JPH0124645Y2 - - Google Patents

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JPH0124645Y2
JPH0124645Y2 JP1979111748U JP11174879U JPH0124645Y2 JP H0124645 Y2 JPH0124645 Y2 JP H0124645Y2 JP 1979111748 U JP1979111748 U JP 1979111748U JP 11174879 U JP11174879 U JP 11174879U JP H0124645 Y2 JPH0124645 Y2 JP H0124645Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 定電圧回路は、一般に、その出力電圧と基準電
圧とを比較し、その比較出力によりその出力電圧
を安定化している。
[Detailed Description of the Invention] A constant voltage circuit generally compares its output voltage with a reference voltage, and stabilizes its output voltage using the comparison output.

第1図はそのような定電圧回路の一例を示すも
ので、T1は安定化されていない直流電圧が供給
される入力端子、T2は安定化された出力電圧が
取り出される出力端子である。そして、Q1〜Q4
は基準電圧を形成するためのトランジスタを示
し、トランジスタQ1,Q2は帰還回路を構成して
いるもので、トランジスタQ1のコレクタが抵抗
器R1を通じて端子T1に接続され、そのエミツタ
が接地され、トランジスタQ2のベースはトラン
ジスタQ1のコレクタに接続され、そのエミツタ
はトランジスタQ1のベースに接続されると共に、
抵抗器R2を通じて接地され、そのコレクタはト
ランジスタQ3のコレクタに接続される。
Figure 1 shows an example of such a constant voltage circuit, where T 1 is an input terminal to which an unregulated DC voltage is supplied, and T 2 is an output terminal from which a stabilized output voltage is taken out. . And Q 1 ~ Q 4
indicates a transistor for forming a reference voltage, and transistors Q 1 and Q 2 constitute a feedback circuit. The collector of transistor Q 1 is connected to terminal T 1 through resistor R 1 , and its emitter is connected to terminal T 1 through resistor R 1. grounded, the base of transistor Q 2 is connected to the collector of transistor Q 1 , its emitter is connected to the base of transistor Q 1 , and
It is grounded through the resistor R 2 , the collector of which is connected to the collector of the transistor Q 3 .

このトランジスタQ3は、これを入力側として
トランジスタQ4と共にカレントミラー回路を構
成しているもので、トランジスタQ3のコレクタ
がトランジスタQ3,Q4のベースに接続され、こ
れらのエミツタが端子T1に接続され、トランジ
スタQ4のコレクタが抵抗器R3を通じて接地され
る。
This transistor Q 3 constitutes a current mirror circuit together with a transistor Q 4 with this as the input side. The collector of the transistor Q 3 is connected to the bases of the transistors Q 3 and Q 4 , and their emitters are connected to the terminal T. 1 and the collector of transistor Q 4 is grounded through resistor R 3 .

また、Q5,Q6は基準電圧と出力電圧とを比較
するためのトランジスタを示す。これらトランジ
スタQ5,Q6は差動アンプの構成とされているも
ので、これらのエミツタは抵抗器R4を通じて接
地され、トランジスタQ5のベースはトランジス
タQ4のコレクタに接続され、トランジスタQ5
コレクタは抵抗器R5を通じて端子T1に接続され、
トランジスタQ6はダイオード接続されると共に、
そのベース及びコレクタは端子T2に接続される。
Moreover, Q 5 and Q 6 indicate transistors for comparing the reference voltage and the output voltage. These transistors Q 5 and Q 6 are configured as a differential amplifier, and their emitters are grounded through a resistor R 4 , the base of transistor Q 5 is connected to the collector of transistor Q 4 , and the base of transistor Q 5 is connected to the collector of transistor Q 4 . The collector of is connected to the terminal T 1 through the resistor R 5 ,
Transistor Q 6 is diode connected and
Its base and collector are connected to terminal T2 .

さらに、Q7は比較出力に基いて出力電圧を一
定に制御するトランジスタを示し、そのエミツタ
は端子T1に接続され、そのコレクタは端子T2
接続され、そのベースはトランジスタQ5のコレ
クタに接続される。
Furthermore, Q 7 indicates a transistor that controls the output voltage constant based on the comparison output, its emitter is connected to the terminal T 1 , its collector is connected to the terminal T 2 , and its base is connected to the collector of the transistor Q 5 . Connected.

従つて、トランジスタQ1のベース電位が例え
ば上昇すると、そのコレクタ電流が増加してトラ
ンジスタQ2のベース電位は低下し、そのコレク
タ電流が減少するので、トランジスタQ1のベー
ス電位は低下し、すなわち、トランジスタQ1
はトランジスタQ2を通じて負帰還がかかつてい
るので、トランジスタQ1のベース電位は一定に
なる。
Therefore, when the base potential of transistor Q 1 increases, for example, its collector current increases and the base potential of transistor Q 2 decreases, and since its collector current decreases, the base potential of transistor Q 1 decreases, i.e. , since negative feedback is applied to the transistor Q 1 through the transistor Q 2 , the base potential of the transistor Q 1 becomes constant.

そして、トランジスタQ1〜Q7のベース・エミ
ツタ間電圧をVBEとし、ベース電流を無視すれ
ば、抵抗器R2に流れる電流I2は、 I2=VBE/R2 となる。そして、この電流I2はトランジスタQ2
コレクタ電流でもあると共に、トランジスタQ3
Q4はカレントミラー回路を構成しているので、
トランジスタQ4のコレクタ電流I4は、 I4=I2 となる。従つて、抵抗器R3に生じる降下電圧Vr
は、 Vr=I4・R3=VBE・R3/R2 となり、これは一定レベルである。
If the base-emitter voltage of the transistors Q1 to Q7 is VBE , and the base current is ignored, the current I2 flowing through the resistor R2 becomes I2 = VBE / R2 . This current I 2 is also the collector current of the transistor Q 2 , and is also the collector current of the transistor Q 3 ,
Since Q 4 constitutes a current mirror circuit,
The collector current I 4 of the transistor Q 4 is I 4 =I 2 . Therefore, the voltage drop Vr occurring across resistor R3
is Vr=I 4 ·R 3 =V BE ·R 3 /R 2 , which is a constant level.

従つて、抵抗器R3には基準電圧Vrが得られる
ことになり、この電圧VrがトランジスタQ5に供
給される。
Therefore, the reference voltage Vr is obtained at the resistor R3 , and this voltage Vr is supplied to the transistor Q5 .

そして、トランジスタQ5,Q6において、基準
電圧Vrと出力電圧とが比較され、出力電圧が例
えば上昇すると、トランジスタQ5のコレクタ電
流が減少するので、トランジスタQ7のコレク
タ・エミツタ間インピーダンスが大きくなつて出
力電圧は低下し、出力電圧が低下すると、トラン
ジスタQ5のコレクタ電流が増加するので、トラ
ンジスタQ7のインピーダンスが小さくなつて出
力電圧は上昇する。従つて、出力電圧は、電圧
Vrを基準として一定値に安定化される。
Then, in transistors Q 5 and Q 6 , the reference voltage Vr and the output voltage are compared, and when the output voltage increases, for example, the collector current of transistor Q 5 decreases, and the impedance between the collector and emitter of transistor Q 7 increases. As a result, the output voltage decreases, and when the output voltage decreases, the collector current of transistor Q5 increases, so the impedance of transistor Q7 decreases, and the output voltage increases. Therefore, the output voltage is the voltage
It is stabilized at a constant value based on Vr.

そして、この場合、この回路によれば、トラン
ジスタQ2のコレクタ・エミツタ間電圧をVCEとす
ると、トランジスタQ1〜Q3により入力電圧は、 2VBE+VCE1.5〜1.7〔V〕 以上であればよく、従つて、電池で動作するセ
ツトにおいて有利である。また、IC化も容易で
ある。
In this case, according to this circuit, if the collector-emitter voltage of transistor Q 2 is V CE , the input voltage from transistors Q 1 to Q 3 will be 2V BE + V CE 1.5 to 1.7 [V] or higher. This is advantageous in battery operated sets. In addition, it is easy to integrate it into an IC.

ところが、この回路では、トランジスタQ1
コレクタ電流をI1、その変化分をΔI1、そのベー
ス・エミツタ間の変化分をΔVBEとすると、 ΔVBE26ln(1+ΔI1/I1)[mV] の関係があると共に、電流I1は入力電圧に対応し
て変化するので、入力電圧が変化すると、基準電
圧Vrは変化してしまい、従つて、出力電圧も変
化してしまう。
However, in this circuit, if the collector current of transistor Q 1 is I 1 , its change is ΔI 1 , and the change between its base and emitter is ΔV BE , then ΔV BE 26ln (1 + ΔI 1 /I 1 ) [mV] In addition, the current I 1 changes in accordance with the input voltage, so when the input voltage changes, the reference voltage Vr changes, and therefore the output voltage also changes.

そこで、第2図に示すように、トランジスタ
Q3,Q4もトランジスタQ1,Q2と同様に帰還回路
を構成すると共に、これらを継続接続することが
考えられる。
Therefore, as shown in Figure 2, a transistor
It is conceivable that Q 3 and Q 4 also constitute a feedback circuit in the same way as transistors Q 1 and Q 2 , and that they are continuously connected.

このようにすれば、抵抗器R4に流れる電流I4
は、2段にわたつて安定化されているので、基準
電圧Vrは十分に安定になり、従つて、出力電圧
も十分に安定になる。
In this way, the current I 4 flowing through the resistor R 4
Since Vr is stabilized in two stages, the reference voltage Vr becomes sufficiently stable, and therefore the output voltage also becomes sufficiently stable.

しかし、この回路では、トランジスタQ1〜Q4
により入力電圧は、 3VBE+VCE2.2〜2.4〔V〕 以上必要となり、電池で動作するセツトには不
利である。
But in this circuit, transistors Q 1 to Q 4
Therefore, the input voltage needs to be 3V BE +V CE 2.2 to 2.4 [V] or higher, which is disadvantageous for a battery-operated set.

また、第3図に示すように、トランジスタQ3
Q4によつて帰還回路を構成すると共に、トラン
ジスタQ11,Q12及びQ13,Q14によりそれぞれカ
レントミラー回路を構成して基準電圧Vrを形成
することも考えられる。
Further, as shown in FIG. 3, transistors Q 3 ,
It is also conceivable to configure a feedback circuit using Q 4 and to configure a current mirror circuit using transistors Q 11 , Q 12 and Q 13 , Q 14 to form the reference voltage Vr.

このようにすれば、第2図の回路と同様、基準
電圧Vrは十分に安定になり、出力電圧も十分に
安定になる。しかも、入力電圧は、 2VBE+VCE1.5〜1.7〔V〕 以上であればよい。
In this way, the reference voltage Vr becomes sufficiently stable and the output voltage also becomes sufficiently stable, similar to the circuit shown in FIG. Moreover, the input voltage only needs to be 2V BE +V CE 1.5 to 1.7 [V] or more.

しかし、この回路では、部品点数が多く、IC
といえども好ましくない。
However, this circuit has a large number of parts and the IC
However, I don't like it.

この考案は、以上の問題点を一掃した基準電圧
の形成回路を提供しようとするものである。
This invention aims to provide a reference voltage forming circuit that eliminates the above problems.

以下その一例について説明しよう。 Let's explain one example below.

第4図に示す例においては、トランジスタQ1
〜Q7及び抵抗器R1〜R5が、第1図の回路と同様
に接続されると共に、トランジスタQ8が設けら
れ、そのベースがトランジスタQ1のベースに接
続され、そのコレクタがトランジスタQ4のコレ
クタに接続され、そのエミツタが抵抗器R6を通
じて接地される。
In the example shown in FIG. 4, transistor Q 1
˜Q 7 and resistors R 1 to R 5 are connected in the same way as in the circuit of FIG. 1, and a transistor Q 8 is provided, the base of which is connected to the base of transistor Q 1 and the collector of which is 4 and its emitter is grounded through resistor R6 .

このような構成によれば、トランジスタQ2
ベース電位は、2VBEとなるので、入力電圧をV1
とすれば、トランジスタQ1のコレクタ電流I1は、 I1=(V1−2VBE)/R1 となり、これは第5図の曲線I1として示される。
According to this configuration, the base potential of transistor Q 2 is 2V BE , so the input voltage is reduced to V 1
Then, the collector current I 1 of transistor Q 1 is I 1 =(V 1 −2V BE )/R 1 , which is shown as curve I 1 in FIG.

また、トランジスタQ2のコレクタ電流I2は、 I2=VBE/R2 であり、トランジスタQ3,Q4はカレントミラー
回路を構成しているので、トランジスタQ4のコ
レクタ電流I4も、 I4=VBE/R2 となり、これは第5図に曲線I4として示される。
なお、この電流I4は、第1図の回路における電流
I4と全く同じである。
In addition, the collector current I 2 of the transistor Q 2 is I 2 =V BE /R 2 , and since the transistors Q 3 and Q 4 constitute a current mirror circuit, the collector current I 4 of the transistor Q 4 is also I 4 =V BE /R 2 , which is shown in FIG. 5 as curve I 4 .
Note that this current I 4 is the current in the circuit shown in Figure 1.
Exactly the same as I 4 .

さらに、R6=0であるとすれば、トランジス
タQ1とQ8とは等しいベースバイアスが供給され
るので、このときのトランジスタQ8のコレクタ
電流I8はコレクタ電流I1に一致し、これは第5図
の曲線I1で示される。しかし、実際には、R6≠0
なので、トランジスタQ8のベースバイアスは、
トランジスタQ1のベースバイアスに比べ、抵抗
器R6に対応した値だけ小さく、従つて、トラン
ジスタQ8のコレクタ電流I8は、第5図に曲線I8
して示すように、コレクタ電流I1に比べて抵抗器
R6に対応した割り合いで小さくなる。そして、
この場合、抵抗器R6を所定値Rrとしておくこと
により、第5図に示すように、曲線I8を、曲線I4
にほぼ平行にすることができる。
Furthermore, if R 6 = 0, transistors Q 1 and Q 8 are supplied with the same base bias, so the collector current I 8 of transistor Q 8 at this time matches the collector current I 1 , and this is shown by curve I 1 in FIG. But in reality, R 6 ≠0
So, the base bias of transistor Q8 is
Compared to the base bias of transistor Q 1 , it is smaller by a value corresponding to resistor R 6 , and therefore the collector current I 8 of transistor Q 8 is smaller than the collector current I 1 as shown as curve I 8 in FIG. resistor compared
It becomes smaller at a rate corresponding to R 6 . and,
In this case, by setting the resistor R 6 to a predetermined value Rr, the curve I 8 is changed to the curve I 4 as shown in FIG.
can be made almost parallel to

そして、トランジスタQ4,Q8はエミツタ接地
とされているので、これは定電流源として作用
し、その出力インピーダンスは大きい。従つて、
抵抗器R3には、電流I4とI8との差の電流(I4−I8
が流れることになると共に、曲線I4とI8とはほぼ
平行なので、電流(I4−I8)は番5図に示すよう
に横軸に対してほぼ平行となり、すなわち、入力
電圧V1が変化しても、電流(I4−I8)はほぼ一定
である。
Since the emitters of transistors Q 4 and Q 8 are grounded, they act as constant current sources and have a large output impedance. Therefore,
Resistor R 3 has a current of the difference between currents I 4 and I 8 (I 4I 8 )
flows, and since the curves I 4 and I 8 are almost parallel, the current (I 4 - I 8 ) is almost parallel to the horizontal axis as shown in Figure 5, that is, the input voltage V 1 Even if the current (I 4 −I 8 ) changes, the current (I 4 −I 8 ) remains almost constant.

従つて、抵抗器R3には、入力電圧V1にかかわ
らず一定の基準電圧Vrが得られることになるの
で、入力電圧が変化しても出力電圧も一定に安定
化される。
Therefore, a constant reference voltage Vr is obtained at the resistor R3 regardless of the input voltage V1 , so that the output voltage is also stabilized to a constant value even if the input voltage changes.

こうして、この考案によれば、入力電圧V1
変動してもきわめて安定な基準電圧Vrを得るこ
とができる。すなわち、トランジスタQ8及び抵
抗器R6が接続されていない場合(第1図の回路
の場合)には、電流I4が抵抗器R3に流れて基準電
圧Vrが形成されると共に、この電流I4は第5図
に示すように、入力電圧V1の変化に対して比較
的大きく変化するので、基準電圧Vrも入力電圧
V1の変化に対して比較的大きく変化する。
Thus, according to this invention, an extremely stable reference voltage Vr can be obtained even if the input voltage V1 fluctuates. That is, when the transistor Q 8 and the resistor R 6 are not connected (in the case of the circuit shown in Fig. 1), the current I 4 flows through the resistor R 3 to form the reference voltage Vr, and this current As shown in Figure 5, I 4 changes relatively significantly with respect to changes in input voltage V 1 , so reference voltage Vr also changes due to input voltage V 1.
It changes relatively significantly with respect to changes in V 1 .

しかし、この考案においては、トランジスタ
Q8及び抵抗器R6を接続しているので、電流(I4
−I8)が抵抗器R3に流れて基準電圧Vrが形成さ
れ、このとき、電流(I4−I8)は入力電圧V1の変
化に対してきわめて安定なので、基準電圧Vrも
入力電圧V1の変化に対してきわめて安定になる。
However, in this idea, the transistor
Since we connect Q 8 and resistor R 6 , the current (I 4
−I 8 ) flows through resistor R 3 to form the reference voltage Vr. At this time, since the current (I 4 −I 8 ) is extremely stable with respect to changes in the input voltage V 1 , the reference voltage Vr also changes to the input voltage Vr. It becomes extremely stable against changes in V 1 .

また、入力電圧V1は、 2VBE+VCE=1.5〜1.7〔V〕 以上であればよく、すなわち、最低必要電圧が
小さくなるので、電池で動作するセツトに好適で
ある。さらに、第1図の回路に比べ、トランジス
タQ8及び抵抗器R6が増加するだけで部品点数が
少なく、IC化する場合にも有利である。
In addition, the input voltage V 1 only needs to be 2V BE +V CE = 1.5 to 1.7 [V] or more, that is, the minimum required voltage is small, so it is suitable for a battery-operated set. Further, compared to the circuit shown in FIG. 1, the number of components is reduced by only increasing the transistor Q 8 and the resistor R 6 , which is advantageous when integrated into an IC.

第6図はこの考案の他の例を示し、この例にお
いては、トランジスタQ1のコレクタ及びベース
がトランジスタQ8のベースに接続され、抵抗器
R1とトランジスタQ1のコレクタとの間に、トラ
ンジスタQ9のコレクタ・エミツタ間が接続され
ると共に、このトランジスタQ9のコレクタ及び
ベースがトランジスタQ2のベースに接続される。
FIG. 6 shows another example of this invention, in which the collector and base of transistor Q 1 are connected to the base of transistor Q 8 , and a resistor
The collector and emitter of a transistor Q9 are connected between R1 and the collector of the transistor Q1 , and the collector and base of the transistor Q9 are connected to the base of the transistor Q2 .

従つて、トランジスタQ2のベース電位は、ト
ランジスタQ9,Q1によつて2VBEとなるので、ト
ランジスタQ2のエミツタ電位はVBEとなる。従つ
て、トランジスタQ2のコレクタ電流I2は、 I2=VBE/R2 となるので、トランジスタQ4のコレクタ電流I4も I4=VBE/R2 となり、これは、やはり第5図の曲線I4で示され
る。
Therefore, the base potential of the transistor Q 2 becomes 2V BE due to the transistors Q 9 and Q 1 , so the emitter potential of the transistor Q 2 becomes V BE . Therefore, since the collector current I 2 of the transistor Q 2 becomes I 2 =V BE /R 2 , the collector current I 4 of the transistor Q 4 also becomes I 4 =V BE /R 2 , which is also the fifth It is shown by curve I 4 in the figure.

そして、トランジスタQ8のコレクタ電流I8は、
第5図の曲線I8で示されるので、抵抗器R3には電
流(I4−I8)が流れて一定の基準電圧Vrが得られ
る。
And the collector current I 8 of transistor Q 8 is
As shown by the curve I 8 in FIG. 5, a current (I 4 −I 8 ) flows through the resistor R 3 and a constant reference voltage Vr is obtained.

なお、上述において抵抗器R3に代えて、ある
いは抵抗器R3に直列にダイオードを接続すれば、
基準電圧Vrをより安定にできる。
In addition, in the above, if a diode is connected in series with the resistor R 3 or in place of the resistor R 3 ,
The reference voltage Vr can be made more stable.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図〜第3図はこの考案を説明するための接
続図、第4図はこの考案の一例の接続図、第5図
はその説明のための図、第6図はこの考案の他の
例の接続図である。 T1は入力端子、T2は出力端子、Q1〜Q9はトラ
ンジスタである。
Figures 1 to 3 are connection diagrams for explaining this invention, Figure 4 is a connection diagram of an example of this invention, Figure 5 is a diagram for explaining it, and Figure 6 is another example of this invention. FIG. 3 is an example connection diagram. T1 is an input terminal, T2 is an output terminal, and Q1 to Q9 are transistors.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 所定の電圧が供給され、この供給電圧に基づい
てベース・エミツタ間電圧が取り出される第1の
トランジスタと、この第1のトランジスタのベー
ス・エミツタ間電圧が供給される抵抗と、この抵
抗に流れる電流を取り出す第2のトランジスタ
と、この第2のトランジスタの出力により上記抵
抗に流れる電流に対応したコレクタ電流を得る第
3のトランジスタと、上記第1のトランジスタに
よつて取り出されたベース・エミツタ間電圧がそ
のベースに供給されると共に、そのエミツタに抵
抗が接続された第4のトランジスタとを有し、上
記一方の抵抗の値に対し他方の抵抗の値を所定値
とすることにより上記第3のトランジスタのコレ
クタ電流と上記第4のトランジスタのコレクタ電
流との差電流の、上記供給電圧の変化に対する依
存性を除去して上記差電流に基づいた基準電圧を
得るようにした基準電圧の形成回路。
A first transistor to which a predetermined voltage is supplied and a base-emitter voltage is taken out based on this supplied voltage, a resistor to which the base-emitter voltage of this first transistor is supplied, and a current flowing through this resistor. a third transistor that obtains a collector current corresponding to the current flowing through the resistor by the output of the second transistor; and a base-emitter voltage extracted by the first transistor. is supplied to its base, and a resistor is connected to its emitter, and by setting the value of the other resistor to a predetermined value with respect to the value of the one resistor, the third transistor is A reference voltage forming circuit that removes dependence of a difference current between a collector current of a transistor and a collector current of the fourth transistor on a change in the supply voltage to obtain a reference voltage based on the difference current.
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JPS5116450A (en) * 1974-07-31 1976-02-09 Hitachi Ltd TEIDENRYUKAIRO

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