JPH06163372A - Exposure data processing method - Google Patents

Exposure data processing method

Info

Publication number
JPH06163372A
JPH06163372A JP30701892A JP30701892A JPH06163372A JP H06163372 A JPH06163372 A JP H06163372A JP 30701892 A JP30701892 A JP 30701892A JP 30701892 A JP30701892 A JP 30701892A JP H06163372 A JPH06163372 A JP H06163372A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
rom
data
exposure
exposure data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP30701892A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Otake
高 大竹
Hiromi Hoshino
裕美 星野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP30701892A priority Critical patent/JPH06163372A/en
Publication of JPH06163372A publication Critical patent/JPH06163372A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To provide an exposure data processing method of a mask ROM integrated circuit wherein a time for exposure data preparation is reduced. CONSTITUTION:This method is an exposure data preparation processing method of a mask ROM integrated circuit wherein only a pattern of a ROM part for storing specified information according to write data by a single kind is different and a pattern excepting the ROM part is the same. A cell formation layer for generating a pattern stored in the ROM part is divided into a plurality of small regions of a specified size. ROM pattern generation processing in each small region is carried out respectively by parallel processing by a plurality of processing means.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、露光データ処理方法に
係り、詳しくは、例えば、マスクROMの作成等の分野
に用いて好適な、露光に必要な露光データファイルを高
速に作成する露光データ処理方法に関する。 [発明の背景]近年、例えば、半導体メモリ等において
は、メモリ作成のための露光データ処理方法が数多く開
発されている。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure data processing method, and more specifically, to exposure data for creating an exposure data file required for exposure at high speed, which is suitable for use in the field of mask ROM production, for example. Regarding processing method. BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, for example, in a semiconductor memory or the like, many exposure data processing methods for creating a memory have been developed.

【0002】中でもマスクROM(Read Only Memory)
は、高性能化、高信頼性化、低価格化により、その使用
量が急増しており、特に、日本語情報処理の急激な発展
に伴い、例えば、CRT(Cathode Ray Tube)ディスプ
レイやプリンタ等の漢字パターン発生用メモリとして大
容量マスクROMの使用量が増大している。このような
状況下において、マスクROM集積回路製品の納期の短
縮化が要望されている。
Among others, a mask ROM (Read Only Memory)
The usage of s is rapidly increasing due to higher performance, higher reliability, and lower prices. Especially, with the rapid development of Japanese information processing, for example, CRT (Cathode Ray Tube) displays and printers, etc. The use amount of the large-capacity mask ROM as the Kanji pattern generating memory is increasing. Under such circumstances, there is a demand for shortening the delivery time of mask ROM integrated circuit products.

【0003】[0003]

【従来の技術】マスクROM集積回路の露光パターン
は、図8に示すように、集積回路を構成するメインパタ
ーン101と、位置合わせ用の周辺パターン102とか
ら構成されており、メインパターン101内には、RO
Mパターン103と、それ以外のデコーダパターン10
4,センスアンプパターン105,入出力回路のパター
ン等のバルクのパターン(図示せず)とが配置されてい
る。
2. Description of the Related Art As shown in FIG. 8, an exposure pattern of a mask ROM integrated circuit is composed of a main pattern 101 which constitutes the integrated circuit and a peripheral pattern 102 for alignment. Is RO
M pattern 103 and other decoder patterns 10
4, a sense amplifier pattern 105 and a bulk pattern (not shown) such as an input / output circuit pattern.

【0004】マスクROM集積回路を製造するには、図
9(a)に示すような多層のマスク106が必要であ
り、マスクROMの品種が異なると、多層のマスク10
6は全て異なるが、同一の品種においてはマスクROM
に書き込むデータが異なっても多層のマスク106のう
ちセル形成層のマスク106’が異なるだけで他のマス
ク106”には同一のものを使用できる。
In order to manufacture a mask ROM integrated circuit, a multi-layer mask 106 as shown in FIG. 9A is required. When the mask ROM type is different, the multi-layer mask 10 is used.
6 are all different, but mask ROM in the same type
Even if the data to be written in is different, the same mask can be used for the other masks 106 ″, only the mask 106 ′ of the cell forming layer is different among the multilayer masks 106.

【0005】すなわち、図8に示すROMパターン10
3には、図9(b)に示すように、ROMセル107が
複数個マトリクス状に並べられており、その上方にワー
ド線108及びビット線109が設けられている。セル
形成層のマスク106’は、ROMパターン103おい
て、各ROMセル107にビット線109を接続するセ
ル形成窓(ビヤホール)110のパターンを形成するた
めのマスクであり、例えば、セル形成窓110を持つR
OMセル107は“1”を記憶し、セル形成窓110を
持たないROMセル107は“0”を記憶することにな
る。
That is, the ROM pattern 10 shown in FIG.
As shown in FIG. 9B, a plurality of ROM cells 107 are arranged in a matrix in 3, and word lines 108 and bit lines 109 are provided above the ROM cells 107. The cell forming layer mask 106 ′ is a mask for forming a pattern of a cell forming window (via hole) 110 for connecting the bit line 109 to each ROM cell 107 in the ROM pattern 103. For example, the cell forming window 110 With R
The OM cell 107 stores "1", and the ROM cell 107 having no cell formation window 110 stores "0".

【0006】これは、デコータパターン104及びセン
スアンプパターン105等においても、セル形成層の1
06’のマスクは、ワード線108及びビット線109
と、デコーダパターン104及びセンスアンプ105と
を接続するセル形成窓110のパターンを有するが、こ
の部分は品種毎に固定されている。図10は従来のマス
クROM集積回路の露光データ作成概要を示す図、図1
1は従来の露光データ作成手順を示すフローチャートで
ある。
This is because even in the decoder pattern 104, the sense amplifier pattern 105, etc.
The mask of 06 'is the word line 108 and the bit line 109.
, And the pattern of the cell forming window 110 that connects the decoder pattern 104 and the sense amplifier 105, but this portion is fixed for each product type. FIG. 10 is a diagram showing an outline of exposure data creation of a conventional mask ROM integrated circuit, FIG.
1 is a flowchart showing a conventional exposure data creation procedure.

【0007】以下、セル形成層に関して説明する。露光
データの作成は、図10に示すように、ROMの書き込
みデータの内容を表す真理値情報を格納する真理値デー
タファイル201、品種毎に用意されたバルクデータの
情報を格納するバルク情報ライブラリ202、露光偏向
領域単位に分割され、かつ、露光順序にソートされたR
OMのセルパターン配置情報を格納する配置情報ライブ
ラリ203の各データファイル及びライブラリに基づい
て、1つのCPU(Central Processing Unit )を備え
た計算機によってマスクROM露光データ作成処理20
4を行い、マスクROM露光データ205を生成するも
のである。
The cell forming layer will be described below. As shown in FIG. 10, exposure data is created by a truth value data file 201 that stores truth value information that represents the contents of the ROM write data, and a bulk information library 202 that stores bulk data information prepared for each product type. , Divided into exposure deflection area units and sorted in exposure order
A mask ROM exposure data creation process 20 is performed by a computer having one CPU (Central Processing Unit) based on each data file and library of the placement information library 203 that stores the OM cell pattern placement information.
4 is performed to generate mask ROM exposure data 205.

【0008】詳しくは、図11に示すように、まず、真
理値データファイル201、バルク情報ライブラリ20
2、配置情報ライブラリ203が順に読み込まれ(ステ
ップ101,ステップ102,ステップ103)、セル
形成層が露光装置の偏向サイズに相当する小領域を処理
単位として露光順に領域がなくなるまで小領域内のRO
Mパターン発生処理が行われ(ステップ104,ステッ
プ105)、バルク情報ライブラリ204内のバルクデ
ータが加えられて電子ビーム露光装置に供給する露光デ
ータが作成され(ステップ106)、露光データが出力
される(ステップ107)。
More specifically, as shown in FIG. 11, first, a truth value data file 201 and a bulk information library 20.
2. The placement information library 203 is read in order (step 101, step 102, step 103), and the RO in the small area is used as a processing unit for the cell formation layer until the area disappears in the exposure order with the small area corresponding to the deflection size of the exposure apparatus as a processing unit.
M pattern generation processing is performed (step 104, step 105), bulk data in the bulk information library 204 is added to create exposure data to be supplied to the electron beam exposure apparatus (step 106), and the exposure data is output. (Step 107).

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の露光データ処理方法にあっては、露光偏向領
域単位に分割され、かつ、露光順序にソートされたRO
Mのセル配置情報をシーケンシャルに読み込んで小領域
内のROMパターンを発生させることを逐次的に繰り返
すという構成となっていたため、以下に述べるような問
題点があった。
However, in such a conventional exposure data processing method, the RO divided into exposure deflection area units and sorted in the exposure order.
Since the cell layout information of M is sequentially read and the ROM pattern in the small area is sequentially repeated, there is a problem as described below.

【0010】すなわち、マスクROM集積回路は、書き
込みデータの内容が変わる度にセル形成層の露光データ
を作成しなければならないが、品種が同一であればセル
形成層以外の層は一度作成すれば共通に使える。つま
り、実質的な処理時間はセル形成層の露光データ作成時
間にかかってくる。
That is, the mask ROM integrated circuit must create the exposure data of the cell forming layer each time the content of the write data changes, but if the types are the same, the layers other than the cell forming layer can be created once. Can be used in common. That is, the substantial processing time depends on the exposure data creation time of the cell formation layer.

【0011】セル形成層は、書き込みデータの内容によ
りROMのパターンをランダムに発生するため、従来
は、前述したように、露光偏向領域単位に分割し、か
つ、露光順序にソートしたROMのセル配置情報をシー
ケンシャルに読み込んで小領域内のROMパターンを発
生するという処理を逐次的に繰り返していた。しかし、
近時、マスクROM集積回路がメガ級になっいる状況下
において、従来方法では露光データ作成に時間がかか
り、製品の短納期化が制限されるという問題があった。
Since the cell formation layer randomly generates a ROM pattern according to the contents of the write data, conventionally, as described above, the cell arrangement of the ROM is divided into the exposure deflection area units and sorted in the exposure order. The process of sequentially reading the information and generating the ROM pattern in the small area is repeated sequentially. But,
Recently, under the situation that the mask ROM integrated circuit is in the mega class, the conventional method has a problem that it takes a long time to create the exposure data and the delivery time of the product is limited.

【0012】[目的]そこで本発明は、露光データ作成
の時間を短縮化するマスクROM集積回路の露光データ
処理方法を提供することを目的としている。
[Object] Therefore, an object of the present invention is to provide an exposure data processing method for a mask ROM integrated circuit, which shortens the time for creating exposure data.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明による露光データ
処理方法は上記目的達成のため、単一品種で書き込みデ
ータに応じて所定情報を格納するROM部のパターンの
みが異なり、該ROM部以外のパターンが同一であるマ
スクROM集積回路の露光データ作成処理方法であっ
て、前記ROM部のパターンを発生させるセル形成層を
所定サイズの複数の小領域に分割し、各小領域内におけ
るROMパターン発生処理を、それぞれ複数の処理手段
によって並列処理するように構成している。
In order to achieve the above-mentioned object, the exposure data processing method according to the present invention is different in only the pattern of the ROM section for storing the predetermined information according to the write data in a single type, except for the ROM section other than the ROM section. A method for creating exposure data for a mask ROM integrated circuit having the same pattern, wherein a cell forming layer for generating a pattern of the ROM section is divided into a plurality of small areas of a predetermined size, and a ROM pattern is generated in each small area. The processing is configured to be processed in parallel by a plurality of processing means.

【0014】この場合、前記複数の処理手段は、主処理
を行う第一処理手段の外部に設けられ、該第一処理手段
と情報伝送路を介して接続された第二処理手段であり、
前記ROM部の書き込みデータの内容を表す真理値情
報、品種毎に用意されたバルクデータ情報、露光偏向領
域単位に分割され、かつ、露光順序にソートされたRO
Mのセルパターン配置情報の各情報を該第二処理手段に
送信し、該第二処理手段のROMパターン発生処理によ
って作成した小領域毎の露光データを該第一処理手段に
送信し、該第一処理手段により受信した小領域毎の露光
データに基づいてセル形成層全体の露光データを再構築
して露光データを得ることが有効である。
In this case, the plurality of processing means are second processing means provided outside the first processing means for performing the main processing and connected to the first processing means via an information transmission path,
RO that is the truth value information representing the contents of the write data in the ROM section, the bulk data information prepared for each product type, divided into exposure deflection area units, and sorted in the exposure order.
Each piece of M cell pattern arrangement information is transmitted to the second processing means, and exposure data for each small area created by the ROM pattern generation processing of the second processing means is transmitted to the first processing means. It is effective to obtain the exposure data by reconstructing the exposure data of the entire cell formation layer based on the exposure data of each small area received by the one processing means.

【0015】また、前記第一処理手段は、前記第二処理
手段とのデータ入出力により、1つの小領域に対するR
OMパターン発生処理を該第二処理手段中の待機状態に
ある各処理手段に順次割り当て、該第二処理手段中の各
処理手段に対する処理負荷を平均化することが好まし
い。
Further, the first processing means inputs / outputs data to / from the second processing means, so that the R for one small area is read.
It is preferable that the OM pattern generation processing is sequentially assigned to each processing means in the standby state in the second processing means, and the processing load on each processing means in the second processing means is averaged.

【0016】[0016]

【作用】一般的なデータ処理では、逐次的に計算が行わ
れ、その結果に基づいてデータが加工されて出力され
る。しかし、マスクROM製造データ処理の場合、予め
処理すべきデータは作成されており、小領域に分割され
たフィールド間には依存性がないため各領域は独立性が
高く、データ加工するための計算処理により途中経過の
処理が左右されることがない。
In general data processing, calculation is sequentially performed, and data is processed and output based on the result. However, in the case of mask ROM manufacturing data processing, since the data to be processed is created in advance and there is no dependency between the fields divided into small areas, each area is highly independent, and calculations for data processing are performed. The processing does not influence the processing in the middle of the process.

【0017】具体的には、配置する位置情報と配置する
データは処理前に作成されており、処理の途中で変化す
ることがない。つまり、すでに決定したデータに基づい
て決められた位置に決められたパターンが配置され、さ
らにフィールド毎に独立したデータが用いられるため、
他の処理結果に依存にせず干渉されないため、どこから
配置されても同じ結果が得られる。
Specifically, the position information to be arranged and the data to be arranged are created before the processing, and do not change during the processing. In other words, the determined pattern is arranged at the position determined based on the already determined data, and further, since independent data is used for each field,
Since it does not depend on other processing results and does not interfere with each other, the same results can be obtained regardless of where they are arranged.

【0018】そこで、本発明では、ROM部のパターン
を発生させるセル形成層が所定サイズの複数の小領域に
分割され、各小領域内におけるROMパターン発生処理
が、それぞれ複数の処理手段によって並列処理される。
すなわち、従来、図12(a)に示すように、逐次処理
で行われていたROMパターン発生処理が、図12
(b)に示すように、並列処理で行われるため、露光デ
ータ作成の時間が大幅に短縮される。
Therefore, in the present invention, the cell forming layer for generating the pattern of the ROM portion is divided into a plurality of small areas of a predetermined size, and the ROM pattern generation processing in each small area is performed in parallel by a plurality of processing means. To be done.
That is, as shown in FIG. 12A, the ROM pattern generation process which has been conventionally performed by the sequential process is
As shown in (b), since the processing is performed in parallel, the exposure data creation time is greatly shortened.

【0019】[0019]

【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
1は本発明に係る露光データ処理方法を実現するための
ハードウェア構成を示すブロック図である。まず、構成
を説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a hardware configuration for realizing an exposure data processing method according to the present invention. First, the configuration will be described.

【0020】本発明を実現するためのハードウェアは、
大別して、1つのCPU及び記憶装置を備えた第一処理
手段であるホスト側コンピュータ1と、複数のCPUを
備えた第二処理手段であるセル側コンピュータ2とから
構成されている。ホスト側コンピュータ1は、処理の全
体制御を行うものであり、セル側コンピュータ2は、ホ
スト側コンピュータ1から送信されるデータに基づいて
並列演算を行う並列計算機である。
The hardware for implementing the present invention is
It is roughly divided into a host side computer 1 which is a first processing means having one CPU and a storage device, and a cell side computer 2 which is a second processing means having a plurality of CPUs. The host-side computer 1 controls the entire processing, and the cell-side computer 2 is a parallel computer that performs parallel calculation based on the data transmitted from the host-side computer 1.

【0021】露光データファイルは、チップ全面を露光
装置に特有な露光偏向領域に分割され、その小領域内の
露光データが露光装置の露光順に格納した構成となって
おり、また、マスクROM集積回路のセル形成層におけ
るROMパターン発生は各小領域で独立処理が可能であ
る。本発明は、この点に着目し、図2に示すように、セ
ル側コンピュータ2内の個々のCPUに露光偏向領域内
のROMパターン発生処理を担当させるものであり、ホ
スト側コンピュータ1では、セル側コンピュータ2内の
各CPUの処理を円滑に行うためにCPU内処理の入力
データの送信や出力データの受信、CPUの動作状況の
監視を行うものである。
The exposure data file has a structure in which the entire surface of the chip is divided into exposure deflection areas peculiar to the exposure apparatus, and the exposure data in the small areas are stored in the exposure order of the exposure apparatus. The generation of the ROM pattern in the cell forming layer can be independently processed in each small area. Focusing on this point, the present invention allows each CPU in the cell-side computer 2 to be in charge of the ROM pattern generation processing in the exposure deflection area as shown in FIG. In order to smoothly perform the processing of each CPU in the side computer 2, the input data of the processing in the CPU, the output data are received, and the operating status of the CPU is monitored.

【0022】図3に本発明の処理概略を示す。まず、ホ
スト側コンピュータ1では、ROMのセル配置情報が露
光偏向領域毎に分割され(ステップ1)、真理値データ
ファイル、バルク情報ファイル、セル配置情報が読み込
まれてセル側コンピュータ2の各CPUに送信される
(ステップ2,ステップ3,ステップ4)。
FIG. 3 shows an outline of the processing of the present invention. First, in the host-side computer 1, the cell arrangement information of the ROM is divided for each exposure deflection area (step 1), the truth value data file, the bulk information file, and the cell arrangement information are read and read by each CPU of the cell-side computer 2. It is transmitted (step 2, step 3, step 4).

【0023】セル側コンピュータ2では、真理値データ
ファイル、バルク情報ファイル、セル配置情報が受信・
格納されるとともに(ステップ5,ステップ6,ステッ
プ7)、1小領域が1CPUに割り当てられ、各CPU
により担当領域内のROMパターン発生処理が行われる
(ステップ8)。マスクROMは、小領域内のパターン
数及びパターン密度はランダムであるので各CPUの処
理時間は任意である。このため、セル側コンピュータ2
内の各CPUでは、ROM発生処理が終了した時点で作
成した小領域露光データがホスト側コンピュータ1に送
信される(ステップ9)。
The cell-side computer 2 receives the truth value data file, bulk information file, and cell placement information.
While being stored (step 5, step 6, step 7), one small area is assigned to one CPU,
Thus, the ROM pattern generation process in the assigned area is performed (step 8). In the mask ROM, the number of patterns and the pattern density in the small area are random, so that the processing time of each CPU is arbitrary. Therefore, the cell-side computer 2
In each of the CPUs, the small area exposure data created when the ROM generation processing is completed is transmitted to the host computer 1 (step 9).

【0024】そして、ホスト側コンピュータ1により小
領域露光データが受信されたら、空いたCPUに対して
次の領域のデータが送信され、全ての領域の処理が効率
良く行うように監督制御される。このようにしてホスト
側コンピュータ1は全ての小領域露光データを受信した
後(ステップ10)、これら各露光データが露光装置の
露光順に作成され、セル形成層全体の露光データが得ら
れる(ステップ11)。
When the host computer 1 receives the small area exposure data, the data of the next area is transmitted to the vacant CPU, and the supervisory control is performed so that the processing of all the areas is performed efficiently. In this way, the host computer 1 receives all the small area exposure data (step 10), and then creates each of these exposure data in the order of exposure of the exposure apparatus to obtain the exposure data of the entire cell formation layer (step 11). ).

【0025】すなわち、本発明においては、セル形成層
のROMパターン配置情報が独立に処理可能な露光偏向
領域内のROMパターン配置情報に分割され、これを並
列計算機の各CPUに送り、小領域内のROMパターン
発生処理が並列処理され、個々の露光データをまとめて
マスクROM集積回路全体の露光データが得られる。こ
のため、並列計算機のCPU数をNとすれば、従来の逐
次処理と比較して、最高でN倍の高速化が達成され、マ
スクROM集積回路の露光データ作成処理時間が大幅に
短縮される。
That is, in the present invention, the ROM pattern arrangement information of the cell forming layer is divided into the ROM pattern arrangement information in the exposure deflection area which can be independently processed, and this is sent to each CPU of the parallel computer, and the small area is contained. The ROM pattern generation processing is performed in parallel, and the exposure data of the entire mask ROM integrated circuit is obtained by collecting the individual exposure data. For this reason, if the number of CPUs of the parallel computer is N, a speedup of at most N times is achieved as compared with the conventional sequential processing, and the exposure data creation processing time of the mask ROM integrated circuit is significantly shortened. .

【0026】図4は本発明一実施例のマスクROM集積
回路の露光データ作成概要を示す図であり、並列計算機
を用いたマスクROM製造データ処理の並列処理化シス
テムを示す。並列計算機は処理の高速化を図るため、複
数の処理を並列に行う計算機であり、本実施例では、ホ
スト側コンピュータ1とセル側コンピュータ2とから構
成されている。
FIG. 4 is a diagram showing an outline of exposure data generation of a mask ROM integrated circuit according to an embodiment of the present invention, showing a parallel processing system for mask ROM manufacturing data processing using a parallel computer. The parallel computer is a computer that performs a plurality of processes in parallel in order to speed up the process, and in this embodiment, it is composed of a host side computer 1 and a cell side computer 2.

【0027】セル側コンピュータ2は、図1に示すよう
に、各々計算機機能を有するCPUを備え、処理の主要
部分として各セル担当分に分割したデータを受け取り、
処理を各セル独立に平行して行うものである。ホスト側
コンピュータ1はセル側コンピュータ2との通信を行
い、セル側コンピュータ2が処理すべき情報を送信し、
セル側コンピュータ2で処理された結果を受け取り、デ
ータの再構成するための計算機であり、処理全体の制御
を行うものである。
As shown in FIG. 1, the cell-side computer 2 is provided with CPUs each having a computer function, and receives data divided for each cell as a main part of processing,
Processing is performed in parallel for each cell independently. The host-side computer 1 communicates with the cell-side computer 2, sends information to be processed by the cell-side computer 2,
It is a computer for receiving the result processed by the cell-side computer 2 and reconstructing the data, and controls the entire process.

【0028】処理は、ホスト側コンピュータ1と、セル
側コンピュータ2とで別々の処理構成を備え、また、セ
ルは複数存在し、処理プログラムは同じものを備える
が、ホスト側コンピュータ1からの情報を受け取ること
によりセル側コンピュータ2内の該当CPUが担当分処
理を行うようになっている。なお、図4中、配置情報ラ
イブラリ11は配置情報ライブラリ分割処理12によっ
てセル側コンピュータ2が処理を行いやすいような処理
単位、つまり露光変更範囲に相当する小領域に分割さ
れ、分割配置情報ライブラリ13が作成される。
The host computer 1 and the cell computer 2 have different processing configurations, and there are a plurality of cells and the same processing program, but the information from the host computer 1 Upon receipt, the corresponding CPU in the cell-side computer 2 carries out the processing for its charge. In FIG. 4, the arrangement information library 11 is divided by the arrangement information library division processing 12 into processing units in which the cell-side computer 2 can easily perform processing, that is, small areas corresponding to the exposure change range, and the division arrangement information library 13 Is created.

【0029】そして、これと共にバルク情報ライブラリ
14、真理値データファイル15はホスト側コンピュー
タ1のデータ入出力処理16に送られ、各種データを得
たホスト側コンピュータ1によりセル側コンピュータ2
のデータ入出力処理21に送られる。マスクROM露光
データ作成処理22では、データ入出力処理21に保持
されている配置情報ライブラリ、バルク情報ライブラ
リ、真理値データファイルを読み処理を行う。
Along with this, the bulk information library 14 and the truth value data file 15 are sent to the data input / output processing 16 of the host side computer 1, and the host side computer 1 which has obtained various data makes the cell side computer 2
Is sent to the data input / output processing 21. In the mask ROM exposure data creation process 22, the placement information library, bulk information library, and truth value data file held in the data input / output process 21 are read.

【0030】マスクROM露光データはセル側コンピュ
ータ2のデータ入出力処理21内に作成され、これがホ
スト側コンピュータ1のデータ入出力処理に送られる。
ホスト側コンピュータ1に送られたマスクROM露光デ
ータは、各々のセルで分割されたものであり、マスクR
OM露光データ合成処理17により合成し、合成された
全体のデータをマスクROM露光データ18として出力
する。
The mask ROM exposure data is created in the data input / output processing 21 of the cell side computer 2 and sent to the data input / output processing of the host side computer 1.
The mask ROM exposure data sent to the host computer 1 is divided by each cell, and the mask R
The mask data is combined by the OM exposure data combination processing 17, and the combined whole data is output as the mask ROM exposure data 18.

【0031】以下、本実施例の露光データ作成手順を図
5に基づいて詳しく説明する。まず、ホスト側コンピュ
ータ1では、領域単位で並列処理するための配置情報ラ
イブラリが領域毎に抜き出されて分割され(ステップ2
1)、分割された配置情報ライブラリが格納される(ス
テップ22)。次に、真理値データファイルが読み込ま
れて送信され(ステップ23,ステップ24)、同様に
バルク情報ライブラリが読み込まれて送信される(ステ
ップ25,ステップ26)。
The exposure data creating procedure of this embodiment will be described in detail below with reference to FIG. First, in the host computer 1, a placement information library for parallel processing in area units is extracted and divided for each area (step 2
1) The divided placement information library is stored (step 22). Next, the truth value data file is read and transmitted (steps 23 and 24), and the bulk information library is similarly read and transmitted (steps 25 and 26).

【0032】そして、分割された配置情報ライブラリが
電子ビーム露光装置のスキャン順で分割した単位毎にセ
ル側コンピュータ2に送信され(ステップ27)、セル
台数分の送信が行われるとセル側コンピュータ2からの
露光データ受信が行われる(ステップ28)。このと
き、どのセルも処理を終了しておらず、ホスト側コンピ
ュータ1が受信すべき露光データが無い時は受信待ちと
なる。
Then, the divided arrangement information library is transmitted to the cell-side computer 2 for each unit divided in the scanning order of the electron beam exposure apparatus (step 27), and when transmission is performed for the number of cells, the cell-side computer 2 is transmitted. Exposure data is received (step 28). At this time, no cell has finished processing, and when there is no exposure data to be received by the host computer 1, the host computer 1 waits for reception.

【0033】受信した露光データは順次格納され(ステ
ップ29)、未処理の分割配置情報があれば送信が行わ
れ(ステップ30)、分割配置情報が全て送信されるま
で前述のステップ28〜ステップ30までの処理が繰り
返される(ステップ31)。セル側コンピュータ2では
並列処理が行われているため、送られていくる露光デー
タは処理が早く終了した順となり、セル側コンピュータ
2で作成した露光データのホスト側コンピュータ1での
受信タイミングはまちまちとなる。
The received exposure data are sequentially stored (step 29), and if there is unprocessed divided arrangement information, it is transmitted (step 30). Until all the divided arrangement information is transmitted, the above-mentioned steps 28 to 30 are carried out. The processes up to are repeated (step 31). Since the cell-side computer 2 is performing parallel processing, the exposure data that is sent is in the order in which the processing is completed earlier, and the reception timing of the exposure data created by the cell-side computer 2 at the host-side computer 1 varies. Become.

【0034】このため、セル側コンピュータ2から露光
データの受信が全て完了すると(ステップ32)、正し
い順に並び換えされ(ステップ33)、一つの露光デー
タとして合成された後に出力される(ステップ34)。
一方、セル側コンピュータでは、以下の処理が複数のC
PUによって行われている。
For this reason, when all the exposure data are received from the cell side computer 2 (step 32), they are rearranged in the correct order (step 33), and are combined into one exposure data and then output (step 34). .
On the other hand, in the cell side computer, the following processing is performed by a plurality of Cs.
It is done by PU.

【0035】すなわち、まず、真理値データファイルの
受信(ステップ41)、バルク情報ライブラリの受信
(ステップ42)、1領域分の配置情報ライブラリの受
信(ステップ43)が行われ、各CPUそれぞれにおい
て露光データ作成処理が行われ(ステップ44)、その
後に作成された1領域分の露光データがホスト側コンピ
ュータ1に送信される(ステップ45)。
That is, first, the truth value data file is received (step 41), the bulk information library is received (step 42), and the layout information library for one area is received (step 43). Data creation processing is performed (step 44), and the exposure data for one area created thereafter is transmitted to the host computer 1 (step 45).

【0036】そして、ホスト側コンピュータ1からの送
信データが無くなるまで前述のステップ43〜ステップ
45までの処理が繰り返される(ステップ46)。以上
の処理により、ホスト側コンピュータ1により分割され
た配置情報ライブラリが、図6中、矢印Aで示すよう
に、電子ビーム露光装置(図示せず)のスキャン順に送
信され、図6中、矢印Bで示すように、全てのセルにつ
いて露光データファイル作成処理が行われる。
Then, the above steps 43 to 45 are repeated until there is no transmission data from the host computer 1 (step 46). Through the above processing, the arrangement information library divided by the host computer 1 is transmitted in the scanning order of the electron beam exposure apparatus (not shown) as indicated by arrow A in FIG. As shown by, the exposure data file creation process is performed for all cells.

【0037】次に処理の終了したセルの露光デ−タファ
イルが、図7中、矢印Cで示すように、ホスト側コンピ
ュータ1に送信され、ホスト側コンピュータ1はこれを
処理終了順に格納するとともに、図7中、矢印Dで示す
ように、未処理の配置データライブラリが再びセルに対
応するCPUに送信されて処理が繰り返される。このよ
うに本実施例では、露光データを作成するに要する処理
時間が従来方法に比べて大幅に短縮でき、製品の短納期
化を実現でき、実用上きわめて有用である。
Next, the exposure data file of the cells for which processing has been completed is transmitted to the host computer 1 as indicated by the arrow C in FIG. 7, and the host computer 1 stores this in the processing end order and As shown by an arrow D in FIG. 7, the unprocessed arrangement data library is transmitted again to the CPU corresponding to the cell, and the processing is repeated. As described above, in the present embodiment, the processing time required to create the exposure data can be significantly shortened as compared with the conventional method, and the delivery time of the product can be shortened, which is extremely useful in practice.

【0038】なお、上記実施例はマスクROMに対する
処理を例に採り説明したが、これに限らず、処理の内容
が以前の結果に依存しない、例えば、RAMの製造デー
タ処理に対しても適用可能である。
Although the above embodiment has been described taking the processing for the mask ROM as an example, the present invention is not limited to this, and the content of the processing does not depend on the previous result, for example, it can be applied to the manufacturing data processing of RAM. Is.

【0039】[0039]

【発明の効果】そこで、本発明では、ROM部のパター
ンを発生させるセル形成層を所定サイズの複数の小領域
に分割し、各小領域内におけるROMパターン発生処理
を、それぞれ複数の処理手段によって並列処理すること
ができる。したがって、並列処理によりROMパターン
発生処理を行うため、露光データ作成の時間を大幅に短
縮することができる。
Therefore, in the present invention, the cell forming layer for generating the pattern of the ROM portion is divided into a plurality of small areas of a predetermined size, and the ROM pattern generation processing in each small area is performed by a plurality of processing means. Can be processed in parallel. Therefore, since the ROM pattern generation processing is performed by parallel processing, it is possible to greatly reduce the time for creating exposure data.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る露光データ処理方法を実現するた
めのハードウェア構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a hardware configuration for realizing an exposure data processing method according to the present invention.

【図2】本発明の処理概要を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a processing outline of the present invention.

【図3】本発明の処理概略を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an outline of processing of the present invention.

【図4】一実施例のマスクROM集積回路の露光データ
作成概要を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an outline of exposure data creation of a mask ROM integrated circuit of one embodiment.

【図5】一実施例の露光データ作成手順を示すフローチ
ャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing an exposure data creation procedure of one embodiment.

【図6】一実施例の処理内容を説明するための図であ
る。
FIG. 6 is a diagram for explaining the processing content of one embodiment.

【図7】一実施例の処理内容を説明するための図であ
る。
FIG. 7 is a diagram for explaining the processing content of one embodiment.

【図8】マスクROM集積回路を説明するための図であ
る。
FIG. 8 is a diagram for explaining a mask ROM integrated circuit.

【図9】多層マスク及びROMセルを説明するための図
である。
FIG. 9 is a diagram for explaining a multilayer mask and a ROM cell.

【図10】従来のマスクROM集積回路の露光データ作
成概要を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing an outline of exposure data creation of a conventional mask ROM integrated circuit.

【図11】従来の露光データ作成手順を示すフローチャ
ートである。
FIG. 11 is a flowchart showing a conventional exposure data creation procedure.

【図12】逐次処理と並列処理とを説明するための図で
ある。
FIG. 12 is a diagram illustrating sequential processing and parallel processing.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ホスト側コンピュータ(第一処理手段) 2 セル側コンピュータ(第二処理手段) 101 メインパターン 102 周辺パターン 103 ROMパターン 104 デコーダパターン 105 センスアンプパターン 106 多層のマスク 107 ROMセル 108 ワード線 109 ビット線 110 セル形成窓 1 Host-side computer (first processing means) 2 Cell-side computer (second processing means) 101 Main pattern 102 Peripheral pattern 103 ROM pattern 104 Decoder pattern 105 Sense amplifier pattern 106 Multi-layer mask 107 ROM cell 108 Word line 109 Bit line 110 Cell formation window

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 27/10 431 7210−4M ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI technical display location H01L 27/10 431 7210-4M

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】単一品種で書き込みデータに応じて所定情
報を格納するROM部のパターンのみが異なり、該RO
M部以外のパターンが同一であるマスクROM集積回路
の露光データ作成処理方法であって、 前記ROM部のパターンを発生させるセル形成層を所定
サイズの複数の小領域に分割し、各小領域内におけるR
OMパターン発生処理を、 主処理を行う第一処理手段と、該第一処理手段の外部に
設けられ、該第一処理手段と情報伝送路を介して接続さ
れた複数の第二処理手段とにより、 前記ROM部の書き込みデータの内容を表す真理値情
報、品種毎に用意されたバルクデータ情報、露光偏向領
域単位に分割され、かつ、露光順序にソートされたRO
Mのセルパターン配置情報の各情報を該第二処理手段に
送信し、 該第二処理手段のROMパターン発生処理によって作成
した小領域毎の露光データを該第一処理手段に送信し、 該第一処理手段により受信した小領域毎の露光データに
基づいてセル形成層全体の露光データを再構築して露光
データを得ることを特徴とする露光データ処理方法。
1. A ROM of a single type, which stores predetermined information according to write data, differs only in the RO
A method of creating exposure data for a mask ROM integrated circuit, wherein patterns other than the M portion are the same, wherein a cell forming layer for generating the pattern of the ROM portion is divided into a plurality of small areas of a predetermined size, R in
An OM pattern generation process is performed by a first processing unit that performs a main process and a plurality of second processing units that are provided outside the first processing unit and that are connected to the first processing unit through an information transmission path. The truth value information representing the contents of the write data in the ROM section, the bulk data information prepared for each type, the RO divided into exposure deflection area units and sorted in the exposure order.
Each piece of M cell pattern arrangement information is transmitted to the second processing means, and exposure data for each small area created by the ROM pattern generation processing of the second processing means is transmitted to the first processing means. An exposure data processing method, characterized in that the exposure data of the entire cell formation layer is reconstructed based on the exposure data of each small area received by one processing means to obtain the exposure data.
【請求項2】前記第一処理手段は、前記第二処理手段と
のデータ入出力により、1つの小領域に対するROMパ
ターン発生処理を該第二処理手段中の待機状態にある各
処理手段に順次割り当て、該第二処理手段中の各処理手
段に対する処理負荷を平均化することを特徴とする請求
項1記載の露光データ処理方法。
2. The first processing means sequentially performs ROM pattern generation processing for one small area to each processing means in a standby state in the second processing means by data input / output with the second processing means. 2. The exposure data processing method according to claim 1, further comprising allocating and averaging the processing loads on the respective processing means in the second processing means.
JP30701892A 1992-11-17 1992-11-17 Exposure data processing method Withdrawn JPH06163372A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30701892A JPH06163372A (en) 1992-11-17 1992-11-17 Exposure data processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30701892A JPH06163372A (en) 1992-11-17 1992-11-17 Exposure data processing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06163372A true JPH06163372A (en) 1994-06-10

Family

ID=17964038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30701892A Withdrawn JPH06163372A (en) 1992-11-17 1992-11-17 Exposure data processing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06163372A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009071246A (en) * 2007-09-18 2009-04-02 Nuflare Technology Inc Drawing device and data processing method of drawing data
JP2009278010A (en) * 2008-05-16 2009-11-26 Nuflare Technology Inc Charged particle beam drawing apparatus and method of transferring drawn data by charged particle beam drawing apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009071246A (en) * 2007-09-18 2009-04-02 Nuflare Technology Inc Drawing device and data processing method of drawing data
JP2009278010A (en) * 2008-05-16 2009-11-26 Nuflare Technology Inc Charged particle beam drawing apparatus and method of transferring drawn data by charged particle beam drawing apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6993728B2 (en) Method of designing integrated circuit and apparatus for designing integrated circuit
US4542458A (en) Method of and apparatus for assigning software resources to memory devices
US3615463A (en) Process of producing an array of integrated circuits on semiconductor substrate
JPS613400A (en) Method and apparatus for testing high-density on chip
US20060004882A1 (en) Custom Atomic Transactions in Programming Environments
US6996794B2 (en) Method of designing layout of semiconductor device
CN116959540B (en) Data verification system with writemask
JPH06163372A (en) Exposure data processing method
JP3071899B2 (en) Charge beam drawing data creation device
JPH09319788A (en) Parallel processing system by network
JPH06162139A (en) Layout verificatioin system
US6189129B1 (en) Figure operation of layout for high speed processing
JPS60209999A (en) Relieving system of ic memory
JP3249001B2 (en) Exposure data creation method for mask ROM
GB2235074A (en) Testing a memory device
JP3171905B2 (en) Data processing method
JP2511145B2 (en) Method for creating cell layout data of mask ROM integrated circuit
JPH01267549A (en) Generating method for exposure data for mask rom integrated circuit
CN114078561B (en) Method and device for determining failure bit repair scheme
JP3075280B2 (en) Information processing system
JP2768371B2 (en) Inspection method of random access memory
JPH1186588A (en) Memory array and redundant element fuse reducing method in memory array
JP3688431B2 (en) Mask drawing data verification method, mask drawing data verification device, and computer readable recording medium storing mask drawing data verification program
JPS6381819A (en) Control system of electron beam exposure
JP2629785B2 (en) Inspection device for semiconductor memory circuit device

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20000201