JPH01261391A - セフェム誘導体 - Google Patents

セフェム誘導体

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JPH01261391A
JPH01261391A JP63088117A JP8811788A JPH01261391A JP H01261391 A JPH01261391 A JP H01261391A JP 63088117 A JP63088117 A JP 63088117A JP 8811788 A JP8811788 A JP 8811788A JP H01261391 A JPH01261391 A JP H01261391A
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Taku Kamiya
卓 神谷
Toshihiko Naito
俊彦 内藤
Takeki Komatsu
雄毅 小松
Yasunobu Kai
甲斐 康信
Takaharu Nakamura
中村 隆晴
Manabu Sasho
学 佐生
Shigeto Negi
茂人 根木
Isao Sugiyama
功 杉山
Kanemasa Katsu
勝 鎌政
Hiroshi Yamauchi
博 山内
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    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
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    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

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  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
  • Cephalosporin Compounds (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 本発明は抗菌剤として有用な新規セフェム誘導体に関す
るものである。
従来、特開昭61−5084号公報、特開昭62−22
8084号公報等に、7位にチアジアゾリル酢酸誘導体
残基を有し、3位にアンモニオプロペニル基ヲ有スるセ
フェム誘導体が知られている。
本発明者等は、特定のアンモニオプロペニル基を3位に
有するセフェム誘導体が抗菌剤として優れていることを
見い出し9本発明を完成したものである。
したがって本発明の目的は、抗菌剤として有用な新規セ
フェム誘導体、その製造方法、それからなる抗菌剤を提
供することにある。
〔発明の構成〕
本発明化合物は一般式: 〔式中I R1は低級アルキル基を示し、Aは次の基=
(R1は同一または異なる低級アルキル基I R3は低
級アルキル基またはヒドロキシ低級アルキル基。
R1は低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基また
はカルバモイル低級アルキル基I  R5は水素原子ま
たはヒドロキシ低級アルキル基を示す)から選択される
基を示す〕で表わされるセフェム誘導体またはその非毒
性塩である。
R0〜Rsの定義における低級アルキルとしては。
メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル。
n−ブチル、i−グチル、 5ea−ブチル、t−ブチ
ルなどのC8〜C1のアルキル基が含まれる。
一般式(I)の化合物の非毒性塩としては、医薬上許容
される塩類1例えばナトリウム塩、カリウム塩などのア
ルカリ金属塩;アンモニウム塩;テトラエチルアンモニ
ウム塩、ベタイン塩などの4級アンモニウム塩;カルシ
ウム塩、マグネシウム塩などのアルカリ土類金属塩;塩
酸塩、臭化水素酸塩、沃化水素酸塩、硫酸塩、炭酸塩9
重炭酸塩などの無機酸塩;酢酸塩、マレイン酸塩、乳酸
塩。
酒石酸塩などの有機カルボン酸塩;メタンスルホン酸塩
、ヒドロキシメタンスルホン酸塩、ヒドロキシェタンス
ルホン酸塩、タウリン塩、ベンゼンスルホン酸塩、トル
エンスルホン酸塩などの有機スルホン酸塩;アルギニン
塩、リジン塩、セリン塩、アスパラギン酸塩、グルタミ
ン酸塩、グリシン塩ナトのアミノ酸塩;トリメチルアミ
ン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、プロ力イン塩
ピコリン塩、ジシクロヘキシルアミン塩ININ’−ジ
ベンジルエチレンジアミン塩、N−メチルグルカミン塩
、ジェタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩、ト
リス(ヒドロキシメチルアミノ)メタン塩、フェネチル
ベンジルアミン塩などのアミン塩等があげられる。
一数式CI)の本発明化合物の次の部分の立体配位に関
し。
C− \ 0−R。
シン異性体(Z)とアンチ異性体(E)が存在する。本
発明には両異性体とも含まれるが、抗菌力の点から′ 
はシン異性体が望ましい。
本発明化合物は次に示す方法により製造することができ
る。
一般式: 〔式中I  R1は低級アルキル基、Xはハロゲン原子
を示す〕で表わされる化合物、そのアミノ基および/ま
たはカルボキシル基が保護基で保護された化合物、また
はそれらの化合物の塩に式=A’     (III) (A’は前記のAに対応するアミンを示す〕で表わされ
る化合物またはその塩を反応させ、必要により保護基を
脱離して前記一般式(Ilの化合物またはその非毒性塩
を得ることができる。
上記一般式(■)のXのハロゲン原子としては、沃素原
子、臭素原子、塩素原子があげられる。
上記反応は反応温度−10℃〜60°C9好ましくは0
°C〜40℃で行うことができる。また9反応溶媒とし
ては、無水の有機溶媒が望ましい。この使用することが
できる有機溶媒としては、アセトニトリル、プロピオニ
トリル等の低級アルキルニトリル;クロルメタン、ジク
ロルメタン、クロロホルムなどのハロゲン化低級アルキ
ル;テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルエーテル
等のエーテル;ジメチルホルムアミドなどのアミド;酢
酸エチル等のエステル;アセトンなどのケトン;ベンゼ
ン等の炭化水素;メタノール、エタノールなどのアルコ
ール;ジメチルスルホキシド等のスルホキシドあるいは
これらの混合溶媒があげられる。
保護基の脱離は、使用した保護基の種類に応じ。
加水分解、還元など常法により行うことができる。
一般式(II)および(III)の化合物の塩、保護基
としては、上記反応を妨げないものであれば1通常用い
られるものを使用することができる。
例えば、アミノ基の保護基としてはホルミル基。
アセチル基、クロルアセチル基、ジクロルアセチル基、
フェニルアセチル基、チエニルアセチル基。
t−ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル
基、トリチル基、p−メトキシベンジル基。
ジフェニルメチル基、ベンジリデンL  p−二トロベ
ンジリデン基9m−クロルベンジリデン基すど;カルボ
キシル基の保護基としては、p−メトキシベンジル基、
p−ニトロベンジル基、t−ブチル基、メチル基、2,
2.2−)リクロロエチル基、ジフェニルメチル基、ピ
バロイルオキシメチル基などがあげられる。また、  
N、 0−ビス(トリメチルシリル)アセトアミド、N
−メチル−N−(トリメチルシリル)アセトアミド、N
−メチル−N−()リメチルシリル)トリフルオロアセ
トアミド、N−()リメチルシリル)アセトアミドなど
のシリル化剤を使用すれば、アミノ基およびカルボキシ
ル基を同時に保護できるので便利である。
一般式(II)の化合物の塩としては9例えばナトリウ
ム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、カルシウム塩、
マグネシウム塩等のアルカリ土類金属塩;アンモニウム
塩;トリエチルアンモニウム塩;ヘタイン塩等の4級ア
ンモニウム塩;塩酸塩、臭化水素塩酸、硫酸塩、炭酸塩
、沃化水素酸塩9重炭酸塩等の無機酸塩;酢酸塩、トリ
フルオロ酢酸塩。
マレイン酸塩、乳酸塩、酒石酸塩等の有機カルボン酸塩
;メタンスルホン酸塩、ヒドロキシメタンスルホン酸塩
、ヒドロキシェタンスルホン酸塩。
タウリン塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン
酸塩等の有機スルホン酸塩ニトリメチルアミン塩、トリ
エチルアミン塩、ピリジン塩、プロ力イン塩、ピコリン
塩、ジシクロヘキシルアミン塩、 N、 N’−ジベン
ジルエチレンジアミン塩、N−メチルグルカミン塩、ジ
ェタノールアミン塩。
トリエタノールアミン塩、トリス(ヒドロキシメチルア
ミノ)メタン塩、フェネチルベンジルアミン塩等のアミ
ン塩;アルギニン塩、アスパラギン酸塩、リジン塩、グ
ルタミン酸塩、セリン塩、グリシン塩等のアミノ酸塩な
どの塩の中より適宜選択することができる。
また、一般式(III)の化合物の塩としては、上記の
塩のうち、無機酸塩、有機カルボン酸塩、有機スルホン
酸塩、アミノ酸塩などの酸付加塩が選択される。
本発明化合物はダラム陰性菌からダラム陽性菌まで広範
囲な抗菌活性を有する。
また、急性毒性値[LD、。(マウス、静注)]は次の
化合物ではいずれも3g/に、以上であった。
7β−[2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾー
ル−3−イル)−(Z)−2−メトキシイミノアセトア
ミド) −3−((E)−3−((IR−カルバモイル
−2−ヒドロキシエチル)ジメチルアンモニt)−1−
プロペニル)−3−セフェム−4−カルボキシレート 7β−(2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾー
ル−3−イル)−(Z)−2−メトキシイミノアセトア
ミド) −3−((E)−3−(カルバモイルメチルエ
チルメチルアンモニオ)−1−プロペニルクー3−セフ
ェム−4−カルボキシレート7β−(2−(5−アミノ
−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)−(Z)−
2−メトキシイミノアセトアミド) −3−[(El−
3−(5−アザ−1−メチル−2,8−ジオキサビシク
ロ[3,3゜1〕ノナン−5−イオ)−1−プロペニル
クー3−セフェム−4−カルボキシレート 本発明化合物は、ダラム陰性菌およびダラム陽性菌に対
し9強い抗菌力を有し、抗菌剤として有用である。
本発明化合物を注射剤として使用する際には。
通常1日100mg〜10gを1〜4回にわけて静脈内
または筋肉内に投与することができる。なお、その投与
量は年齢、症状により増減される。
注射剤は常法により製造することができる。例えば9本
発明化合物を、必要により等張化剤、溶解補助剤等の存
在下で蒸留水に溶解して注射液とすることができる。ま
た、粉末状態でバイアル等に充填し、用時溶解型の注射
剤とすることができる。この注射剤は投与時に注射用蒸
留水、生理食塩水、ブドウ糖注射液、アミノ酸輸液等に
溶解して用いられる。
次に実験例および実施例を示し2本発明をさらに詳しく
説明する。
実験例1(原料化合物の合成) p−メトキシベンジル 7β−(2−(5−)リチルア
ミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)−(Z
)−2−メトキシイミノアセトアミド〕−3−クロロメ
チル−3−セフェム−4−カルボキシレート 2−(5−トリチルアミノ−1,2,4−チアジアゾー
ル−3−イル)−(Z)−2−メトキシイミノ酢酸10
0gをジメチルホルムアミドIrに溶解し。
水冷下、p−メトキシベンジル 7β−アミノ−3−ク
ロロメチル−3−セフェム−4−カルボキシレート I
)−)ルエンスルホン酸塩121.7g、  )リエチ
ルアミン22.7I QおよびN−エチル−N−3−ジ
メチルアミノプロピルカルポジイミド塩酸塩139.6
9を加え、同温度で8時間撹拌した。反応液に酢酸エチ
ル4I!を加えた後、水、飽和食塩水。
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水。
IN塩酸、飽和食塩水で順次洗浄した。これに無水硫酸
マグネシウムを加えて乾燥後、溶媒を減圧留去した。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出;クロ
ロホルム)で精製し、目的物115gを得た。
実験例2(原料化合物の合成) p−メトキシベンジル 7β−C2−(5−トリチルア
ミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)−(Z
l−2−メトキシイミノアセトアミド)−3−ヨードメ
チル−3−セフェム−4−カルボキシレート実験例1の
化合物609をメチルエチルケトン1.21!に溶解し
、これにヨウ化ナトリウム56.5 、を加えて室温に
て1時間撹拌した。溶媒を留去し。
残渣を酢酸エチルに溶解後、水、飽和チオ硫酸ナトリウ
ム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後。
無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。これを減圧濃
縮し、n−へキサンを加えて、生じた沈澱を更改し、目
的物61.Ofを得た。
実験例3(原料化合物の合成) p−メトキシベンジル 7β−(2−(5−トリチルア
ミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)−(Z
)−2−メトキシイミノアセトアミド)−3−トリフェ
ニルホスホニオメチル−3−セフェム−4−カルボキシ
レート ヨウ化物 実験例2の化合物9.540をベンゼン190−に溶解
し、トリフェニルホスフィン5.649を加えて室温で
1時間撹拌した。この反応液にn−ヘキサン100−を
滴下し、生じた沈澱を更改した。これをベンゼン−n−
ヘキサン(1: 1)混液およびn −ヘキサンで洗浄
して目的物11.309を得た。
実験例4(原料化合物の合成) p−メトキシベンジル 7β−(2−(5−)リチルア
ミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)−(Z
l−2−メトキシイミノアセトアミド]−3−((Z)
−3−クロロ−1−プロペン−1−イル〕−3−セフェ
ムー4−カルボキシレート 実験例3の化合物30.0 gをクロロホルム25〇−
と酢酸エチル300.I/の混液に溶解し、水冷下、 
IN水酸化す) IJウム水溶液7B、3rnjを加え
て撹拌した。
有機層を分取し、これを飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸
マグネシウムを加えて乾燥した。この有機層に、水冷下
、クロロアセトアルデヒド6.15gのクロロホルム1
0rnl溶液を加え、室温下で1時間撹拌した。反応液
を濃縮し、酢酸エチル300rnlを加えて生ずる沈澱
を枦去した。炉液を濃縮して粗生成物29.3 、を得
た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出
;クロロホルム)にて精製して目的物7.73 、を得
た。
実験例5(原料化合物の合成) p−メトキシベンジル 7β−(2−(5−)リチルア
ミノ−1,2,4−チアジアゾール−3−イル)−(Z
)−2−メトキシイミノアセトアミド)−3−C(E)
 −3−ヨード−1−プロペン−1−イル)−3−セフ
ェム−4−カルボキシレート 実験例4の化合物7.97 、をアセトン167m1に
溶解し、これにヨウ化ナトリウム4.37 gを加えて
室温で1時間撹拌した。溶媒を留去し、残渣を酢酸エチ
ル150m1に溶解し、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液
および飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムを加
えて乾燥した。これを減圧濃縮し。
残渣にn−へキサン、石油エーテルを加えて固化し、P
取して目的物8.42 gを得た。
実験例6(原料化合物の合成) 2−エチルメチルアミノアセトアミド CH5 N−CH,−CONH。
CH,CH。
エチルメチルアミン12.59に水37.5 rnlを
加え。
水冷下、さらに35%ホルマリン20.17 Q 、シ
アン化ナトリウム10.989を加えて1時間撹拌後、
濃塩酸21.1rrL/を1時間かけて滴下した。つい
で室温にもどし、−夜撹拌した。反応液をクロロホルム
30〇−で抽出し、抽出液に無水硫酸マグネシウムを加
えて乾燥した。溶媒を留去し、淡黄色油状物を得た。
これに、−20°Cにて、硫酸50−を加え、室温にも
どした後2日間撹拌した。反応液を氷水200rnl中
に加え、濃アンモニア水で中和した。これに食塩を加え
て飽和した後、クロロホルム3rで抽出した。抽出液に
無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。溶媒を留去し
、バフ4フ1石油エーテルより再結晶して、白色針状晶
の目的物12.79を得た。
実験例7(原料化合物の合成) (R)−2−ジメチルアミノ−3−ヒドロキシプロピオ
ンアミド D−セリンアミド トリプルオロ酢酸塩9.0gを水1
2.6rnlに溶解し、水冷下、炭酸水素ナトリウム3
.479を加え、10分間撹拌した。これにアセトニト
リル66.6−を加えて懸濁し、−5℃に冷却下、37
%ホルマリン水溶液7.379 、ソディウムシアノボ
ロンハイドライドL74 Qを加え1時間撹拌した。
析出した不溶物を枦去し、F5液を減圧濃縮した。
残渣をアルミナ450gを用いたカラムクロマトグラフ
ィーで精製して目的物3.4gを得た。
実験例8(原料化合物の合成) 1−アザ−5−メチル−4,6−シオキサビシクロ(3
,3,1)ノナン ジェタノールアミン57.49をテトラヒドロフラン4
00rnlに溶解した。これにブロモアセトン41.5
9を滴下し、5時間撹拌した。下層を除去し、上層の溶
媒を留去した。残渣に酢酸エチルを加え、油状沈澱物を
除いた後、溶液を無水硫酸マグネシウムを通して濾過し
た。炉液より溶媒を留去し、冷所にて結晶化させた。こ
れに石油エーテルを加えて結晶を戸数し、無色プリズム
晶の目的物34.29を得た。
実施例1 7β−C2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾー
ル−3−イル)−tZ)−2−メトキシイミノアセトア
ミド) −3−((E)−3−((IR−カルノくモイ
ル−2−ヒドロキシエチル)ジメチルアンモニオ〕−1
−プロペニル)−3−セフェム−4−カルボキシレート 実験例5の化合物2.0gをジメチルホルムアミド4−
に溶解し、実験例7の化合物319mgを加え室温で1
日撹拌した。エチルエーテルを加え、生じた沈澱を分取
し、これをクロロホルム−メタノール混液に溶解した。
この溶液をエチルエーテル中に加え、生じた沈澱を炉取
した。
この沈澱をトリフルオロ酢酸10rnlとチオアニソー
ル10rnlの混液中に加え、水冷下1時間撹拌した後
、イソプロピルエーテルを加え生じた沈澱を戸数した。
これを水に懸濁し、酢酸ナトリウムでpH7に調整後、
不溶物を炉去した。炉液を逆相シリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにて精製して目的物52即を得た。
実施例2 7β−(2−(5−アミノ−1,2,4−チアジアゾー
ル−3−イル’)−(Z)−2−メトキシイミノアセト
アミド) −3−((El−3−(カルバモイルメチル
エチルメチルアンモニオ)−1−プロペニル)−3−セ
フェム−4−カルボキシレート 実験例5の化合物2.OQをジメチルホルムアミド4−
に溶解し、エチルメチルアミノアセトアミド280■を
加え、室温で1日撹拌した。エチルエーテルを加え、生
じた沈澱を分取した。これをクロロホルム−メタノール
混液に溶解し、溶液をエチルエーテル中に加え、生じた
沈澱を炉取した。
この沈澱をトリフルオロ酢酸10−とチオアニソール1
0rnlの混液中に加え、水冷下1時間撹拌した。
反応液にイソプロピルエーテルを加え、析出した沈澱を
炉取した。この沈澱を水に懸濁し、不溶物を枦去した。
炉液を逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精
製し、目的物46mgをジアステレオマー混合物(1:
 1)として得た。
実施例1,2と同様にして次の化合物を合成した。
Aのアンモニオ基の部分に起因して複数の異性体が生成
する場合があるが、これを分離した場合には、異性体刑
に収量を示した。。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1は低級アルキル基を示し、Aは次の基: ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 (R_2は同一または異なる低級アルキル基、R_3は
    低級アルキル基またはヒドロキシ低級アルキル基、R_
    4は低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基または
    カルバモイル低級アルキル基、R_5は水素原子または
    ヒドロキシ低級アルキル基を示す)から選択される基を
    示す〕で表わされるセフェム誘導体またはその非毒性塩
  2. (2)一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1は低級アルキル基を示し、Aは次の基: ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 (R_2は同一または異なる低級アルキル基、R_3は
    低級アルキル基またはヒドロキシ低級アルキル基、R_
    4は低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基または
    カルバモイル低級アルキル基、R_5は水素原子または
    ヒドロキシ低級アルキル基を示す)から選択される基を
    示す〕で表わされるセフェム誘導体またはその非毒性塩
    の製造において、一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1は前記のとおり、Xはハロゲン原子を示
    す〕で表わされる化合物、そのアミノ基およびまたはカ
    ルボキシル基が保護基で保護された化合物、またはそれ
    らの塩に、式: A′ 〔A′は前記のAに対応するアミンを示す〕で表わされ
    る化合物、またはその塩を反応させ、必要により保護基
    を脱離することを特徴とする製造方法。
  3. (3)一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1は低級アルキル基を示し、Aは次の基: ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、 (R_2は同一または異なる低級アルキル基、R_3は
    低級アルキル基またはヒドロキシ低級アルキル基、R_
    4は低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルキル基または
    カルバモイル低級アルキル基、R_5は水素原子または
    ヒドロキシ低級アルキル基を示す)から選択される基を
    示す〕で表わされるセフェム誘導体またはその非毒性塩
    からなる抗菌剤。
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