ、ｌｌ ＧａＡＳ第１のクラ
ッド層３０３、活性層３０４、ｐ型−Ａ ｊ Ｇａ Ａ
ｓ第２のクラ’ｙド層３０５、ｐ型−ＧａＡｓコンタ
ク１へ層３０６、を順次積層した後、第２のクラッド層
の途中までエツチング除去してリブ状の光導波路を形成
する。次いでｎ−ＶＩ族化合物半導体であるＺｎ Ｓｅ
ｅ層０７で埋め込み、ストライプ状の電流注入領域を形
成し、ｐ側電極３０６、ｎ側電極３０７を形成して作製
される。
等の光源として使用する際、出射光の一部が外部光学系
等により反射され再度ＬＤの共振器に戻ることにより、
干渉効果によってＬＤからの出力光の雑音成分（以下戻
り光雑音と記す。）か増大し、実用に供することが不可
能となる場合がある。この戻り光雑音を低減させる手段
として縦モードを多軸発振させる方法がある。これを実
現する方法として、第３図に示す如く構造のＬＤがあっ
た。ｎ型−ＧａＡｓ基板３０１上に、ｎ型−ＧａＡｓバ
ッファー層３０２、ｎ型Ａ、ｌｌ ＧａＡＳ第１のクラ
ッド層３０３、活性層３０４、ｐ型−Ａ ｊ Ｇａ Ａ
ｓ第２のクラ’ｙド層３０５、ｐ型−ＧａＡｓコンタ
ク１へ層３０６、を順次積層した後、第２のクラッド層
の途中までエツチング除去してリブ状の光導波路を形成
する。次いでｎ−ＶＩ族化合物半導体であるＺｎ Ｓｅ
ｅ層０７で埋め込み、ストライプ状の電流注入領域を形
成し、ｐ側電極３０６、ｎ側電極３０７を形成して作製
される。
ここで共振器端面近傍では、光導波路幅を、電流注入領
域幅とほぼ同程と細くして屈折率導波！ｆＩ造とし、中
央付近では、光導波路幅を充分広くして利得導波構造と
している。この構造とすることで、屈折率導波ｉ遣を反
映した、安定した基本横モード発振、低非点収差特性、
利得導波構造を反映した縦モードのマルチ化による低雑
音特性か得られることになる。
域幅とほぼ同程と細くして屈折率導波！ｆＩ造とし、中
央付近では、光導波路幅を充分広くして利得導波構造と
している。この構造とすることで、屈折率導波ｉ遣を反
映した、安定した基本横モード発振、低非点収差特性、
利得導波構造を反映した縦モードのマルチ化による低雑
音特性か得られることになる。
しかし、前述の従来技術では、コンタク１〜層の導電型
か、第２のクラッド層と同じでありかつ、リブ上全面に
コンタクト層が存在することから、次のような課題を有
している。
か、第２のクラッド層と同じでありかつ、リブ上全面に
コンタクト層が存在することから、次のような課題を有
している。
１）ｐ側電極より注入されたキャリアは、光導波路幅の
広い利得導波構造の領域では、低抵抗であるコンタクＩ
・層内で広がり、その後活性層に注入されることから、
キャリアの広がりによるＩｔｈの増加をまねく。
広い利得導波構造の領域では、低抵抗であるコンタクＩ
・層内で広がり、その後活性層に注入されることから、
キャリアの広がりによるＩｔｈの増加をまねく。
２）１）と同様の理由により、Ｉ７Ｄの利得導波成分が
大となり、量子効率の低下をまねく。
大となり、量子効率の低下をまねく。
３）Ｉｔｈの増加、量子効率の低下により、消費電力が
大となり、信頼性か劣下する。
大となり、信頼性か劣下する。
そこで本発明はこのような課題を解決するものであり、
その目的とするところは、コンタクト層で電流狭窄を行
ない、過大なキャリアの広がりを抑制することにより、
安定した基本横モード発振・低非点収差特性・低雑音特
性を維持しつつ、低Ｉｔｈ発振・高効率なＬＤを提供す
るところにある。
その目的とするところは、コンタクト層で電流狭窄を行
ない、過大なキャリアの広がりを抑制することにより、
安定した基本横モード発振・低非点収差特性・低雑音特
性を維持しつつ、低Ｉｔｈ発振・高効率なＬＤを提供す
るところにある。
本発明のＬＤは、■−ｖ族化合物半導体基板上に、第１
のクラッド層、活性層、第２のクラッド層およびコンタ
クト層を積層した異種接合構造の、第２のクラッド層の
途中まで除去して成るリブ状の光導波路を有し、かつ該
リブ状の光導波路側面は、ＩＴ −ＶＩ族化合物半導体
で埋め込まれ、かつ少なくとも一方の共振器端面近傍で
は、電流注入幅と、該光導波路の幅をほぼ同程度として
屈折率導波構造とし、該共振器中央付近では、該光導波
路幅を、該電流注入幅より充分広くして利得導波構造と
した半導体レーザにおいて、該利得導波構造を有する領
域の該コンタクト層の幅が、該屈折率導波構造を有する
領域の該電流注入幅と、ほぼ同程度であることを特徴と
する。
のクラッド層、活性層、第２のクラッド層およびコンタ
クト層を積層した異種接合構造の、第２のクラッド層の
途中まで除去して成るリブ状の光導波路を有し、かつ該
リブ状の光導波路側面は、ＩＴ −ＶＩ族化合物半導体
で埋め込まれ、かつ少なくとも一方の共振器端面近傍で
は、電流注入幅と、該光導波路の幅をほぼ同程度として
屈折率導波構造とし、該共振器中央付近では、該光導波
路幅を、該電流注入幅より充分広くして利得導波構造と
した半導体レーザにおいて、該利得導波構造を有する領
域の該コンタクト層の幅が、該屈折率導波構造を有する
領域の該電流注入幅と、ほぼ同程度であることを特徴と
する。
第１図は、本発明の実施例を示す構造図である。
（ａ）は上面図、（ｂ）および（ｃ）は、各々八−Ａ′
およびＢ−Ｂ ′での断面図である。第２図は、本発明
のＬＤの作製工程図である。以下第２図を用いて実施例
の説明を説明する。
およびＢ−Ｂ ′での断面図である。第２図は、本発明
のＬＤの作製工程図である。以下第２図を用いて実施例
の説明を説明する。
最初に、ｎ型−ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型−ＧａＡ
ｓバッファー層１０２、ｎ型−Ａ、ＱＧａＡｓ第１のク
ラッド層１０３、ＡｊＧａＡｓ活性ｉ ］、 ０４、ｐ
型−Ａ、ＱＧａＡｓ第２のクラッド層−巨 − １０５、ｐ型−ＧａＡｓコンタクｌ−層１０６を順次積
層する６積層には、液相成長法、有杆金属気相成長法（
以下ＭＯＣＶＤ方と記ず。）、分子線成長法等の手段の
使用が可能である。続いて前記各層を積層したウェハ上
に二酸化ケイ素等誘電体薄膜を形成し、第２図（ｃ）の
斜線て示ず如くリブエツチング形状１０８に、通常のフ
ォトリソグラフィー工程により二酸化ケイ素等誘電体薄
膜をパターニングして、リブエツチング用マスク１０７
とする。（第２図（ａ））次いで、リブエツチング用マ
スク１０７の形状に、積層ウェハを、第２のクラッド層
１０５の途中までエツチングして、リブを形成する。（
第２図（ｂ））ここでリブ上に、リブエツチング用マス
ク１０７を載せたままの状態で、ｎ−ＶＩ族化合物半導
体であるＺ ｎ、 Ｓ ｅ層を成長する。ＺｎＳ＋ｅ層
の成長には、付加体原料を用いたＭＯＣＶＤ法等の手段
の使用が可能である。この場合リブ外部の第２のクラッ
ド層上には単結晶Ｚ ｎ、 Ｓ ｅ層１０９が、一方リ
ブ上部のリブエツチング用マスク１０７上には多結晶Ｚ
ｎ Ｓ０層１１０が成長する（第２図（ｄ））。続い
てリブ上部の多結晶Ｚ ｎ、 Ｓ ｅ層をＮａＯＨ水溶
液等のエツチング液を用いて選択的にエツチング除去す
る。この場合には、単結晶Ｚｎ５ｅ層１０９と多結晶Ｚ
ｎ５ｅ層との間のエツチングレートの差を利用しており
、マスク形成することなくエツチングが完了する。エツ
チング終了後のＬＤの上面図が第２図（ｅ）であり、斜
線を施した部分がエツチングされずに残った単結晶Ｚｎ
５ｅ層１０９の１部である。次いで、ｐ型−コンタクト
層１０６を、ストライプ状にエツチングする。（第２図
（ｆ））この際ストライプの幅は、ストライプエツチン
グ後の上面図である第２図（ｇ）に示す如く、共振器端
面近傍のリブの幅とはほぼ同程度としている。第２図（
ｇ）の斜線部は、コンタクト層のエツチングにより露出
した第２のクラッド層である。最後にｐ側電極１１１形
成、裏面のケンマ工程、ｎ側電極１１２形成の各工程を
経てＬＤ作製工程は終了する。
ｓバッファー層１０２、ｎ型−Ａ、ＱＧａＡｓ第１のク
ラッド層１０３、ＡｊＧａＡｓ活性ｉ ］、 ０４、ｐ
型−Ａ、ＱＧａＡｓ第２のクラッド層−巨 − １０５、ｐ型−ＧａＡｓコンタクｌ−層１０６を順次積
層する６積層には、液相成長法、有杆金属気相成長法（
以下ＭＯＣＶＤ方と記ず。）、分子線成長法等の手段の
使用が可能である。続いて前記各層を積層したウェハ上
に二酸化ケイ素等誘電体薄膜を形成し、第２図（ｃ）の
斜線て示ず如くリブエツチング形状１０８に、通常のフ
ォトリソグラフィー工程により二酸化ケイ素等誘電体薄
膜をパターニングして、リブエツチング用マスク１０７
とする。（第２図（ａ））次いで、リブエツチング用マ
スク１０７の形状に、積層ウェハを、第２のクラッド層
１０５の途中までエツチングして、リブを形成する。（
第２図（ｂ））ここでリブ上に、リブエツチング用マス
ク１０７を載せたままの状態で、ｎ−ＶＩ族化合物半導
体であるＺ ｎ、 Ｓ ｅ層を成長する。ＺｎＳ＋ｅ層
の成長には、付加体原料を用いたＭＯＣＶＤ法等の手段
の使用が可能である。この場合リブ外部の第２のクラッ
ド層上には単結晶Ｚ ｎ、 Ｓ ｅ層１０９が、一方リ
ブ上部のリブエツチング用マスク１０７上には多結晶Ｚ
ｎ Ｓ０層１１０が成長する（第２図（ｄ））。続い
てリブ上部の多結晶Ｚ ｎ、 Ｓ ｅ層をＮａＯＨ水溶
液等のエツチング液を用いて選択的にエツチング除去す
る。この場合には、単結晶Ｚｎ５ｅ層１０９と多結晶Ｚ
ｎ５ｅ層との間のエツチングレートの差を利用しており
、マスク形成することなくエツチングが完了する。エツ
チング終了後のＬＤの上面図が第２図（ｅ）であり、斜
線を施した部分がエツチングされずに残った単結晶Ｚｎ
５ｅ層１０９の１部である。次いで、ｐ型−コンタクト
層１０６を、ストライプ状にエツチングする。（第２図
（ｆ））この際ストライプの幅は、ストライプエツチン
グ後の上面図である第２図（ｇ）に示す如く、共振器端
面近傍のリブの幅とはほぼ同程度としている。第２図（
ｇ）の斜線部は、コンタクト層のエツチングにより露出
した第２のクラッド層である。最後にｐ側電極１１１形
成、裏面のケンマ工程、ｎ側電極１１２形成の各工程を
経てＬＤ作製工程は終了する。
ここで使用したＺｎ５ｅ層は、いかなるＡ」混晶比のＡ
ｊＧａＡｓ層よりも、屈折率が小さな材料であることか
ら、接合の平行な方向での光の閉じ込めが有効に行なわ
れる。また接合に平行方向の光の閉じ込めを決定するリ
ブ領域とリブ以外の領域との屈折率段差４５は、第２の
クラッド層の残り厚を変えることで、有効なｌＸｌ０−
３≦４ｎの値が得られる。
ｊＧａＡｓ層よりも、屈折率が小さな材料であることか
ら、接合の平行な方向での光の閉じ込めが有効に行なわ
れる。また接合に平行方向の光の閉じ込めを決定するリ
ブ領域とリブ以外の領域との屈折率段差４５は、第２の
クラッド層の残り厚を変えることで、有効なｌＸｌ０−
３≦４ｎの値が得られる。
また本ＬＤでは、共振器端面近傍では、リブ領域と電流
注入領域であるコンタクト層幅をほぼ等しくして屈折率
導波構造としていることから、これを反映して、安定し
た基本横モード発振、低非点収差特性が得られる。（第
１図（ｂ））、一方、共振器中央付近では、リブ領域幅
を電流注入領域であるコンタクト層幅より充分広くする
ことで利得導波構造としていることから縦モードはマル
チモード化して、戻り光に対する光出力変動が極めて小
さい低雑音特性が得られる。（第１図（Ｃ））また本Ｌ
Ｄでは、抵抗率か高いＺｎ５ｅ層（δ２１×１０５Ωａ
ｎ）をリブ側面に配しているので、リブ領域外を流れる
無効電流はほとんど存在しない。加えてリブ幅の広い利
得導波構造を有する領域上のコンタクト層幅を、屈折率
導波構造領域のリブ幅とほぼ等しくすることで、リブ領
域内でのキャリアの広がりを、縦マルチモードが得られ
る程度に制限出来ることがら、リブ上にコンタクト層が
全面存在する場合に比してＩｔｈを低減することが可能
でありかっ、量子効率の向上が実現されることになる。
注入領域であるコンタクト層幅をほぼ等しくして屈折率
導波構造としていることから、これを反映して、安定し
た基本横モード発振、低非点収差特性が得られる。（第
１図（ｂ））、一方、共振器中央付近では、リブ領域幅
を電流注入領域であるコンタクト層幅より充分広くする
ことで利得導波構造としていることから縦モードはマル
チモード化して、戻り光に対する光出力変動が極めて小
さい低雑音特性が得られる。（第１図（Ｃ））また本Ｌ
Ｄでは、抵抗率か高いＺｎ５ｅ層（δ２１×１０５Ωａ
ｎ）をリブ側面に配しているので、リブ領域外を流れる
無効電流はほとんど存在しない。加えてリブ幅の広い利
得導波構造を有する領域上のコンタクト層幅を、屈折率
導波構造領域のリブ幅とほぼ等しくすることで、リブ領
域内でのキャリアの広がりを、縦マルチモードが得られ
る程度に制限出来ることがら、リブ上にコンタクト層が
全面存在する場合に比してＩｔｈを低減することが可能
でありかっ、量子効率の向上が実現されることになる。
第４図に注入電流−光出力特性を示す。実線が本発明の
ＬＤであり、破線はコンタクト層のエツチングを実施し
ていないＬＤの特性である。明らかに利得導波構造領域
での電流法がりを抑制した効果が見られる。Ｉｔｈは５
５ｍＡから４０ｍＡへと減少し、量子効率は、３０％か
ら４０％へと向上した。測定に用いたＬＤは、屈折率導
波構造部のリブ幅４μｍ、利得導波構造部のリブ幅１５
μｍ、エツチング後のコンタクト層幅３μｍである。ま
た縦モードはマルチ化しており、ＲＩＮ岬３ｘｌＯ−”
Ｈｚ−’であった。
ＬＤであり、破線はコンタクト層のエツチングを実施し
ていないＬＤの特性である。明らかに利得導波構造領域
での電流法がりを抑制した効果が見られる。Ｉｔｈは５
５ｍＡから４０ｍＡへと減少し、量子効率は、３０％か
ら４０％へと向上した。測定に用いたＬＤは、屈折率導
波構造部のリブ幅４μｍ、利得導波構造部のリブ幅１５
μｍ、エツチング後のコンタクト層幅３μｍである。ま
た縦モードはマルチ化しており、ＲＩＮ岬３ｘｌＯ−”
Ｈｚ−’であった。
以上の実施例では、Ｉ［［−Ｖ族化合物半導体のＡｊＧ
ａＡｓを例としたが、他の材料系に対しても同様に実施
可能である。また、実施例で述べたすべての導電型を逆
にした（ｎ型をｐ型に、またはｐ型をｎ型に）構造にお
いても、加えて、第１あるいは第２のクラッド層を単層
ではなく、異なった組成として、ＬＯＣ構造、ＳＣＨ，
ｉ造等にした場合、さらに活性層に量子井戸構造を適用
した構造においても同様に実施可能である。
ａＡｓを例としたが、他の材料系に対しても同様に実施
可能である。また、実施例で述べたすべての導電型を逆
にした（ｎ型をｐ型に、またはｐ型をｎ型に）構造にお
いても、加えて、第１あるいは第２のクラッド層を単層
ではなく、異なった組成として、ＬＯＣ構造、ＳＣＨ，
ｉ造等にした場合、さらに活性層に量子井戸構造を適用
した構造においても同様に実施可能である。
以上述べたように本発明によれは、コンタクト層を、屈
折率導波構造領域のリブ幅とほぼ同程度の幅を除いてエ
ツチング除去して、均一幅のストライプ形状としたこと
により以下のような効果を有する。
折率導波構造領域のリブ幅とほぼ同程度の幅を除いてエ
ツチング除去して、均一幅のストライプ形状としたこと
により以下のような効果を有する。
１）利得導波構造領域では、コンタクト層がリブ領域全
面に存在する場合には、電極がら注入されたキャリアは
低抵抗であるコンタクト層で広がり、その後第２のクラ
ッド層を経て活性層に注入されることになり、励起領域
は電極ストライプ幅よりかなり大きくなるが、コンタク
ト層をストライプ状としたことで、キャリアの広がりを
適度が広さ−１ｎ − に抑制できる。また広がりの幅はコンタクト層幅により
調製可能である。
面に存在する場合には、電極がら注入されたキャリアは
低抵抗であるコンタクト層で広がり、その後第２のクラ
ッド層を経て活性層に注入されることになり、励起領域
は電極ストライプ幅よりかなり大きくなるが、コンタク
ト層をストライプ状としたことで、キャリアの広がりを
適度が広さ−１ｎ − に抑制できる。また広がりの幅はコンタクト層幅により
調製可能である。
２）１）の理由により、キャリアの広がりを小さくした
ことで、無効電流が抑制でき低Ｉｔｈ化が達成できる。
ことで、無効電流が抑制でき低Ｉｔｈ化が達成できる。
３）１）の理由により、全体としての利得導波成分か減
少することになり量子効率の向上か実現される。
少することになり量子効率の向上か実現される。
４）−力紙雑音特性・低非点収差特性・安定した基本横
モード発振は、維持されるので、光ノｍ報処理用光源等
広く応用されるデバイスである。
モード発振は、維持されるので、光ノｍ報処理用光源等
広く応用されるデバイスである。
５）電流通路部に、再成長界面を有しない構造であるこ
とから、欠陥等に起因する特性の劣下はみられず、高光
出力特性・高信頼穿のデバイスが実現される。
とから、欠陥等に起因する特性の劣下はみられず、高光
出力特性・高信頼穿のデバイスが実現される。
６）すべての成長かＭＯＣＶＤ法により実現される構造
であり、ＭＯＣＶＤ法の特徴か生かされ、均一性・量産
性ずぐれなデバイスの作製が可能となる。
であり、ＭＯＣＶＤ法の特徴か生かされ、均一性・量産
性ずぐれなデバイスの作製が可能となる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明のＬ Ｄの１実施例を示
す構造図６ 第２図＜ａ）〜（ｈ）は本発明のＬＤを実現する為のプ
ロセス工程度 第３図＜ ａ、 ）〜（ｃ）は従来のＬ Ｄを示す構造
図。 第４図は注入電流−光出力特性図。 １０１．３０１−−ｎ型−ＧａＡｓ基板１０２．３０２
・−ｎ型−ＧａＡｓバッファー層 １０３．３０３・−ｎ型−ＡｊＧａＡｓ第１のクラッド
層 １０４．３０４−−Ａｊ ＧａＡｓ活性層１０５．３０
”１−−ｐ型−Ａ−Ｌ Ｇ ａ Ａ ｓ第２のクラッド
層 １０６．３０６−−ｐ型−ＧａＡｓコンタクト層 １０７・・・・・・リブエツチング用マスク１０８・・
・・・・リブエツチング形状１０９．３０７一−単結晶
Ｚｎ５ｅ層 １１０・・・・・・多結晶Ｚ ｎ Ｓ ｅ層１１１・・
・・・・ｐｏｌ！ｌ電極 １」２・・・・・・ｎ側電極 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
す構造図６ 第２図＜ａ）〜（ｈ）は本発明のＬＤを実現する為のプ
ロセス工程度 第３図＜ ａ、 ）〜（ｃ）は従来のＬ Ｄを示す構造
図。 第４図は注入電流−光出力特性図。 １０１．３０１−−ｎ型−ＧａＡｓ基板１０２．３０２
・−ｎ型−ＧａＡｓバッファー層 １０３．３０３・−ｎ型−ＡｊＧａＡｓ第１のクラッド
層 １０４．３０４−−Ａｊ ＧａＡｓ活性層１０５．３０
”１−−ｐ型−Ａ−Ｌ Ｇ ａ Ａ ｓ第２のクラッド
層 １０６．３０６−−ｐ型−ＧａＡｓコンタクト層 １０７・・・・・・リブエツチング用マスク１０８・・
・・・・リブエツチング形状１０９．３０７一−単結晶
Ｚｎ５ｅ層 １１０・・・・・・多結晶Ｚ ｎ Ｓ ｅ層１１１・・
・・・・ｐｏｌ！ｌ電極 １」２・・・・・・ｎ側電極 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- III−Ｖ族化合物半導体基板上に、第１のクラッド層、
活性層、第２のクラッド層およびコンタクト層を積層し
た異種接合構造の、第２のクラッド層の途中まで除去し
て成るリブ状の光導波路を有し、かつ該リブ状の光導波
路側面は、II−VI族化合物半導体で埋め込まれ、かつ少
なくとも一方の共振器端面近傍では、電流注入幅と、該
光導波路の幅をほぼ同程度として屈折率導波構造とし、
該共振器中央付近では、該光導波路幅を、該電流注入幅
より充分広くして利得導波構造とした半導体レーザにお
いて、少なくとも、該利得導波構造を有する領域の該コ
ンタクト層の幅が、該屈折率導波構造を有する領域の該
電流注入幅と、ほぼ同程度であることを特徴とする半導
体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9763888A JPH01268177A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9763888A JPH01268177A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01268177A true JPH01268177A (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=14197679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9763888A Pending JPH01268177A (ja) | 1988-04-20 | 1988-04-20 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01268177A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5395717A (en) * | 1992-05-18 | 1995-03-07 | Kyocera Corporation | Developer for developing latent electrostatic images and method of forming images by using the developer |
-
1988
- 1988-04-20 JP JP9763888A patent/JPH01268177A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5395717A (en) * | 1992-05-18 | 1995-03-07 | Kyocera Corporation | Developer for developing latent electrostatic images and method of forming images by using the developer |
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