JPH01253629A - 鏡面反射率測定方法 - Google Patents

鏡面反射率測定方法

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JPH01253629A
JPH01253629A JP63081040A JP8104088A JPH01253629A JP H01253629 A JPH01253629 A JP H01253629A JP 63081040 A JP63081040 A JP 63081040A JP 8104088 A JP8104088 A JP 8104088A JP H01253629 A JPH01253629 A JP H01253629A
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Japan
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JP63081040A
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English (en)
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Sadao Kawashima
貞夫 河島
Akio Arai
明男 新井
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Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
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  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、一般に各種光学機器に用いられる反射鏡面の
反射率、例えばレーザビームプリンタのポリゴンミラー
スキャナーの精度評価の1つとしてのその反射率を測定
する方法を改良したものである。
(従来の技術) 従来技術としては、例えば、国内刊行物のNation
al Technical Report Vol、3
3 No、5 Oct。
1987  PP26〜35「ポリゴンミラースキャナ
ーモータ」の第33頁、第15図にはポリゴンミラーの
動特性評価装置の全体的構成図が示され、その中に反射
率測定部が含まれている。
第5図および第6図はその反射率測定方法の概要を示す
。第5図に示すように、レーザ発振器(1)からのレー
ザ光ビームD!、)を鏡面反射率の被測定板(2)に入
射し、その反射光ビーム(!2)をフォトダイオード等
の受光素子(3)で受光し、乙の受光出力と前辺てレー
ザ光ビーム(!1)から測定したレーザ光出力との比で
反射率を測定する。この場合、レーザ光出力は、第6図
に示すように、レーザ光ビーム(Pl)をこの素子(3
)に直接人別して得る較正出力電圧で以て代表される。
この素子(3)は被測定板(2)を中心とする円軌道(
4)のレール上に移動可能に配置され、被測定板(2)
へのレーザ光ビーム(ff、)の入射角を変えるととも
に受光素子(3)の位置を円軌道(4)トでそれに対応
する反射光ビーム(12)の受光位置に変位させて測定
することにより、反射率の入射角依存性を読みとるよう
になっている。
(発明が解決しようとする問題点) 前記の従来技術の測定方法は、較正のためのレーザ光出
力それ自身が誤差数%程度の安定度のものであるので、
この変動の影響により反射率測定誤差が生ずる。またフ
オI・ダイオード等の受光素子(3)についても、受光
部に受光むらが生ずることを免れないので、反射光ビー
ム(!2)を常に一定した位置で受光しない限り誤差を
生ずる。これら両誤差により、測定結果は不正確、不確
かなものになるという問題がある。
本発明はこれら誤差を解消あるいは軽減することを可能
とし反射率測定精度を高める改良測定方法を捉供するこ
とを目的とする。
(問題点を解決するための手段) レーザ光出力の時間的変動に伴う前者の誤差は、本発明
においては、同一光源からのレーザ光ビーム(l、)を
その光路に設けたビームスプリンターにより2分し、そ
の1方のスプリットビーム(10)を固定の受光素子に
受光し、他方のスプリットビーム(ρlb)を反射率被
測定板(2)の鏡板面に入射しその反射光ビーム(n 
zb)を可変位の受光素子に前者と同時に受光するよ・
うにすることにより解消する。同時受光によりレーザ光
出力の時間的変動の影響は除外される。
予めスプリットビーム(f!、、b)を可変位受光素子
に直接受光して得る較正出力(Vlb) とスプリット
ビーム(p!、la)を固定位置受光素子に受光して得
る基準出力(via)とのレーザ光出力の変位に伴う対
応関係を予め求めておれば、反射率を導く反射光ビーム
(尼2b)の受光測定出力(ν2.)と前記較正出力(
v + b)の対比は異時的であっても、前記の測定出
力(vzb)と基準出力(V+、)との同時測定結果か
ら前記(V、ヨ)〜(Vlb)対応関係をとり入れて演
算することにより正しく導き出すことができる。
そしてこの場合、2つの受光素子の差異および可変位受
光素子の真位置での受光状態の差異からする誤差は、2
次元位置検出の可能な受光素子、例えばPSD素子を使
用し、2分したスプリットビーム(10)と(Lb) 
との受光の対応関係を明確とし、スプリットビームOL
、)とその反射光ビーム(Lb)との受光状態を均等と
なるようにすることにより事実上解消させることができ
る。この目的の受光素子としては前記PSD素子の他、
CCDイメージセンサ−カメラ等を用いることができる
。調整不要の固定位置受光素子としてはこれとの対応関
係の食い違いを生じない限りにおいてフォトダイオード
、フォトマルチフライヤー等の異なる種類の受光素子を
用いて差支えない。
これらを総合して、本発明の鏡面反射率の測定方法は、
全体的構成としては、レーザ光源から被測定板の予定取
付位置に向かう光路にヒームスプリッターを配置して、
2分スプリッ1へビームの一方を固定位置の第1の受光
素子に受光し、またスプリットビームの他方を前記取付
位置のまわりに回転するPSD (半導体装置検出素子
)等の2次元位置検出用の第2の受光素子に同距離で受
光するようにし、はじめに被測定板の不存在の状態にお
いて第1受光素子の基準出力と第2受光素子の直接受光
の較正出力とのレーザ光出力の変化に伴う対応表をつく
り、のち被測定板を他方のスプリットビームが或る角度
で入射するよう存在させた状態においてその反射光ビー
ムを第2の受光素子に受光して得る測定出力と前記基準
出力とを同時に測定し、これから前記対応表を参照する
ことによりその角度での反射率を導き出すようにしたこ
とを特徴とする。
(作 用) 本発明方法によると、以上のようにして、レーザ光自身
の基準出力(via)と反射光ビームの測定出力(vz
b)とを同時に検出するので、レーザ出力安定度に起因
する誤差は生じない。また受光素子へのレーザ光(ff
i +−) CI!、+b)および反射光ビーム(I!
、zb)の入射位置を常に定まった位置に設定できるの
で、受光素子の感度むらに基因する誤差が生じない。こ
の両者が相俟ってレーザビーム2分、2素子受光の間の
誤差の介入の余地をなくするので、高精度の鏡面反射率
の測定が可能となる。
(実施例) 以下、本発明の鏡面反射率測定方法を、第1〜4図を参
照し、実施側に即して具体的に説明する。
本発明方法を実施する装置としては、第1および4図に
示すように、レーザ発振器(1)からのレーザ光ビーム
(I!、l)は鏡面反射率を測定しようとする被測定板
(2)が取付けられる位置(C)に向かう。その光路に
はハーフミラ−等のビームスプリッタ−(5)が配置さ
れ、それにより2分された1方のスプリットビーム(I
!、1.)は固定位置の第1受光素子(6)に受光し他
方のスプリットビーム(Lb)は位置(C)を中心とす
る円軌道(4)上を変位する第2受光素子(7)により
受光する。具体的には第2受光素子は駆動ローラ(8)
により駆動される回転リング(9)上に載置されて円軌
道上を変位する。この第2受光素子(7)は、例えば、
第2図に示すような2次元位置検出用PSD(Posi
tion Sensing Device)を用いるの
がよい。
このPSD素子は受光面の4辺に設けた2対の電極(7
’)(7″)の出力より入射光の位置を求めることがで
きる。第1受光素子(6)もなるべく同様なPSD素子
を用いるのが感度調整上都合がよい。2つの受光素子は
2つのスプリットビーム(ffi+、)  (尼3.)
が同距離で入射するよう配置する。
本発明方法では、先ずはじめに、第1図に示すように、
被測定板(2)が除かれて存在しない状態において、一
方のスプリットビーム(I!、1.)を固定位置の第1
受光素子(6)に入射して基準出力(V la)を得、
また第2受光素子(7)をスプリットビーム(Lb)が
直接入射する位置に設定して較正出力(V+b)を得る
。この際、スプリットビーム(I!、1.)  (Lb
)の入射位置を各PSD受光素子のX方向出力、Y方向
出力で確認し、それぞれ同じ値(例えばOV)に設定し
、以後この値となるようにレーザ光スプリットビームの
入射位置を調整する。そしてレーザ光の出力を減光フィ
ルター等で種々に変化させて、2つの−PSD受光素子
(6)(7)の基準出力(V+、)と較正出力<v、b
)との対応表を作製する。第3図にこの対応図表00の
1例を示す。
次に、第4図に示すように、被測定板(2)を位置(C
)に取付け、ビームスプリッタ−(5)と第2受光素子
(7)との間に介在するよう配置し、第2受光素子(7
)を被測定板位置(C)を中心とする円軌道(4)上に
回転変位させ被測定板(2)からの反射光ビーム(p、
2h)が入射する位置に移動させる。
この際被測定板自身の面倒れ誤差および回転機構(8)
 (9)のピッチング、ヨーイング等からする位置精度
の影響が入るので、変位設定したPSD第2受光素子(
力の入射位置に反射光ビーム(1zb)が来ないのが通
例である。そこで位置(C)の被測定板取付治具に、第
2図に併記した3次元座標のLLZ軸方向およびそれぞ
れの軸まわりの回転を行わせる機構を設けて置く。この
機構の操作と第2受光素子のX方向、Y方向出力とで反
射光ビーム(I!、2.)の入射位置を設定位置に合わ
せ、こうしてスプリットビーム(421b)の直接入射
の場合と均等な入射状態となるようにする。この際に第
1受光素子(6)は位置固定であるため調整不要である
こうして第2受光素子(7)の測定出力(V21.)と
第1受光素子(6)の基準出力(ν18)とを同時に測
定する。そしてこれらの出力をA/D変換器(11)に
入力し計算器02)で前記の対応表00)を参照し、直
摘入射光と反射光の関係を演算することで、反射率を精
度よく求めることができる。
被測定板(2)の測定しようとする鏡面はその表面あら
さがレーザ光の波長との関係において全反射をするもの
であるが、それでも散乱光損失があり、それにより反射
率の入射角依存性が生ずる。入射角については、回転リ
ング(9)を駆動する駆動ローラ(8)の回転角をエン
コーダで信号としてとり出し計算器02)に入力するこ
とにより、反射率とともにレーザ光の入射角のデータを
得ることができる。
また、被測定板取付添具のX+y+Z軸移動機構の出力
を取り出すと、被測定板のどの位置にレーザ光を入射さ
せているかを判断できる。従って、X+LZ軸の位置を
任意に設定することで、被測定板の任意の位置の反射率
を測定することが可能となる。
上記の実施例の説明では受光素子としてPSD素子を代
表例として説明したが、CCDイメージセンサ−カメラ
等の2次元位置の測定可能なものも入射位置を調整でき
るため使用可能である。
またレーザ発振器、ビームスプリッターおよび第1受光
素rの位置関係が固定であり変化しない場合は、P S
 I)素子のかわりにフ第1・ダイオード、フオI・マ
ルチプライヤ−を用いても、同様にして本発明方法を実
施することができ、同様な効果が得られる。
(発明の効果) 以北のように本発明によると、レーザ光出力安定度の影
響なく、また受光素子の感度むらの影響なく、反射率を
正確に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の反射率測定方法の前段階の実施状況の
説明用図、第2図はそのPSD受光素子を示す斜視図、
第3図は前段階において得る基準出力と較正出力との相
関関係を示す対応図表、第4図は本発明方法の反射率測
定段階の実施状況の説明用図、第5図は従来技術の反射
率測定方法の実施状況の説明用図、第6図は従来技術の
較正出力測定状況の説明用図である。 (1)・・・レーザ発振器、(2)・・・被測定板、(
3)・・・受光素子、(4)・・・円軌道、(5)・・
・ビームスプリッタ−1、(6)・・・第1受光素子、
(7)・・・第2受光素子、(7’)(7″)・・・電
極、(8)・・・駆動ローラ、(9)・・・回転リング
、00)・・・対応図表、(11)・・・AID変換器
、0の・・・計算器、U、 I)・・・レーザ光ビーム
、 U、 1.) (/2 lb)・・・スプリットビ
ーム、 (I!、2) (fzb)・・・反射光ビーム
、(via)・・・基準出力、(v+b)・・・較正出
力、(ν2.)・・・測定出力、(C)・・・位置、(
X) (Y)・・・出力方向、(x) (y) (z)
・・・軸。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レーザ光源から被測定板の予定取付位置に向かう光路に
    ビームスプリッターを配置して、2分スプリットビーム
    の一方を固定位置の第1の受光素子に受光し、またスプ
    リットビームの他方を前記取付位置のまわりに回転変位
    するPSD(半導体装置検出素子)等の2次元位置検出
    用の第2の受光素子に同距離で受光するようにし、はじ
    めに被測定板の不存在の状態において第1受光素子の基
    準出力と第2受光素子の直接受光の較正出力とのレーザ
    光出力の変化に伴う対応表をつくり、のち被測定板を他
    方のスプリットビームが或る角度で入射するよう存在さ
    せた状態においてその反射光ビームを第2の受光素子に
    受光して得る測定出力と前記基準出力とを同時に測定し
    、これから前記対応表を参照することによりその角度で
    の反射率を導き出すようにしたことを特徴とする鏡面反
    射率測定方法。
JP63081040A 1988-03-31 1988-03-31 鏡面反射率測定方法 Pending JPH01253629A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102768202A (zh) * 2012-07-26 2012-11-07 中国科学院上海光学精密机械研究所 包边大尺寸钕玻璃包边剩余反射检测装置及检测方法
CN102818788A (zh) * 2012-07-26 2012-12-12 中国科学院上海光学精密机械研究所 钕玻璃包边剩余反射的检测装置及检测方法

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CN102768202B (zh) * 2012-07-26 2016-02-10 中国科学院上海光学精密机械研究所 包边大尺寸钕玻璃包边剩余反射检测装置及检测方法

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