JPH01241126A - 低温ドライエツチング方法 - Google Patents
低温ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPH01241126A JPH01241126A JP6738588A JP6738588A JPH01241126A JP H01241126 A JPH01241126 A JP H01241126A JP 6738588 A JP6738588 A JP 6738588A JP 6738588 A JP6738588 A JP 6738588A JP H01241126 A JPH01241126 A JP H01241126A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- dry etching
- temperature
- gas
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 32
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 8
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 7
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 abstract 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は低温ドライエツチング方法に係り、特に、異方
性エツチングの達成できる試料温度範囲を、ＳＦｅのみ
用いる場合より高くでき、エツチング制御性を向上でき
る方法に関する。
性エツチングの達成できる試料温度範囲を、ＳＦｅのみ
用いる場合より高くでき、エツチング制御性を向上でき
る方法に関する。
従来のシリコンエツチングでは、特開昭６１−８９２６
あるいはジャーナル、・オブ・バニューム・サイエンス
・アンド・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＶａｃ
ｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ）Ｂ５（２）Ｍａｒ／Ａｐｒ１９８７ Ｐ２Ｏ３に記
載のように、ＣＦ４．ＣＢ ｒＦｓ等の堆積性ガスを主
に用いている。これらのガスプラズマ中でエツチング側
面に膜が形成され、サイドエツチングが防止されること
を利用して異方性エツチングを行っていた。また、上記
ガスの他に、さらに積極的に膜を堆積させるための添加
ガスを加える場合もあった。
あるいはジャーナル、・オブ・バニューム・サイエンス
・アンド・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＶａｃ
ｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ）Ｂ５（２）Ｍａｒ／Ａｐｒ１９８７ Ｐ２Ｏ３に記
載のように、ＣＦ４．ＣＢ ｒＦｓ等の堆積性ガスを主
に用いている。これらのガスプラズマ中でエツチング側
面に膜が形成され、サイドエツチングが防止されること
を利用して異方性エツチングを行っていた。また、上記
ガスの他に、さらに積極的に膜を堆積させるための添加
ガスを加える場合もあった。
上記従来技術においては、エツチング側面に炭素系化合
物、酸化シリコン、アルミニウム系化合物等の膜が付着
することが明らかにされていた。
物、酸化シリコン、アルミニウム系化合物等の膜が付着
することが明らかにされていた。
これらの付着膜はドライエツチング後にも残存するので
、膜除去のための後処理が必要である等の問題があった
。また、付着膜の種類、あるいは量によっては後処理に
よっても除去が困難であることもあり、後工程において
異物や汚染のもとになっていた。
、膜除去のための後処理が必要である等の問題があった
。また、付着膜の種類、あるいは量によっては後処理に
よっても除去が困難であることもあり、後工程において
異物や汚染のもとになっていた。
同様のエツチング方法はＳｉ以外のドライエツチングに
も広く用いられており、典型例としては、ＣＣ０番ガス
によるアルミニウムのエツチング等がある。いずれの場
合にも、少なからず汚染等の問題が有り、好ましくはこ
の種の膜形成されるガスを用いないことが良いが、従来
技術によるとこの種の非堆積性ガスによる異方性エツチ
ングは困難であった。
も広く用いられており、典型例としては、ＣＣ０番ガス
によるアルミニウムのエツチング等がある。いずれの場
合にも、少なからず汚染等の問題が有り、好ましくはこ
の種の膜形成されるガスを用いないことが良いが、従来
技術によるとこの種の非堆積性ガスによる異方性エツチ
ングは困難であった。
本発明の目的は、エツチング後にエツチング側面に付着
膜が残存しない方法で、異方性エツチングを達成するこ
とにある。
膜が残存しない方法で、異方性エツチングを達成するこ
とにある。
上記目的は、低温時にエツチング側面に付着し、室温で
は揮発性になる物質を側壁保護膜として形成しながら低
温ドライエツチングすることによって達成される。すな
わち、低温ドライエツチング時の温度における蒸気圧が
真空処理室内の圧力以下であり、室温における蒸気圧が
真空処理室内の圧力以上である物質を側壁保護膜として
用いる。
は揮発性になる物質を側壁保護膜として形成しながら低
温ドライエツチングすることによって達成される。すな
わち、低温ドライエツチング時の温度における蒸気圧が
真空処理室内の圧力以下であり、室温における蒸気圧が
真空処理室内の圧力以上である物質を側壁保護膜として
用いる。
具体例としては、５ｉＣｆｉａ等を適用することができ
る。５ｉＣｊｉａは第２図の蒸気圧のグラフかられかる
ように、たとえば通常のエツチングガス圧力の範囲、０
、 Ｉ Ｔｏｒｒにおいて、約−１００℃で吸着が始
まる。したがって、試料温度を一１００℃以下にすれば
、この吸着層はエツチング側面を被うサイドエツチング
防止膜として働く、エツチング後、試料を昇進する過程
で、真空処理室内圧力がたとえば０ 、 Ｉ Ｔｏｒｒ
であれば、約−１００℃でＳ ｉ ＣＱ ４は蒸発する
ので、汚染源となるような膜は残らない。
る。５ｉＣｊｉａは第２図の蒸気圧のグラフかられかる
ように、たとえば通常のエツチングガス圧力の範囲、０
、 Ｉ Ｔｏｒｒにおいて、約−１００℃で吸着が始
まる。したがって、試料温度を一１００℃以下にすれば
、この吸着層はエツチング側面を被うサイドエツチング
防止膜として働く、エツチング後、試料を昇進する過程
で、真空処理室内圧力がたとえば０ 、 Ｉ Ｔｏｒｒ
であれば、約−１００℃でＳ ｉ ＣＱ ４は蒸発する
ので、汚染源となるような膜は残らない。
Ｓｉエツチングを例にとって本発明の作用を詳しく説明
する。フッ素系ガスを用いてＳｉをエツチングする場合
、フッ素の活性粒子とＳｉが反応し、Ｓ ｉ Ｆａを形
成して蒸発するｅ Ｓ ｘ Ｆ ４の蒸気圧は第２図の
ごとく、室温においては充分高いので、室温では非常に
早い速度でエツチングできる。
する。フッ素系ガスを用いてＳｉをエツチングする場合
、フッ素の活性粒子とＳｉが反応し、Ｓ ｉ Ｆａを形
成して蒸発するｅ Ｓ ｘ Ｆ ４の蒸気圧は第２図の
ごとく、室温においては充分高いので、室温では非常に
早い速度でエツチングできる。
反面、エツチング側面も反応しやすいのでサイドエツチ
ングを生ずる。試料を低温にするとＳｉＦ４の蒸気圧は
しだいに下がり、エツチング側面の反応が抑えられて異
方性エツチングが可能となるが、最適温度は−１２０〜
−１５０℃と非常に低い。
ングを生ずる。試料を低温にするとＳｉＦ４の蒸気圧は
しだいに下がり、エツチング側面の反応が抑えられて異
方性エツチングが可能となるが、最適温度は−１２０〜
−１５０℃と非常に低い。
上記フッ素系ガスに塩素系ガスを混合すると。
５ｉＦａの他にＳ ｉ ＣＱ ４が生成される＊ Ｓ
１００番はＳ ｉ Ｆａよりも５０〜８０℃高い温度で
蒸発するので、上記エツチング条件においては、５ｉＣ
ｆｉ４がＳｉ表面に吸着し、第１図のようにサイドエツ
チングを防止する保護膜として働く、シたがって、第２
図の斜線で示した条件に設定することによって、異方性
エツチングが達成される。この最適温度範囲は、上記フ
ッ素系ガスのみを用いる場合より５０〜８０℃高いため
、試料温度の制御、および装置構造の点で信頼性が向上
した。なお、上記のフッ素系ガスおよび塩素系ガスは汚
染防止の点からは非堆積性ガスでなければならないが、
堆積性ガスを用いても上記の作用は達成される。
１００番はＳ ｉ Ｆａよりも５０〜８０℃高い温度で
蒸発するので、上記エツチング条件においては、５ｉＣ
ｆｉ４がＳｉ表面に吸着し、第１図のようにサイドエツ
チングを防止する保護膜として働く、シたがって、第２
図の斜線で示した条件に設定することによって、異方性
エツチングが達成される。この最適温度範囲は、上記フ
ッ素系ガスのみを用いる場合より５０〜８０℃高いため
、試料温度の制御、および装置構造の点で信頼性が向上
した。なお、上記のフッ素系ガスおよび塩素系ガスは汚
染防止の点からは非堆積性ガスでなければならないが、
堆積性ガスを用いても上記の作用は達成される。
以下１本発明の詳細な説明する。
［実施例］
真空処理室内に設けられた冷却試料台上にＳｉウェーハ
を設置し、液体窒素を用いて該ウェーハを一１００℃に
冷却した。真空処理室内にＳＦｅガスおよびＣＱ ｚガ
スを８：２の割合で導入し。
を設置し、液体窒素を用いて該ウェーハを一１００℃に
冷却した。真空処理室内にＳＦｅガスおよびＣＱ ｚガ
スを８：２の割合で導入し。
１３．５６ＭＨ，の高周波で放電した。ガス圧力を約Ｑ
、 １５ Ｔｏｒｒ、ガス流量を約２０ ｃｃ／ ｎ
＋ｉｎとした。
、 １５ Ｔｏｒｒ、ガス流量を約２０ ｃｃ／ ｎ
＋ｉｎとした。
この時、Ｓｉウェーハは約１μｍ／ｍｉｎの速度でエツ
チングされ、サイドエツチングもほとんど検出されない
（０，０３μｍ）異方性エツチングを達成できた。エツ
チング終了後、該Ｓｉウェーハを該処理室とは別の真空
予備室に搬送し、そこでヒーターにより室温（約２０℃
）まで昇温した後大気中に搬出した。その後、酸素プラ
ズマによるレジストアッシング工程を終た。アッシング
後のＳｉウェーハをｉ察じた結果、後工程で障害となる
異物や汚染は認められず、汚染防止のための後処理は不
要であることがわかった。
チングされ、サイドエツチングもほとんど検出されない
（０，０３μｍ）異方性エツチングを達成できた。エツ
チング終了後、該Ｓｉウェーハを該処理室とは別の真空
予備室に搬送し、そこでヒーターにより室温（約２０℃
）まで昇温した後大気中に搬出した。その後、酸素プラ
ズマによるレジストアッシング工程を終た。アッシング
後のＳｉウェーハをｉ察じた結果、後工程で障害となる
異物や汚染は認められず、汚染防止のための後処理は不
要であることがわかった。
上記エツチング条件は変更可能であり、ガス圧力やガス
流量、入力パワー等の設定条件によって。
流量、入力パワー等の設定条件によって。
異方性エツチングの得られる試料温度範囲は、−５０〜
−１２０℃に変わった。
−１２０℃に変わった。
上記の処理ガスは他の種類のものでも良く、フッ素系ガ
スとしてはＮＦａ＊ ＢＦａ、Ｆｚ塩素系ガスとして５
ｉＣｆｌａ、ＢＣＱａを用いてもほぼ同様の効果の得ら
れることが認められた。
スとしてはＮＦａ＊ ＢＦａ、Ｆｚ塩素系ガスとして５
ｉＣｆｌａ、ＢＣＱａを用いてもほぼ同様の効果の得ら
れることが認められた。
本発明によれば、エツチング終了後、室温において蒸発
する物質を側壁保護膜として利用するので、汚染や異物
が問題とならない清浄なドライエツチングプロセスを実
現できる効果がある。しがち、エツチング速度が早く、
異方性のエツチングを容易に達成できる。
する物質を側壁保護膜として利用するので、汚染や異物
が問題とならない清浄なドライエツチングプロセスを実
現できる効果がある。しがち、エツチング速度が早く、
異方性のエツチングを容易に達成できる。
第１図は本発明の詳細な説明するための模式図、第２図
はＳ ｉ Ｃｎ ａの蒸気圧と温度との関係を示すグラ
フである。
はＳ ｉ Ｃｎ ａの蒸気圧と温度との関係を示すグラ
フである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空処理室内において試料の温度を０℃以下に冷却
しながら反応性プラズマを用いて上記試料を処理する低
温ドライエッチング方法において、該低温ドライエッチ
ング時の温度における蒸気圧が真空処理室内の圧力以下
であり、室温における蒸気圧が真空処理室内の圧力以上
であるような物質をエッチング表面に形成する添加ガス
をエッチングガスに混合することを特徴とする低温ドラ
イエッチング方法。 ２、上記ガスは炭素を含まない非堆積性ガスであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の低温ドライエ
ッチング方法。 ３、試料温度を−５０℃以下、−１２０℃以上に設定す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の低温ド
ライエッチング方法。 ４、上記ガスがフッ素および塩素を含む混合ガスである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の低温ドラ
イエッチング方法。 ５、上記ガスのうち、フッ素を含むガスがＳＦ＿６、Ｎ
Ｆ＿３、ＢＦ＿２、Ｆ＿２のいずれかであり、塩素を含
むガスがＣｌ＿２、ＢＣｌ＿３ＳｉＣｌ＿４のいずれか
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の低
温ドライエッチング方法。 ６、上記試料がシリコンもしくはシリコン化合物である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の低温ドラ
イエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067385A JP2834129B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 低温ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067385A JP2834129B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 低温ドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241126A true JPH01241126A (ja) | 1989-09-26 |
| JP2834129B2 JP2834129B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=13343481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63067385A Expired - Fee Related JP2834129B2 (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 低温ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2834129B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5240556A (en) * | 1991-06-05 | 1993-08-31 | Tokyo Electron Limited | Surface-heating apparatus and surface-treating method |
| US5356515A (en) * | 1990-10-19 | 1994-10-18 | Tokyo Electron Limited | Dry etching method |
| JPH09148302A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 微細加工方法 |
| JP2009543371A (ja) * | 2006-07-12 | 2009-12-03 | テヒニス ユニヴァーシテイト エインドホーフェン | プラズマを用いて基板をエッチングするための方法およびデバイス |
| JP2011258769A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光デバイスの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187238A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-20 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| JPS6292324A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-27 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63067385A patent/JP2834129B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187238A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-20 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
| JPS6292324A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-27 | Toshiba Corp | ドライエツチング方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5356515A (en) * | 1990-10-19 | 1994-10-18 | Tokyo Electron Limited | Dry etching method |
| US5240556A (en) * | 1991-06-05 | 1993-08-31 | Tokyo Electron Limited | Surface-heating apparatus and surface-treating method |
| JPH09148302A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 微細加工方法 |
| JP2009543371A (ja) * | 2006-07-12 | 2009-12-03 | テヒニス ユニヴァーシテイト エインドホーフェン | プラズマを用いて基板をエッチングするための方法およびデバイス |
| JP2011258769A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2834129B2 (ja) | 1998-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS627268B2 (ja) | ||
| JPS63110726A (ja) | エツチング方法 | |
| JPH0527245B2 (ja) | ||
| WO1999066545A8 (en) | Process for removing oxide using hydrogen fluoride vapor | |
| KR100232664B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 및 반도체 제조장치 | |
| JPH07321090A (ja) | エッチングの後処理方法 | |
| JPH08321448A (ja) | 真空排気装置、半導体製造装置及び真空処理方法 | |
| JP3798491B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH01241126A (ja) | 低温ドライエツチング方法 | |
| JPH04233734A (ja) | 弗素化窒化珪素を付着する方法 | |
| JPS63141316A (ja) | 表面処理方法 | |
| JPS6065533A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH05326477A (ja) | 半導体基板表面のハロゲン除去方法 | |
| JP2920848B2 (ja) | シリコン層のエッチング方法 | |
| JPH03769B2 (ja) | ||
| KR19980073847A (ko) | 반도체 웨이퍼 세정방법 및 산화막형성방법 | |
| JPS6328995B2 (ja) | ||
| JP3124599B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JPS63174322A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP2894304B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0432228A (ja) | ドライエッチング方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPS63124419A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP4845786B2 (ja) | 真空排気装置、半導体製造装置及び真空処理方法 | |
| JPS61240635A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPH01223733A (ja) | 炭化チタン系膜及び窒化チタン系膜のエッチング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |