JPH01236645A - 高周波高出力混成集積回路 - Google Patents
高周波高出力混成集積回路Info
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- JPH01236645A JPH01236645A JP6422388A JP6422388A JPH01236645A JP H01236645 A JPH01236645 A JP H01236645A JP 6422388 A JP6422388 A JP 6422388A JP 6422388 A JP6422388 A JP 6422388A JP H01236645 A JPH01236645 A JP H01236645A
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高周波高出力混成集積回路に関するもので
ある。
ある。
第２図に従来技術による高周波高出力混成集積回路の断
面図を示す。この図において、１はアルミナ基板等の絶
縁体基板、２は前記絶縁体基板１上にメタライズされた
出力側電極線路層で、この上に銅板３を介してトランジ
スクチツブ４が固着されている。５は入力側金細線、６
は前記絶縁体基板１上にメタライズされた入力線路電極
層であり、入力側金細線５により、入力線路とトランジ
スタチップ４の表面の入力メタライズ電極（通常、ベー
スメタライズ電極）がワイヤボンドされるつ入力線路電
極層６は、入力整合回路の一端であり、出力側電極線路
層２は出力整合回路の一端を成している。なお、この発
明に直接関係はないが、８は接地用金細線、９は前記出
力電極線路層２をまたいで、絶縁体基板１上に設けられ
た接地電極層に固着させた金属ブリッジであり、トラン
ジスクチツブ４の表面上の接地メタライズ電極（通常、
エミ、ソクメクライズ電極）は、前記接地用金細線８お
よび金属ブリ・ソジ９によってできる限り短い距離で接
地される。
面図を示す。この図において、１はアルミナ基板等の絶
縁体基板、２は前記絶縁体基板１上にメタライズされた
出力側電極線路層で、この上に銅板３を介してトランジ
スクチツブ４が固着されている。５は入力側金細線、６
は前記絶縁体基板１上にメタライズされた入力線路電極
層であり、入力側金細線５により、入力線路とトランジ
スタチップ４の表面の入力メタライズ電極（通常、ベー
スメタライズ電極）がワイヤボンドされるつ入力線路電
極層６は、入力整合回路の一端であり、出力側電極線路
層２は出力整合回路の一端を成している。なお、この発
明に直接関係はないが、８は接地用金細線、９は前記出
力電極線路層２をまたいで、絶縁体基板１上に設けられ
た接地電極層に固着させた金属ブリッジであり、トラン
ジスクチツブ４の表面上の接地メタライズ電極（通常、
エミ、ソクメクライズ電極）は、前記接地用金細線８お
よび金属ブリ・ソジ９によってできる限り短い距離で接
地される。
第２図に示すように、従来例においては、入力整合回路
の一端である入力線路電極層６とトランジスタチップ４
の表面に形成された入力メタライズ電極の間には、かな
りの高低差が生じ、したがって、両者を接続する入力側
金細線５は、図のように急傾斜をもってワイヤボンドさ
れる。また、この高低差があるため、各々の電極におけ
ろワイヤボンド時の荷重にばらつきを生じ、この場合、
入力線路電極層６では付着強度が充分に得られない、あ
るいはトランジスタチップ４の表面のメタライズ電極上
では荷重過多となり、入力側金細線５にネックを生じ易
い等の不具合があった。このため、トランジスタチップ
４の表面保護のためのシリコン樹脂（ＪＣＲ）を塗布し
た場合、集積回路が動作した時の自己発熱等により過度
のＪＣＲの膨張収縮が生じたりする。この場合には、入
力側金細線５がはずれたり、あるいは断線する等の問題
があり、ワイヤボンド作業工程を複雑なものとしていた
。
の一端である入力線路電極層６とトランジスタチップ４
の表面に形成された入力メタライズ電極の間には、かな
りの高低差が生じ、したがって、両者を接続する入力側
金細線５は、図のように急傾斜をもってワイヤボンドさ
れる。また、この高低差があるため、各々の電極におけ
ろワイヤボンド時の荷重にばらつきを生じ、この場合、
入力線路電極層６では付着強度が充分に得られない、あ
るいはトランジスタチップ４の表面のメタライズ電極上
では荷重過多となり、入力側金細線５にネックを生じ易
い等の不具合があった。このため、トランジスタチップ
４の表面保護のためのシリコン樹脂（ＪＣＲ）を塗布し
た場合、集積回路が動作した時の自己発熱等により過度
のＪＣＲの膨張収縮が生じたりする。この場合には、入
力側金細線５がはずれたり、あるいは断線する等の問題
があり、ワイヤボンド作業工程を複雑なものとしていた
。
この発明は、上記の問題点を解決するためになされたも
ので、ワイヤボンドの信頼性を向上させることができる
とともに、ワイヤボンド工程作業を容易にし、安、価で
高信頼度の高周波高出力混成集積回路を提供するもので
ある。
ので、ワイヤボンドの信頼性を向上させることができる
とともに、ワイヤボンド工程作業を容易にし、安、価で
高信頼度の高周波高出力混成集積回路を提供するもので
ある。
この発明に係る高周波高出力混成集積回路は、トランジ
スタチップ表面の入力メタライズ電極とワイヤボンドさ
れるべき外部入力整合回路の一端である絶縁体基板上の
メタライズ電極との間の高低差をなくすため、絶縁体基
板上のメタライズ電極上に電気伝導性の良好な金属片を
固着したものである。
スタチップ表面の入力メタライズ電極とワイヤボンドさ
れるべき外部入力整合回路の一端である絶縁体基板上の
メタライズ電極との間の高低差をなくすため、絶縁体基
板上のメタライズ電極上に電気伝導性の良好な金属片を
固着したものである。
この発明においては、トランジスタチップ表面の入力メ
タライズ電極と、外部入力整合回路の一端である絶縁体
基板上の、メタライズ電極との高低差をなくして両メタ
ライズ電極間をワイヤボンドするようにしたことから、
ワイヤボンド時の荷重のばらつきが防１Ｆされる。
タライズ電極と、外部入力整合回路の一端である絶縁体
基板上の、メタライズ電極との高低差をなくして両メタ
ライズ電極間をワイヤボンドするようにしたことから、
ワイヤボンド時の荷重のばらつきが防１Ｆされる。
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図において、７はこの発明の中心を成す金属片であ
り、その他は第２図と同じものである。
り、その他は第２図と同じものである。
この発明における高周波高出力混成集積回路は、第１図
に示すように、トランジスタチップ４の表面の入力メタ
ライズ電極と入力線路電極層６上に固着された金属片７
との間を入力側金細ｉ５でワイヤボンドされることを特
長とし、その他の部分は、一般の高周波高出力混成集積
回路と同じである。
に示すように、トランジスタチップ４の表面の入力メタ
ライズ電極と入力線路電極層６上に固着された金属片７
との間を入力側金細ｉ５でワイヤボンドされることを特
長とし、その他の部分は、一般の高周波高出力混成集積
回路と同じである。
上記のように、この発明によれば、入力側金細線５をワ
イヤボンドする部分は同等の高さとなり、ワイヤボンド
時の荷重のばらつきは解消され、ワイヤボンドに関する
信頼性は大幅に向上する。また、入力側金細線５の長さ
も、金属線のループ形状が標準化できるので、寄生リア
クタンスによる高周波特性のばらつきも低減される。
イヤボンドする部分は同等の高さとなり、ワイヤボンド
時の荷重のばらつきは解消され、ワイヤボンドに関する
信頼性は大幅に向上する。また、入力側金細線５の長さ
も、金属線のループ形状が標準化できるので、寄生リア
クタンスによる高周波特性のばらつきも低減される。
なお、上記実施例では、金属変７の断面は角形のものを
示したが、はんだ付けおよびワイヤボンドができれば、
形状は何であってもかまオ〕ない。
示したが、はんだ付けおよびワイヤボンドができれば、
形状は何であってもかまオ〕ない。
また、電気的に良導体であれば材質は何であってもかま
オ）ない。
オ）ない。
以上説明（７たように、この発明は入力側におけるワイ
ヤボンドがトランジスタチップと同程度の高さで行える
ように絶縁体基板上のメタライズ電極上に電気伝導性の
良好な金属片を設けたので、ワイヤボンド時の荷重にば
らつきを生じることなく、付着強度にすぐれたワイヤボ
ンドが実現でき、信頼性を大幅に向上させることができ
、また、特性のばらつきも低減できるので、高信頼度で
、かつ安価な高周波高出力混成集積回路が容易に得られ
る効果がある。
ヤボンドがトランジスタチップと同程度の高さで行える
ように絶縁体基板上のメタライズ電極上に電気伝導性の
良好な金属片を設けたので、ワイヤボンド時の荷重にば
らつきを生じることなく、付着強度にすぐれたワイヤボ
ンドが実現でき、信頼性を大幅に向上させることができ
、また、特性のばらつきも低減できるので、高信頼度で
、かつ安価な高周波高出力混成集積回路が容易に得られ
る効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す高周波高出力混成集
積回路の断面図、第２図は従来の高周波高出力混成集積
回路を示す断面図である。 図において、１は絶縁体基板、２は出力側電極ｉ’ｉ！
！聞ｆ’ｉ層、；１はｊＰＩ社く、乙はｌ−））、、ヅ
ノ、り了・、ンーｆ 、 ！１ｌｌｉは入力端金４１１
１ Ｌ’ｉ↓、６は人力１５ｆｆ路電＋３ｉｉ層、ｌは
金属片゛（、゛あろ、。 ）Ｊ′４’、’＋１各図中（ハ同−信゛］′翼はＩＭＩ
・、１ｊこは相当部分４・〉ｊζず３゜ 代理人 入 岩 増 １イ１］（夕）２手４）
第１図 第２図 ）、・ＩＧ ｆｆの表示 ′１′臂バ）昭６：〜６４
器；（号；２４イこ明の名（７１、高固波高出力屁戊申
偵回路１ｇ 、 ｆｆ１ｉｔｆづ１１− ルｆ７事１′
１と（７）関係 １”Ｉ’ ｊ’ｌ” ７１’ｌ １Ｑ
ｔｊ Ａ。 １１、所 重工；１都−１代１１区丸の内ニ丁
Ｌｌ ：≧番：３１：名（示 （６（１１）二、“笠２
ＴＥｒ＄７７末＝に六月代表台 志 岐 守 ｉ戎 、１１代 理 人 ｆ トｉ’ｔ’ｉ“ 東京都Ｉゴ（： Ｅ［−
１区九の自重ｌ−１２番Ｈ′ｌＩ、’−，：！３゜袖１
１：の：；（Ｉ生 明細書の発明の詳細な説明の（１ゼイ、１Ｍ’１１１ｉ
の１テｉｊ Ｑｉな説明の佃おｌび図１ｆｉｉ ６、補正の内容 （１）明細書第２百４ｉ’ｉ、【２行の［出力側部；極
線路層１４・、［出力３５！路電杓ｉ７η１と補１１：
ずろ、。 （２） ｒａｉｌ ｌ； （第プシ〔韮１４イ丁の［
出力電極ｉ、ｊＡ＃Ｒ１：々１２（小、［出力？’ｆＡ
Ｅ 電極層２．１ ト’Ａｆｌ ’＋’ｌス’６ 、
。 （３） 同 １． く 第 ５ ’ｊｊｆ、
２ ０ イー１ の １ ＝金、ｉ萬変 １ イト
、 ｒ ＝＆属１″「１と補ｉ［′４ろ、。 （４）同じ１第６頁２０行・−第７貞−１（［１））Ｉ
出力ｌ１ｌｌ ｉｌｉ、、：極、１″す冒硲ＹピＩｌｉ
；＝、［出力線路１謄Ｊ”１４層−１と補正Ｊ−ろ、。 （１３） 図１ｆ１１中、ｆｆ−５１＋≧・１４−・
別組１の−１，、□’＋１７袖１丁１ン）、１以 １
積回路の断面図、第２図は従来の高周波高出力混成集積
回路を示す断面図である。 図において、１は絶縁体基板、２は出力側電極ｉ’ｉ！
！聞ｆ’ｉ層、；１はｊＰＩ社く、乙はｌ−））、、ヅ
ノ、り了・、ンーｆ 、 ！１ｌｌｉは入力端金４１１
１ Ｌ’ｉ↓、６は人力１５ｆｆ路電＋３ｉｉ層、ｌは
金属片゛（、゛あろ、。 ）Ｊ′４’、’＋１各図中（ハ同−信゛］′翼はＩＭＩ
・、１ｊこは相当部分４・〉ｊζず３゜ 代理人 入 岩 増 １イ１］（夕）２手４）
第１図 第２図 ）、・ＩＧ ｆｆの表示 ′１′臂バ）昭６：〜６４
器；（号；２４イこ明の名（７１、高固波高出力屁戊申
偵回路１ｇ 、 ｆｆ１ｉｔｆづ１１− ルｆ７事１′
１と（７）関係 １”Ｉ’ ｊ’ｌ” ７１’ｌ １Ｑ
ｔｊ Ａ。 １１、所 重工；１都−１代１１区丸の内ニ丁
Ｌｌ ：≧番：３１：名（示 （６（１１）二、“笠２
ＴＥｒ＄７７末＝に六月代表台 志 岐 守 ｉ戎 、１１代 理 人 ｆ トｉ’ｔ’ｉ“ 東京都Ｉゴ（： Ｅ［−
１区九の自重ｌ−１２番Ｈ′ｌＩ、’−，：！３゜袖１
１：の：；（Ｉ生 明細書の発明の詳細な説明の（１ゼイ、１Ｍ’１１１ｉ
の１テｉｊ Ｑｉな説明の佃おｌび図１ｆｉｉ ６、補正の内容 （１）明細書第２百４ｉ’ｉ、【２行の［出力側部；極
線路層１４・、［出力３５！路電杓ｉ７η１と補１１：
ずろ、。 （２） ｒａｉｌ ｌ； （第プシ〔韮１４イ丁の［
出力電極ｉ、ｊＡ＃Ｒ１：々１２（小、［出力？’ｆＡ
Ｅ 電極層２．１ ト’Ａｆｌ ’＋’ｌス’６ 、
。 （３） 同 １． く 第 ５ ’ｊｊｆ、
２ ０ イー１ の １ ＝金、ｉ萬変 １ イト
、 ｒ ＝＆属１″「１と補ｉ［′４ろ、。 （４）同じ１第６頁２０行・−第７貞−１（［１））Ｉ
出力ｌ１ｌｌ ｉｌｉ、、：極、１″す冒硲ＹピＩｌｉ
；＝、［出力線路１謄Ｊ”１４層−１と補正Ｊ−ろ、。 （１３） 図１ｆ１１中、ｆｆ−５１＋≧・１４−・
別組１の−１，、□’＋１７袖１丁１ン）、１以 １
Claims (1)
- 絶縁体基板上に直接トランジスタチップをダイボンド
する際、熱抵抗低減のため、前記トランジスタチップと
、前記絶縁体基板のメタライズ電極との間に銅板をはん
だ付けした構造の高周波高出力混成集積回路において、
前記トランジスタチップ表面の入力メタライズ電極とワ
イヤボンドされるべき外部入力整合回路の一端である前
記絶縁体基板上のメタライズ電極との間の高低差をなく
すため、前記絶縁体基板上のメタライズ電極上に電気伝
導性の良好な金属片を固着したことを特徴とする高周波
高出力混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6422388A JPH01236645A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 高周波高出力混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6422388A JPH01236645A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 高周波高出力混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01236645A true JPH01236645A (ja) | 1989-09-21 |
Family
ID=13251889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6422388A Pending JPH01236645A (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | 高周波高出力混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01236645A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2013047533A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-03-26 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-03-16 JP JP6422388A patent/JPH01236645A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2013047533A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-03-26 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
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