JPH01244672A - 発光ダイオードアレイ素子の製造方法 - Google Patents
発光ダイオードアレイ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH01244672A JPH01244672A JP63072286A JP7228688A JPH01244672A JP H01244672 A JPH01244672 A JP H01244672A JP 63072286 A JP63072286 A JP 63072286A JP 7228688 A JP7228688 A JP 7228688A JP H01244672 A JPH01244672 A JP H01244672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- diode array
- intensity distribution
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 6
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 230000007017 scission Effects 0.000 abstract description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 abstract 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 1
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に発光ダイオ
ードアレイ素子の製造方法に関する。
ードアレイ素子の製造方法に関する。
従来、発光ダイオードアレイ素子として最も大量に利用
されている半導体結晶基板は、リン（Ｐ）成分が０．３
９のｎ型砒化リン化ガリウム（Ｇ ａ Ａ Ｓ ０．６
１Ｐ ０−３９＞である。この結晶基板は、ｎ型砒化ガ
リウム（ＧａＡｓ）基板に、気相成長法によりエピタキ
シャル成長して作られる。
されている半導体結晶基板は、リン（Ｐ）成分が０．３
９のｎ型砒化リン化ガリウム（Ｇ ａ Ａ Ｓ ０．６
１Ｐ ０−３９＞である。この結晶基板は、ｎ型砒化ガ
リウム（ＧａＡｓ）基板に、気相成長法によりエピタキ
シャル成長して作られる。
このようにして作られた砒化リン化ガリウムは、気相成
長時の反応ガスの流れ、反応炉内の湿度分布等に応じて
結晶基板面内で物理化学的並びに光学的特性にばらつき
が生じる。
長時の反応ガスの流れ、反応炉内の湿度分布等に応じて
結晶基板面内で物理化学的並びに光学的特性にばらつき
が生じる。
しかしながら、従来は、前記半導体結晶基板面内の光学
的特性の分布状態を考慮せず、発光ダイオードアレイ素
子のパターニングを行なっていた。
的特性の分布状態を考慮せず、発光ダイオードアレイ素
子のパターニングを行なっていた。
発光ダイオードアレイ素子内の此処の発光ダイオード間
の発光強度は出来るだけ均一であることが望ましい。し
かしながら、上述した従来の方法では、半導体結晶基板
の光学的特性の分布傾斜の大きい方向に発光ダイオード
アレイ素子の配列方向が一致する場合があり、このよう
な場合には、発光ダイオードアレイ素子の個々の発光ダ
イオード間の発光強度のばらつきが大きくなり、発光強
度のばらつき不良率が高くなる。
の発光強度は出来るだけ均一であることが望ましい。し
かしながら、上述した従来の方法では、半導体結晶基板
の光学的特性の分布傾斜の大きい方向に発光ダイオード
アレイ素子の配列方向が一致する場合があり、このよう
な場合には、発光ダイオードアレイ素子の個々の発光ダ
イオード間の発光強度のばらつきが大きくなり、発光強
度のばらつき不良率が高くなる。
本発明は素子内の発光強度ばらつきの少ない発光ダイオ
ードアレイ素子を高歩留りで製造する方法を提供するこ
とを目的としている。
ードアレイ素子を高歩留りで製造する方法を提供するこ
とを目的としている。
本発明の発光ダイオードアレイ素子の第１の製造方法は
、素子のパターニングの前に、フォトルミネッセンス法
により半導体結晶板内の発光強度分布を測定し、前記発
光強度分布の傾斜の少ない方向に発光ダイオードアレイ
素子の配列方向を一致させて素子のパターニングを行な
う方法である。
、素子のパターニングの前に、フォトルミネッセンス法
により半導体結晶板内の発光強度分布を測定し、前記発
光強度分布の傾斜の少ない方向に発光ダイオードアレイ
素子の配列方向を一致させて素子のパターニングを行な
う方法である。
また、第２の方法は、半導体結晶板の製造工程段階で、
前記結晶基板の製造方法に起因して決定される半導体結
晶基板内の発光強度分布と、半導体基板の一部に付加し
たオリエンテイション・フラットまたは刻印等の目印と
の位置関係が一定になるように前記半導体基板上にエピ
タキシャル層を形成して半導体結晶基板を製造し、前記
目印を基準にして前記半導体結晶基板の発光強度分布の
傾斜の少ない方向に発光ダイオードアレイ素子の配列方
向を一致させて素子のパターニングを行なう方法である
。
前記結晶基板の製造方法に起因して決定される半導体結
晶基板内の発光強度分布と、半導体基板の一部に付加し
たオリエンテイション・フラットまたは刻印等の目印と
の位置関係が一定になるように前記半導体基板上にエピ
タキシャル層を形成して半導体結晶基板を製造し、前記
目印を基準にして前記半導体結晶基板の発光強度分布の
傾斜の少ない方向に発光ダイオードアレイ素子の配列方
向を一致させて素子のパターニングを行なう方法である
。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
実施例１
第１図は本発明の第１の実施例を示す図である。第１図
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はいずれも面方位（１００）の
ｎ型砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板に気相成長法により
エピタキシャル成長させたリン（Ｐ）成分０．３９のｎ
型Ｇ ａ Ａ Ｓ ０−６１ＰＯ，’３９結晶基板であ
る。なお（１００）面に直交する２つのへき開面（１１
０）及び（１１０）の方位は、図中にへき面方位３とし
て表示しである。
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はいずれも面方位（１００）の
ｎ型砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板に気相成長法により
エピタキシャル成長させたリン（Ｐ）成分０．３９のｎ
型Ｇ ａ Ａ Ｓ ０−６１ＰＯ，’３９結晶基板であ
る。なお（１００）面に直交する２つのへき開面（１１
０）及び（１１０）の方位は、図中にへき面方位３とし
て表示しである。
上記Ｇ ａ Ａ Ｓ Ｏ，６１Ｐ ０−３９結晶基板面
内のフォトルミネッセンス強度をヘリウム・ネオンレー
ザ−を用いて５ｍｍ間隔で測定し、前記結晶基板のフォ
トルミネッセンス強度分布を調べた結果の一例を第１図
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示しである６面内の線は等フ
ォトルミネッセンス強度１で、円内の数字はフォトルミ
ネッセンス相対強度２である。
内のフォトルミネッセンス強度をヘリウム・ネオンレー
ザ−を用いて５ｍｍ間隔で測定し、前記結晶基板のフォ
トルミネッセンス強度分布を調べた結果の一例を第１図
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示しである６面内の線は等フ
ォトルミネッセンス強度１で、円内の数字はフォトルミ
ネッセンス相対強度２である。
フォトルミネッセス強度分布測定後、第３図に示すよう
なひとつのベレット内に６４個の発光ダイオード７０１
．７０２・・・７６４を有する発光ダイオードアレイ素
子のパターニングを行う、このとき、上記フォトルミネ
ッセンス強度分布測定済のＧａＡ ８ ｏ−５ｔｐ ０
．３９結晶基板の２つのへき開方向のうちフォトルミネ
ッセンス強度分布傾斜の少ない方向に近い方のへき開方
向を選び、このへき開方向と発光ダイオードアレイ素子
の配列方向く第３図の長辺方向）を一致させて素子のパ
ターニングを行なう、第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）図
中の太線矢印は発光ダイオードアレイ素子の配列方向４
を示している。発光ダイオードアレイ素子の製造方法は
、まず窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）により、選択拡散窓を形
成し、亜鉛（Ｚｎ）拡散によりｐ−Ｎ接合を形成し、Ｐ
側はアルミニウム（Ａ１）により、Ｎ側は金糸合金によ
りオーミック電極を形成した。
なひとつのベレット内に６４個の発光ダイオード７０１
．７０２・・・７６４を有する発光ダイオードアレイ素
子のパターニングを行う、このとき、上記フォトルミネ
ッセンス強度分布測定済のＧａＡ ８ ｏ−５ｔｐ ０
．３９結晶基板の２つのへき開方向のうちフォトルミネ
ッセンス強度分布傾斜の少ない方向に近い方のへき開方
向を選び、このへき開方向と発光ダイオードアレイ素子
の配列方向く第３図の長辺方向）を一致させて素子のパ
ターニングを行なう、第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）図
中の太線矢印は発光ダイオードアレイ素子の配列方向４
を示している。発光ダイオードアレイ素子の製造方法は
、まず窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）により、選択拡散窓を形
成し、亜鉛（Ｚｎ）拡散によりｐ−Ｎ接合を形成し、Ｐ
側はアルミニウム（Ａ１）により、Ｎ側は金糸合金によ
りオーミック電極を形成した。
上述の本発明により製造した発光ダイオードアレイ素子
の１素子内の６４個の発光ダイオードの発光強度のばら
つきは、従来法によるものよりも少ない、第２図はその
比較説明図で、５は本発明による発光ダイオードアレイ
素子の素子内発光強変分布の一例で、６は従来法による
発光ダイオードアレイ素子の素子内発光強度分布の一例
である。なお、本実施例の発光ダイオードアレイ発光ダ
イオード間ピッチは８４．５μｍ、発光強度測定時の通
電電流は８ｍＡ、電流密度は１８５Ａ／ｃｍ２である。
の１素子内の６４個の発光ダイオードの発光強度のばら
つきは、従来法によるものよりも少ない、第２図はその
比較説明図で、５は本発明による発光ダイオードアレイ
素子の素子内発光強変分布の一例で、６は従来法による
発光ダイオードアレイ素子の素子内発光強度分布の一例
である。なお、本実施例の発光ダイオードアレイ発光ダ
イオード間ピッチは８４．５μｍ、発光強度測定時の通
電電流は８ｍＡ、電流密度は１８５Ａ／ｃｍ２である。
また、本発明による発光ダイオードアレイ素子を全数Ｐ
／Ｗチエツクしたときの「発光強度ばらつき」不良率の
結果を、従来法と比較して第１表に示す、ここで、「発
光強度ばらつき」は、以下のように定義した。
／Ｗチエツクしたときの「発光強度ばらつき」不良率の
結果を、従来法と比較して第１表に示す、ここで、「発
光強度ばらつき」は、以下のように定義した。
ＩＬ（ＭＡＸ）： ６４個の発光ダイオードの中で最大
の発光強度 Ｉ Ｌ（Ｍ Ｉ Ｎ） ： ６４個の発光ダイオードの
中で最小の発光強度 ＩＬ（Ｘ） ：６４個の発光ダイオードの発光強度
の平均値 及び 第１表から判る通り、発光強度ばらつき規格が比較的ゆ
るいときは、本発明と従来法による不良率の差は小さい
が、発光強度ばらつき規格が厳しくなるにつれて、本発
明と従来法による不良率の差は大きくなり、本発明の効
果が顕著になる。
の発光強度 Ｉ Ｌ（Ｍ Ｉ Ｎ） ： ６４個の発光ダイオードの
中で最小の発光強度 ＩＬ（Ｘ） ：６４個の発光ダイオードの発光強度
の平均値 及び 第１表から判る通り、発光強度ばらつき規格が比較的ゆ
るいときは、本発明と従来法による不良率の差は小さい
が、発光強度ばらつき規格が厳しくなるにつれて、本発
明と従来法による不良率の差は大きくなり、本発明の効
果が顕著になる。
実施例２
第４図は本発明の第２の実施例を示す図である。
半導体基板８１は自由融液面側９が＜１１０＞方向とほ
ぼ平行になるような方位で＜１１１＞を成長方向とした
ボートグロウン法により成長したｎ型砒化ガリウム（Ｇ
ａＡｓ）インゴットから切り出した面方位（１００）の
砒化ガリウムである。半導体基板８２は、上記基板８１
と同じ方法で成長した砒化ガリウムインゴットから切り
出した面方位（１００）の基板であるが、インゴットの
多結晶になった部分を除去したなめに基板８１の形状を
とどめていないもので、基板裏面に刻印による目印１０
を入れたものである。半導体基板８３は、基板８１を円
形に整形した（１００）基板で、＜１１０＞方向のオリ
エンテイション・フラット１１を付けである。半導体基
板８４は基板８１を角型に整形した（１００）基板で、
二辺はへき開方向に合せてあり、基板裏面に刻印による
目印１０を入れたものである。
ぼ平行になるような方位で＜１１１＞を成長方向とした
ボートグロウン法により成長したｎ型砒化ガリウム（Ｇ
ａＡｓ）インゴットから切り出した面方位（１００）の
砒化ガリウムである。半導体基板８２は、上記基板８１
と同じ方法で成長した砒化ガリウムインゴットから切り
出した面方位（１００）の基板であるが、インゴットの
多結晶になった部分を除去したなめに基板８１の形状を
とどめていないもので、基板裏面に刻印による目印１０
を入れたものである。半導体基板８３は、基板８１を円
形に整形した（１００）基板で、＜１１０＞方向のオリ
エンテイション・フラット１１を付けである。半導体基
板８４は基板８１を角型に整形した（１００）基板で、
二辺はへき開方向に合せてあり、基板裏面に刻印による
目印１０を入れたものである。
上記ｎ型のＧａＡｓ基板を、縦型気相成長炉の基板保持
治具１２にのようにセットする。基板８１は自由融液面
側９が反応ガス１３の流れ方向の下流側になるようにセ
ットする。基板８２と基板８４は裏面の刻印１０の付い
た辺が反応ガス１３の流れ方向の下流側になるようにセ
ットする。基板８３は、オリエンテイション・フラット
１１が反応ガス１３の流れ方向の下流側になるようにセ
ットする。
治具１２にのようにセットする。基板８１は自由融液面
側９が反応ガス１３の流れ方向の下流側になるようにセ
ットする。基板８２と基板８４は裏面の刻印１０の付い
た辺が反応ガス１３の流れ方向の下流側になるようにセ
ットする。基板８３は、オリエンテイション・フラット
１１が反応ガス１３の流れ方向の下流側になるようにセ
ットする。
次に塩化ガリウム（ＧａＣＩｓ ） 、アルシン（Ａ−
ｓＨｓ）、ホスフィン（ＰＨ３）の反応ガス １３を供
給して、上記ＧａＡＳ基板８１．８２．８３．８４、上
にｎ型の砒化ガリウムＧａＡ ８０．６ＩＰ ０．３９
を成長させる。
ｓＨｓ）、ホスフィン（ＰＨ３）の反応ガス １３を供
給して、上記ＧａＡＳ基板８１．８２．８３．８４、上
にｎ型の砒化ガリウムＧａＡ ８０．６ＩＰ ０．３９
を成長させる。
縦型気相成長法による砒化リン化ガリウムの結晶基板面
内のフォトルミネッセンス強度または発光強度分布は、
上下即ち反応ガス流方向に傾斜した分布傾斜を示す、従
って、基板８１に成長させたＧａＡｓｏ、６ｘＰｏ、３
９では、自由融液側９にほぼ平行なく１１０＞方向に、
第１実施例と同じ発光ダイオードアレイ素子の配列方向
を合せてバターニングする。基板８２に成長させたＧａ
Ａｓ基板、６ｔＰ ０．３９では、目印１０の付いた辺
に近い方向の＜１１０＞方向に、発光ダイオードアレイ
素子の配列方向を合わせてパターニングする。基板８３
に成長させたＧ ａ Ａ Ｓ ０．６Ｉ Ｐ ０．３９
では、〈１１０〉方向のオリエンテイション・フラット
に平行に発光ダイオードアレイ素子の配列方向を合せて
パターニングする。基板８４に成長させたＧ ａ Ａ
ｓ ０．６１ Ｐ ０−３９では、目印１０の付いた辺
の＜１１０＞方向に発光ダイオードアレイ素子の配列方
向を合わせてパターニングする。その他の発光ダイオー
ドアレイ素子の製造方法は第１の実施例と同一である。
内のフォトルミネッセンス強度または発光強度分布は、
上下即ち反応ガス流方向に傾斜した分布傾斜を示す、従
って、基板８１に成長させたＧａＡｓｏ、６ｘＰｏ、３
９では、自由融液側９にほぼ平行なく１１０＞方向に、
第１実施例と同じ発光ダイオードアレイ素子の配列方向
を合せてバターニングする。基板８２に成長させたＧａ
Ａｓ基板、６ｔＰ ０．３９では、目印１０の付いた辺
に近い方向の＜１１０＞方向に、発光ダイオードアレイ
素子の配列方向を合わせてパターニングする。基板８３
に成長させたＧ ａ Ａ Ｓ ０．６Ｉ Ｐ ０．３９
では、〈１１０〉方向のオリエンテイション・フラット
に平行に発光ダイオードアレイ素子の配列方向を合せて
パターニングする。基板８４に成長させたＧ ａ Ａ
ｓ ０．６１ Ｐ ０−３９では、目印１０の付いた辺
の＜１１０＞方向に発光ダイオードアレイ素子の配列方
向を合わせてパターニングする。その他の発光ダイオー
ドアレイ素子の製造方法は第１の実施例と同一である。
本実施例では、例外的に、特定のＧ ａ Ａ ｓ ｏ６
、Ｐ ０．３９結晶基板で、結晶基板面内の光学的分布
の異常なものが生ずるが、従来法にくらべて、第１実施
例とほぼ同等の「発光出力ばらつき」不良率の改善が得
られた。
、Ｐ ０．３９結晶基板で、結晶基板面内の光学的分布
の異常なものが生ずるが、従来法にくらべて、第１実施
例とほぼ同等の「発光出力ばらつき」不良率の改善が得
られた。
また、本実施例では、第１の実施例のようなフォトルミ
ネッセンス強度分布測定の工程が不要となる利点がある
。
ネッセンス強度分布測定の工程が不要となる利点がある
。
以上説明したように本発明は、素子のパターニングの前
に、フォトルミネッセンス法により半導体結晶基板内の
発光強度分布を測定し、前記発光強度分布の傾斜の少な
い方向に発光ダイオードアレイ素子の配列方向を一致さ
せて素子のパターニングを行なうか、半導体結晶基板の
製造方法に起因して該半導体結晶基板内の発光強度分布
が決定される場合において該半導体基板の一部に目印と
なるオリエンテイション・フラットまたは刻印等を付加
し、前記発光強度分布と前記発光強度基板に付加された
目印との関係が一定となるように前記半導体結晶基板を
製造し、前記目印を基準にして前記半導体結晶基板の発
光強度分布の傾斜の少ない方向に発光ダイオードの配列
方向を一致させて素子のパターニングを行なうため、素
子内の発光強度ばらつきの少ない発光ダイオードを製造
できる。
に、フォトルミネッセンス法により半導体結晶基板内の
発光強度分布を測定し、前記発光強度分布の傾斜の少な
い方向に発光ダイオードアレイ素子の配列方向を一致さ
せて素子のパターニングを行なうか、半導体結晶基板の
製造方法に起因して該半導体結晶基板内の発光強度分布
が決定される場合において該半導体基板の一部に目印と
なるオリエンテイション・フラットまたは刻印等を付加
し、前記発光強度分布と前記発光強度基板に付加された
目印との関係が一定となるように前記半導体結晶基板を
製造し、前記目印を基準にして前記半導体結晶基板の発
光強度分布の傾斜の少ない方向に発光ダイオードの配列
方向を一致させて素子のパターニングを行なうため、素
子内の発光強度ばらつきの少ない発光ダイオードを製造
できる。
尚、実施例ではＧ ａ Ａ ｓ ０．６ＩＰ ０．３９
結晶基板を形成した例について説明したが、他の組織・
材料、例えばＩｎＰ系等でも実施例と同様の効果が得ら
れる。
結晶基板を形成した例について説明したが、他の組織・
材料、例えばＩｎＰ系等でも実施例と同様の効果が得ら
れる。
第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）は第１の実施例を示す半
導体結晶基板の平面図、第２図は、本発明並びに従来法
による発光ダイオードアレイの素子内発光強度分布の一
例を示す図、第３図は発光ダイオードアレイ素子の平面
図、第４図は、本発明の第２の実施例を示す見取図であ
る。 １・・・等フォトルミネッセンス強度線、２・・・フォ
トルミネッセンス相対強度、３・・・へき開方値、４・
・・発光ダイオードアレイ素子の配列方向、５・・・本
発明による発光ダイオードアレイの素子内発光強度分布
の一例、６・・・従来法による発光ダイオードアレイの
素子内発光強度分布の一例、７０１〜７６４・・・発光
ダイオード、８１．８２．８３．８４・・・半導体基板
、９・・・自由融液面側、１０・・・目印、１１・・・
＜１１０＞方向のオリエンテイション・フラット、１２
・・・基板保持治具、１３・・・反応ガス。
導体結晶基板の平面図、第２図は、本発明並びに従来法
による発光ダイオードアレイの素子内発光強度分布の一
例を示す図、第３図は発光ダイオードアレイ素子の平面
図、第４図は、本発明の第２の実施例を示す見取図であ
る。 １・・・等フォトルミネッセンス強度線、２・・・フォ
トルミネッセンス相対強度、３・・・へき開方値、４・
・・発光ダイオードアレイ素子の配列方向、５・・・本
発明による発光ダイオードアレイの素子内発光強度分布
の一例、６・・・従来法による発光ダイオードアレイの
素子内発光強度分布の一例、７０１〜７６４・・・発光
ダイオード、８１．８２．８３．８４・・・半導体基板
、９・・・自由融液面側、１０・・・目印、１１・・・
＜１１０＞方向のオリエンテイション・フラット、１２
・・・基板保持治具、１３・・・反応ガス。
Claims (2)
- （１）素子のパターニングの前に、フォトルミネッセン
ス法により半導体結晶基板内の発光強度分布を測定する
工程と、前記発光強度分布の傾斜の少ない方向に発光ダ
イオードアレイ素子の配列方向を一致させて素子のパタ
ーニングを行なう工程とを含むことを特徴とする発光ダ
イオードアレイ素子の製造方法。 - （２）半導体基板の一部に目印となるオリエンテイショ
ン・フラットまたは刻印等を付加し、前記半導体基板上
に形成されるエピタキシャル層の製造方法に起因して決
定される発光強度分布と前記半導体基板に付加された目
印との関係が一定になるように前記半導体基板上にエピ
タキシャル層を形成して半導体結晶基板を製造する工程
と、前記目印を基準にして前記半導体結晶基板の発光強
度分布の傾斜の少ない方向に発光ダイオードアレイ素子
の配列方向を一致させて素子のパターニングを行う工程
とを含むことを特徴とする発光ダイオードアレイ素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63072286A JPH01244672A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 発光ダイオードアレイ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63072286A JPH01244672A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 発光ダイオードアレイ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01244672A true JPH01244672A (ja) | 1989-09-29 |
Family
ID=13484887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63072286A Pending JPH01244672A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 発光ダイオードアレイ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01244672A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014084057A1 (ja) | 2012-11-27 | 2014-06-05 | 東レ株式会社 | 分離膜モジュール |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63072286A patent/JPH01244672A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014084057A1 (ja) | 2012-11-27 | 2014-06-05 | 東レ株式会社 | 分離膜モジュール |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5006908A (en) | Epitaxial Wurtzite growth structure for semiconductor light-emitting device | |
| US7180088B2 (en) | Nitride based semiconductor light-emitting device | |
| EP1101841A2 (en) | Substrate for epitaxy of III-V compounds and a method for producing the same | |
| KR20020079595A (ko) | 질화갈륨결정에의 산소도핑방법과 산소도핑된질화갈륨단결정기판 | |
| TW301065B (ja) | ||
| US20130062734A1 (en) | Crystalline film, device, and manufacturing methods for crystalline film and device | |
| EP0801156A2 (en) | Process for vapor phase epitaxy of compound semiconductor | |
| US20210246571A1 (en) | Large area group iii nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use | |
| US20210249266A1 (en) | Large area group iii nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use | |
| US4216484A (en) | Method of manufacturing electroluminescent compound semiconductor wafer | |
| KR100433039B1 (ko) | 에피택셜웨이퍼및그제조방법 | |
| JPH01244672A (ja) | 発光ダイオードアレイ素子の製造方法 | |
| US4218270A (en) | Method of fabricating electroluminescent element utilizing multi-stage epitaxial deposition and substrate removal techniques | |
| US5923054A (en) | Light emitting diode with tilted plane orientation | |
| JPH0864912A (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
| US4921817A (en) | Substrate for high-intensity led, and method of epitaxially growing same | |
| JP2001284643A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子用ウェハ、その製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 | |
| JPH01245569A (ja) | ＧａＰ緑色発光素子とその製造方法 | |
| US20050124086A1 (en) | Method for manufacturing a semiconductor device, and method for manufacturing a wafer | |
| JP3931740B2 (ja) | リン化硼素系半導体素子、その製造方法およびｌｅｄ | |
| JPH1065211A (ja) | 発光ダイオード | |
| US20230340695A1 (en) | Large area group iii nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use | |
| JP2000058904A (ja) | エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに発光ダイオード | |
| US4609411A (en) | Liquid-phase epitaxial growth method of a IIIb-Vb group compound | |
| JPH01137679A (ja) | 半導体発光素子 |