JPH01236226A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH01236226A JPH01236226A JP6189288A JP6189288A JPH01236226A JP H01236226 A JPH01236226 A JP H01236226A JP 6189288 A JP6189288 A JP 6189288A JP 6189288 A JP6189288 A JP 6189288A JP H01236226 A JPH01236226 A JP H01236226A
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Landscapes
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は耐半田ストレス性、耐湿性、耐ヒートサイクル
性に優れ、かつ低応力である半導体等の電子部品等の封
止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
性に優れ、かつ低応力である半導体等の電子部品等の封
止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
従来、ダイオード、トランジスタ、集積回路等の電子部
品を熱硬化性樹脂で封止しているが、特に集積回路では
耐熱性、耐湿性に優れた。−クレゾールノボラフクエボ
キシ樹脂をノボラック型フェノール樹脂で硬化させたエ
ポキシ樹脂が用いられている。
品を熱硬化性樹脂で封止しているが、特に集積回路では
耐熱性、耐湿性に優れた。−クレゾールノボラフクエボ
キシ樹脂をノボラック型フェノール樹脂で硬化させたエ
ポキシ樹脂が用いられている。
ところが近年、集積回路の高集積化に伴いチップがだん
だん大型化し、かつパッケージは従来のDIPタイプか
ら表面実装化された小型、薄型のフラットパッケージ、
SOP、SOJ、PLCCに変わってきている。
だん大型化し、かつパッケージは従来のDIPタイプか
ら表面実装化された小型、薄型のフラットパッケージ、
SOP、SOJ、PLCCに変わってきている。
即ち大型チップを小型で薄いパッケージに封入すること
になり、内部応力によるクランクの発生、これらのクラ
ックによる耐湿性の低下等の問題が大きくクローズアッ
プされてきている。
になり、内部応力によるクランクの発生、これらのクラ
ックによる耐湿性の低下等の問題が大きくクローズアッ
プされてきている。
また、半田づけ工程において宅、激に200 ’C以上
の高温にさらされることによりパッケージの割れや樹脂
とチップの剥離により耐湿性が劣化してしまうといった
問題点ができている。
の高温にさらされることによりパッケージの割れや樹脂
とチップの剥離により耐湿性が劣化してしまうといった
問題点ができている。
これらの大型チップを封止するのに適した、信転性の高
い封止用樹脂組成物の開発が望まれてきている。
い封止用樹脂組成物の開発が望まれてきている。
内部応力は一般に線膨張係数と曲げ弾性率の積lこ比例
するので無機充填材を多量に添加し、線膨張係数を下げ
ることが行なわれる。
するので無機充填材を多量に添加し、線膨張係数を下げ
ることが行なわれる。
しかし無機充填材を必要以上に添加すると曲げ弾性率が
上がり又流動性、耐τ2性等が低下する傾向にあるため
、無機充填材の添加にも限度がある。
上がり又流動性、耐τ2性等が低下する傾向にあるため
、無機充填材の添加にも限度がある。
シリコンオイルやシリコンゴム等のシリコン化合物ある
いはウレタンゴムやブタジェンゴム等の合成ゴム類を添
加することにより内部応力を低減できるが、前者ではエ
ポキシ樹脂との相溶性が悪いためシリコン分がブリード
してリードフレームや半導体素子との密着が低下し、又
後者では硬化時の架橋密度が低下するため、耐ヒートサ
イクルは向上するものの、耐ハンダストレス性、耐湿性
は低下するという問題があり、耐ハンダストレス性、耐
γソ性、耐ヒートサイクル性のいずれの特性も満足する
良好な樹脂組成物は得られていないのが実状である。
いはウレタンゴムやブタジェンゴム等の合成ゴム類を添
加することにより内部応力を低減できるが、前者ではエ
ポキシ樹脂との相溶性が悪いためシリコン分がブリード
してリードフレームや半導体素子との密着が低下し、又
後者では硬化時の架橋密度が低下するため、耐ヒートサ
イクルは向上するものの、耐ハンダストレス性、耐湿性
は低下するという問題があり、耐ハンダストレス性、耐
γソ性、耐ヒートサイクル性のいずれの特性も満足する
良好な樹脂組成物は得られていないのが実状である。
本発明の目的とするところは耐半田ストレス性、耐湿性
、耐ヒートサイクル性に優れ、かつ低応力で信頼性の高
い封止用樹脂組成物を提供しようとするものである。
、耐ヒートサイクル性に優れ、かつ低応力で信頼性の高
い封止用樹脂組成物を提供しようとするものである。
本発明は
(A) 1分子中にエポキシ基を少なくとも2個以上
を有するエポキシ樹脂、 (B)フェノール樹脂系硬化剤、 (C)ポリスチレンブロックの分子量が1000〜20
000であり、水添ポリアルキレンブロックの分子量が
10000〜100000であり、ポリスチレン/水添
ポリアルキレンの分子量比がl/10〜10/lOであ
るブロック共重合体、 (D)無機充填剤 を必須成分とし、エポキシ樹脂(A)100重量部に対
してブロック共重合体(C)を0.5〜65重量部配し
てなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するもので
ある。
を有するエポキシ樹脂、 (B)フェノール樹脂系硬化剤、 (C)ポリスチレンブロックの分子量が1000〜20
000であり、水添ポリアルキレンブロックの分子量が
10000〜100000であり、ポリスチレン/水添
ポリアルキレンの分子量比がl/10〜10/lOであ
るブロック共重合体、 (D)無機充填剤 を必須成分とし、エポキシ樹脂(A)100重量部に対
してブロック共重合体(C)を0.5〜65重量部配し
てなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するもので
ある。
本発明の(A)成分としてのエポキシ樹脂はその分子中
にエポキシ基をす(なくとも2個以上有する化合物であ
る限り分子構造、分子量などに制限はなく半導体封止用
に使用されるものをそのまま用いることが出来る。
にエポキシ基をす(なくとも2個以上有する化合物であ
る限り分子構造、分子量などに制限はなく半導体封止用
に使用されるものをそのまま用いることが出来る。
例えばノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型樹脂。
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型樹脂。
レゾルシン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂。
ヘテロ環式エポキシ樹脂等が上げられ、これらのエポキ
シ樹脂は1lffi又は2種混合して用いられる。
シ樹脂は1lffi又は2種混合して用いられる。
これらのエポキシ樹脂は半導体素子を腐食するNa゛、
C1−等のイオン性不純物を出来るだけ除去したもの
が耐湿性の点で望ましい。
C1−等のイオン性不純物を出来るだけ除去したもの
が耐湿性の点で望ましい。
本発明の(B)成分としてのフェノール樹脂は(A)成
分のエポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、
例えばフェノール、クレゾール。
分のエポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、
例えばフェノール、クレゾール。
キシレノール、フェニルフェノール、ビスフェノール等
の一種又は二種以上の混合物とホルムアルデヒドないし
バラホルムアルデヒドとを酸、塩基または中性塩などを
触媒として反応させて得られるものである。
の一種又は二種以上の混合物とホルムアルデヒドないし
バラホルムアルデヒドとを酸、塩基または中性塩などを
触媒として反応させて得られるものである。
これらは単独もしくは2種以上混合して用いられ、半導
体素子を腐食するNa”、 C1−等のイオン性不純物
を出来るだけ除去したものが耐湿性の点で望ましい。
体素子を腐食するNa”、 C1−等のイオン性不純物
を出来るだけ除去したものが耐湿性の点で望ましい。
上記(A)成分としてのエポキシ樹脂と(B)成分とし
てのフェノール樹脂との配合比はエポキシ樹脂のエポキ
シ基とフェノール樹脂の水酸基との当量比が0.5〜5
の範囲内に有ることが望ましい、当量比が0.5未満又
は5を越えたものは、耐湿性、成形作業性及び硬化物の
電気特性が悪くなるので好ましくない。
てのフェノール樹脂との配合比はエポキシ樹脂のエポキ
シ基とフェノール樹脂の水酸基との当量比が0.5〜5
の範囲内に有ることが望ましい、当量比が0.5未満又
は5を越えたものは、耐湿性、成形作業性及び硬化物の
電気特性が悪くなるので好ましくない。
本発明の(C)成分としてのポリスチレンと水添ポリア
ルキレンのブロック共重合体は、ポリスチレンブロソク
の分子量がt、ooo〜20.000、水添ポリアルキ
レンブロックの分子量が10,000〜100゜000
であり、かつポリスチレン/水添ポリアルキレンの分子
量比が1/10〜10/10のものが耐半田ストレス性
、耐湿性、耐ヒートサイクル性の向上に効果を有するも
のである。
ルキレンのブロック共重合体は、ポリスチレンブロソク
の分子量がt、ooo〜20.000、水添ポリアルキ
レンブロックの分子量が10,000〜100゜000
であり、かつポリスチレン/水添ポリアルキレンの分子
量比が1/10〜10/10のものが耐半田ストレス性
、耐湿性、耐ヒートサイクル性の向上に効果を有するも
のである。
ポリスチレンと水添ポリアルキレンのブロック共重合体
のポリスチレンブロックの分子量が1000未満、水添
ポリアルキレンブロックの分子量が10.000未満の
ものは、柔軟性が乏しく、樹脂組成物中での低応力の効
果が薄くなり、耐半田ストレス性、耐ヒートサイクル性
が顕著に向上しない。
のポリスチレンブロックの分子量が1000未満、水添
ポリアルキレンブロックの分子量が10.000未満の
ものは、柔軟性が乏しく、樹脂組成物中での低応力の効
果が薄くなり、耐半田ストレス性、耐ヒートサイクル性
が顕著に向上しない。
又、ポリスチレンブロックの分子量が20,000以上
、水添ポリアルキレンブロックの分子量が100.00
0のものは、流動性が低下し、成形性が好ましくない。
、水添ポリアルキレンブロックの分子量が100.00
0のものは、流動性が低下し、成形性が好ましくない。
又、ポリスチレン/水添ポリアルキレンの分子量比がl
/10未満、または10/10以上のものは、柔軟性が
乏しくなり、耐ヒートサイクル性が顕著に向上しない。
/10未満、または10/10以上のものは、柔軟性が
乏しくなり、耐ヒートサイクル性が顕著に向上しない。
例えばブロック共重合体はポリスチレン・水添ポリブタ
ジェン・ポリスチレン、ポリスチレン・水添ポリブタジ
ェン、ポリスチレン・水添ポリイソブチレン、ポリスチ
レン・水添・ポリイソブチレン・ポリスチレン、ポリス
チレン・水添ポリブタジェン・ポリスチレン・水添ポリ
ブタジェン。
ジェン・ポリスチレン、ポリスチレン・水添ポリブタジ
ェン、ポリスチレン・水添ポリイソブチレン、ポリスチ
レン・水添・ポリイソブチレン・ポリスチレン、ポリス
チレン・水添ポリブタジェン・ポリスチレン・水添ポリ
ブタジェン。
ポリスチレン・水添ポリイソブチレン・ポリスチレン・
水添ポリイソブチレン等をあげることができる。
水添ポリイソブチレン等をあげることができる。
ポリスチレンと水添、ポリアルキレンのブロック共重合
体が耐ヒートサイクル性が良(なる理由としてポリスチ
レンと水添ポリアルキレンのブロック共重合体は、合成
ゴム同等の柔軟性を有し、さらに95°C−130°C
で溶融するが、分子量が大きいため、液状合成ゴム、シ
リコーンオイル類を添加した時のような成形時の溶出を
起こさずに耐半田ストレス性、耐湿性、耐ヒートサイク
ル性が向上するものと考えられる。
体が耐ヒートサイクル性が良(なる理由としてポリスチ
レンと水添ポリアルキレンのブロック共重合体は、合成
ゴム同等の柔軟性を有し、さらに95°C−130°C
で溶融するが、分子量が大きいため、液状合成ゴム、シ
リコーンオイル類を添加した時のような成形時の溶出を
起こさずに耐半田ストレス性、耐湿性、耐ヒートサイク
ル性が向上するものと考えられる。
これらのポリスチレンと水添ポリアルキレンのブロック
共重合体の、エポキシ樹脂に対する配合部数は、エポキ
シ樹脂100重量部に対して0.5〜65重量部が望ま
しい。
共重合体の、エポキシ樹脂に対する配合部数は、エポキ
シ樹脂100重量部に対して0.5〜65重量部が望ま
しい。
エポキシ樹脂に対する配合部数が0.5重量部未満では
耐半田ストレス性、耐湿性、耐ヒートサイクルが向上せ
ず、又65重量部を上廻れば流動性が低下し、成形性が
悪くなるので好ましくない。
耐半田ストレス性、耐湿性、耐ヒートサイクルが向上せ
ず、又65重量部を上廻れば流動性が低下し、成形性が
悪くなるので好ましくない。
本発明に用いるCD)無機質充填剤としては通常のシリ
カ粉末やアルミナ等があげられとくに球状の溶融シリカ
と破砕状溶融シリカを併用したも゛のが好ましい。
カ粉末やアルミナ等があげられとくに球状の溶融シリカ
と破砕状溶融シリカを併用したも゛のが好ましい。
本発明の対土用樹脂組成物はエポキシ樹脂、フェノール
樹脂、ポリスチレン水添ポリアルキレンのブロック共重
合体、無機質充填剤を必須成分とするが、必要に応して
例えば天然ワックス類、合成ワックス類直鎖脂肪酸の金
属塩、酸アミド・エステル類、パラフィン類などの離型
剤シランカップリング剤、ブロム化エポキシ樹脂、三酸
化アンチモン、ヘキサブロムベンゼン等の難燃剤、カー
ボンブラック、ベンガラ等の着色剤及びシリコーンオイ
ル、ゴム等の低応力添加剤等の種々の添加剤を適宜配合
しても差し支えがない。
樹脂、ポリスチレン水添ポリアルキレンのブロック共重
合体、無機質充填剤を必須成分とするが、必要に応して
例えば天然ワックス類、合成ワックス類直鎖脂肪酸の金
属塩、酸アミド・エステル類、パラフィン類などの離型
剤シランカップリング剤、ブロム化エポキシ樹脂、三酸
化アンチモン、ヘキサブロムベンゼン等の難燃剤、カー
ボンブラック、ベンガラ等の着色剤及びシリコーンオイ
ル、ゴム等の低応力添加剤等の種々の添加剤を適宜配合
しても差し支えがない。
又、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物を成形材料とし
て製造するにはエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、充
填剤、その他添加剤をミキサー等によって十分に均一に
混合した後、さらに熱ロールまたはニーダ−等で溶融混
練し、冷却後粉砕して成形材料とすることができる。こ
れらの成形材料は電子部品あるいは電気部品の封止、被
覆、絶p等に適用することができる。
て製造するにはエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、充
填剤、その他添加剤をミキサー等によって十分に均一に
混合した後、さらに熱ロールまたはニーダ−等で溶融混
練し、冷却後粉砕して成形材料とすることができる。こ
れらの成形材料は電子部品あるいは電気部品の封止、被
覆、絶p等に適用することができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物は耐半田ストレス性、耐湿
性、耐ヒートサイクル性に優れ、かつ低応力の組成物で
あり、電子、電気部品の封止用、被覆用、絶縁用等に用
いた場合、特に表面実装パッケージに搭載された高集積
大型チップICにおいて信頼性が非常に高い製品を得る
ことができる。
性、耐ヒートサイクル性に優れ、かつ低応力の組成物で
あり、電子、電気部品の封止用、被覆用、絶縁用等に用
いた場合、特に表面実装パッケージに搭載された高集積
大型チップICにおいて信頼性が非常に高い製品を得る
ことができる。
実施例1
0−クレゾール−ノボラックエポキシ樹脂(軟化点65
°C、エポキシ当世200) 100重量部フェノー
ルノボラック樹脂 50重量部トリフェニルホ
スフィン 111部二酸化アンチモン粉末
18重量部カルナバワックス
2重量部溶融シリカ粉末
388重量部T−グリシドキシメトキシシラン 3重
量部ポリスチレン・水添ポリブタジェン・ポリスチレン
ブロック共重合体 (ポリスチレンブロック分子量各々5ooo、水添ポリ
ブタジェンブロック分子量50000)17重量部 をリボンプレンダーで常温で混合し、70〜ioo’c
でロールにより混練し、冷却後粉砕し成形材料とした。
°C、エポキシ当世200) 100重量部フェノー
ルノボラック樹脂 50重量部トリフェニルホ
スフィン 111部二酸化アンチモン粉末
18重量部カルナバワックス
2重量部溶融シリカ粉末
388重量部T−グリシドキシメトキシシラン 3重
量部ポリスチレン・水添ポリブタジェン・ポリスチレン
ブロック共重合体 (ポリスチレンブロック分子量各々5ooo、水添ポリ
ブタジェンブロック分子量50000)17重量部 をリボンプレンダーで常温で混合し、70〜ioo’c
でロールにより混練し、冷却後粉砕し成形材料とした。
得られた成形材料をタブレット化し、低圧トランスファ
ー成形にて175°C,70kg / cd 、 12
0秒の条件で成形品を得た。
ー成形にて175°C,70kg / cd 、 12
0秒の条件で成形品を得た。
この成形品について耐湿性、応力等の緒特性を試験し、
その結果を第1表に示す。
その結果を第1表に示す。
実施例2
実施例1においてポリスチレン・水添ポリブタジェン・
ポリスチレンブロック共重合体17重量部を、ポリスチ
レン・水添ポリブタジェン・ポリスチレン・水添ポリブ
タジェンブロック共重合体(ポリスチレンブロック分子
量10000水添ポリブタジエンブロツク分子量500
00) 30重量部に置き換えた以外は、すべて実施例
1と同様の試験を行なった結果を第1表に示す。
ポリスチレンブロック共重合体17重量部を、ポリスチ
レン・水添ポリブタジェン・ポリスチレン・水添ポリブ
タジェンブロック共重合体(ポリスチレンブロック分子
量10000水添ポリブタジエンブロツク分子量500
00) 30重量部に置き換えた以外は、すべて実施例
1と同様の試験を行なった結果を第1表に示す。
□実施例3
実施例1においてポリスチレン・水添ポリブタジェン・
ポリスチレンブロック共重合体17重量部をポリスチレ
ン・水添ポリブタジェンのブロック共重合体(ポリスチ
レンブロック分子量5000、水添ポリブタジェンブロ
ック分子135000) 23重量部、また?8融シリ
カ粉末388重量部を557重量部に置き換え、その他
は、すべて実施例1と同様の試験を行なった結果を第1
表に示す。
ポリスチレンブロック共重合体17重量部をポリスチレ
ン・水添ポリブタジェンのブロック共重合体(ポリスチ
レンブロック分子量5000、水添ポリブタジェンブロ
ック分子135000) 23重量部、また?8融シリ
カ粉末388重量部を557重量部に置き換え、その他
は、すべて実施例1と同様の試験を行なった結果を第1
表に示す。
実施例4
実施例1において、ポリスチレン・水添ポリブタジェン
・ポリスチレンブロック重合体17重量部をポリスチレ
ン・水添ポリイソプレンのブロック共重合体(ポリスチ
レンブロック分子I4500、水添イソプレンブロック
分子量25500) 25重量部にまた溶融シリカ粉末
35シ重量部を652重景重景置き換えた以外は、すべ
て実施例1と同様の試験を行なった結果を第1表に示す
。
・ポリスチレンブロック重合体17重量部をポリスチレ
ン・水添ポリイソプレンのブロック共重合体(ポリスチ
レンブロック分子I4500、水添イソプレンブロック
分子量25500) 25重量部にまた溶融シリカ粉末
35シ重量部を652重景重景置き換えた以外は、すべ
て実施例1と同様の試験を行なった結果を第1表に示す
。
比較例1
実施例1においてポリスチレン・水添ポリブタ、ジエン
・ポリスチレンブロック共重合体171i1部′を除い
た以外はすべて実施例1と同様にして試験を行なった結
果を第1表に示す。
・ポリスチレンブロック共重合体171i1部′を除い
た以外はすべて実施例1と同様にして試験を行なった結
果を第1表に示す。
比較VA2
実施例3においてポリスチレン・水添ポリブタジェンブ
ロック共重合体23を重量部を除いた以外はすべて実施
例3と同様にして試験を行った結果を第1表に示す。
ロック共重合体23を重量部を除いた以外はすべて実施
例3と同様にして試験を行った結果を第1表に示す。
比較例3
実施例1においてポリスチレン・水添ポリブタジェン・
ポリスチレンブロック共重合体の分子量をポリスチレン
ブロック分子1t500 、水添ポリブタジェンブロッ
ク分子13000に置き換えた以外はすべて実施例1と
同様の試験を行なった結果を第1表に示す。
ポリスチレンブロック共重合体の分子量をポリスチレン
ブロック分子1t500 、水添ポリブタジェンブロッ
ク分子13000に置き換えた以外はすべて実施例1と
同様の試験を行なった結果を第1表に示す。
比較例4
実施例2においてポリスチレン・水添ポリブタジェン・
ポリスチレン・水添ポリブタジェンブロック共31合体
の分子量を、ポリスチレンブロック分子量so、 oo
o、水添ンオリアルキレンブロック分子、1300.0
00に置き換えた以外は、すべて実脩例2と同様の試験
を行なった結果を第1表に示す。
ポリスチレン・水添ポリブタジェンブロック共31合体
の分子量を、ポリスチレンブロック分子量so、 oo
o、水添ンオリアルキレンブロック分子、1300.0
00に置き換えた以外は、すべて実脩例2と同様の試験
を行なった結果を第1表に示す。
比較例5
実施例3において、ポリスチレン・水添ポリブタジェン
・ポリスチレンブロック共重合体の分子量をポリスチレ
ンブロック分子it 20(10、水添ブタジェン分子
ff150.oooに置き換えた以外は、すべて実施例
3と同様の試験を行なった結果を第1−に示す。
・ポリスチレンブロック共重合体の分子量をポリスチレ
ンブロック分子it 20(10、水添ブタジェン分子
ff150.oooに置き換えた以外は、すべて実施例
3と同様の試験を行なった結果を第1−に示す。
比較例6
実施例4において、ポリスチレン・水添インプレンの共
重合体の分子量をポリスチレンプロ+ノク分子120,
000、水添イソプレン分子量10,000に置き換え
た以外はすべて実施例4と同様の試験を行なった結果を
第1表に示す。
重合体の分子量をポリスチレンプロ+ノク分子120,
000、水添イソプレン分子量10,000に置き換え
た以外はすべて実施例4と同様の試験を行なった結果を
第1表に示す。
Claims (1)
- (1)(A)1分子中にエポキシ基を少なくとも2個以
上を有するエポキシ樹脂、 (B)フェノール樹脂系硬化剤、 (C)ポリスチレンブロックの分子量が1000〜20
000であり、水添ポリアルキレンブロックの分子量が
10000〜100000であり、ポリスチレン/水添
ポリアルキレンの分子量比 が1/10〜10/10であるブロック共重合体、(D
)無機充填剤 を必要とし、エポキシ樹脂(A)100重量部に対して
ブロック共重合体(C)を0.5〜65重量部配してな
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6189288A JPH01236226A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6189288A JPH01236226A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01236226A true JPH01236226A (ja) | 1989-09-21 |
Family
ID=13184252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6189288A Pending JPH01236226A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01236226A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5068267A (en) * | 1988-09-13 | 1991-11-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device encapsulant consisting of epoxy resin composition |
US6333064B1 (en) | 1998-08-14 | 2001-12-25 | The Dow Chemical Company | Viscosity modifier for thermosetting resin composition |
US6432541B1 (en) | 1998-12-11 | 2002-08-13 | Dow Global Technologies Inc. | Resin composition of polyepoxide and polyisocyanate, prepreg, and metallic foil laminate |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5975922A (ja) * | 1982-10-23 | 1984-04-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | エポキシ樹脂系成形材料 |
JPS601220A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-07 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPS63248820A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-17 | Toray Ind Inc | 半田耐熱性エポキシ樹脂組成物 |
JPS63251419A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Toray Ind Inc | 半導体封止用樹脂組成物 |
JPS63308027A (ja) * | 1987-06-09 | 1988-12-15 | Setsuchiyakuzai Kenkyusho | 水添ブロツク共重合体分散液状エポキシ樹脂組成物 |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP6189288A patent/JPH01236226A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5975922A (ja) * | 1982-10-23 | 1984-04-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | エポキシ樹脂系成形材料 |
JPS601220A (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-07 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPS63248820A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-17 | Toray Ind Inc | 半田耐熱性エポキシ樹脂組成物 |
JPS63251419A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Toray Ind Inc | 半導体封止用樹脂組成物 |
JPS63308027A (ja) * | 1987-06-09 | 1988-12-15 | Setsuchiyakuzai Kenkyusho | 水添ブロツク共重合体分散液状エポキシ樹脂組成物 |
Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
US5068267A (en) * | 1988-09-13 | 1991-11-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device encapsulant consisting of epoxy resin composition |
US6333064B1 (en) | 1998-08-14 | 2001-12-25 | The Dow Chemical Company | Viscosity modifier for thermosetting resin composition |
US6432541B1 (en) | 1998-12-11 | 2002-08-13 | Dow Global Technologies Inc. | Resin composition of polyepoxide and polyisocyanate, prepreg, and metallic foil laminate |
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