JPH01259587A - 半導体レーザの実装方法 - Google Patents
半導体レーザの実装方法Info
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- JPH01259587A JPH01259587A JP8701288A JP8701288A JPH01259587A JP H01259587 A JPH01259587 A JP H01259587A JP 8701288 A JP8701288 A JP 8701288A JP 8701288 A JP8701288 A JP 8701288A JP H01259587 A JPH01259587 A JP H01259587A
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- semiconductor laser
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- metal
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 13
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241001648319 Toronia toru Species 0.000 description 1
- 238000011888 autopsy Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
ヒートシンクに融着金属を介して融着する半導体レーザ
の実装方法に関する。
の実装方法に関する。
従来の半導体レーザの実装方法は第４図に示すように、
半導体レーザ結晶の＜４０２）Ｐ型オーミック電極上に
（４０１）の融着金属を全面蒸着したｆｊｌ開し、ヒー
トシンクにダイボンドしていた。
半導体レーザ結晶の＜４０２）Ｐ型オーミック電極上に
（４０１）の融着金属を全面蒸着したｆｊｌ開し、ヒー
トシンクにダイボンドしていた。
しかし従来の技術では、ダイボンド後、半導体レーザと
ヒートシンクの接触面から融着金属がはみ出してしまい
、はみ出した融着金属が半導体レーザ結晶の側面と接触
しＩ−Ｖ特性が悪化する、レーザ出射端面にはみ出しな
融着金属にレーザ光が反射し、ニアフィールドパターン
やファーフィルドパターンが悪化する等の問題を有して
いた。
ヒートシンクの接触面から融着金属がはみ出してしまい
、はみ出した融着金属が半導体レーザ結晶の側面と接触
しＩ−Ｖ特性が悪化する、レーザ出射端面にはみ出しな
融着金属にレーザ光が反射し、ニアフィールドパターン
やファーフィルドパターンが悪化する等の問題を有して
いた。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、ダイボンド後、特性悪化するこ
とのない半導体レーザの実装方法を提供するところにあ
る。
の目的とするところは、ダイボンド後、特性悪化するこ
とのない半導体レーザの実装方法を提供するところにあ
る。
上記課題を解決するために本発明の半導体レーザの実装
方法は、 （１）半導体レーザ結晶の半導体薄膜成長層上のオーミ
ック電極側の面上に前記オーミック電極側の面の各辺か
ら離れた内側にヒートシンク融着用の融着金属を蒸着す
る工程と、前記半導体レーザ結晶を前記融着金属を介し
ヒートシンクにダイボンドする工程を含むことを特徴と
する。
方法は、 （１）半導体レーザ結晶の半導体薄膜成長層上のオーミ
ック電極側の面上に前記オーミック電極側の面の各辺か
ら離れた内側にヒートシンク融着用の融着金属を蒸着す
る工程と、前記半導体レーザ結晶を前記融着金属を介し
ヒートシンクにダイボンドする工程を含むことを特徴と
する。
（２）前記融着金属を前記オーミック電極側の面の各辺
から５μｍ以上離れた内側に形成することを特徴とする
。
から５μｍ以上離れた内側に形成することを特徴とする
。
第１図は本発明の半導体レーザの斜視図である。
（１０５）のｎ型ＧａＡｓ基板に（１０４）のダブルへ
テロ構造を有する半導体薄膜成長層を有機金属化学気相
成長法によって形成し、半導体薄膜成長層側に（１０３
）の５ｉ０２層、（１０２）のＰ型オーミック電極、さ
らにｎ型ＧａＡｓ基板側に（１０６）ｎ型オーミック電
極を形成した半導体レーザ結晶上に（１０１）の融着金
属を形成する。（１０１）の融着金属は（１０２）のＰ
型オーミック電極上にレジストパターンを通常のフォト
工程により形成し、融着金属を蒸着した後、（１０１）
の融着金属パターン以外の部分をレジストと共にリフト
オフする工程によって形成される。
テロ構造を有する半導体薄膜成長層を有機金属化学気相
成長法によって形成し、半導体薄膜成長層側に（１０３
）の５ｉ０２層、（１０２）のＰ型オーミック電極、さ
らにｎ型ＧａＡｓ基板側に（１０６）ｎ型オーミック電
極を形成した半導体レーザ結晶上に（１０１）の融着金
属を形成する。（１０１）の融着金属は（１０２）のＰ
型オーミック電極上にレジストパターンを通常のフォト
工程により形成し、融着金属を蒸着した後、（１０１）
の融着金属パターン以外の部分をレジストと共にリフト
オフする工程によって形成される。
第２図は本発明の半導体レーザをヒートシンクにダイボ
ンドしたものを示す図である。＜２０１）半導体レーザ
結晶のＰ型オーミック電極面の内側に形成された（２０
２）の融着金属は（２０３）のヒートシンクにダイボン
ドしても（２０１）の半導体レーザ結晶より外側へはみ
出ることがなく半導体レーザの特性悪化を防ぐことがで
きる。
ンドしたものを示す図である。＜２０１）半導体レーザ
結晶のＰ型オーミック電極面の内側に形成された（２０
２）の融着金属は（２０３）のヒートシンクにダイボン
ドしても（２０１）の半導体レーザ結晶より外側へはみ
出ることがなく半導体レーザの特性悪化を防ぐことがで
きる。
第３図は本発明の半導体レーザの実装方法により実装し
た半導体レーザのＩ−Ｖ特性を示す図である。第３図の
実線は融着金属を半導体レーザ結晶の面の各辺から５μ
ｍ以上離れた内側に形成した場合で、点線は３μｍしか
離さない場合である。
た半導体レーザのＩ−Ｖ特性を示す図である。第３図の
実線は融着金属を半導体レーザ結晶の面の各辺から５μ
ｍ以上離れた内側に形成した場合で、点線は３μｍしか
離さない場合である。
５μｍ以上離して形成した場合、第２図に示したように
半導体レーザ結晶より外側には融着金属がひろがらない
が、３μｍしか離さない場合には融着金属が半導体レー
ザ結晶の外側にはみ出し、半導体レーザ結晶側面との間
に微少なリーク電流が流れてＩ−Ｖ特性の悪化が起こっ
ている。
半導体レーザ結晶より外側には融着金属がひろがらない
が、３μｍしか離さない場合には融着金属が半導体レー
ザ結晶の外側にはみ出し、半導体レーザ結晶側面との間
に微少なリーク電流が流れてＩ−Ｖ特性の悪化が起こっ
ている。
以上述べたように本発明によれば、融着金属を半導体レ
ーザ結晶の半導体薄膜成長層上のオーミック電極側の各
辺から離れた内側に形成し、それを介してヒートシンク
にダイボンドすることにより、ダイボンドによる融着金
属の半導体レーザ結晶外側へのはみ出しがなくなるため
、半導体レーザ結晶側面とのリークによるＩ−Ｖ特性の
悪化を解決できる。またはみ出した融着金属にレーザ光
が散乱されることもなくなり、半導体レーザの特性を悪
化することなくダイボンドできる。さらにはみ出しの恐
れがないのでダイボンドする際の加重などの条件を自由
にとれるなどの効果を有する。
ーザ結晶の半導体薄膜成長層上のオーミック電極側の各
辺から離れた内側に形成し、それを介してヒートシンク
にダイボンドすることにより、ダイボンドによる融着金
属の半導体レーザ結晶外側へのはみ出しがなくなるため
、半導体レーザ結晶側面とのリークによるＩ−Ｖ特性の
悪化を解決できる。またはみ出した融着金属にレーザ光
が散乱されることもなくなり、半導体レーザの特性を悪
化することなくダイボンドできる。さらにはみ出しの恐
れがないのでダイボンドする際の加重などの条件を自由
にとれるなどの効果を有する。
したがって、ダイボンドの工程での不良を大幅に減らし
、歩留りを向上させる効果も有する。
、歩留りを向上させる効果も有する。
第１図は本発明の実施例における半導体レーザの斜視図
である。 第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例における半導体
レーザをヒートシンクにダイボンドしたものを示す図で
ある。 第３図は本発明の半導体レーザの実装方法により実装し
た半導体レーザのＩ−Ｖ特性を示す図である。 第４図は従来の半導体レーザの実装方法を示す図である
。 １０１．２０２・・融着金属 １０２・・・・・・Ｐ型オーミック電極２０３・・・・
・・ヒートシンク 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（池１名）／ρ／ 融
１金浦 ｉ、！７；＋ Ｐりじ←ミ、ツク電矛復／ρ３
）ｆ；ＤλＡ ／ρ≠ 牛本下Ｐｆ：月失７収表情 ７ρタ ル糧′琳Ａ６界λ尺 ／θｂ へ棺牙−ミ１．Ｉ７噌ζ把Ｅ華 ２、／ 牛５４ｊｆ−レーデ↓巴晶 ｎ２ 融罵金漏 ２ρ３ し−トシシク 第 Ｚ 図 ／ λ ３ グρ／ 融Ａ＋嘱− ７ρ２ Ｐヤ才−５ツ２電ル 剖 μｓ；ｏａ、４ ｙρｙ 牛−！！−４３循後薊ｉ ダｌタ ルミ辱Ａｈ↓捨 ｙρｔ ル型 １′−三ック１把千〉区竿ｙ−所
である。 第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例における半導体
レーザをヒートシンクにダイボンドしたものを示す図で
ある。 第３図は本発明の半導体レーザの実装方法により実装し
た半導体レーザのＩ−Ｖ特性を示す図である。 第４図は従来の半導体レーザの実装方法を示す図である
。 １０１．２０２・・融着金属 １０２・・・・・・Ｐ型オーミック電極２０３・・・・
・・ヒートシンク 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉（池１名）／ρ／ 融
１金浦 ｉ、！７；＋ Ｐりじ←ミ、ツク電矛復／ρ３
）ｆ；ＤλＡ ／ρ≠ 牛本下Ｐｆ：月失７収表情 ７ρタ ル糧′琳Ａ６界λ尺 ／θｂ へ棺牙−ミ１．Ｉ７噌ζ把Ｅ華 ２、／ 牛５４ｊｆ−レーデ↓巴晶 ｎ２ 融罵金漏 ２ρ３ し−トシシク 第 Ｚ 図 ／ λ ３ グρ／ 融Ａ＋嘱− ７ρ２ Ｐヤ才−５ツ２電ル 剖 μｓ；ｏａ、４ ｙρｙ 牛−！！−４３循後薊ｉ ダｌタ ルミ辱Ａｈ↓捨 ｙρｔ ル型 １′−三ック１把千〉区竿ｙ−所
Claims (2)
- （１）半導体レーザ結晶の半導体薄膜成長層上のオーミ
ック電極側の面上に前記オーミック電極側の面の各辺か
ら離れた内側にヒートシンク融着用の融着金属を形成す
る工程と、前記半導体レーザ結晶を前記融着金属を介し
ヒートシンクにダイボンドする工程を含むことを特徴と
する半導体レーザの実装方法。 - （２）前記融着金属を前記オーミック電極側の面の各辺
から５μｍ以上離れた内側に形成することを特徴とする
請求項１項記載の半導体レーザの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8701288A JPH01259587A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体レーザの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8701288A JPH01259587A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体レーザの実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01259587A true JPH01259587A (ja) | 1989-10-17 |
Family
ID=13903053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8701288A Pending JPH01259587A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体レーザの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01259587A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6919216B2 (en) | 2003-05-09 | 2005-07-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing semiconductor laser apparatus |
| JP2007227931A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 高出力アレイ型半導体レーザー装置の製造方法 |
| CN101728762A (zh) * | 2008-10-14 | 2010-06-09 | 夏普株式会社 | 半导体激光装置及其制造方法 |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP8701288A patent/JPH01259587A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6919216B2 (en) | 2003-05-09 | 2005-07-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing semiconductor laser apparatus |
| CN1309126C (zh) * | 2003-05-09 | 2007-04-04 | 夏普株式会社 | 制造半导体激光装置的方法 |
| JP2007227931A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 高出力アレイ型半導体レーザー装置の製造方法 |
| US8153507B2 (en) | 2006-02-22 | 2012-04-10 | Samsung Led Co., Ltd. | Method of manufacturing high power array type semiconductor laser device |
| CN101728762A (zh) * | 2008-10-14 | 2010-06-09 | 夏普株式会社 | 半导体激光装置及其制造方法 |
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