JPH01241792A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPH01241792A JPH01241792A JP63070530A JP7053088A JPH01241792A JP H01241792 A JPH01241792 A JP H01241792A JP 63070530 A JP63070530 A JP 63070530A JP 7053088 A JP7053088 A JP 7053088A JP H01241792 A JPH01241792 A JP H01241792A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
蒸着法による薄膜ＥＬ素子の発光層の形成方法に関し、
一層高輝度に発光させることを目的とし、アルカリ土類
硫化物を発光母材とする発光層の形成工程において、硫
化水素を含有した減圧気中で前記発光母材を蒸発させて
発光層を蒸着するようにしたことを特徴とする。
硫化物を発光母材とする発光層の形成工程において、硫
化水素を含有した減圧気中で前記発光母材を蒸発させて
発光層を蒸着するようにしたことを特徴とする。
また、アルカリ土類硫化物を発光母材とする発光層の形
成工程において、蒸着容器内に発光母材ペレットからな
る複数の蒸発源を配置し、それぞれの蒸発源から酸素を
含む化合物が放出されはじめる蒸発速度以下の蒸発速度
に制御して前記発光母材を蒸発して発光層を蒸着するよ
うにしたことを特徴とする。
成工程において、蒸着容器内に発光母材ペレットからな
る複数の蒸発源を配置し、それぞれの蒸発源から酸素を
含む化合物が放出されはじめる蒸発速度以下の蒸発速度
に制御して前記発光母材を蒸発して発光層を蒸着するよ
うにしたことを特徴とする。
（産業上の利用分野〕
本発明は薄膜ＥＬ素子の製造方法にかかり、特に蒸着法
による発光層の形成方法に関する。
による発光層の形成方法に関する。
最近、ＯＡ機器の普及によって各種の表示装宣が汎用さ
れており、その表示装置のうちのＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ）デイスプレイノイネ１１
番よ薄型°軽量の利点があるために、その実用化が大き
く期待されている。
れており、その表示装置のうちのＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ
Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ）デイスプレイノイネ１１
番よ薄型°軽量の利点があるために、その実用化が大き
く期待されている。
第３図は薄膜ＥＬパネルの構造図を示しており、ｌはガ
ラス基板、２はシールガラス、３は透明電極、４，６は
第１．第２絶縁膜、５は発光層、７は背面電極で、図の
ように、基本構造は発光層の両側を絶縁膜でサンドイン
チ状に挟んだ三層構造で、発光層には、例えば、マンガ
ンを添加した硫化亜鉛（Ｚｎ Ｓ ： Ｍｎ）が使用さ
れる。且つ、ガラス基Ｆｉ、１とシールガラス２を除い
た薄膜の合計膜厚は２μｍ以下と極めて薄く、その薄膜
に２００ｖ程度の交流電圧（交流駆動パルス）を印加し
て、発光層に１〜ｚｘｔｏ Ｖ／ａｍ以上の高電界を
生じさせ、電界発光を得る構造である。従って、これら
の薄膜の膜質は掻めて重要である。
ラス基板、２はシールガラス、３は透明電極、４，６は
第１．第２絶縁膜、５は発光層、７は背面電極で、図の
ように、基本構造は発光層の両側を絶縁膜でサンドイン
チ状に挟んだ三層構造で、発光層には、例えば、マンガ
ンを添加した硫化亜鉛（Ｚｎ Ｓ ： Ｍｎ）が使用さ
れる。且つ、ガラス基Ｆｉ、１とシールガラス２を除い
た薄膜の合計膜厚は２μｍ以下と極めて薄く、その薄膜
に２００ｖ程度の交流電圧（交流駆動パルス）を印加し
て、発光層に１〜ｚｘｔｏ Ｖ／ａｍ以上の高電界を
生じさせ、電界発光を得る構造である。従って、これら
の薄膜の膜質は掻めて重要である。
第４図にこの薄膜ＥＬの具体例として青色薄膜ＥＬ素子
の断面図を示しており、透明電極には膜厚１Ｂ００人の
Ｉ Ｔｏ （Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）膜３
．第１絶縁膜には膜厚２３００人の５ｉＯＮ（酸窒化シ
リコン）膜４．第２絶縁膜には膜厚１５００人の５ｉＯ
Ｎ膜６、背面電極には膜厚５０００人のアルミニウム電
極７を配設し、且つ、発光層としてはセリウムを添加し
た硫化ストロンチウム（ＳｒＳ ： Ｃｅ、膜厚７００
０人程度）５を設けた構造で、更に、この発光層はＺｎ
５（硫化亜鉛）膜からなるバッファ層８，９（膜厚２０
００人程度）で挾んだ構成になっている。
の断面図を示しており、透明電極には膜厚１Ｂ００人の
Ｉ Ｔｏ （Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）膜３
．第１絶縁膜には膜厚２３００人の５ｉＯＮ（酸窒化シ
リコン）膜４．第２絶縁膜には膜厚１５００人の５ｉＯ
Ｎ膜６、背面電極には膜厚５０００人のアルミニウム電
極７を配設し、且つ、発光層としてはセリウムを添加し
た硫化ストロンチウム（ＳｒＳ ： Ｃｅ、膜厚７００
０人程度）５を設けた構造で、更に、この発光層はＺｎ
５（硫化亜鉛）膜からなるバッファ層８，９（膜厚２０
００人程度）で挾んだ構成になっている。
ＳｒＳ：Ｃｅ発光層５は僅かに添加したＣｅが発光中心
となって青色に発光するが、このＳｒＳ：Ｃｅ発光層と
同時にＺｎＳバッファ層８．９を連続蒸着して、発光層
の変質（吸湿によって酸素濃度が増加する膜質の変化）
を軽減させ、且つ、発光層と絶縁膜との反応を防止して
、安定で、高輝度なパネル素子を作成しているものであ
る。
となって青色に発光するが、このＳｒＳ：Ｃｅ発光層と
同時にＺｎＳバッファ層８．９を連続蒸着して、発光層
の変質（吸湿によって酸素濃度が増加する膜質の変化）
を軽減させ、且つ、発光層と絶縁膜との反応を防止して
、安定で、高輝度なパネル素子を作成しているものであ
る。
なお、第４図の例は青色ＥＬ素子であるが、薄膜ＥＬに
よってカラーパネルを実現させるためには、Ｒ（赤）、
Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色を発光させる必要があり、現
在、赤色用発光層にはユーロピウムを添加した硫化カル
シウム（Ｃａ Ｓ ： Ｅｕ）が開発され、緑色用発光
層にはテレビラムを添加した硫化亜鉛（ＺｎＳ ： Ｔ
ｂ）が開発されている。
よってカラーパネルを実現させるためには、Ｒ（赤）、
Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色を発光させる必要があり、現
在、赤色用発光層にはユーロピウムを添加した硫化カル
シウム（Ｃａ Ｓ ： Ｅｕ）が開発され、緑色用発光
層にはテレビラムを添加した硫化亜鉛（ＺｎＳ ： Ｔ
ｂ）が開発されている。
さて、上記のような薄膜ＥＬ素子を高輝度に発光させる
ための検討を続けているが、青色薄膜ＥＬ素子の検討過
程において、蒸着速度（Ｍ着し−ト）を速くするほど輝
度が高くなることが判ってきた。これは膜質が蒸着速度
に依存して、蒸着速度が速いほど発光層の膜質の良いも
のが被着するためと考えられる。
ための検討を続けているが、青色薄膜ＥＬ素子の検討過
程において、蒸着速度（Ｍ着し−ト）を速くするほど輝
度が高くなることが判ってきた。これは膜質が蒸着速度
に依存して、蒸着速度が速いほど発光層の膜質の良いも
のが被着するためと考えられる。
ところが、更に蒸着速度を速くすると、輝度が急に低下
することが明らかになってきた。第５図はその従来の問
題点を示す蒸着速度と輝度および酸素との関係図である
が、ＳｒＳ：Ｃｅからなる発光母材ペレット（発光母材
の焼結体をペレットと呼ぶ）の２つの試料Ａ、Ｂの蒸着
速度と輝度との関係を・と実線（ペレットＡ）、・と点
ｖＡ（ペレットＢ）で示しており、いずれの試料も輝度
が急に低下していることが判る。
することが明らかになってきた。第５図はその従来の問
題点を示す蒸着速度と輝度および酸素との関係図である
が、ＳｒＳ：Ｃｅからなる発光母材ペレット（発光母材
の焼結体をペレットと呼ぶ）の２つの試料Ａ、Ｂの蒸着
速度と輝度との関係を・と実線（ペレットＡ）、・と点
ｖＡ（ペレットＢ）で示しており、いずれの試料も輝度
が急に低下していることが判る。
その原因を究明するために、蒸着工程におけるペレット
Ａ、Ｂの蒸発時間と放出ガスとの関係を四重極質量分析
器で調べたところ、第６図に示す関係が得られ、同図（
８）はペレッ）Ａの関係図、同図（ｂ）はペレットＢの
関係図である。いずれのペレット試料も途中で電子銃に
よる電子ビーム（ＥＢ）照射強度を強くしているが、放
出ガスは二酸化炭素（ＣＯ２）、−酸化炭素（ＣＯ）な
どの酸素化合物が主であることが明らかで、また、ペレ
ットＡの方がペレットＢよりも放出ガスが多く、ペレッ
ト試料によって放出ガス量が大きく相違していることも
判った。
Ａ、Ｂの蒸発時間と放出ガスとの関係を四重極質量分析
器で調べたところ、第６図に示す関係が得られ、同図（
８）はペレッ）Ａの関係図、同図（ｂ）はペレットＢの
関係図である。いずれのペレット試料も途中で電子銃に
よる電子ビーム（ＥＢ）照射強度を強くしているが、放
出ガスは二酸化炭素（ＣＯ２）、−酸化炭素（ＣＯ）な
どの酸素化合物が主であることが明らかで、また、ペレ
ットＡの方がペレットＢよりも放出ガスが多く、ペレッ
ト試料によって放出ガス量が大きく相違していることも
判った。
このガス分析データに基づき、酸素濃度（相対値）と蒸
着速度との関係を調べると、第５図に示すムと実線（ペ
レットＡ）、ムと点ｖＡ（ペレットＢ）が得られた。従
って、輝度と酸素とに深い関わりがあることが明らかに
なり、更に、調査を進めると、ペレット作製時に炭酸ス
トロンチウム（５ｒＣＯ３）が残存することが予想され
た。これより推考するに、蒸発速度を速くするために電
子銃による照射強度を強くすると、ペレットの温度が上
昇してペレット中の含有ＳｒＣＯ３の分解が進み、酸素
が蒸発し易くなるものと思われる。
着速度との関係を調べると、第５図に示すムと実線（ペ
レットＡ）、ムと点ｖＡ（ペレットＢ）が得られた。従
って、輝度と酸素とに深い関わりがあることが明らかに
なり、更に、調査を進めると、ペレット作製時に炭酸ス
トロンチウム（５ｒＣＯ３）が残存することが予想され
た。これより推考するに、蒸発速度を速くするために電
子銃による照射強度を強くすると、ペレットの温度が上
昇してペレット中の含有ＳｒＣＯ３の分解が進み、酸素
が蒸発し易くなるものと思われる。
従って、本発明はこの問題点を軽減させ、−層高輝度に
発光させることを目的とした薄膜ＥＬ素子の製造方法を
提供するものである。
発光させることを目的とした薄膜ＥＬ素子の製造方法を
提供するものである。
その目的は、アルカリ土類硫化物を発光母材とする発光
層の形成工程において、蒸着容器内を硫化水素を含有す
る減圧気にして、前記発光層を蒸着するようにした製造
方法、または、蒸着容器内に発光母材ペレットからなる
複数の蒸発源を配置し、それぞれの蒸発源から酸素を含
む化合物が放出されはじめる蒸発速度以下の蒸発速度に
制御し、全蒸発源からの合計の蒸発速度（即ち、基板へ
の蒸着速度）を大きくして蒸着させるようにした製造方
法によって達成される。
層の形成工程において、蒸着容器内を硫化水素を含有す
る減圧気にして、前記発光層を蒸着するようにした製造
方法、または、蒸着容器内に発光母材ペレットからなる
複数の蒸発源を配置し、それぞれの蒸発源から酸素を含
む化合物が放出されはじめる蒸発速度以下の蒸発速度に
制御し、全蒸発源からの合計の蒸発速度（即ち、基板へ
の蒸着速度）を大きくして蒸着させるようにした製造方
法によって達成される。
即ち、本発明は、蒸発速度（蒸着速度に比例）を速くし
て、且つ、酸素を含む化合物母材を硫化水素（Ｈ２Ｓ）
で還元して、蒸着した発光層に酸素が含まれないように
する方法を用いるか、または、複数の蒸発源を配置して
、合計の蒸発量（蒸着りを多くし、且つ、個々の蒸発源
からの蒸発速度を低く抑えて、発光母材から酸素を含む
化合物が放出されないようにして蒸着する方法を用いる
。
て、且つ、酸素を含む化合物母材を硫化水素（Ｈ２Ｓ）
で還元して、蒸着した発光層に酸素が含まれないように
する方法を用いるか、または、複数の蒸発源を配置して
、合計の蒸発量（蒸着りを多くし、且つ、個々の蒸発源
からの蒸発速度を低く抑えて、発光母材から酸素を含む
化合物が放出されないようにして蒸着する方法を用いる
。
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかる蒸着方法（１）を示す図で、硫
化水素を含有させた減圧雰囲気中における蒸着方法を示
しており、１１は蒸着容器、１２は基板（素子基板）、
１３はペレット（ＳｒＳ：Ｃｅからなる発光母材ペレッ
ト）、１４はヒータ、１５は電子銃。
化水素を含有させた減圧雰囲気中における蒸着方法を示
しており、１１は蒸着容器、１２は基板（素子基板）、
１３はペレット（ＳｒＳ：Ｃｅからなる発光母材ペレッ
ト）、１４はヒータ、１５は電子銃。
１６は真空排気口、１７はパルプ、１８は硫化水素ボン
ベである。
ベである。
基板１２はガラス基板上にＩＴＯ膜、５ｉＯＮ膜。
ＺｎＳ膜を被着した素子基板（第４図参照）で、５ｔＯ
Ｎ膜を被着した後、蒸着容器１１内部の真空度をｌＸｌ
０ Ｔｏｒｒ以下にし、ヒータ１４によって基板１２
を５５０℃に加熱し、次にパルプ１７を開いてＨ２Ｓガ
スを硫化水素ボンベ１８から流入して減圧度（真空度）
を１〜５Ｘ１０ Ｔｏｒｒ程度にする。そして、電子
銃１５を動作させてペレット１３を照射し、２００人／
分の蒸着速度で蒸着する。なお、ここに、ペレット１３
とはハウス（容器）に納めたペレットを意味しており、
そのペレットを電子銃１５から発射させた電子ビームを
磁界で屈折させて照射（点線で示している）し、発光母
材を蒸発させるものである。
Ｎ膜を被着した後、蒸着容器１１内部の真空度をｌＸｌ
０ Ｔｏｒｒ以下にし、ヒータ１４によって基板１２
を５５０℃に加熱し、次にパルプ１７を開いてＨ２Ｓガ
スを硫化水素ボンベ１８から流入して減圧度（真空度）
を１〜５Ｘ１０ Ｔｏｒｒ程度にする。そして、電子
銃１５を動作させてペレット１３を照射し、２００人／
分の蒸着速度で蒸着する。なお、ここに、ペレット１３
とはハウス（容器）に納めたペレットを意味しており、
そのペレットを電子銃１５から発射させた電子ビームを
磁界で屈折させて照射（点線で示している）し、発光母
材を蒸発させるものである。
この本発明にかかる形成工程（成膜処理工程）中の酸素
濃度を四重極質量分析器で測定したところ、Ｈ２Ｓガス
を流入しない従来法に比べ、酸素濃度は１０分の１に低
下した。また、その後の形成工程を経て完成した薄膜Ｅ
Ｌ素子の輝度を測定したところ、Ｈ２Ｓガスを導入しな
い従来方法（蒸着速度７０人／分の場合）に比べて２倍
に向上、する結果を得た。
濃度を四重極質量分析器で測定したところ、Ｈ２Ｓガス
を流入しない従来法に比べ、酸素濃度は１０分の１に低
下した。また、その後の形成工程を経て完成した薄膜Ｅ
Ｌ素子の輝度を測定したところ、Ｈ２Ｓガスを導入しな
い従来方法（蒸着速度７０人／分の場合）に比べて２倍
に向上、する結果を得た。
次に、第２図は本発明にかかる蒸着方法（ｎ）を示す図
で、本例は複数のペレットからなる蒸発源を用いた蒸着
方法の図である。第１図と同一部位に同一記号が付けで
あるが、ペレットと電子銃とで構成した蒸発源を３つ配
置しており、ペレット１３と電子銃１５．ペレット１３
′と電子銃１５”およびペレット１３″゛と電子銃１５
°′で、蒸発源はいずれも基板に対向させである。
で、本例は複数のペレットからなる蒸発源を用いた蒸着
方法の図である。第１図と同一部位に同一記号が付けで
あるが、ペレットと電子銃とで構成した蒸発源を３つ配
置しており、ペレット１３と電子銃１５．ペレット１３
′と電子銃１５”およびペレット１３″゛と電子銃１５
°′で、蒸発源はいずれも基板に対向させである。
第１図に示す実施例と同じ（、ガラス基板上にＩＴＯ膜
、５ｉＯＮ膜、ＺｎＳ膜を被着した基板１２を被着基板
にして、蒸着容器ＩＩ内の真空度をｌＸｌ０−’Ｔｏｒ
ｒ以下にし、ヒータ１４によって基板１２を５５０℃に
加熱し、次に、すべての電子銃を同時に動作させてペレ
ットを照射し１．１つの蒸発源から７０人／分の蒸着速
度で蒸着するように制御する。この蒸着速度は酸素を含
む化合物（ＣＯ２やＣＯなど）がペレットから放出され
ない上限の蒸発速度に相当する。
、５ｉＯＮ膜、ＺｎＳ膜を被着した基板１２を被着基板
にして、蒸着容器ＩＩ内の真空度をｌＸｌ０−’Ｔｏｒ
ｒ以下にし、ヒータ１４によって基板１２を５５０℃に
加熱し、次に、すべての電子銃を同時に動作させてペレ
ットを照射し１．１つの蒸発源から７０人／分の蒸着速
度で蒸着するように制御する。この蒸着速度は酸素を含
む化合物（ＣＯ２やＣＯなど）がペレットから放出され
ない上限の蒸発速度に相当する。
その結果、成膜処理中の真空度は３Ｘ１０ Ｔｏｒｒ
程度に維持され、且つ、作成した薄膜ＥＬ素子の輝度は
、１つの蒸発源を用いた従来方法（蒸着速度７０人／分
の場合）に比べて２倍に向上（２ｆＬ−４ｆＬ）Ｌ、且
つ、発光層の成膜時間が３分の１に短縮される結果が得
られた。
程度に維持され、且つ、作成した薄膜ＥＬ素子の輝度は
、１つの蒸発源を用いた従来方法（蒸着速度７０人／分
の場合）に比べて２倍に向上（２ｆＬ−４ｆＬ）Ｌ、且
つ、発光層の成膜時間が３分の１に短縮される結果が得
られた。
従って、本発明にかかるこれらの蒸着方法は、薄膜ＥＬ
素子の輝度を向上させるために極めて有効である。
素子の輝度を向上させるために極めて有効である。
尚、上記実施例はＳｒＳ：Ｃｅからなる青色発光層によ
って説明しているが、本発明は他のアルカリ土類硫化物
、例えば、硫化カルシウム（ＣａＳ）。
って説明しているが、本発明は他のアルカリ土類硫化物
、例えば、硫化カルシウム（ＣａＳ）。
硫化バリウム（Ｂａ Ｓ ）などを発光母材とする薄膜
ＥＬ素子にも適用が可能である。
ＥＬ素子にも適用が可能である。
以上の説明から明らかなように、上記の蒸着方法を採り
入れた薄膜ＥＬ素子の製造方法によれば、高輝度の発光
層が形成され、ＥＬオカラ−イスプレィパネルの実用化
に大きく寄与するものである。
入れた薄膜ＥＬ素子の製造方法によれば、高輝度の発光
層が形成され、ＥＬオカラ−イスプレィパネルの実用化
に大きく寄与するものである。
第１図は本発明にかかる蒸着方法（りを示す図、第２図
は本発明にかかる蒸着方法（ＩＩ）を示す図、第３図は
薄膜ＥＬパネルの構造図、 第４図は青色薄膜ＥＬ素子の断面図、 第５図は従来の問題点である蒸着速度と輝度および酸素
との関係図、 第６図は従来の蒸発時間と放出ガスとの関係図である。 図において、 ｌはガラス基板、 ２はシールガラス、 ３はＩＴＯ膜（透明電極）、 ４は５ｉＯＮ（第１絶縁膜）、 ５はＳｒ Ｓ ： Ｃｅ （発光層）、６は５ｉＯＮ（
第２絶縁膜）、 ７はアルミニウム電極（背面電極）、 ８．９はＺｎＳ膜（バッファ層）、 １１は蒸着容器、 １２は基板（素子基板）、 １３、１３ ’ 、 １３”はペレット、１４はヒータ
、 １５、１５ ’ 、 １５ ”は電子銃、１６は真空排
気口、 １７はバルブ、 １８は硫化水素ボンベ ４４９月＋：ｖ＞５Ｊ’Ｊ７５乏（Ｊ）を尉０ゴ第１図 第２図 第３図 第４図 玉４υｔ（Ａ／９Ｆ） ｉ朱ｅｐｒ ７’ｆＴＪ！Ｊｊ ＊ＡｈｉＪＩｔ叢℃輝
戊ＡＦｔＡ−球勲墓戊とめ閏保ｍ第５図
は本発明にかかる蒸着方法（ＩＩ）を示す図、第３図は
薄膜ＥＬパネルの構造図、 第４図は青色薄膜ＥＬ素子の断面図、 第５図は従来の問題点である蒸着速度と輝度および酸素
との関係図、 第６図は従来の蒸発時間と放出ガスとの関係図である。 図において、 ｌはガラス基板、 ２はシールガラス、 ３はＩＴＯ膜（透明電極）、 ４は５ｉＯＮ（第１絶縁膜）、 ５はＳｒ Ｓ ： Ｃｅ （発光層）、６は５ｉＯＮ（
第２絶縁膜）、 ７はアルミニウム電極（背面電極）、 ８．９はＺｎＳ膜（バッファ層）、 １１は蒸着容器、 １２は基板（素子基板）、 １３、１３ ’ 、 １３”はペレット、１４はヒータ
、 １５、１５ ’ 、 １５ ”は電子銃、１６は真空排
気口、 １７はバルブ、 １８は硫化水素ボンベ ４４９月＋：ｖ＞５Ｊ’Ｊ７５乏（Ｊ）を尉０ゴ第１図 第２図 第３図 第４図 玉４υｔ（Ａ／９Ｆ） ｉ朱ｅｐｒ ７’ｆＴＪ！Ｊｊ ＊ＡｈｉＪＩｔ叢℃輝
戊ＡＦｔＡ−球勲墓戊とめ閏保ｍ第５図
Claims (2)
- （１） アルカリ土類硫化物を発光母材とする発光層の
形成工程において、 硫化水素を含有した減圧気中で前記発光母材を蒸発させ
て発光層を蒸着するようにしたことを特徴とする薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法。 - （２） アルカリ土類硫化物を発光母材とする発光層の
形成工程において、 蒸着容器内に発光母材ペレットからなる複数の蒸発源を
配置し、それぞれの蒸発源から酸素を含む化合物が放出
されはじめる蒸発速度以下の蒸発速度に制御して前記発
光母材を蒸発して発光層を蒸着するようにしたことを特
徴とする薄膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070530A JP2669637B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070530A JP2669637B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241792A true JPH01241792A (ja) | 1989-09-26 |
| JP2669637B2 JP2669637B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=13434181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63070530A Expired - Fee Related JP2669637B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2669637B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6359715A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-15 | 津田電気計器株式会社 | 高速度直流短絡電流検出装置 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63070530A patent/JP2669637B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6359715A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-15 | 津田電気計器株式会社 | 高速度直流短絡電流検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2669637B2 (ja) | 1997-10-29 |
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