JPH0124533B2 - - Google Patents

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JPH0124533B2
JPH0124533B2 JP747282A JP747282A JPH0124533B2 JP H0124533 B2 JPH0124533 B2 JP H0124533B2 JP 747282 A JP747282 A JP 747282A JP 747282 A JP747282 A JP 747282A JP H0124533 B2 JPH0124533 B2 JP H0124533B2
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JP
Japan
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reaction
combustion gas
chamber
gas passage
combustion
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Expired
Application number
JP747282A
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English (en)
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JPS58124530A (ja
Inventor
Shinzo Takarada
Tetsuo Kimura
Kyokata Chimasa
Akira Arai
Akira Hosonuma
Goro Oguchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Publication date
Application filed by Mitsui Toatsu Chemicals Inc filed Critical Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority to JP747282A priority Critical patent/JPS58124530A/ja
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Publication of JPH0124533B2 publication Critical patent/JPH0124533B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/02Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds
    • B01J8/0285Heating or cooling the reactor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
  • Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、吸熱反応によつて供給原料ガスから
反応生成ガスを得るための吸熱反応装置の改良に
関する。
吸熱反応を促進せしめる触媒を用いて、炭化水
素を含む原料ガスを水素ガスの如き工業上利用価
値の高いガスに転換する吸熱反応装置は、当技術
分野においてよく知られている。例えば供給原料
ガスから水素ガスを生成する最も一般的な技術
は、燃焼炉内に、触媒によつて満たされた円筒状
あるいは環状の反応室を配置し、この反応室内に
炭化水素を含む原料ガスを通過させることによ
り、スチームリフオーミングすることである。こ
のような吸熱反応装置においては、加熱用燃焼ガ
スによつて反応室に熱を与えるに際し、反応室の
外側から伝熱している。このため、各反応室の表
面を均一に且つ高い熱流束で加熱するには、各反
応室の周囲に比較的広い空間を形成する必要があ
る。また、各反応室と加熱炉炉壁との相対的位置
関係を均一に配置することが必要であるため、か
かる装置は全体として比較的大きな設備とならざ
るをえなかつた。さらに、かかる反応装置は、反
応室に対する伝熱が主として輻射によつているた
めに、加熱炉の燃焼ガスはその出口においても十
分に高温である必要があり、このため、燃焼ガス
によつて装置外に持ち出される熱エネルギーが、
水蒸気製造用エネルギー等として使用されるとし
ても、水素発生の吸熱反応のために直接使用され
る場合に比較すると、その有用性が低いため、全
体としてみると、生成される水素のコスト上昇を
招くことになる。
例えば、燃料として炭化水素を含む原料ガスの
リフオーミングによつて発生する水素を用いる燃
料電池発電設備においては、その経済性を高める
ために、その熱効率を高めると共に、装置および
建設用地のコストを低減することが不可欠であ
る。このような必要性から、より高い熱利用率を
有し、よりコンパクトな装置として構成できるよ
うなスチームリフオーミング設備が要請されてい
る。
かかる要請の下に提案された技術として、特開
昭53−78983号、同53−78992号、同53−79766号、
同53−79768号の各公報等に記載のスチームリフ
オーミング装置が知られている。これらの装置
は、加熱炉内に配置された各反応管の内部に、環
状の反応室を設けると共に、この反応室の内部
に、その顕熱を前記反応室へ伝達させる環状の再
生室と筒状プラグとを設け、且つ各反応室の周囲
に空隙として設けられた燃焼室の下半部に燃焼ガ
スの排出通路を設け、この排出通路が、反応室内
の原料ガスの流れとは逆の流れの燃焼ガスを、反
応室の外壁に接して導出するように構成された技
術である。従つて、かかる装置は、前述した要請
を或る程度満たす技術であると言えよう。
しかしながら、かかる装置であつても、熱効率
を高くし、かつコンパクトな装置にするという要
請を満していないという問題があつた。
すなわち、前記の反応装置には、環状反応室内
の中央部に筒状プラグが設けられている。該プラ
グは再生室内の流速をあげ、伝熱性を良くしよう
とするものであり、該装置にとつては必須のもの
である。従つてこのプラグの存在によつて、該装
置をコンパクト化するには限界があると言える。
本発明は、前記した欠点を解決すべくなされた
ものであつて、本発明の目的とするをころは、従
来必須とされたプラグを廃し、コンパクトであ
り、かつ高熱効率を有する吸熱反応装置を提供す
るにある。
本発明の上記目的は、一端側に原料ガスG1
入口7を有すると共に他端側に反応生成ガスG2
の出口8を有し、吸熱反応に用いられる触媒45
によつて満たされた反応室20と、該反応室20
で生成した反応生成ガスG2を導出させながらそ
の顕熱を前記反応室20へ伝達させる再生室30
と、燃焼室10とを有する吸熱反応装置1におい
て、該反応装置1は反応容器2内に1個又は複数
個の反応管21を並設してなり、該反応管21の
それぞれが中央に円形状の第1燃焼ガス通路11
を有し、該燃焼ガス通路11の外側に接して、前
記反応室20の第1分室20aが配置され、該再
生室30に接して、前記反応室の第2分室20b
が配置され、前記第1分室20a、再生室30及
び第2分室20bのそれぞれが前記第1燃焼ガス
通路11と同心の環状断面を有するごとく配置さ
れており、該各反応管21の外側に第2燃焼ガス
通路12を有しており、前記燃焼室10が前記反
応管21の一端側空間17に、前記第1及び第2
燃焼ガス通路11,12に燃焼ガスを通じさせる
ように配置されていることを特徴とする吸熱反応
装置1によつて達成される。
本発明の好ましい実施態様に従えば、第1図な
いし第3図に示す如く、第1燃焼ガス通路11及
び第2燃焼ガス通路12のそれぞれが上下に区画
されており、各下側区画部分13にパツキング材
料14が充填されている。このパツキング材料1
4は、反応室20への伝熱を促進するものであ
る。なお、この伝熱性を促進するために仕切部材
15を挿入してもよい。
本発明の別の好ましい実施態様に従えば、第3
図に示す如く反応管21が反応装置容器2内に、
複数個平行に並列されており、第2燃焼ガス通路
12が、反応管21の最外壁と上記容器2とに囲
まれた空間に配置されている。従つて燃焼ガスg1
は第1燃焼ガス通路11と第2燃焼ガス通路12
に分かれて反応室20と接触することになり、反
応室20の第1分室20aと第2分室20bの両
方に均等に熱が伝えられることになる。すなわち
この燃焼ガス通路11,12は、反応室20への
伝熱装置として機能するものであり、反応室20
の第1分室20aと第2分室20bとに、同時に
伝熱できるように構成されていることから、本発
明の目的である熱効率のすぐれた装置とすること
ができるのである。この伝熱効率の向上の意味か
らも、前述したようにパツキング材料14を燃焼
ガス通路に充填することは好ましいと言える。こ
のようなパツキング材料14の好しい例として
は、耐熱性の金属あるいはセラミツクの粒子、ま
たは焼結多孔体などをあげることができ、熱伝導
輻射、対流の組合せ機構によつて総合伝熱効率を
向上するものが好ましい。
以下に添付の図面を参照しながら本発明の好ま
しい具体例について説明する。
第1図に例示されている反応装置1は、炭化水
素を原料としてスチームリフオーミングによつて
水素を生成するためのものである。反応装置容器
2の内部には、複数個の反応管21が並設されて
いる。反応管21の配列方法の好しい一例を示す
第3図の如くになる。この方法は、反応装置容器
2が円筒をなす場合についての一例であり、前記
容器2の形状によつて適正な配列とすることが可
能である。各反応管21は、多層環状断面を有し
ており、一番内側に、第1燃焼ガス通路11を、
その外側に、反応室の第1分室20aを、その外
側に再生室30を、その外側に、反応室の第2分
室20bを、形成している。そして反応管21の
外側には、第2燃焼ガス通路12が形成されてい
る。反応室20内には、スチームリフオーミング
触媒45が充填されており、反応室20入口7に
配置された触媒支持部材22上に支持されてい
る。充填層の上端すなわち反応室20の出口8に
は、触媒粒のガス流による流出を防止するための
流出防止板23を設けることができる。反応室2
0の上部は、再生室30に通じさせるため、環状
に配置された半円筒状のキヤツプ24による密封
構造をなしている。本具体例においては、前記キ
ヤツプ24は、セラミツクの如き断熱材によつて
被覆された構造をなしている。原料ガス入口ノズ
ル3より、反応装置1内に導入された炭化水素及
びスチームを含む原料ガスG1は、原料ガスマニ
ホールド5によつて、各反応室20に分岐され、
反応室入口7を通つて第1反応室20aと第2反
応室20bにそれぞれ入り、触媒45の作用によ
つて水素を含む生成ガスG2となつて、反応室出
口8から、反応室20の上部空間25に抜け出る
(第4図参照)。さらに生成ガスG2は、上部空間
25に入口26を持つ再生室30を通つて、反応
装置1下部の生成ガスマニホールド5′に達し、
生成ガス出口ノズル4より、装置1外へ取り出さ
れる。
本具体例において、燃焼室10は反応管21の
上方空間17に配置される。しかし燃焼室10は
反応管21の上方に限定されるものではなく、反
応管21の下方に位置させることもできることは
もとよりである。燃焼室10で発生した燃焼ガス
g1は、第1燃焼ガス通路11と第2燃焼ガス通路
12を通り、合流後燃焼ガス出口ノズル6から装
置1の外部へ排出される。第1及び第2燃焼ガス
通路11,12はそれぞれが上下方向に区画され
ており、各下側区画部分13には伝達熱効率向上
のためのパツキング材料14が充填されており、
該通路下部に設置された支持部材16上に支持さ
れている。本具体例においては、このパツキング
材料14はアルミナボールである。なお、第1燃
焼ガス通路11に充填されたパツキング材料14
により伝熱効率をさらにあげるために、該通路1
1の中央部に仕切部材15を挿入することができ
る。本具体例において、燃焼ガスの流れは反応室
20内のガスの流れとは、反対方向となるように
構成されているが、これも特に限定されるもので
はなく、並流方式においても本発明の実施は可能
である。なお、図中15′は郭定部材を示す。
上記具体例においては、前記各公報記載の吸熱
反応装置と比較して、1.5倍以上のコンパクトな
設計が可能となつた。すなわち前記装置と同じ外
径寸法の場合、反応ガス処理量として、1.5倍以
上の処理能力が可能となつたのである。
以上においては、本発明のその好ましい具体例
において詳細に説明したが、本発明は炭化水素原
料のスチームリフオーミングに限定されるもので
はなく、他の吸熱反応に対しても良好に適用可能
である。
なお、本発明の具体例の説明にあたつては、図
面を基にして上、下の位置説明を行つたが、これ
は絶対的意味における天地方向を示すものではな
い。具体的に述べれば、各図に示す具体例は例え
ば天地逆さであつてもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係る吸熱反応装置の一具体
例を示す概略断面図である。第2図は反応管につ
いての要部断面図である。第3図は第1図の―
線による解図的横断面図である。第4図は反応
管の要部断面図である。 1……吸熱反応装置、2……反応容器、3……
原料ガス入口ノズル、4……反応生成ガス出口ノ
ズル、5……原料ガスマニホールド、6……燃焼
ガス出口ノズル、7……反応室入口、8……反応
室出口、10……燃焼室、11……第1燃焼ガス
通路、12……第2燃焼ガス通路、13……下側
区画部分、14……パツキング材料、15……仕
切部材、16……支持部材、17……反応管の上
方空間、20……反応室、20a……第1分室、
20b……第2分室、21……反応管、22……
触媒支持部材、23……流出防止板、24……キ
ヤツプ、25……反応室の上部空間、26……再
生室入口、30……再生室、45……触媒、G1
……原料ガス、G2……反応生成ガス、g1……燃
焼ガス。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一端側に原料ガスの入口を有すると共に他端
    側に反応生成ガスの出口を有し且つ吸熱反応に用
    いられる触媒によつて満たされた反応室と、該反
    応室で生成した反応生成ガスを導出させながらそ
    の顕熱を前記反応室へ伝達させる再生室と、燃焼
    室とを有する吸熱反応装置において、該反応装置
    は反応容器内に1個又は複数個の反応管を並設し
    てなり、該反応管のそれぞれが、その中央に円形
    状の第1燃焼ガス通路を有し、該燃焼ガス通路の
    外側に接して、前記反応室の第1分室が配置さ
    れ、該再生室に接して、前記反応室の第2分室が
    配置され、前記第1分室、再生室及び第2分室の
    それぞれが前記第1燃焼ガス通路と同心の環状断
    面を有するごとく配置されており、該各反応管の
    外側に第2燃焼ガス通路を有しており、且つ前記
    燃焼室が、前記反応管の一端側空間に、前記第1
    及び第2燃焼ガス通路に燃焼ガスを通じさせるよ
    うに配置されていることを特徴とする吸熱反応装
    置。 2 第1燃焼ガス通路及び第2燃焼ガス通路のそ
    れぞれが、その一部又は全部にパツキング材料を
    充填されていることを特徴とする、特許請求の範
    囲第1項記載の吸熱反応装置。 3 反応管が反応装置容器内に複数個平行に並列
    されており、第2燃焼ガス通路が反応管の最外壁
    と上記容器の内壁とに囲まれた空間に配置されて
    いることを特徴とする、特許請求の範囲第1項又
    は第2項記載の吸熱反応装置。
JP747282A 1982-01-22 1982-01-22 吸熱反応装置 Granted JPS58124530A (ja)

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JPS58124530A JPS58124530A (ja) 1983-07-25
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Families Citing this family (4)

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US5164163A (en) * 1988-09-19 1992-11-17 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Hydrocarbon reforming apparatus
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