JPH01262500A - Ｘ線透過膜 - Google Patents
Ｘ線透過膜Info
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- JPH01262500A JPH01262500A JP63089043A JP8904388A JPH01262500A JP H01262500 A JPH01262500 A JP H01262500A JP 63089043 A JP63089043 A JP 63089043A JP 8904388 A JP8904388 A JP 8904388A JP H01262500 A JPH01262500 A JP H01262500A
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- beryllium
- film
- ray
- beryllium film
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- Pending
Links
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 27
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｘ線露光装置、Ｘ線顕微鏡などに使用される
Ｘ線源においてＸ線を取出す窓に使用するＸｌ＆透過膜
の構造に関するものである。
Ｘ線源においてＸ線を取出す窓に使用するＸｌ＆透過膜
の構造に関するものである。
光の波長より細かい図形を処理するＸｍ露光装置とかＸ
線顕微鏡では、軟Ｘ線が使われる。軟Ｘ線の線源として
ストレージリングおよびプラズマＸ線源（例えば特開昭
６２−１２２０３４号参照）が使用されている。これら
の線源は、真空あるいは真空に近い圧力の空間にあり、
Ｘ線はベリリウムのＸ線透過膜を通って大気中に取り出
される。Ｘｍ透過膜は大気圧に耐える必要があるが、Ｘ
線の波長が１０人を越えると、ベリリウムにおける吸収
が増加するので、ｘＩ＆透過率を高めるためにベリリウ
ムの厚さを減らすことが要求される。
線顕微鏡では、軟Ｘ線が使われる。軟Ｘ線の線源として
ストレージリングおよびプラズマＸ線源（例えば特開昭
６２−１２２０３４号参照）が使用されている。これら
の線源は、真空あるいは真空に近い圧力の空間にあり、
Ｘ線はベリリウムのＸ線透過膜を通って大気中に取り出
される。Ｘｍ透過膜は大気圧に耐える必要があるが、Ｘ
線の波長が１０人を越えると、ベリリウムにおける吸収
が増加するので、ｘＩ＆透過率を高めるためにベリリウ
ムの厚さを減らすことが要求される。
線源がストレージリングの場合には、Ｘ線透過膜は、強
い輻射を受けて温度が上昇し、劣化が起る。プラズマＸ
線源の場合には、Ｘ線透過膜は。
い輻射を受けて温度が上昇し、劣化が起る。プラズマＸ
線源の場合には、Ｘ線透過膜は。
輻射のほかに、荷電粒子、衝撃波、電極からの高温の飛
散物などの衝突を受ける。大気圧が加わっているベリリ
ウムの一点に、溶けた電極材料など高温の飛散物が付着
すると、−瞬にして膜の温度が上昇し、強度が低下する
。応力が破壊限界を起えると真空が漏れ、Ｂの破壊につ
ながる。これを防ごうとすると、飛散物がもたらす温度
上昇が破壊を引き起さない範囲に収まるように、膜自体
に熱容量を持たせねばならず、飛散物の温度と熱容量に
応じて膜は厚いものとなり、ｘ４ｓ透過率を下げること
になる。
散物などの衝突を受ける。大気圧が加わっているベリリ
ウムの一点に、溶けた電極材料など高温の飛散物が付着
すると、−瞬にして膜の温度が上昇し、強度が低下する
。応力が破壊限界を起えると真空が漏れ、Ｂの破壊につ
ながる。これを防ごうとすると、飛散物がもたらす温度
上昇が破壊を引き起さない範囲に収まるように、膜自体
に熱容量を持たせねばならず、飛散物の温度と熱容量に
応じて膜は厚いものとなり、ｘ４ｓ透過率を下げること
になる。
本発明は、このように波長の長いＸｉを発生するｘｉ源
のＸ線透過膜の破損の問題を解決しようとするものであ
る。
のＸ線透過膜の破損の問題を解決しようとするものであ
る。
上記の問題を解決するために、本発明では少くとも２枚
のベリリウムの膜を密接して張り合わせたものをＸ線透
過膜として使用する。張り合わせるベリリウム膜の数は
、２枚が最少であるが、３枚以上の薄いベリリウムを張
り合わせた構造も。
のベリリウムの膜を密接して張り合わせたものをＸ線透
過膜として使用する。張り合わせるベリリウム膜の数は
、２枚が最少であるが、３枚以上の薄いベリリウムを張
り合わせた構造も。
効果が大きい、膜の密接のさせ方は、膜同志が接触して
いるだけでも効果はあるが、膜の間にポリマーのような
Ｘ線透過率が高い材料の薄い層をはさんで接着されてい
るとさらに効果が大きい、圧延したベリリウムは、圧延
方向の強度が高いので。
いるだけでも効果はあるが、膜の間にポリマーのような
Ｘ線透過率が高い材料の薄い層をはさんで接着されてい
るとさらに効果が大きい、圧延したベリリウムは、圧延
方向の強度が高いので。
張り合わせるベリリウムの圧延方向を組合わせることに
よってＸ線透過膜の強度を増加することができる。
よってＸ線透過膜の強度を増加することができる。
本発明による２枚のベリリウムを密接して張り合わせた
Ｘａ透過膜では、線源に面したベリリウム膜は、線源か
ら放射される熱線、荷電粒子、衝撃波、飛散物を遮断し
、大気に面したベリリウム膜は、大気を遮断し、真空を
保持するという作用を分担する。
Ｘａ透過膜では、線源に面したベリリウム膜は、線源か
ら放射される熱線、荷電粒子、衝撃波、飛散物を遮断し
、大気に面したベリリウム膜は、大気を遮断し、真空を
保持するという作用を分担する。
線源に面したベリリウムは、高温の飛散物の衝突を受け
、膜の一部が溶融、蒸発してピンホールがあき、損傷を
受けることもあるが、大気圧が加わったベリリウムに高
温の飛散物が直接接触することを防止する。この作用は
、比較的薄いベリリウムの膜で充分に達せられる。すな
わち、線源に面したベリリウムにはピンホールが出来て
も真空を保持しているわけではないので、飛散物を貫通
させるほどのピンホールが生じない限り支障をきたさな
い、また、ｔｉＡ源に面したベリリウムは？＃撃波の強
い風圧を受けるが、大気圧とは逆方向なので、大気圧が
加わった側のベリリウム膜で支える。
、膜の一部が溶融、蒸発してピンホールがあき、損傷を
受けることもあるが、大気圧が加わったベリリウムに高
温の飛散物が直接接触することを防止する。この作用は
、比較的薄いベリリウムの膜で充分に達せられる。すな
わち、線源に面したベリリウムにはピンホールが出来て
も真空を保持しているわけではないので、飛散物を貫通
させるほどのピンホールが生じない限り支障をきたさな
い、また、ｔｉＡ源に面したベリリウムは？＃撃波の強
い風圧を受けるが、大気圧とは逆方向なので、大気圧が
加わった側のベリリウム膜で支える。
線源に面したベリリウムが受ける熱も同様に、大気に面
したベリリウム膜に伝えて放熱する。
したベリリウム膜に伝えて放熱する。
以下、本発明の実施例を第１図乃至第３図により説明す
る。第１図は１本発明を実施したプラズマＸ線源のＸ線
透過窓の断面図である。同図において、１は線源に面し
たベリリウム膜、２は大気に面したベリリウム膜、３は
真空○リング、４は押さえフランジである。この実施例
では、２枚のベリリウム膜は機械的に押しつけられてい
るだけで本発明のＸ線透過膜を形成している。１のベリ
リウムは０リング３の内側に設けられており、放電によ
って発生する熱線、荷電粒子、衝撃波、飛散物を遮断し
て真空をシールするベリリウム２が破損することを防止
する。ベリリウム１には、衝突によってピンホールが出
来るが、真空をシールしているのではないし、他の飛散
物がそのピンホールを貫通する確率は低いので、支障を
きたさなし１ 。
る。第１図は１本発明を実施したプラズマＸ線源のＸ線
透過窓の断面図である。同図において、１は線源に面し
たベリリウム膜、２は大気に面したベリリウム膜、３は
真空○リング、４は押さえフランジである。この実施例
では、２枚のベリリウム膜は機械的に押しつけられてい
るだけで本発明のＸ線透過膜を形成している。１のベリ
リウムは０リング３の内側に設けられており、放電によ
って発生する熱線、荷電粒子、衝撃波、飛散物を遮断し
て真空をシールするベリリウム２が破損することを防止
する。ベリリウム１には、衝突によってピンホールが出
来るが、真空をシールしているのではないし、他の飛散
物がそのピンホールを貫通する確率は低いので、支障を
きたさなし１ 。
ベリリウム膜の厚さは１が５μｍ、２が１５μｍである
。ベリリウム２は、大気によって上方へ押されており、
１が衝撃波から受ける風圧は下方に向っているのでベリ
リウム膜２によって支えられている。またベリリウム膜
１が受は取る熱は。
。ベリリウム２は、大気によって上方へ押されており、
１が衝撃波から受ける風圧は下方に向っているのでベリ
リウム膜２によって支えられている。またベリリウム膜
１が受は取る熱は。
接触部分から熱伝導によってベリリウム膜２に伝えられ
、大気によって冷却される。従来、厚さ２０μｍのベリ
リウム膜１枚をｘ＃！透過膜として使用した場合に、数
千回程度の放電で破損していたものが、本発明を実施す
ることによって数万回以上の放電にも耐えられるように
なった。
、大気によって冷却される。従来、厚さ２０μｍのベリ
リウム膜１枚をｘ＃！透過膜として使用した場合に、数
千回程度の放電で破損していたものが、本発明を実施す
ることによって数万回以上の放電にも耐えられるように
なった。
第２図は１本発明の他の実施例を示すＸ線透過膜の断面
図である。同図において、１は線源に面したベリリウム
膜、２は大気に面したベリリウム膜で、２枚のベリリウ
ム１．２はポリイミドの薄い層５を介して接合されてい
る。この実施例では、２枚のベリリウム膜が一体となっ
ているので、Ｉａ械的な強度が増加する。ベリリウム膜
１の厚さは、５μｍ、２の厚さは１−５μｍである。
図である。同図において、１は線源に面したベリリウム
膜、２は大気に面したベリリウム膜で、２枚のベリリウ
ム１．２はポリイミドの薄い層５を介して接合されてい
る。この実施例では、２枚のベリリウム膜が一体となっ
ているので、Ｉａ械的な強度が増加する。ベリリウム膜
１の厚さは、５μｍ、２の厚さは１−５μｍである。
第３図は、本発明の他の実施例を示すＸ線透過膜の断面
図である。この実施例では、４枚のベリリウム６〜９を
、圧延方向が交互に直交するように重ねて、ポリイミド
の薄い層１０〜１２を介して接合したものである。この
ような構造によって膜の強度は飛躍的に増加し、膜が破
損した場合でも、有害なベリリウムの破片が飛散しない
という効果もある。
図である。この実施例では、４枚のベリリウム６〜９を
、圧延方向が交互に直交するように重ねて、ポリイミド
の薄い層１０〜１２を介して接合したものである。この
ような構造によって膜の強度は飛躍的に増加し、膜が破
損した場合でも、有害なベリリウムの破片が飛散しない
という効果もある。
以上に述べたように１本発明によれば、長い波長のＸ線
を透過する膜の構造において、少くとも２枚のベリリウ
ムの膜を密接して張ることによって、膜の強度を増加し
、膜に向って放射される熱線、荷電粒子、衝撃波、飛散
物などによって損傷されにくいＸ線透過膜を製作するこ
とができ、Ｘ線露光装置、Ｘｉ顕微鏡などの装置の信頼
性を向上し、線源から取出せるＸ線の強度を増加するこ
とができる。
を透過する膜の構造において、少くとも２枚のベリリウ
ムの膜を密接して張ることによって、膜の強度を増加し
、膜に向って放射される熱線、荷電粒子、衝撃波、飛散
物などによって損傷されにくいＸ線透過膜を製作するこ
とができ、Ｘ線露光装置、Ｘｉ顕微鏡などの装置の信頼
性を向上し、線源から取出せるＸ線の強度を増加するこ
とができる。
第１図は１本発明の一実施例であるＸ線透過窓の断面図
、第２図、第３図は、本発明の他の実施例であるＸ線透
過膜の断面図である。 １・・・１ｉＡｇに面したベリリウム膜、２・・・大気
に面したベリリウム膜、５・・・ポリマーの接合材、６
〜９・・・積層されたベリリウム、１０〜１２・・・接
合材。
、第２図、第３図は、本発明の他の実施例であるＸ線透
過膜の断面図である。 １・・・１ｉＡｇに面したベリリウム膜、２・・・大気
に面したベリリウム膜、５・・・ポリマーの接合材、６
〜９・・・積層されたベリリウム、１０〜１２・・・接
合材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、波長の長いＸ線を透過する膜の構造であつて、少く
とも２枚のベリリウムの膜が密接して張られていること
を特徴とするＸ線透過膜。 ２、特許請求の範囲第１項に記載されたＸ線透過膜にお
いて、少くとも２枚のベリリウムの膜が接合層をはさん
で密接していることを特徴とするＸ線透過膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089043A JPH01262500A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | Ｘ線透過膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63089043A JPH01262500A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | Ｘ線透過膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01262500A true JPH01262500A (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=13959864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63089043A Pending JPH01262500A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | Ｘ線透過膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01262500A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05312998A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Hamamatsu Photonics Kk | イオン発生装置 |
| US5390626A (en) * | 1990-12-11 | 1995-02-21 | Hoya Corporation | Process for formation of silicon carbide film |
| JP2016134249A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | 双葉電子工業株式会社 | Ｘ線管 |
-
1988
- 1988-04-13 JP JP63089043A patent/JPH01262500A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5390626A (en) * | 1990-12-11 | 1995-02-21 | Hoya Corporation | Process for formation of silicon carbide film |
| JPH05312998A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Hamamatsu Photonics Kk | イオン発生装置 |
| JP2016134249A (ja) * | 2015-01-16 | 2016-07-25 | 双葉電子工業株式会社 | Ｘ線管 |
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