JPH01267549A - Generating method for exposure data for mask rom integrated circuit - Google Patents

Generating method for exposure data for mask rom integrated circuit

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JPH01267549A
JPH01267549A JP63096061A JP9606188A JPH01267549A JP H01267549 A JPH01267549 A JP H01267549A JP 63096061 A JP63096061 A JP 63096061A JP 9606188 A JP9606188 A JP 9606188A JP H01267549 A JPH01267549 A JP H01267549A
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exposure
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Abstract

PURPOSE:To shorten the time of exposure data generation by processing cell arrangement information on a ROM cell and registering it as a cell arrangement information conversion file, and generating bulk exposure data and registering it as a bulk exposure data file. CONSTITUTION:When a new kind of mask ROM integrated circuit is developed, the cell arrangement information conversion file 52 and bulk exposure data file 55 are generated and registered. Then when data to be written is supplied, an exposure device generates ROM pattern exposure data used to expose the pattern of a ROM part from the truth values of bits of write data and the cell information conversion file 52 and combines it with the bulk exposure data from the bulk exposure data file 55 to obtain exposure data on the whole mask ROM integrated circuit. Consequently, the processing when the write data is supplies is much easier than before and the processing time is shortened greatly.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 データ処理によってマスクROM集積回路を露光するた
めの露光データファイルを作成するマスクROM集積回
路の露光データ作成方法に関し、露光データ作成の時間
を短縮化することを目的とし、 単一の品種でROM部のパターンのみが書込むデータに
応じて異なり、ROM部のパターン以外の周辺回路部の
パターンが同一でσるマスクROM集積回路を露光装置
で製造するための露光データを作成するマスクROM集
積回路の露光データ作成方法において、該ROM部を構
成する複数のROMセルのセル配置情報を占込みデータ
の値に拘らず該露光装置で用いる形(ぷに予め処即し、
セル配置情報変換ファイルとしてσ録し、該周辺回路部
のパターンの配置情報から該露光装置で該周辺回路部の
パターンの露光に用いるバルク露光データを予め生成し
てバルク露光データファイルとして登録しておき、該書
込むデータが与えられたとき、該書込むデータのビット
毎の真理値と該ゼル情報変換フフイルとから該露光装置
で該ROM部のパターンの露光に用いるROMパターン
露光データを生成し、該バルク露光データフフィルから
のバルク露光データと組合わせて該マスクROM集積回
路全体の露光データを得るよう構成する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding an exposure data creation method for a mask ROM integrated circuit that creates an exposure data file for exposing a mask ROM integrated circuit by data processing, an object is to shorten the exposure data creation time. The purpose is to manufacture a mask ROM integrated circuit using an exposure device in which only the pattern in the ROM part of a single product differs depending on the data to be written, and the pattern in the peripheral circuit part other than the pattern in the ROM part is the same. In an exposure data creation method for a mask ROM integrated circuit that creates exposure data, the cell layout information of a plurality of ROM cells constituting the ROM section is used in the exposure apparatus regardless of the value of the fill data. death,
σ is recorded as a cell layout information conversion file, and from the layout information of the pattern of the peripheral circuit section, bulk exposure data to be used for exposing the pattern of the peripheral circuit section is generated in advance in the exposure apparatus and registered as a bulk exposure data file. Then, when the write data is given, the exposure device generates ROM pattern exposure data to be used for exposing the pattern of the ROM section from the truth value of each bit of the write data and the gel information conversion file. , is configured to be combined with bulk exposure data from the bulk exposure data file to obtain exposure data for the entire mask ROM integrated circuit.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明はマスクROM集積回路の露光データ作成方法に
関し、特にデータ処理によってマスクROM集積回路を
露光するための露光データファイルを作成するマスクR
OM集積回路の露光データ作成方法に関する。
The present invention relates to a method of creating exposure data for a mask ROM integrated circuit, and more particularly to a mask R method for creating an exposure data file for exposing a mask ROM integrated circuit through data processing.
The present invention relates to a method of creating exposure data for an OM integrated circuit.

マスクROM集積回路は高性能化、高信頼性化、低価格
化により、その使用憬が急増しており、また日本語情報
処理の急激な発展に伴ないプリンタ、CRTデイスプレ
ィ等の漢字パターン発住用メモリとして大容量のマスク
ROM集積回路の使用措が増大している。
The use of mask ROM integrated circuits is rapidly increasing due to improved performance, higher reliability, and lower prices.Also, with the rapid development of Japanese information processing, kanji patterns are appearing in printers, CRT displays, etc. The use of large-capacity mask ROM integrated circuits as memory is increasing.

このような状況下でマスクROM集積回路製品の短納期
化が要望されている。
Under these circumstances, there is a demand for shorter delivery times for mask ROM integrated circuit products.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

マスクROM集積回路の露光パターンは第3図に示す如
く、集積回路を構成するメインパターン11と位置合せ
用の周辺パターン12とからなる。
As shown in FIG. 3, the exposure pattern of a mask ROM integrated circuit consists of a main pattern 11 constituting the integrated circuit and a peripheral pattern 12 for positioning.

メインパターン11内にはROMパターン13と、それ
以外のデコーダパターン14及びセンスアンプパターン
15及び入出力回路のパターン(図示せず)等のバルク
のパターンとが配置される。
Arranged within the main pattern 11 are a ROM pattern 13 and other bulk patterns such as a decoder pattern 14, a sense amplifier pattern 15, and an input/output circuit pattern (not shown).

セル形成層 ここで、マスクROM集積回路を製造するには第4図に
示す如く多層のマスク16が必要である。
Cell Formation Layer To manufacture a mask ROM integrated circuit, a multilayer mask 16 is required as shown in FIG.

マスクROMの品種が異なると、多層のマスク16は全
て異なるが、同一の品種においてはマスクROMに書込
むデータが異なっても多層のマスク16のうちセル形成
層のマスク16Tlが異なるだけで他のマスクは同一の
ものを使用できる。
When the types of mask ROMs are different, the multilayer masks 16 are all different; however, in the same type of mask ROM, even if the data written to the mask ROM is different, only the mask 16Tl of the cell formation layer among the multilayer masks 16 is different; The same mask can be used.

第3図のROMパターン13内には第5図に示す如く、
ROM tル17が複数個マトリクス状に並べられてお
り、その上方にワード線18a及びビット線18bが設
けられている。セル形成層のマスク16ηは、ROMパ
ターン13kmおいて各ROMセル17にビット線18
bを接続するゼル形lj、窓(f!11ちビヤホール)
19のパターンを形成するためのマスクである。このセ
ル形成窓19を持つROMセル17は例えば値Myを記
憶し、セル形成窓1つを持たないROMセル17は値v
 Ovを記憶することになる。
In the ROM pattern 13 of FIG. 3, as shown in FIG.
A plurality of ROM lines 17 are arranged in a matrix, and word lines 18a and bit lines 18b are provided above them. The mask 16η of the cell forming layer connects each ROM cell 17 with a bit line 18 in a ROM pattern of 13 km.
Zell-shaped lj connecting b, window (f!11 beer hall)
This is a mask for forming 19 patterns. The ROM cell 17 having this cell forming window 19 stores, for example, the value My, and the ROM cell 17 not having one cell forming window stores the value v.
Ov will be memorized.

勿論、デコーダ14及びセンスアンプ15等においても
セル形成層16Tlのマスクはワード線18a、ビット
線18b夫々とデコーダ14、センスアンプ15夫々と
を接続するセル形成窓のパターンを有するが、この部分
は品種毎に固定されている。
Of course, in the decoder 14, sense amplifier 15, etc., the mask of the cell formation layer 16Tl has a pattern of cell formation windows connecting the word line 18a, bit line 18b, and the decoder 14, sense amplifier 15, respectively. It is fixed for each type.

第6図は従来のマスクROM集積回路の露光データ作成
方法の一例のシステムフローチャートを示す。このフロ
ーチャートはセル形成層に関するものである。
FIG. 6 shows a system flowchart of an example of a conventional method for creating exposure data for a mask ROM integrated circuit. This flowchart relates to the cell forming layer.

同図中、ジョブステップ21の人力データ処理ではマス
クROM1.:m込むデータである」込みデータファイ
ル22をカード入力される編集指示情報23に従って編
集し、かつデータデニックを行なって、第7図(A)に
示す如き真理値データファイル24を生成する。
In the figure, in the manual data processing of job step 21, mask ROM1. The "include data file 22, which is data to be included in ``:m", is edited in accordance with the edit instruction information 23 inputted by the card, and a data denick is performed to generate a truth value data file 24 as shown in FIG. 7(A).

ジョブステップ25のROMパターン発生処理では上記
真理値データファイル24と、カード入力される第7図
(8)に示す如ぎROMパターン13に関するセル配置
情報26(図中、XはX座標、yはX座標、πは回転角
度、虻はメモリでのアドレスを示す)とから、書込みデ
ータに応じた第7図(C)に示す如ぎROMパターンを
発生する。更にデコーダパターン14、センスアンプパ
ターン15等に関するバルク情報フッイル27から上記
デコーダパターン、センスアンプ等を発生して露光デー
タ第1中間ファイル28を生成する。
In the ROM pattern generation process of job step 25, the truth value data file 24 and the cell arrangement information 26 regarding the ROM pattern 13 as shown in FIG. A ROM pattern as shown in FIG. 7(C) corresponding to the write data is generated from the X coordinate, .pi. is the rotation angle, and .pi. is the address in the memory. Further, the decoder pattern 14, sense amplifier pattern 15, etc. are generated from the bulk information film 27 regarding the decoder pattern 14, sense amplifier pattern 15, etc., and a first intermediate file 28 of exposure data is generated.

この露光データ第1中間ファイル28ではROMパター
ンは階層の展開を行なわれているが、その他のバルクに
ついては階層構造であるため、ジョブステップ29でこ
れらの階層展開処理を行ない、露光データ第2中間ファ
イル30を得る。
In this exposure data first intermediate file 28, the ROM pattern has been developed in layers, but other bulks have a hierarchical structure, so in job step 29 these layers are developed, and the exposure data in the second intermediate file is expanded. File 30 is obtained.

この後、露光データ第2中間ファイル30を電子ビーム
露光用にフィールド分vJ1サブフィールド分割を行な
い、更にサブフィールド内での電子ビームのスキャン順
序を決定して電子ビーム露光装置に供給する露光データ
ファイル32を生成する。
After that, the exposure data second intermediate file 30 is divided into vJ1 subfields for electron beam exposure, and the scanning order of the electron beam within the subfields is determined, and the exposure data file is supplied to the electron beam exposure apparatus. Generate 32.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

マスクROM集積回路は品種が同一であれば、セル形成
層以外の他の層のパターンは同一であり、セル形成層に
おいてもバルク情報から得られるパターンは同一で、た
だセル形成層のROMパターンのみが異なる。
If the mask ROM integrated circuits are of the same type, the patterns of other layers other than the cell formation layer are the same, and even in the cell formation layer, the patterns obtained from bulk information are the same, but only the ROM pattern of the cell formation layer. are different.

しかるに従来は同−品種のマスクROMの露光データを
作成する場合にも、夫々ジョブステップ25においてセ
ル形成層の全パターンを発生している。このためにはジ
ョブステップ25内でセル配置情報についてのエビスデ
ィックコードからバイナリ−コードへの変換、各パター
ンについて階層の展開、レチクル倍率の乗算、近接効果
補正等のシフト、多重露光部分の除去、フィールド分割
及びサブフィールド分割、スキャン順序の決定等の複雑
な各種処理を行なわねばならない。
However, conventionally, even when creating exposure data for mask ROMs of the same type, all patterns of the cell forming layer are generated in each job step 25. For this purpose, in job step 25, conversion of cell placement information from Ebisudic code to binary code, expansion of layers for each pattern, multiplication of reticle magnification, shifting of proximity effect correction, etc., removal of multiple exposure parts, Various complex processes such as field division, subfield division, and determination of scan order must be performed.

従って、従来方法では露光データ作成に多大の時間がか
かり、製品の短納期化が制限されるという問題があった
Therefore, the conventional method has the problem that it takes a lot of time to create exposure data, which limits short delivery times for products.

本発明は上記の点に鑑みなされたもので、露光データ作
成の時間を短縮化するマスクROM集積回路の露光デー
タ作成方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a method for creating exposure data for a mask ROM integrated circuit that reduces the time required to create exposure data.

〔y!題を解決するための手段〕[y! Means to solve the problem]

本発明のマスクROM集積回路の露光データ作成方法は
、 単一の品種でROM部のパターン(13)のみが♂込む
データに応じて異なり、ROM部のパターン(13)以
外の周辺回路部のパターン(14゜15)が同一である
マスクROM集積回路(10)を露光装置で製造するた
めの露光データを作成するマスクROM集積回路の露光
データ作成方法において、 ROM部を構成する複数のROMセルのセル配置情報(
50)を9込みデータの値に拘らず露光装置で用いる形
態に予め処理し、セル配置情報変換ファイル(52)と
してθ録しく51)、周辺回路部のパターンの配置情報
から露光部δで周辺回路部のパターン(14,15)の
露光に用いるバルク露光データを予め生成してバルク露
光データファイル(55)として登録しておき(54)
、 書込むデータが与えられたとき、書込むデータのビット
毎の真即値とセル情報変換ファイル(52)とから露光
装置でROM部のパターン(13)の露光に用いるRO
Mパターン露光データを生成し、バルク露光データファ
イル(55)からのバルク露光データと組合わせてマス
クROM集積回路(10)全体の露光データを得る(6
0)。
The exposure data creation method for a mask ROM integrated circuit of the present invention is such that for a single product type, only the pattern (13) of the ROM part varies depending on the data to be inserted, and the patterns of the peripheral circuit part other than the pattern (13) of the ROM part In a method for creating exposure data for a mask ROM integrated circuit, which creates exposure data for manufacturing a mask ROM integrated circuit (10) having the same (14° 15) using an exposure apparatus, Cell placement information (
50) is processed in advance into a form used by the exposure device regardless of the value of the 9-inclusive data, and recorded in θ as a cell placement information conversion file (52). Bulk exposure data used for exposing the patterns (14, 15) of the circuit section is generated in advance and registered as a bulk exposure data file (55) (54).
, When the data to be written is given, the ROM used for exposure of the pattern (13) in the ROM section by the exposure device is determined from the true immediate value of each bit of the data to be written and the cell information conversion file (52).
Generate M pattern exposure data and combine it with bulk exposure data from the bulk exposure data file (55) to obtain exposure data for the entire mask ROM integrated circuit (10) (6
0).

〔作用〕[Effect]

本発明方法においては、マスクROM集積回路の新たな
品種を開発するときにセル配置情報変換ファイル(52
)とバルク露光データファイル(55)とを生成して登
録しておき、 書込みデータが与えられたときはセル配置情報ファイル
(52)を利用してROMパターン露光データを簡単に
生成し、これにバルク露光データファイル(55)のバ
ルク露光データを組合わせてマスクROM集積回路全体
の露光データを得る。
In the method of the present invention, when developing a new type of mask ROM integrated circuit, a cell placement information conversion file (52
) and bulk exposure data file (55) are generated and registered, and when write data is given, ROM pattern exposure data is easily generated using the cell placement information file (52), and then The bulk exposure data of the bulk exposure data file (55) is combined to obtain exposure data for the entire mask ROM integrated circuit.

このため店込みデータを与えられたときの処理が従来に
比して大幅に簡単となり、−処理時間が大幅に短縮され
る。
Therefore, the processing when store data is given becomes much easier than before, and the processing time is greatly reduced.

〔実施例〕〔Example〕

第2図は本発明方法を実現するためのシステムの構成図
を示す。
FIG. 2 shows a block diagram of a system for implementing the method of the present invention.

同図中、40はCPUであり、41.42は記憶装置で
ある。記憶装置41には第1図に示す各ジョブステップ
のプログラムが格納されており、CPU40によって順
次読出されて実行される。
In the figure, 40 is a CPU, and 41.42 is a storage device. Programs for each job step shown in FIG. 1 are stored in the storage device 41, and are sequentially read and executed by the CPU 40.

記憶装置42には第1図に示す各ファイルが格納される
。また、カードリーダ43は入力カードを読取ってCP
U40に供給する。
The storage device 42 stores each file shown in FIG. Further, the card reader 43 reads the input card and outputs the CP.
Supply to U40.

第1図は本発明方法の一実施例のシステムフローチャー
トを示す。このフローチャートはセル形成層に関するも
のであり、本発明方法では露光データ作成が3分割され
ている。
FIG. 1 shows a system flowchart of one embodiment of the method of the present invention. This flowchart relates to the cell forming layer, and in the method of the present invention, exposure data creation is divided into three parts.

第1図(A)において、カード入力されるセル配置情報
50はジョブステップ51のセル配置情報トランスレー
ト処理でまずエビスディックコードからバイナリ−コー
ドに変換される。この後ジョブステップ51ではパター
ンの階層展開を行ない、全セルパターン即ちセル形成窓
のパターン毎にレチクル倍率を乗算し、かつ近接効果補
正等のシフト(パターンの補正)を行ない、更にフィー
ルド分割及びサブフィールド分割を行ない、分割された
各サブフィールド内でのセルパターンのスキャン順序を
決定してセル配置情報変換ファイル52を生成する。
In FIG. 1A, cell placement information 50 input by a card is first converted from Ebisudic code to binary code in a cell placement information translation process of job step 51. After this, in job step 51, the pattern is developed hierarchically, the reticle magnification is multiplied by the reticle magnification for each cell pattern, that is, each cell forming window pattern, and the shift (pattern correction) such as proximity effect correction is performed. The field is divided, the scanning order of cell patterns in each divided subfield is determined, and a cell placement information conversion file 52 is generated.

このセル配置情報変換ファイル52は各セルパターンに
ついてチップ上での配置位置及びメモリ内でのアドレス
を有しており、セル形成窓の有無が不定であることを除
くと第7図(C)に示す如きROMパターン13の露光
データそのものである。
This cell placement information conversion file 52 has the placement position on the chip and the address in the memory for each cell pattern, and is shown in FIG. This is the exposure data of the ROM pattern 13 as shown.

第1図(B)において、バルク情報ファイル53にはメ
インパターン11内のROMパターン13を除くデコー
ダ14、センスアンプ15等のバルクに関するバルク情
報が格納されている。
In FIG. 1B, the bulk information file 53 stores bulk information regarding the decoder 14, sense amplifier 15, etc., excluding the ROM pattern 13 in the main pattern 11.

このバルク情報ファイル53はジョブステップ54でバ
ルク露光データ作成処理を行なわれる。
This bulk information file 53 is subjected to bulk exposure data creation processing in job step 54.

ここでは、パターンの階層展開を行ない、各パターン毎
にレチクル倍率を乗算し、かつ近接効果補正等のシフト
を行ない、更に隣接するパターン間の多重露光部分を除
去し、フィールド分割及びサブフィールド分割を行ない
、分割された各ザブフィールド内でのパターンのスキャ
ン順序を決定して、デコーダ14、センスアンプ15等
のバルクを露光するためのバルク露光データファイル5
5を生成する。
Here, patterns are developed hierarchically, multiplied by the reticle magnification for each pattern, shifts such as proximity effect correction are performed, multiple exposure parts between adjacent patterns are removed, and field division and subfield division are performed. A bulk exposure data file 5 for exposing the bulk of the decoder 14, sense amplifier 15, etc. by determining the scan order of patterns in each divided subfield.
Generate 5.

第1図(A)、(B)に示すセル配置情報トランスレー
ト処理及びバルク露光データ作成処理は新たにマスクR
OM集積回路の1品種を開発する当初においてのみ実行
され、これによって得られたセル配置情報ファイル52
及びバルク露光データファイル55はライブラリー登録
されて保管される。
The cell placement information translation process and bulk exposure data creation process shown in FIGS.
The cell placement information file 52 is executed only at the beginning of developing one type of OM integrated circuit, and is obtained thereby.
The bulk exposure data file 55 is registered and stored in a library.

第1図(C)において、書込みデータファイル56には
ユーザがマスクROMに書込むデータが格納されている
。カード入力される編集指示情報57は書込みデータフ
ァイル56が例えば1ワード8ビツトで各1Mビットの
4フアイル構成であり、製造するマスクROMの品種が
例えば1ワード32ビツトで4Mビットの1フアイルで
ある場合のその編集を指示する情報、その他に製造する
マスクROMの品種名、及びマスクROM1.:W込む
データを特定するためのユーザーナンバー等の情報で構
成されている。
In FIG. 1(C), a write data file 56 stores data that the user writes into the mask ROM. The editing instruction information 57 input to the card indicates that the write data file 56 has a configuration of, for example, 4 files of 8 bits per word and 1 Mbit each, and the type of mask ROM to be manufactured is, for example, 1 file of 4 Mbits with 32 bits per word. In addition, the information instructing the editing of the case, the type name of the mask ROM to be manufactured, and the mask ROM1. :W Consists of information such as a user number to identify the data to be imported.

ジョブステップ58の入力データ処理では書込みデータ
ファイル56を編集指示情報57に従って編集し、かつ
書込みデータに付加されているエラー検出コードを用い
てデータチエツクを行ない真理値データファイル5つを
生成する。
In the input data processing of job step 58, the write data file 56 is edited according to the edit instruction information 57, and a data check is performed using the error detection code added to the write data to generate five truth value data files.

この真理値データファイル5つは書込みデータの各ビッ
トについて、メモリ内でのアドレス、及びセル形成窓の
有無を表わす717又はY Q 1の真理値(例えばv
lvがセル形成窓有りを示す)を有しており、この他に
品種名及びユーザーナンバーが付加されている。
These five truth value data files contain, for each bit of write data, an address in the memory, and a truth value of 717 or Y Q 1 (for example, v
lv indicates that there is a cell formation window), and the product name and user number are also added.

ジョブステップ60のROMパターン発生処理では、上
記真理値データファイル5−9を読込むと共に、ライブ
ラリー登録されているセル配置情報変換ファイル52及
びバルク露光データファイル55を読込み、真理値デー
タファイル59とセル配貨情報ファイル52とをメモリ
内のアドレスによりマツチングして、各セルパターンに
ついてセル形成窓の有無の情報を加味しROMパターン
露光データを生成する。これと共にバルク露光データに
品種名及びユーザーナンバーを表示するパターンを付加
した後、上記ROMパターンの露光データとマージして
メインパターン11全体を電子ビーム露光装置で露光す
るための露光データファイル 61を生成する。
In the ROM pattern generation process of job step 60, the truth value data file 5-9 is read, the cell placement information conversion file 52 and the bulk exposure data file 55 registered in the library are read, and the truth value data file 59 and the bulk exposure data file 55 are read. The cell distribution information file 52 is matched with the address in the memory, and ROM pattern exposure data is generated by taking into account information on the presence or absence of a cell formation window for each cell pattern. Along with this, a pattern that displays the product name and user number is added to the bulk exposure data, and then merged with the exposure data of the ROM pattern to generate an exposure data file 61 for exposing the entire main pattern 11 with an electron beam exposure device. do.

既に開発されている品種のマスク1〈OMでは、ユーザ
の注文に応じて第1図(C)に示す入力データ処[58
及びROMパターン発生処理だけが実行される。
Already developed types of masks 1 In OM, the input data processing [58
and ROM pattern generation processing are executed.

第1図(A)、(B)、(C)に示す全ての処理を実行
すると従来と同様の処理時間を必要とするが、既に開発
されている品種のマスクROMでは比較的長時間を要す
るジョブステップ51゜54を実行する必要がないため
、第1図(C)のジョブを実行する時間は従来の115
〜1/10に短縮化される。
Executing all the processes shown in Figure 1 (A), (B), and (C) requires the same processing time as before, but it takes a relatively long time for mask ROMs of already developed types. Since there is no need to execute job steps 51 to 54, the time to execute the job in FIG. 1(C) is shorter than the conventional 115
It is shortened to ~1/10.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述の如く、本発明のマスクROM集積回路の露光デー
タ作成方法によれば、露光データを作成するに要する処
理時間が従来に比して大幅に短縮化され、製品の短納期
化を実現でき、実用上きわめて有用である。
As described above, according to the exposure data creation method for a mask ROM integrated circuit of the present invention, the processing time required to create exposure data is significantly shortened compared to the conventional method, and product delivery times can be shortened. It is extremely useful in practice.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明方法の一実施例のシステムフローチャー
ト、 第2図は本発明方法を実現するためのシステム構成図、 第3図はマスクROM集積回路を説明するための図、 第4図は多層のマスクを説明するための図、第5図はR
OMセルを説明するための図、第6図は従来方法のシス
テムフローチャート、第7図は第6図の一部処理を説明
するための図である。 図において 50はセル配置情報、 51はセル配置情報トランスレート処理、52はセル配
F!I情報変換ファイル、53はバルク情報フ?イル、 54はバルク露光データ作成処理、 55はバルク露光データファイル、 56は書込みデータファイル、 58は入力データ処理、 59は真理値データファイル、 60はROMパターン発生処理 を示す。 第2図 マス?ROM韮才i回絡4爵珂Tるための図7s3図 多重のマス2玄言乙川Tるための間 第4図 ROMセフレ乞寥[−tろため内閲 第5図 ’aftのシス子ムフロー令W−) 第6図
FIG. 1 is a system flowchart of an embodiment of the method of the present invention, FIG. 2 is a system configuration diagram for realizing the method of the present invention, FIG. 3 is a diagram for explaining a mask ROM integrated circuit, and FIG. 4 is a diagram for explaining a mask ROM integrated circuit. A diagram for explaining a multilayer mask, Figure 5 is R
FIG. 6 is a diagram for explaining an OM cell, FIG. 6 is a system flowchart of a conventional method, and FIG. 7 is a diagram for explaining a part of the process in FIG. 6. In the figure, 50 is cell placement information, 51 is cell placement information translation processing, and 52 is cell placement F! I information conversion file, 53 is bulk information file? 54 is a bulk exposure data creation process, 55 is a bulk exposure data file, 56 is a write data file, 58 is input data processing, 59 is a truth value data file, and 60 is a ROM pattern generation process. Figure 2 square? Figure 7 s 3 diagram for multiple squares 2 Mouflo Ordinance W-) Figure 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】 単一の品種でROM部のパターン(13)のみが書込む
データ応じて異なり、ROM部のパターン(13)以外
の周辺回路部のパターン(14、15)が同一であるマ
スクROM集積回路(10)を露光装置で製造するため
の露光データを作成するマスクROM集積回路の露光デ
ータ作成方法において、 該ROM部を構成する複数のROMセルのセル配置情報
(50)を書込みデータの値に拘らず該露光装置で用い
る形態に予め処理し、セル配置情報変換ファイル(52
)として登録し(51)、該周辺回路部のパターンの配
置情報から該露光装置で該周辺回路部のパターン(14
、15)の露光に用いるバルク露光データを予め生成し
てバルク露光データファイル(55)として登録してお
き(54)、 該書込むデータが与えられたとき、該書込むデータのビ
ット毎の真理値と該セル情報変換ファイル(52)とか
ら該露光装置で該ROM部のパターン(13)の露光に
用いるROMパターン露光データを生成し、該バルク露
光データファイル(55)からのバルク露光データと組
合わせて該マスクROM集積回路(10)全体の露光デ
ータを得る(60)ことを特徴とするマスクROM集積
回路の露光データ作成方法。
[Claims] In a single product, only the pattern (13) of the ROM part differs depending on the data to be written, and the patterns (14, 15) of the peripheral circuit part other than the pattern (13) of the ROM part are the same. In a method for creating exposure data for a mask ROM integrated circuit, which creates exposure data for manufacturing a mask ROM integrated circuit (10) using an exposure apparatus, cell arrangement information (50) of a plurality of ROM cells constituting the ROM section is written. Regardless of the data value, it is pre-processed into the form used by the exposure equipment, and the cell arrangement information conversion file (52
) (51), and the exposure apparatus registers the pattern (14) of the peripheral circuit section based on the layout information of the pattern of the peripheral circuit section.
, 15) is generated in advance and registered as a bulk exposure data file (55) (54), and when the data to be written is given, the truth of each bit of the data to be written is ROM pattern exposure data to be used for exposing the pattern (13) of the ROM section in the exposure device is generated from the value and the cell information conversion file (52), and the ROM pattern exposure data is generated from the bulk exposure data file (55). A method for creating exposure data for a mask ROM integrated circuit, characterized in that exposure data for the entire mask ROM integrated circuit (10) is obtained (60).
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5883271A (en) * 1995-01-23 1999-03-16 Chugai Seiyaku Kabushiki Kaisha 2-Substituted vitamin D derivatives

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