JPH01244669A - 太陽電池モジュール - Google Patents
太陽電池モジュールInfo
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- JPH01244669A JPH01244669A JP63072452A JP7245288A JPH01244669A JP H01244669 A JPH01244669 A JP H01244669A JP 63072452 A JP63072452 A JP 63072452A JP 7245288 A JP7245288 A JP 7245288A JP H01244669 A JPH01244669 A JP H01244669A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は太陽電池モジュールに関し、特にCdS/Cd
TeもしくはCdS/CuInSe2系太陽電池モジュ
ール構造に係る。
TeもしくはCdS/CuInSe2系太陽電池モジュ
ール構造に係る。
従来の技術
最近エネルギー供給の一手段として太陽電池が注目され
ている。それは無限とも言えるクリーンな太陽エネルギ
ーから直接電気エネルギーが手経に取シ出せるからであ
る。しかしながら、太陽電池が大々的に普及するに至ら
ないのは、電力コストが高いためで、その根本原因は太
陽電池素子およびそのモジュール部分が高価であるため
である。
ている。それは無限とも言えるクリーンな太陽エネルギ
ーから直接電気エネルギーが手経に取シ出せるからであ
る。しかしながら、太陽電池が大々的に普及するに至ら
ないのは、電力コストが高いためで、その根本原因は太
陽電池素子およびそのモジュール部分が高価であるため
である。
前者でのコスト引き下げの努力が行われているのは勿論
であるが、後者でのコスト引き下げも同様に重要で、そ
のための工夫がいろいろ試みられている。また太陽電池
素子の変化に応じ、それに見合ったパッケージが必要と
なっている。
であるが、後者でのコスト引き下げも同様に重要で、そ
のための工夫がいろいろ試みられている。また太陽電池
素子の変化に応じ、それに見合ったパッケージが必要と
なっている。
従来の太陽電池モジュールは単結晶もしくは多結晶シリ
コン太陽電池素子等結晶型太陽電池素子の使用を前提に
して開発されたものが多く、■−■族化合物半導体太陽
電池素子や、■−■族/I÷■族化合物半導体太陽電池
素子等の薄膜型太陽電池素子を使用する場合には改良を
加えるべき点が多々残されている。
コン太陽電池素子等結晶型太陽電池素子の使用を前提に
して開発されたものが多く、■−■族化合物半導体太陽
電池素子や、■−■族/I÷■族化合物半導体太陽電池
素子等の薄膜型太陽電池素子を使用する場合には改良を
加えるべき点が多々残されている。
特に■−■族化合物半導体太陽電池のうち、CdS/C
dTe系太陽電池および■−■ルq−1[[−■族化合
物半導体太陽電池のうち、CdS/CuInSe2系太
陽電池については、その太陽電池が以下に示すような特
有の挙動を示すため、特別のモジュール構造をもたせる
必要が生じている。
dTe系太陽電池および■−■ルq−1[[−■族化合
物半導体太陽電池のうち、CdS/CuInSe2系太
陽電池については、その太陽電池が以下に示すような特
有の挙動を示すため、特別のモジュール構造をもたせる
必要が生じている。
Cd S/Cd T e系太陽電池モジュールについて
述べると、例えば、第2図あるいは第3図に示されるよ
うな構造のものが発明されている(特開昭62−132
371号、特願昭63−29226号)。これらはいず
れも、Cd S/Cd T e接合を光起電力部分とし
て含む太陽電池モジュール内部に酸素放出物を封入した
ものである。第2図は前述した発明の実施例における太
陽電池モジュール要部断面図である。Cd S/Cd
T e系太陽電池素子1は基板6の上(第2図では下)
に、周辺の余白2゜を残して直接形成されている。熱可
塑性樹脂層1゜は、酸素放出物5oを間にはさんで、C
d5zCdTe系太陽電池素子1のある部分と基板6の
外周部の余白20をおおっている。さらに熱可塑性樹脂
層1oの外側は対面保護膜7がおおっている。熱可塑性
樹脂層1oは対面保護膜7を基板6の外周部の余白20
等に接着している。第3図は後者の出願発明の実施例に
おける太陽電池モジュールの要部断面図である。Cd
S/Cd T e系太陽電池素子1は基板6の上(第3
図では下)に、周辺の余白20を残して直接形成されて
いる。熱可塑性樹脂層1゜は、酸素放出物であるゼオラ
イトを間にはさんで、CdS/CdTe系太陽電池素子
1のある部分と基板6の外周部の余白20をおおってい
る。さらに熱可塑性樹脂層1oの外側は対面保護膜7が
おおっている。熱可塑性樹脂層10は対面保護膜7を基
板6の外周部の余白20等に接着している。
述べると、例えば、第2図あるいは第3図に示されるよ
うな構造のものが発明されている(特開昭62−132
371号、特願昭63−29226号)。これらはいず
れも、Cd S/Cd T e接合を光起電力部分とし
て含む太陽電池モジュール内部に酸素放出物を封入した
ものである。第2図は前述した発明の実施例における太
陽電池モジュール要部断面図である。Cd S/Cd
T e系太陽電池素子1は基板6の上(第2図では下)
に、周辺の余白2゜を残して直接形成されている。熱可
塑性樹脂層1゜は、酸素放出物5oを間にはさんで、C
d5zCdTe系太陽電池素子1のある部分と基板6の
外周部の余白20をおおっている。さらに熱可塑性樹脂
層1oの外側は対面保護膜7がおおっている。熱可塑性
樹脂層1oは対面保護膜7を基板6の外周部の余白20
等に接着している。第3図は後者の出願発明の実施例に
おける太陽電池モジュールの要部断面図である。Cd
S/Cd T e系太陽電池素子1は基板6の上(第3
図では下)に、周辺の余白20を残して直接形成されて
いる。熱可塑性樹脂層1゜は、酸素放出物であるゼオラ
イトを間にはさんで、CdS/CdTe系太陽電池素子
1のある部分と基板6の外周部の余白20をおおってい
る。さらに熱可塑性樹脂層1oの外側は対面保護膜7が
おおっている。熱可塑性樹脂層10は対面保護膜7を基
板6の外周部の余白20等に接着している。
発明が解決しようとする課題
以前のCdS/CdTe系もしくはCdS/CuIn5
s系太陽電池モジユールでは素子に対する水分の侵入を
防ぐという点に重点がおかれて、モジュール化した時の
素子に対する酸素の影響については無関心であった。し
かし、最近になってCdS/CdTe系太陽電池素子等
にとって、特に光照射時、高温時には素子周辺に存在す
る酸素が重大な影響をもつことが発見された。すなわち
第1表の参考例2に示すようにたとえばウェザ−メータ
ー光照射時では素子周辺に酸素が存在しないと、酸素が
存在する時に較べて、変換効率が極度に低くなるという
ことがわかった。この発明はモジュール中に酸素が存在
しないと変換効率が低くなるという問題を解決するもの
である。
s系太陽電池モジユールでは素子に対する水分の侵入を
防ぐという点に重点がおかれて、モジュール化した時の
素子に対する酸素の影響については無関心であった。し
かし、最近になってCdS/CdTe系太陽電池素子等
にとって、特に光照射時、高温時には素子周辺に存在す
る酸素が重大な影響をもつことが発見された。すなわち
第1表の参考例2に示すようにたとえばウェザ−メータ
ー光照射時では素子周辺に酸素が存在しないと、酸素が
存在する時に較べて、変換効率が極度に低くなるという
ことがわかった。この発明はモジュール中に酸素が存在
しないと変換効率が低くなるという問題を解決するもの
である。
なお前述した2つの発明は、この問題を解決する手段と
して、過酸化物とか、ゼオライトなど、酸素を放出する
物質を素子周辺に配置することによって酸素を供給し、
酸素濃度低下に伴う急激な劣化を防止しようとしたもの
である。
して、過酸化物とか、ゼオライトなど、酸素を放出する
物質を素子周辺に配置することによって酸素を供給し、
酸素濃度低下に伴う急激な劣化を防止しようとしたもの
である。
課題を解決するための手段
本発明は、Cd57CdTsもしくはCd S/Cu
I nS e2系太陽電池素子の素子被覆(パッシベー
ション)樹脂を従来のエポキシ系樹脂からフルオロオレ
フィンと炭化水素系ビニルエーテルモノマーとの交互共
重合体を基本骨格とするふっ素糸樹脂もしくはシリコン
系樹脂のいずれかに変えることによって、高温もしくは
光照射によって生じる素子周辺に存在する酸素濃度の低
下を防止し、それらの太陽電池素子を用いるモジュール
の信頼性の低下を抑制するものである。
I nS e2系太陽電池素子の素子被覆(パッシベー
ション)樹脂を従来のエポキシ系樹脂からフルオロオレ
フィンと炭化水素系ビニルエーテルモノマーとの交互共
重合体を基本骨格とするふっ素糸樹脂もしくはシリコン
系樹脂のいずれかに変えることによって、高温もしくは
光照射によって生じる素子周辺に存在する酸素濃度の低
下を防止し、それらの太陽電池素子を用いるモジュール
の信頼性の低下を抑制するものである。
作 用
従来、パッシベーション樹脂としては、上記出願の実施
例にも述べられているように、エポキシ系樹脂を使用し
て来た。その理由は、一つには、エポキシ系樹脂は硬化
において脱水反応を起こさないこと、つまり水分をバイ
プロダクトとして出さないことにあった。たびたび述べ
られているようにCd S/Cd T e系もしくはC
dS/CuIn5e2系太陽電池素子は水分を嫌うもの
なので、この点、好都合であった。二つには、上記反応
機構とも関連するが、バイプロダクトを産出しないから
、反応の進行に伴う体積収縮が小さく、素子部分に機械
的ストレスを与えないことが好都合であった。
例にも述べられているように、エポキシ系樹脂を使用し
て来た。その理由は、一つには、エポキシ系樹脂は硬化
において脱水反応を起こさないこと、つまり水分をバイ
プロダクトとして出さないことにあった。たびたび述べ
られているようにCd S/Cd T e系もしくはC
dS/CuIn5e2系太陽電池素子は水分を嫌うもの
なので、この点、好都合であった。二つには、上記反応
機構とも関連するが、バイプロダクトを産出しないから
、反応の進行に伴う体積収縮が小さく、素子部分に機械
的ストレスを与えないことが好都合であった。
それに、ポピユラーなため価格も比較的安価であるとい
う利点もあった。しかしエポキシ系樹脂シリコン系樹脂
に比べて、熱分解や光分解を起こし易い難点もある。そ
れら分解が起るとラジカルが生じ、酸素と反応するため
、素子周辺に存在する酸素を奪い、酸素濃度を低下させ
、ひいては太陽電池モジューpの信頼性を低下させる重
大な欠点があることが判った。ふっ素系樹脂およびシリ
コン系樹脂は、エポキシ系樹脂に比べて熱および光に対
して安定であり、分解しにくいことは一般的に知られて
いるところであるが、ウェザ−メーターによる光照射テ
ストを行ったところ、第2表に示したように酸素濃度を
低下させにくいことがわかった。この酸素濃度を低下さ
せないことが、モジュールの信頼性を低下させにくく作
用するのである。
う利点もあった。しかしエポキシ系樹脂シリコン系樹脂
に比べて、熱分解や光分解を起こし易い難点もある。そ
れら分解が起るとラジカルが生じ、酸素と反応するため
、素子周辺に存在する酸素を奪い、酸素濃度を低下させ
、ひいては太陽電池モジューpの信頼性を低下させる重
大な欠点があることが判った。ふっ素系樹脂およびシリ
コン系樹脂は、エポキシ系樹脂に比べて熱および光に対
して安定であり、分解しにくいことは一般的に知られて
いるところであるが、ウェザ−メーターによる光照射テ
ストを行ったところ、第2表に示したように酸素濃度を
低下させにくいことがわかった。この酸素濃度を低下さ
せないことが、モジュールの信頼性を低下させにくく作
用するのである。
実施例
次に本発明を実施例と参考例により説明する。
実施例1
第1図は本発明の実施例における太陽電池モジュールの
要部断面図である。CdS/CdTe系太陽電池素子1
はガラス2の上(第1図では下)に、周辺の余白20を
残して直接形成されている。熱可塑性樹脂層10 、
Ag箔(はく)11.Al箔保護樹、脂層12の三層よ
シ形成されているバックシート16は、CdS/CdT
e系太陽電池素子1のある部分とガラス2の外周部の余
白2oをおおっている。熱可塑性樹脂層1oはAI箔1
1をガラス2の外周部の余白20に接着する働きをして
いる。
要部断面図である。CdS/CdTe系太陽電池素子1
はガラス2の上(第1図では下)に、周辺の余白20を
残して直接形成されている。熱可塑性樹脂層10 、
Ag箔(はく)11.Al箔保護樹、脂層12の三層よ
シ形成されているバックシート16は、CdS/CdT
e系太陽電池素子1のある部分とガラス2の外周部の余
白2oをおおっている。熱可塑性樹脂層1oはAI箔1
1をガラス2の外周部の余白20に接着する働きをして
いる。
CdS/CdTe系太陽電池素子1は、ここでは、ガラ
ス2として用いた14cm角の無アルカリのほうけい酸
ガラス上に幅6.5nの余白20を周辺に残してCd
Sl* 、ついでAg−In電極部を除いたCdS膜上
にCdTe膜、さらにその上にC膜、そしてAq電極が
形成されたものである。またCdTe膜等のない部分に
Aq−In!極が形成されたものである。そして最後に
それら全体はフルオロオレフィンと炭化水素系ビニルエ
ーテルモノマーとの交互共重合体を基本骨格とするふっ
素系樹脂とジインシアネートの混合硬化物で被覆した。
ス2として用いた14cm角の無アルカリのほうけい酸
ガラス上に幅6.5nの余白20を周辺に残してCd
Sl* 、ついでAg−In電極部を除いたCdS膜上
にCdTe膜、さらにその上にC膜、そしてAq電極が
形成されたものである。またCdTe膜等のない部分に
Aq−In!極が形成されたものである。そして最後に
それら全体はフルオロオレフィンと炭化水素系ビニルエ
ーテルモノマーとの交互共重合体を基本骨格とするふっ
素系樹脂とジインシアネートの混合硬化物で被覆した。
熱可塑性樹脂層1oには酸無水物を共重合して変性した
ポリエチレンを用い、Al箔保護樹脂層12としてはポ
リエチレンテレフタレート樹脂(PET)を用いた。こ
うして製作したモジュー〜では、バックシート16は、
余白2oの部分のガラスによく接着した。
ポリエチレンを用い、Al箔保護樹脂層12としてはポ
リエチレンテレフタレート樹脂(PET)を用いた。こ
うして製作したモジュー〜では、バックシート16は、
余白2oの部分のガラスによく接着した。
酸素放出物6oとしては2vの合成ゼオライトの脱水物
を用い空気層30の中に封入した。
を用い空気層30の中に封入した。
塗料層4oには不透明シリコン系樹脂を用い、余白2o
に接着している熱可塑性樹脂層10に直接太陽光が当た
らないようにした。
に接着している熱可塑性樹脂層10に直接太陽光が当た
らないようにした。
上記のようにして作成した太陽電池モジュールのサンシ
ャインウェザ−メーターによる信頼性テスト結果を、従
来のエポキシ系樹脂により素子被覆樹脂3を形成して作
成した太陽電池モジュールの結果(参考例1)とともに
第1表に示す。第1表に示すように素子被覆樹脂にふっ
素系樹脂を用いた太陽電池モジュールは変換効率の低下
が2チと小さいのに対し、従来のエポキシ系樹脂を用い
て作成した太陽電池モジュールのそれは25%と太きか
った。
ャインウェザ−メーターによる信頼性テスト結果を、従
来のエポキシ系樹脂により素子被覆樹脂3を形成して作
成した太陽電池モジュールの結果(参考例1)とともに
第1表に示す。第1表に示すように素子被覆樹脂にふっ
素系樹脂を用いた太陽電池モジュールは変換効率の低下
が2チと小さいのに対し、従来のエポキシ系樹脂を用い
て作成した太陽電池モジュールのそれは25%と太きか
った。
第1表 太陽電池モジュールの信頼性テスト結果(ウェ
ザ−メーター(デユーサイクル)1000時間照射)矢
素子周辺に酸素放出剤の配置なしの場合第2表 各種
素子被覆樹脂の光照射による劣化■m収)(14百角ガ
ラスに12.8tM角に各種素子被覆樹脂を塗布し、一
定容量の空気を封入した状態にしてバックシートでシー
ルし、樹脂にサンシャインウェザ−メーター光連続照射
した後の酸素濃度を定量分析)実施例2 素子被覆樹脂として表2に示したシリコン系樹脂1を使
用する以外は実施例1と同様の太陽電池モジュールを作
成した。表2に示したシリコン系樹脂1とは付加反応型
シリコン系樹脂でSi原子にビニル基が結合したもの(
A材)と81原子に水素原子が結合したもの(B材)が
白金化合物触媒で反応する型のものである。
ザ−メーター(デユーサイクル)1000時間照射)矢
素子周辺に酸素放出剤の配置なしの場合第2表 各種
素子被覆樹脂の光照射による劣化■m収)(14百角ガ
ラスに12.8tM角に各種素子被覆樹脂を塗布し、一
定容量の空気を封入した状態にしてバックシートでシー
ルし、樹脂にサンシャインウェザ−メーター光連続照射
した後の酸素濃度を定量分析)実施例2 素子被覆樹脂として表2に示したシリコン系樹脂1を使
用する以外は実施例1と同様の太陽電池モジュールを作
成した。表2に示したシリコン系樹脂1とは付加反応型
シリコン系樹脂でSi原子にビニル基が結合したもの(
A材)と81原子に水素原子が結合したもの(B材)が
白金化合物触媒で反応する型のものである。
信頼性テスト結果を第1表に示した。シリコン系樹脂1
で太陽電池素子を被覆した、この型のモジュールの変換
効率の低下は3%と従来例のそれより小さかった。
で太陽電池素子を被覆した、この型のモジュールの変換
効率の低下は3%と従来例のそれより小さかった。
実施例3
素子被覆樹脂として表2に示したシリコン系樹脂2を使
用する以外は実施例1と同様の太陽電池モジュールを作
成した。シリコン系樹脂2とは縮合反応型シリコン系樹
脂で、S1原子にヒドロヤp基が結合したもの(C材)
と81原子にイソプロペニオオキシy基が結合したもの
(D材)が有機すず化合物を触媒にして反応して脱アセ
トン反応を起す型のものである。
用する以外は実施例1と同様の太陽電池モジュールを作
成した。シリコン系樹脂2とは縮合反応型シリコン系樹
脂で、S1原子にヒドロヤp基が結合したもの(C材)
と81原子にイソプロペニオオキシy基が結合したもの
(D材)が有機すず化合物を触媒にして反応して脱アセ
トン反応を起す型のものである。
信頼性テスト結果を第1表に示しである。シリコン系樹
脂2を素子被覆樹脂として用いて作成したモジュールの
変換効率の低下は3.6%と、従来例にくらべて小さか
った。
脂2を素子被覆樹脂として用いて作成したモジュールの
変換効率の低下は3.6%と、従来例にくらべて小さか
った。
実施例4
素子被覆樹脂として表2に示したシリコン系樹脂3を使
用する以外実施例1と同様の太陽電池モジュールを作成
した。シリコン系樹脂3とは紫外線(UV)硬化型シリ
コン系樹脂でsi原子にビニル基が結合したもの(E剤
)とSi原子にメチル基が結合したもの(F剤)とが、
増感剤の助けを借りて、紫外線の照射で生じる遊離基に
より反応する型のものである。
用する以外実施例1と同様の太陽電池モジュールを作成
した。シリコン系樹脂3とは紫外線(UV)硬化型シリ
コン系樹脂でsi原子にビニル基が結合したもの(E剤
)とSi原子にメチル基が結合したもの(F剤)とが、
増感剤の助けを借りて、紫外線の照射で生じる遊離基に
より反応する型のものである。
信頼性テスト結果を第1表に示しである。シリコン系樹
脂3を素子被覆樹脂として用いて作成したモジュールの
変換効率の低下は4%と、エポキシ系樹脂の場合にくら
べて小さかった。
脂3を素子被覆樹脂として用いて作成したモジュールの
変換効率の低下は4%と、エポキシ系樹脂の場合にくら
べて小さかった。
実施例6
太陽電池素子としてCdS/CuInSe2系太陽電池
素子を形成する以外は実施例1と同様の太陽電池モジュ
ールを作成した。CdS/CuInSe2系太陽電池素
子は14cm角の無アルカリのほうけい酸ガラス上に幅
6.6絹の余白20を周辺に残してCdS膜、ついでA
g−I!1電極部を除いたCdS膜上にCuInSe2
膜、さらにその上にC1i、そしてAq電極が形成され
たものである。またCuInSe2膜等のない部分にA
g−In電極が形成されたものである。そして最後にそ
れら全体はふっ素系樹脂でカバーされている。
素子を形成する以外は実施例1と同様の太陽電池モジュ
ールを作成した。CdS/CuInSe2系太陽電池素
子は14cm角の無アルカリのほうけい酸ガラス上に幅
6.6絹の余白20を周辺に残してCdS膜、ついでA
g−I!1電極部を除いたCdS膜上にCuInSe2
膜、さらにその上にC1i、そしてAq電極が形成され
たものである。またCuInSe2膜等のない部分にA
g−In電極が形成されたものである。そして最後にそ
れら全体はふっ素系樹脂でカバーされている。
上記のようにして作成した太陽電池モジュールをサンシ
ャインウェザ−メーター(デューサイク/I/)テスト
に1000時間かけたところ変換効率の低下は1.8チ
と小さいのに対し、従来のエポキシ系樹脂を用いて作成
した太陽電池モジュールの低下は19%と大きかった。
ャインウェザ−メーター(デューサイク/I/)テスト
に1000時間かけたところ変換効率の低下は1.8チ
と小さいのに対し、従来のエポキシ系樹脂を用いて作成
した太陽電池モジュールの低下は19%と大きかった。
発明の効果
以上、実施例の中でも説明したように、CdS/CdT
eもしくはCdS/CuInSe2系太陽電池素子の素
子被覆樹脂をふっ素系樹脂もしくはシリコン系樹脂で形
成することの効果は著しく、ウェザ−メーター光照射下
での太陽電池モジュールの性能低下を抑制する効果があ
った。
eもしくはCdS/CuInSe2系太陽電池素子の素
子被覆樹脂をふっ素系樹脂もしくはシリコン系樹脂で形
成することの効果は著しく、ウェザ−メーター光照射下
での太陽電池モジュールの性能低下を抑制する効果があ
った。
第1表に参考例2として示しであるように酸素放出剤を
封入しないで素子周辺の酸素濃度を低くした時の変化効
率の低下は41%にも至っている。
封入しないで素子周辺の酸素濃度を低くした時の変化効
率の低下は41%にも至っている。
この参考例2の結果からも分るように、ガラスと、同ガ
ラスの周辺部で接着するバックシートが形成する密閉空
間の中にCdS/CdTeもしくはCdS /CuIn
Se2系太陽電池素子がある場合、その密閉空間内の酸
素濃度が低いと、太陽電池モジューlしの信頼性が低下
する。本発明のふっ素糸樹脂もしくはシリコン系樹脂は
、光が直接当っても分解しにくく、その故に酸素を消費
しないため、結局、信頼性の低下を抑える効果が発揮さ
れるわけである。
ラスの周辺部で接着するバックシートが形成する密閉空
間の中にCdS/CdTeもしくはCdS /CuIn
Se2系太陽電池素子がある場合、その密閉空間内の酸
素濃度が低いと、太陽電池モジューlしの信頼性が低下
する。本発明のふっ素糸樹脂もしくはシリコン系樹脂は
、光が直接当っても分解しにくく、その故に酸素を消費
しないため、結局、信頼性の低下を抑える効果が発揮さ
れるわけである。
単位太陽電池素子1個で太陽電池モジュールを形成する
場合は、周辺余白を除いた全面にCdS膜を形成するの
で、素子被覆樹脂が、ガラスを通過した太陽光線に直接
さらされることはないが、必要電圧を得るために、単位
太陽電池素子を2個以上接続する場合、単位太陽電池素
子と単位太陽電池素子の間に必ず素子被覆樹脂が形成さ
れ、その部分が、ガラスを通過した太陽光線に直接さら
される。従って高電圧太陽電池モジュールの場合程、太
陽光にさらされる樹脂面積が広くなり、その部分の樹脂
の適否が、太陽電池モジュールの信頼性に大きくかかわ
ってくる。
場合は、周辺余白を除いた全面にCdS膜を形成するの
で、素子被覆樹脂が、ガラスを通過した太陽光線に直接
さらされることはないが、必要電圧を得るために、単位
太陽電池素子を2個以上接続する場合、単位太陽電池素
子と単位太陽電池素子の間に必ず素子被覆樹脂が形成さ
れ、その部分が、ガラスを通過した太陽光線に直接さら
される。従って高電圧太陽電池モジュールの場合程、太
陽光にさらされる樹脂面積が広くなり、その部分の樹脂
の適否が、太陽電池モジュールの信頼性に大きくかかわ
ってくる。
本発明の効果は高電圧太陽電池モジュールにおいて、よ
シ大きな効果を発揮する。
シ大きな効果を発揮する。
第1図は本発明の実施例1の太陽電池モジュールの要部
拡大断面図、第2図、第3図は従来の太陽電池モジュー
ルの要部拡大断面図である。 1・・・・・・Cd S/Cd T e系太陽電池素子
、2・・・・・・ガラス、3・・・・・・素子被覆樹脂
、1o・・・・・・熱可塑性樹脂、11・・・・・・A
l箔、12・・・・・・AI箔保護樹脂層、15・・・
・・・バックシート、20・・・・・・余白、30・・
・・・・空気層、4o・・・・・・塗料層、6o・・・
・・・酸素放出物。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名//
−−−AQ箔 /2−−− M箔&鏝Jf届1 15− バ°・7クシート 2θ−−一公白 、SO−一訣X蚊巴物 第 1 図 / Ccts/Cc17e7JCN2訂池f;
;:j6−3E板 7−−#飴裸饋願 、5−6−9未放因物 第2図
拡大断面図、第2図、第3図は従来の太陽電池モジュー
ルの要部拡大断面図である。 1・・・・・・Cd S/Cd T e系太陽電池素子
、2・・・・・・ガラス、3・・・・・・素子被覆樹脂
、1o・・・・・・熱可塑性樹脂、11・・・・・・A
l箔、12・・・・・・AI箔保護樹脂層、15・・・
・・・バックシート、20・・・・・・余白、30・・
・・・・空気層、4o・・・・・・塗料層、6o・・・
・・・酸素放出物。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名//
−−−AQ箔 /2−−− M箔&鏝Jf届1 15− バ°・7クシート 2θ−−一公白 、SO−一訣X蚊巴物 第 1 図 / Ccts/Cc17e7JCN2訂池f;
;:j6−3E板 7−−#飴裸饋願 、5−6−9未放因物 第2図
Claims (6)
- (1)CdS/CdTeもしくはCdS/CuInSe
_2接合を光起電力部分として含み、該光起電力部分が
ガラス、金属部材およびこの両者を接着する樹脂層から
成る密閉空間内に空気とともに存在する太陽電池モジュ
ールであって、該光起電力部分が、ふっ素系樹脂もしく
はシリコン系樹脂により被覆されている太陽電池モジュ
ール。 - (2)ふっ素系樹脂が、フルオロオレフィンと炭化水素
系ビニルエーテルモノマーとの交互共重合体を基本骨格
とする特許請求の範囲第1項記載の太陽電池モジュール
。 - (3)シリコン系樹脂が付加反応型、縮合反応型もしく
は紫外線硬化型のいずれかである特許請求の範囲第1項
記載の太陽電池モジュール。 - (4)酸素放出物が密閉空間内に封入されている特許請
求の範囲第1項から第3項のいずれかに記載の太陽電池
モジュール。 - (5)ガラスと金属板を接着する樹脂層が熱可塑性樹脂
である特許請求の範囲第1項から第4項のいずれかに記
載の太陽電池モジュール。 - (6)熱可塑性樹脂が酸無水物を共重して変性したポリ
エチレンである特許請求の範囲第6項記載の太陽電池モ
ジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63072452A JPH065781B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 太陽電池モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63072452A JPH065781B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 太陽電池モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01244669A true JPH01244669A (ja) | 1989-09-29 |
JPH065781B2 JPH065781B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=13489704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63072452A Expired - Lifetime JPH065781B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 太陽電池モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH065781B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5482571A (en) * | 1993-06-14 | 1996-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module |
US5597422A (en) * | 1994-04-30 | 1997-01-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-transmissive resin sealed semiconductor and production process thereof |
WO2008036708A3 (en) * | 2006-09-20 | 2008-05-08 | Dow Global Technologies Inc | Electronic device module comprising polyolefin copolymer |
KR100902975B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2009-06-15 | 바이엘 악티엔게젤샤프트 | 열가소성 고온 용융 접착제층을 갖는 광기전력 모듈 및그의 제조방법 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63072452A patent/JPH065781B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5482571A (en) * | 1993-06-14 | 1996-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module |
US5597422A (en) * | 1994-04-30 | 1997-01-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-transmissive resin sealed semiconductor and production process thereof |
KR100902975B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2009-06-15 | 바이엘 악티엔게젤샤프트 | 열가소성 고온 용융 접착제층을 갖는 광기전력 모듈 및그의 제조방법 |
WO2008036708A3 (en) * | 2006-09-20 | 2008-05-08 | Dow Global Technologies Inc | Electronic device module comprising polyolefin copolymer |
US8581094B2 (en) | 2006-09-20 | 2013-11-12 | Dow Global Technologies, Llc | Electronic device module comprising polyolefin copolymer |
US8592679B2 (en) | 2006-09-20 | 2013-11-26 | Dow Global Technologies, Llc | Electronic device module comprising polyolefin copolymer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH065781B2 (ja) | 1994-01-19 |
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