JPH01252532A - 酸化物超電導体 - Google Patents
酸化物超電導体Info
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- JPH01252532A JPH01252532A JP63249872A JP24987288A JPH01252532A JP H01252532 A JPH01252532 A JP H01252532A JP 63249872 A JP63249872 A JP 63249872A JP 24987288 A JP24987288 A JP 24987288A JP H01252532 A JPH01252532 A JP H01252532A
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Classifications
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- H10N60/855—Ceramic materials
- H10N60/857—Ceramic materials comprising copper oxide
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、酸素欠損型層状ベロジスカイ1〜型酸化物超
電導体に関する。
電導体に関する。
本発明は、特にイツトリウム及び希土類元素の少なくと
も1つと、アルカリ土類元素の少なくとも1つと、銅及
び酸素よりなる酸化物超電導体の改良に関する。
も1つと、アルカリ土類元素の少なくとも1つと、銅及
び酸素よりなる酸化物超電導体の改良に関する。
本発明は、更にA I B x Ca D z (A
はイツトリウム及び希土類元素の少なくとも1つ、Bは
アルカリ土類元素の少なくとも1つ、Cは銅、Dは酸素
を表す。)で示される酸化物超電導体の改良に関する。
はイツトリウム及び希土類元素の少なくとも1つ、Bは
アルカリ土類元素の少なくとも1つ、Cは銅、Dは酸素
を表す。)で示される酸化物超電導体の改良に関する。
酸素欠損型層状ペロブスカイト型酸化物超電導材料は超
電導臨界温度Tcが90に級の超電導体であることが確
認されている。さらに、Tc≧100にとなる超電導材
料として、フィジカル・レビューレターズ58、&24
、第2579頁(PhysicalReview Le
tters、 voQ 58. Nc24.15Jun
e(Pp2579〜2581)1987)においてイツ
トリウム・バリウム・網・酸素・ふっ素の可能性が論じ
られている。
電導臨界温度Tcが90に級の超電導体であることが確
認されている。さらに、Tc≧100にとなる超電導材
料として、フィジカル・レビューレターズ58、&24
、第2579頁(PhysicalReview Le
tters、 voQ 58. Nc24.15Jun
e(Pp2579〜2581)1987)においてイツ
トリウム・バリウム・網・酸素・ふっ素の可能性が論じ
られている。
上記従来技術は、酸素の一部をF(ふっ素)で置換する
ことによってTc=155 K となる超電導材料を得
ている。
ことによってTc=155 K となる超電導材料を得
ている。
一方、Y(イツトリウム)−Ba(バリウム)−Cu
CIA’) −0(酸素)系超電導材料は、酸素欠陥濃
度によってその超電導特性が大きく変化することが知ら
れており、一般に熱処理によって酸素欠陥濃度を制御し
ている。
CIA’) −0(酸素)系超電導材料は、酸素欠陥濃
度によってその超電導特性が大きく変化することが知ら
れており、一般に熱処理によって酸素欠陥濃度を制御し
ている。
しかし、上記従来技術の場合、酸素欠陥及びF欠陥濃度
の制御、酸素原子とFM子の比率の制御は非常に困難で
ある。そして酸素の一部をF原子で置換した場合、酸素
欠陥及びF欠陥^度のコントロール、さらに酸素原子と
F原子の比率や置換する原子位置により超電導特性が異
なる。
の制御、酸素原子とFM子の比率の制御は非常に困難で
ある。そして酸素の一部をF原子で置換した場合、酸素
欠陥及びF欠陥^度のコントロール、さらに酸素原子と
F原子の比率や置換する原子位置により超電導特性が異
なる。
上記のように超電導特性は、Cu−0原子の2次元構造
を基本としているために、O原子位置にFi子を置換す
ると超電導特性が不安定となり、経時変化が生ずる。
を基本としているために、O原子位置にFi子を置換す
ると超電導特性が不安定となり、経時変化が生ずる。
このように経時変化を引き起こさずにTc を上昇させ
るには、YやBaの原子位置を他の元素で一部置換し、
これにより超電導の担い手であるCu−○の構造に変化
を起こさせることが必要であることを究明した。
るには、YやBaの原子位置を他の元素で一部置換し、
これにより超電導の担い手であるCu−○の構造に変化
を起こさせることが必要であることを究明した。
本発明の目的は、YやBaの一部を他の元素で置換する
ことにより、従来のY−Ba−Cu−0系よりも高い臨
界温度、特に’re)100Kの超電導材料を提供する
ことにある。
ことにより、従来のY−Ba−Cu−0系よりも高い臨
界温度、特に’re)100Kの超電導材料を提供する
ことにある。
本発明は、酸素欠損型層状ペロブスカイト型酸化物超電
導体A−B−C−D (Aはイツトリウム及び希土類元
素の少なくとも1つ、Bはアルカリ土類元素の少なくと
も1つ、Cは銅、Dは酸素を表す。)において、Aの一
部を原子番号81〜83の元素の少なくとも一つで置換
したことにある。
導体A−B−C−D (Aはイツトリウム及び希土類元
素の少なくとも1つ、Bはアルカリ土類元素の少なくと
も1つ、Cは銅、Dは酸素を表す。)において、Aの一
部を原子番号81〜83の元素の少なくとも一つで置換
したことにある。
アルカリ土類元素としては、Ba(バリウム)、Sr(
ストロンチウム)、Ca(カルシウム)及びMg(マグ
ネシウム)から選ばれた少なくとも1つを用いることが
望ましい。
ストロンチウム)、Ca(カルシウム)及びMg(マグ
ネシウム)から選ばれた少なくとも1つを用いることが
望ましい。
原子番号81〜83の元素は、具体的にはBi(ビスマ
ス)、Tl(タリウム)及びpb(鉛)である。
ス)、Tl(タリウム)及びpb(鉛)である。
Bi、TI2及びpbの少なくとも1つを記号Eで表し
たときにA I−1E zで示されるEの置換量X本発
明の酸化物超電導体の好適な成分組合せとしては、Y−
Tl−Ba−Ca−Cu−O、Y −Bi−Ba−Cu
−O、Y−Bi−Sr−Ca −Cu−0,Eu−Bi
−Ba−Cu−○及びY−Tl−Ba−Cu−0がある
。
たときにA I−1E zで示されるEの置換量X本発
明の酸化物超電導体の好適な成分組合せとしては、Y−
Tl−Ba−Ca−Cu−O、Y −Bi−Ba−Cu
−O、Y−Bi−Sr−Ca −Cu−0,Eu−Bi
−Ba−Cu−○及びY−Tl−Ba−Cu−0がある
。
本発明は、特にAIBzCaDz (Aはイツトリウ
ム及び希土類元素の少なくとも1つ、Bはアルカリ土類
元素の少なくとも1つ、Cは綱、Dは酸素を表す。)で
示される酸素欠損型層状ペロブスカイト型酸化物超電導
体において、Aの一部を原子番号81〜83の元素の少
なくとも1つで置換したことを特徴とする。
ム及び希土類元素の少なくとも1つ、Bはアルカリ土類
元素の少なくとも1つ、Cは綱、Dは酸素を表す。)で
示される酸素欠損型層状ペロブスカイト型酸化物超電導
体において、Aの一部を原子番号81〜83の元素の少
なくとも1つで置換したことを特徴とする。
この場合、原子番号81〜83の元素の少なくとも1つ
を記号Eで表したときに、AI−XEXで示される記号
Eの置換量Xは0.95以下とすることが望ましい。
を記号Eで表したときに、AI−XEXで示される記号
Eの置換量Xは0.95以下とすることが望ましい。
(A I−X E x ) B x Ca D zで示
される酸化物超電導体の好適な成分組合せとしては、Y
−Bi−Ba−Cu−O、Y−Tl Ba−Cu
O。
される酸化物超電導体の好適な成分組合せとしては、Y
−Bi−Ba−Cu−O、Y−Tl Ba−Cu
O。
Eu−Bi−Ba−Cu−0及びY−Tl−Ba−Ca
−Cu −0がある。
−Cu −0がある。
本発明は又、A IB z Ca D ?−δ(Aはイ
ツトリウム及び希土類元素の少なくとも1つ、Bはバリ
ウム、Cは銅、Dは酸素を表す、)で示される酸化物超
電導体において、Aの一部を原子番号81〜83の元素
の少なくとも1つで置換したことを特徴とする。
ツトリウム及び希土類元素の少なくとも1つ、Bはバリ
ウム、Cは銅、Dは酸素を表す、)で示される酸化物超
電導体において、Aの一部を原子番号81〜83の元素
の少なくとも1つで置換したことを特徴とする。
この場合、Aの一部をBa或いはpbで置換し、該置換
した元素を記号Eで表したときに、AI−xE工て示さ
れるEの置換量Xは、0.6以下、好ましくは0.05
〜0.5とすることが望ましい。
した元素を記号Eで表したときに、AI−xE工て示さ
れるEの置換量Xは、0.6以下、好ましくは0.05
〜0.5とすることが望ましい。
Aの一部をTfiで置換したときには、TΩを記号Eで
表したときにA 1−x E xで示されるEの置換量
Xは、0.95以下、好ましくは0.05〜0.5とす
ることが望ま七い。
表したときにA 1−x E xで示されるEの置換量
Xは、0.95以下、好ましくは0.05〜0.5とす
ることが望ま七い。
記号Bで表されるアルカリ土類元素をバリウムとしたと
きに、(At−XEX)BtCsD7Jで示される酸化
物超電導体の好適な成分組合せとしては、Y−Bi−B
a−Cu−0,Eu−Bi−Ba −Cu−0及びY−
Tl−Ba−Cu−0がある。
きに、(At−XEX)BtCsD7Jで示される酸化
物超電導体の好適な成分組合せとしては、Y−Bi−B
a−Cu−0,Eu−Bi−Ba −Cu−0及びY−
Tl−Ba−Cu−0がある。
希土類元素としては、原子番号57〜71の元素の少な
くとも1つを用いることが望ましい。特に、La(ラン
タン)、Ce(セリウム)、Pr(プラセオジム)、N
d(ネオジム)、Sm(サマリウム)、Eu(ユーロピ
ウム)、Gd(ガドリニウム)、Tb(テルビウム)、
Dy(ジスプロシウム)、Ho(ホルミウム)、Er(
エルビウムL Tm (ツリウム)、Yb(イッテルビ
ウム)及びLu(ルテチウム)から選ばれた元素の少な
くとも1つを用いることが望ましい。
くとも1つを用いることが望ましい。特に、La(ラン
タン)、Ce(セリウム)、Pr(プラセオジム)、N
d(ネオジム)、Sm(サマリウム)、Eu(ユーロピ
ウム)、Gd(ガドリニウム)、Tb(テルビウム)、
Dy(ジスプロシウム)、Ho(ホルミウム)、Er(
エルビウムL Tm (ツリウム)、Yb(イッテルビ
ウム)及びLu(ルテチウム)から選ばれた元素の少な
くとも1つを用いることが望ましい。
なおAIBzCaD7−8 (0≦δ≦1)で表され
る酸化物超電導体のδは、酸素欠陥濃度である。δが大
体0.3 より小さい範囲では結晶構造は斜方晶となり
、δが大きくなると正方品となる。
る酸化物超電導体のδは、酸素欠陥濃度である。δが大
体0.3 より小さい範囲では結晶構造は斜方晶となり
、δが大きくなると正方品となる。
現在までに、90に級の酸化物超電導体については、磁
束の量子化や交流ジョセフソン効果に関する多くの実験
結果から超電導電流の担体が電荷28を持っていること
が確認されている。担体が電荷2eのペア(クーパーペ
ア)であることは確認されているが、格子振動(フォノ
ン)、電荷のゆらぎ(エキシトンなど)、磁気的ゆらぎ
のいずれが媒介しているのかについては、現在のところ
解っていない。
束の量子化や交流ジョセフソン効果に関する多くの実験
結果から超電導電流の担体が電荷28を持っていること
が確認されている。担体が電荷2eのペア(クーパーペ
ア)であることは確認されているが、格子振動(フォノ
ン)、電荷のゆらぎ(エキシトンなど)、磁気的ゆらぎ
のいずれが媒介しているのかについては、現在のところ
解っていない。
しかし、90に級の酸化物超電導体に関する各種の実験
から、直接、電子同士の強い相関(磁気的ゆらぎ)でペ
アをつくっていることが考えられる。直接、f1重量子
の強い相関ということは、ta子が持つスピンに関する
相互作用によって超電導電子のペアをつくると考えられ
る。
から、直接、電子同士の強い相関(磁気的ゆらぎ)でペ
アをつくっていることが考えられる。直接、f1重量子
の強い相関ということは、ta子が持つスピンに関する
相互作用によって超電導電子のペアをつくると考えられ
る。
この観点から、前述の超電導臨界温度Tc≧100には
、90に級超電導体であるA−B−C−D系酸化物超電
導体のAの一部をBi、Tflやpbで一部置換し、B
i、Tlやpbの電子の平均自由行程が長いことを利用
して、Cu−0−Cu電子相互作用を強くすることによ
り達成される。
、90に級超電導体であるA−B−C−D系酸化物超電
導体のAの一部をBi、Tflやpbで一部置換し、B
i、Tlやpbの電子の平均自由行程が長いことを利用
して、Cu−0−Cu電子相互作用を強くすることによ
り達成される。
以下、本発明の一実施例を説明する。
実施例1
第1図はYBaCuO系酸化物超電導体のYの一部をB
i及びTlで置換した場合の置換量XとTcの関係を示
す。
i及びTlで置換した場合の置換量XとTcの関係を示
す。
材料の作製法はスパッタリング法である。スパッタリン
グ用ターゲットとして、100m+φ×51厚さの円板
状のBaCu0zターゲツトに5×5X1nm’のY及
びCuチップを置き、作製した膜組成がY:Ba:Cu
=1:2:3になるようにした。そして、Yのチップの
一部をBiチップあるいはTΩチップで置き換える方法
によって、作製した薄膜の組成の置換量XをO〜1の範
囲で変えた。スパッタリング条件を表1に示す。
グ用ターゲットとして、100m+φ×51厚さの円板
状のBaCu0zターゲツトに5×5X1nm’のY及
びCuチップを置き、作製した膜組成がY:Ba:Cu
=1:2:3になるようにした。そして、Yのチップの
一部をBiチップあるいはTΩチップで置き換える方法
によって、作製した薄膜の組成の置換量XをO〜1の範
囲で変えた。スパッタリング条件を表1に示す。
表1 スパッタリング条件
表1に示す条件で、膜厚約1μmの薄膜を作製した。ス
パッタリング後、酸素雰囲気中で900〜1000”C
12時間の熱処理を行った。熱処理時の冷却速度は1
’C/ mi口である。
パッタリング後、酸素雰囲気中で900〜1000”C
12時間の熱処理を行った。熱処理時の冷却速度は1
’C/ mi口である。
第1図に示したように、Bi成はTlの置換量Xが0.
05≦X≦0.5の範囲でTcが100に以上となり、
Biの置換量がx ) 0 、6でTcが90に以上と
なった。またTlの置換量が0.15≦X≦0.45の
範囲でTcが110に以上となり。
05≦X≦0.5の範囲でTcが100に以上となり、
Biの置換量がx ) 0 、6でTcが90に以上と
なった。またTlの置換量が0.15≦X≦0.45の
範囲でTcが110に以上となり。
Tnの置換量が0.95以下でTcが90に以上となっ
た。
た。
なお、Tcは通常の4端子法で抵抗Oとなる温度として
求めた値である。
求めた値である。
第2図にBiの置換量がx=0.3 の時の温度−比
抵抗曲線を示す、この時のX線回折パターンより、斜方
晶の結晶構造であることがわかった。
抵抗曲線を示す、この時のX線回折パターンより、斜方
晶の結晶構造であることがわかった。
Biの置換量Xがx > 0 、6 の範囲では、斜方
晶以外の構造と思われる回折ピークが生じ、しかもTc
は90に以下に低下したa B iの置換量がX=1.
0の全置換の場合、超電導特性を示さなかった。
晶以外の構造と思われる回折ピークが生じ、しかもTc
は90に以下に低下したa B iの置換量がX=1.
0の全置換の場合、超電導特性を示さなかった。
以上の様に、(Yx−xBix) IBazcus○2
系或いは(Yt−xTux)tBa−zcuaoz系の
酸化物超電導体では、Biの置換量Xを0.6以下、T
flの置換量を0.95以下にすることにより、高臨界
温度の超電導体が得られることがわがった。
系或いは(Yt−xTux)tBa−zcuaoz系の
酸化物超電導体では、Biの置換量Xを0.6以下、T
flの置換量を0.95以下にすることにより、高臨界
温度の超電導体が得られることがわがった。
また得られたTc上100Kの薄膜は、大気中に長時間
放置しても、その特性に変化は見られなかった。
放置しても、その特性に変化は見られなかった。
実施例2
本実施例では、Y−Bi−Sr−Ca−Cu −○より
なる酸化物超電導体について示す。
なる酸化物超電導体について示す。
出発原料として、Y20a+ B 1(NOII)IS
r COa、 Ca COa、 Cu Oを用い、出
来上がり組成が、YJixSrtCatCutOz及び
Y0.tBi0.9SrtCazCutO□になるよう
に配合、混合して、いずれも870℃の温度で焼成した
。
r COa、 Ca COa、 Cu Oを用い、出
来上がり組成が、YJixSrtCatCutOz及び
Y0.tBi0.9SrtCazCutO□になるよう
に配合、混合して、いずれも870℃の温度で焼成した
。
超電導臨界温度Tcは、 YtB+tSrtCatCu
tOzが120にであり、Y0.tBi0.n5rtC
axCutOzが110にであった。
tOzが120にであり、Y0.tBi0.n5rtC
axCutOzが110にであった。
実施例3
本実施例では、Y−Tl−Ba−Cu−0及びY−Tn
−Ba−Ca−Cu−0よりなる酸化物超電導体につい
て示す。
−Ba−Ca−Cu−0よりなる酸化物超電導体につい
て示す。
出発原料には、Y2O11,T n 203. B a
COa。
COa。
CaC0a及びCuOを用いた。これらを目標とする組
成が得られるように配合、混合して焼成した。
成が得られるように配合、混合して焼成した。
表2に、作製した酸化物超電導体の組成、焼成温度及び
超電導臨界温度Tcを示す、なお、表2には、比較例と
してY−Ba−Cu−0についても示した。
超電導臨界温度Tcを示す、なお、表2には、比較例と
してY−Ba−Cu−0についても示した。
表 2
Yの一部をTflで置換することにより、超電導臨界温
度を高めることができた。
度を高めることができた。
実施例4
本実施例では、Eu−Bi−Ba−Cu−〇よりなる酸
化物超電導体について示す。
化物超電導体について示す。
出発原料として、E uzos、 B 1toa、 B
aC0a。
aC0a。
CuOを用い、出来上がり組成が、
Eu0.aB i0.zBazcusozとなるように
配合。
配合。
混合して830℃で5時間続いて925℃で10時間焼
成した。
成した。
超電導臨界温度102にであった。
本発明によれば、A−B−C−D (Aはイツトリウム
及び希土類元素の少なくとも1つ、Bはアルカリ土類元
素の少なくとも1つ、Cは銅、Dは酸素を表す。)で示
される酸化物超電導体のAの一部をBiTlあるいはp
bで置換することにより、超電導臨界温度Tcが90に
以上或は100に以上となり、経時変化もなく、液体窒
素温度以上で安定した超電導特性が得られるという効果
がある。
及び希土類元素の少なくとも1つ、Bはアルカリ土類元
素の少なくとも1つ、Cは銅、Dは酸素を表す。)で示
される酸化物超電導体のAの一部をBiTlあるいはp
bで置換することにより、超電導臨界温度Tcが90に
以上或は100に以上となり、経時変化もなく、液体窒
素温度以上で安定した超電導特性が得られるという効果
がある。
さらに、本発明の酸化物超電導体を各種エレクトロニク
スデバイスやエネルギー用機器に用いることにより、超
電導臨界温度Tcが冷媒温度T。
スデバイスやエネルギー用機器に用いることにより、超
電導臨界温度Tcが冷媒温度T。
(液体窒素の場合77K)よりも高くなり、動作マージ
ンが広くとれ、応用範囲が拡がるという効果がある。
ンが広くとれ、応用範囲が拡がるという効果がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、酸素欠損型層状ペロブスカイト型酸化物超電導体A
−B−C−D(Aはイットリウム及び希土類元素の少な
くとも1つ、Bはアルカリ土類元素の少なくとも1つ、
Cは銅、Dは酸素を表す。)において、前記Aの一部を
原子番号81〜83の元素の少なくとも1つで置換した
ことを特徴とする酸化物超電導体。 2、請求項1において、前記原子番号81〜83の元素
を記号Eで表したときにA_1_−_xE_xで示され
るEの置換量xが0.95以下であることを特徴とする
酸化物超電導体。 3、請求項1において、Y−Tl−Ba−Ca−Cu−
O、Y−Bi−Ba−Cu−O、Y−Bi−Sr−Ca
−Cu−O、Eu−Bi−Ba−Cu−O又はY−Tl
−Ba−Cu−Oよりなることを特徴とする酸化物超電
導体。 4、請求項1において、Y_1Bi_1Sr_1Ca_
1CU_1O_zよりなることを特徴とする酸化物超電
導体。 5、請求項1において、Y_0_._1Bi_0_._
9Sr_1Ca_1Cu_1O_zよりなることを特徴
とする酸化物超電導体。 6、請求項1において、Y_0_._2Tl_0_._
8Ba_1Ca_1Cu_2O_zよりなることを特徴
とする酸化物超電導体。 7、酸素欠損型層状ペロブスカイト型酸化物超電導体A
_1B_2C_3D_z(Aはイットリウム及び希土類
元素の少なくとも1つ、Bはアルカリ土類元素の少なく
とも1つ、Cは銅、Dは酸素を表す。)において、前記
Aの一部を原子番号81〜83の元素の少なくとも1つ
で置換したことを特徴とする酸化物超電導体。 8、請求項7において、前記Aの一部をTl置換し、該
元素を記号Eで表したときにA_1_−_xE_xで示
されるEの置換量xが0.95以下であることを特徴と
する酸化物超電導体。 9、請求項7において、Y−Bi−Ba−Cu−O、Y
−Tl−Ba−Cu−O又はY−Tl−Ba−Ca−C
u−O、Eu−Bi−Ba−Cu−Oよりなることを特
徴とする酸化物超電導体。 10、酸素欠損型層状ペロブスカイト型酸化物超電導体
A_1B_2C_3D_7_−_■(Aはイットリウム
及び希土類元素の少なくとも1つ、Bはバリウム、Cは
銅、Dは酸素)において、前記Aの一部を原子番号81
〜83の元素の少なくとも1つで置換したことを特徴と
する酸化物超電導体。 11、請求項10において、前記Aの一部をビスマスま
たは鉛で置換し、該置換した元素を記号Eで表したとき
にA_1_−_xE_xで示されるEの置換量が0.6
以下であることを特徴とする酸化物超電導体。 12、請求項10において、前記Aの一部をタリウムで
置換し、該タリウムを記号Eで表したときにA_1_−
_xE_xで示されるEの置換量xが0.95以下であ
ることを特徴とする酸化物超電導体。 13、請求項10において、Y−Bi−Ba−Cu−O
、Eu−Bi−Ba−Cu−O又はY−Tl−Ba−C
u−Oよりなることを特徴とする酸化物超電導体。 14、請求項10において、前記原子番号81〜83の
元素記号Eで表したときにA_1_−_xE_xで示さ
れるEの置換量xが0.05〜0.5であることを特徴
とする酸化物超電導体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63249872A JPH01252532A (ja) | 1987-11-11 | 1988-10-05 | 酸化物超電導体 |
EP88118838A EP0316009A3 (en) | 1987-11-11 | 1988-11-11 | Oxide superconductor |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28333987 | 1987-11-11 | ||
JP62-283339 | 1987-11-11 | ||
JP63249872A JPH01252532A (ja) | 1987-11-11 | 1988-10-05 | 酸化物超電導体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01252532A true JPH01252532A (ja) | 1989-10-09 |
Family
ID=26539529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63249872A Pending JPH01252532A (ja) | 1987-11-11 | 1988-10-05 | 酸化物超電導体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0316009A3 (ja) |
JP (1) | JPH01252532A (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1338754C (en) * | 1987-12-28 | 1996-12-03 | Jun Akimitsu | Metal oxide material |
AU635410B2 (en) * | 1988-01-15 | 1993-03-18 | University Of Arkansas, The | A high temperature superconductor system and processes for making same |
US4962083A (en) * | 1988-02-12 | 1990-10-09 | University Of Arkansas | High temperature T1-Ba-Ca-Cu-O and T1-Sr-Cu-O superconductor |
US4994432A (en) * | 1988-01-15 | 1991-02-19 | University Of Arkansas | High temperature superconductor system and processes for making same |
DE68921648T2 (de) * | 1988-01-15 | 1995-07-27 | Univ Arkansas | Supraleiter und Verfahren zu deren Herstellung. |
US5106830A (en) * | 1988-01-15 | 1992-04-21 | University Of Arkansas | High temperature superconductor system having the formula Tl-Ba-Cu-O |
EP0560464B1 (en) * | 1988-02-05 | 1995-12-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Superconductive oxide materials |
US5073536A (en) * | 1988-02-12 | 1991-12-17 | The University Of Arkansas | High temperature superconductors comprising Tl--Ca--Ba--O, Tl--Sr--Ba--Cu--O--Sr--Cu--O |
US5112800A (en) * | 1988-08-25 | 1992-05-12 | The University Of Arkansas | Preparation of superconducting Tl-Ba-Ca-Cu-O thin films by Tl2 O3 |
DE68921144T2 (de) * | 1988-11-07 | 1995-06-14 | Nec Corp | Oxidsupraleiter-Zusammensetzung und Prozess zu deren Herstellung. |
US5215962A (en) * | 1990-02-26 | 1993-06-01 | The University Of Arkansas | 90 K Tl-Ba-Ce-Cu-O superconductor and processes for making same |
US5096881A (en) * | 1990-03-15 | 1992-03-17 | The University Of Arkansas | Preparation of a superconducting Tl2 Ca2 Ba2 Cu3 O.sub.x2 O3 vapor |
CA2043894A1 (en) * | 1990-09-12 | 1992-03-13 | Zhengzhi Sheng | M-r-t1-sr-cu-o based superconductors above liquid nitrogen temperature and processes for making same |
DE69423082T2 (de) * | 1993-12-27 | 2000-06-08 | Int Superconductivity Tech | Supraleiter und Verfahren zu dessen Herstellung |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4880773A (en) * | 1987-07-25 | 1989-11-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting material and a method for preparing the same |
JP2571789B2 (ja) * | 1987-07-26 | 1997-01-16 | 住友電気工業株式会社 | 超電導材料及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-10-05 JP JP63249872A patent/JPH01252532A/ja active Pending
- 1988-11-11 EP EP88118838A patent/EP0316009A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0316009A3 (en) | 1990-04-11 |
EP0316009A2 (en) | 1989-05-17 |
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