JPH01224747A

JPH01224747A - 光レジスト組成物

Info

Publication number: JPH01224747A
Application number: JP5119188A
Authority: JP
Inventors: Jiro Sato; 次郎佐藤; Shunei Kaneko; 金子　俊英
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1988-03-04
Filing date: 1988-03-04
Publication date: 1989-09-07
Anticipated expiration: 2012-12-10
Also published as: JP2690494B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は新規な光レジスト組成物に関するものである。

さらに詳しくいえば、本発明は、良好な金めつき性を有
し、印刷回路板製造用として好適に用いられる、アルカ
リ現像可能な光レジスト組成物に関するものである。

従来の技術従来よシ、印刷回路板作成用のレジスト材料として、支
持層と光重合性層から成る、いわゆるドライフィルムレ
ジストが用いられている。このドライフィルムレジスト
は一般に支持フィルム上に光レジスト組成物を積層し、
多くの場合さらに該組成物上に保護用のフィルムを積層
することにより製造される。ドライフィルムレジストを
用いて印刷回路板を製造するには、通常まず銅張積層板
などの永久画像形成用基板上に、保護フィルムを剥離し
て、ドライフィルムレジストを積層し、マスクフィルム
などを通して紫外線などの放射線を照射し、露光したの
ち、必要に応じて支持フィルムを剥離し、次いで現像液
により未露光部の光レジスト組成物を溶解若しくは分散
除去して、基板上に硬化レジスト画像を形成させる。

この光レジスト組成物としては、現像液としてアルカリ
水溶液を用いるアルカリ現像型と有機溶媒を用いる溶剤
現像型が知られている。また、現像後基板上に回路を形
成させる方法については、次の２つの方法に大別するこ
とができる。すなわち、第１の方法は、銅を溶解するエ
ツチング液を基板上にスプレーし、硬化レジストで覆わ
れていない露出した銅面を溶解除去したのち、剥離液に
よシ硬化しジスト画像を剥離除去するといった方法であ
シ、第２の方法は基板上に銅めっきを行い、さらにその
上に銅のエツチング液に耐性を有する金属、例えばはん
だ、ニッケル、金などのめっきを行うことにより、硬化
レジストで覆われていない露出した銅面上に、上記のめ
つき画像を形成させたのち、剥離液によシ硬化しジスト
画像を剥離除去し、次いで、銅のエツチング液を基板上
にスズ１／−シて、エツチング液に耐性を有する金属の
めつき層で覆われていない露出した銅面を溶出除去する
方法である。

前記したように、ドライフィルムレジストには現像液及
び剥離液に有機溶剤を用いる溶剤現像型とアルカリ水溶
液を用いるアルカリ現像型とがあるが、近年溶剤現像型
で用いられるノ・ロゲン系溶剤に関する環境汚染の問題
や費用の問題などによシ、アルカリ現ｆ象型ドライフィ
ルムレジストの需要が伸びている。

このアルカリ現像型ドライフィルムレジストについては
、これまで多くの組成が知られておシ、特例銅守以ｌな
どのめつきに使用できるレジストとしては、例えばスチ
レン系単量体単位を有するカルボキシル基含有重合体を
用いたものが知られている（特公昭５５−３８９６号公
報、同５４−２５９５７号公報）。しかしながら、この
レジストにおいては、前記重合体のみを用いているため
、金めつき性については、必ずしも十分に満足しうるも
のではない。また、銅やはんだめっき性に優れたものと
してウレタン系不飽和化合物も提案されているが（特願
昭６２−２２４０２５号）、この不飽和化合物のみでは
、十分な金めつき性を有するレジストは得られない。

発明が解決しようとする課題本発明はこのような事情のもとで、印刷回路板の製造に
用いた場合、めっきもぐりなどの問題を生じることがな
く、かつ優れた金めつき性を有するアルカリ現像可能な
光レジスト組成物を提供することを目的としてなされた
ものである。

課題を解決するための手段本発明者らは、良好な金めつき性を有するアルカリ現像
可能な光レジスト組成物を開発するために鋭意研究を重
ねた結果、スチレン系単量体単位を含むカルボキシル基
含有重合体及びポリプロピレンオキシドを部分構造に有
するウレタン系光重合性化合物を組み合わせることによ
シ、従来の組成のものに比べて、飛躍的に耐薬品性が同
上し、特に金めつき用レジストとして十分使用可能でち
る上、従来のエツチング、銅めっき、はんだめつき処理
などにおいても優れた耐性を示す元レジスト組成物が得
られることを見い出し、この知見に基づいて本発明をな
すに至った。

すなわち、本発明は、（Ａ）一般式（式中のＲ１は水素原子又は低級アルキル基、Ｘはハロ
ゲン原子又は低級アルキル基、ｎ／ｄＯ又は１〜３の整
数であってｎが２以上の場合、複数の又はたがいに同一
であっても異なっていてもよい）で表わされる化合物の
中から選ばれる少なくとも１種のスチレン系単量体と、
α、β−不飽和カルポン酸の中から選ばれた少なくとも
１種のカルボキシル基含有単量体と、カルボキシル基を
含′まないビニル化合物の中から選ばれた少なくとも１
種の単量体との共重合体であって、カルボキシル基当量
１００〜６００、重量平均分子量１０，０００〜５００
　、０００の線状共重合体、５〜９３重量％、（Ｂｌ　　一般式（式中のＲ２，Ｒ５及びＲ４は水素原子又はメチル基、
Ａは炭素数２〜２０の二価の炭化水素残基、ｍは２〜２
５の整数、ｎはＲ３がメチル基の場合、１〜２５の整数
であシ、Ｒ５が水素原子の場合、ｎは１〜１２でかつｎ
／ｍ≦３である）で表わされる化合物の中から選ばれた少なくとも１種の
不飽和ウレタン化合物少なくとも３０重量係を含有する
光重合性不飽和化合物５〜９３重量％及び（ｃ）　　光重合開始剤０．０１〜３０重量％から成る
光レジスト組成物を提供するものである。

本発明の光レジスト組成物の（Ａ）成分として用いる線
状共重合体は、前記一般式（１）で表わされるスチレン
系、懺量体と、α、β−不飽和カルボン酸と、カルボキ
シル基を含まないビニル化合物との共重合体である。前
記一般式（１）で表わされるスチレン系単量体としては
、例えばスチレン、α−スチレン、ｐ−メチルスチレン
、ｐ−クロロスチレンなどがあるが、特にスチレン及び
ｐ−メチルスチレンが好適である。これらのスチレン系
単１体は、単独で用いてもよいし、また２種以上を組み
合わせて用いてもよい。

次に、α、β−不飽和カルポン酸としては、例えばアク
リル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコ
ン酸、フマル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、マレイ
ン酸半エステルなどが挙げられるが、これらの中で特に
アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸及びマレイ
ン酸半エステルが好適である。これらのα、β−不飽和
カルボン酸は、それぞれ単独で用いてもよいし、２種以
上を組み合わせて用いてもよい。

また、カルボキシル基を含１ないビニル化合物としては
、カルボキシル基を含まず、前記各車量体と共重合可能
なビニル化合物であればよく、特に制限はない。このよ
うなものとしては例えばアクリル酸エステルやメタクリ
ル酸エステルのような不飽和エステルや酢酸ビニル、酪
酸ビニルのようなカルボン酸ビニルエステルやエチレン
、フロピレンのようなオレフィンや塩化ビニルのような
ハロゲン化ビニルなどを挙げることができる。このアク
リル酸エステルやメタクリル酸エステルには、例えばア
クリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピ
ル、アクリル酸ブチル、アクリル酸オクチル、アクリル
酸ラウリル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル
酸２−クロロエチル、アクリル酸フェニル、α−クロロ
アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸
エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル、
メタクリル酸オクチル、メタクリル酸２−エチルヘキシ
ル、メタクリル酸２−クロロエチル、メタクリル酸フェ
ニルなどや、各種のポリエーテルグリコールのモノエー
テルと、アクリル酸又はメタクリル酸とのエステル類、
メタクリル酸２−ヒドロキゾエチルのような分子内に水
酸基を有するアクリル酸又はメタクリル酸エステル、メ
タクリル酸テトラヒドロフルフリルのような環状エーテ
ル構造を有するアクリル酸又はメタクリル酸エステル、
２−ヒドロキシエチルとフェニルイソシアネートとの反
応物のような分子内にウレタン結合を有するアクリル酸
エステル又はメタクリル酸エステル、メタクリル酸ジメ
チルアミノエチルのような分子内にアミン基を有するア
クリル酸エステル又はメタクリル酸エステルなどがある
。

これらのカルボキシル基を含まないビニル化合物の中で
、特に好ましいものとしては、各種のアクリル酸アルキ
ルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルを挙げる
ことができる。また、これらのビニル化合物は、それぞ
れ単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用い
てもよい。

該（Ａ）成分の線状重合体におけるスチレン系単量体ｍ
位の含有量は、通常１〜６０重量係、好ましくは５〜３
５重毒係の範囲で選ばれる。この含有量が少なすぎると
耐薬品性、特に金めつき性に対する効果が十分に発揮さ
れないし、多すぎると現像性が低下する。一方、この線
状重合体中に含まれるカルボキシル基の含有量は、酸当
量で１ｏｏ〜６００、好ましくは２００〜４５０の範囲
にあることが必要である。該酸当量が１００未満では現
像性が不十分であるし、また６００を超えると金めつき
性などの耐薬品性が低下する。ここで酸当量とは、カル
ボキシル基１当量が含まれるダラム重量を意味する。

さらに、この線状重合体は、その分子量が１０．０００
〜５００．０００好ましくは２０，０００〜２００　、
０００の範囲にあることが必要である。この分子量が１
０，０００未満のものでは、光レジスト組成物を基体上
に積層したとき、保存中に流動して、膜厚が不均一にな
るし、また５００，０００を超えると現像性が低下する
。この線状重合体の化学構造については特に制限はなく
、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体
のいずれであってもよい。ここでいう線状重合体には、
分枝構造のものは含−まれるが、網目構造のものは含゛
まれない。

本発明組成物に含有される前記（Ａ）成分の線状重合体
の量は５〜９３重毫チ、好ましくは３０〜７０重１％の
範囲で選ばれる。この含有量が５重量％未満では金めつ
き性などの耐薬品性に劣るし、９３重量％を超えると硬
化が不十分となって、レジストとしての強度が不足する
。

次に、本発明組成物中には、（Ｂ）成分として、−般式
（Ｉｔ）で示される不飽和ウレタン化合物が含まれる。

この一般式（ｎ）中のｍは２〜２５、好ましくは３〜１
５の整数であり、これが１以下の場合は耐薬品性が低下
するし、また２６以上になると感度が低下する。一般式
（Ｉｔ）中のｎは、Ｒ３がメチル基の場合は１〜２５、
好ましくは３〜１５の範囲の整数であり、Ｒ３が水素原
子の場合は、１−１２の範囲であって、かつｎ／ｍ≦３
．好ましくはｎ／ｍ≦１．５の関係を満たす整数である
。

このｎ７ｍの比が３よシも大きくなると金めっき性が低
下する。

この一般式（ＩＩ）におけるＡは炭素数２〜２ｏの二価
の炭化水素残基であるが、このものは直鎖状又は枝分れ
状脂肪族炭化水素、脂環族炭化水素、芳香族炭化水素　
−＝　　　・　　　のいず九から誘導されたものであっ
てもよい。特に好ましいのは長鎖状脂肪族炭化水素残基
や脂環族及び芳香族炭化水素残基である。

とのＡの具体例としては、例えば＋　ＣＨ２＋Ｐ又はこのアルキル置換体（ｐは２〜１４
の整数）、ＣＨ３Ｃ！Ｈ２− などが挙げられるが、これらの中で、ヘキサメチレン基
、２１２．４−　トＩＪメチルへキサメチレン基のよう
なトリメチルへキサメチレン基１．トリレン基などが好
ましい。

この一般式（ＩＩ）の不飽和ウレタン化合物は、相当す
るポリエーテルグリコールのモノアクリル酸エステル又
はモノメタクリル酸エステルと、ジイソシアネートとを
、ウレタン化反応の常法に従い、反応させることによフ
與造することができる。

本発明における（Ｂ）成分の光重合性成分としては、前
記一般式（Ｉｔ）で表わされる化合物と共に、（Ｂ）成
分全重量に基づき７０重量係を超えない量で他の光重合
可能な不飽和化合物を併用することができる。

この併用する不飽和化合物については特に制限はなく、
末端エチレン性不飽和基１個以上を有する一船釣ン矢光
重合可能な不飽和化合物を用いることができる。このよ
う々ものとしては、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプ
ロビルアクリレート、フェノキシテトラエチレングリコ
ールアクリレート、１．４−テトラメチレングリコール
ジアクリレート、１．４−シクロヘキサンジオールジア
クリレート、オクタプロピレングリコールジアクリレー
ト、グリセロールジアクリレート、ポリオキシエチル−
２，２−シ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンジアク
リレート、グリセロールトリアクリレート、トリメチロ
ールプロパントリアクリレート、ポリオキシプロピルト
リメチロールプロパントリアクリレート、ポリオキシエ
チルトリメチロールプロパントリアクリレート、ジペン
タエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリス
リトールへキサアクリレート、トリメチロールプロパン
トリグリシジルエーテルトリアクリレート、ビスフェノ
ールＡジグリシジルエーテルジアクリルエーテル、ポリ
エチレングリコールジアクリレート、ポリプロピレング
リコールジアクリレート、Ｎ、Ｎ　−ジエチルアクリル
アミド及びこれらに対応するメタクリル誘導体、ジアリ
ルフタレート及び式０式％で示される化合物などを挙げることができる。

（Ｂ）成分の光重合性成分中には、前記一般式＜Ｉｌｌ
で表わされる不飽和ウレタン化合物が３０重重量板上、
好ましくは５０重１％以上含有されていることが必要で
ある。この含有量が３０重量係未満では金めつき性など
の耐薬品性が低下する。また、この一般式（Ｉｆ）と併
用する他の光重合可能な不飽和化合物の種類を適宜選ぶ
ことによシ、光レジスト組成物に多様な特性を付与する
ことができる。例えば三官能以上の多官能不飽和化合物
を用いると感度を向上することができるし、−官能不飽
和化合物を用いると剥離速度を高めることができる。

本発明組成物においては、前記（Ｂ）成分の光重合性不
飽和化合物の全量は、５〜９３重量係、好ましくは２０
〜６０重量係の範囲で選ばれる。この含有量が５重量係
未満では硬化が十分でなく、レジストとしての強度が不
足するし、９３重１％を超えると金めつき性が低下する
。

本発明組成物には、（Ａ）成分と（Ｂ）成分に、さらに
（Ｃ）成分として光重合開始剤を含育させることが必要
である。この光重合開始剤については、紫外線などの活
性光線によシ活性化され、光重合性不飽和化合物の重合
を開始させる化合物であればよく、特に制限はない。こ
のようなものとしては、例えば２−エチルアントラキノ
ン、２−第三ブチルアントラキノン、オクタメチルアン
トラキノン、１．２−ベンズアントラキノン、２．３−
ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、
２，３−ジフェニルアントラキノン、ｌ−クロロアント
ラキノン、２−クロロアントラキノン、２−メチルアン
トラキノン、１，４−ナフトキノン、９．１０−フエナ
ントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２
．３−ジメチルアントラキノン、３−クロロ−２−メチ
ルアントラキノンなどのキノン類、ベンゾフェノン、ミ
ヒラーズケトン［４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベ
ンゾフェノン］、　　４．４’−ビス（ジエチルアミノ
）ベンゾフェノンなどの芳香族ケトン類、ベンゾイン、
ベンゾインメチルエーテル、ベンツインエチルエーテル
、ペンツインフェニルエーテル、メチルベンゾイン、エ
チルベンゾインなどのベンゾインエーテル類あるいはジ
メチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸との組
合せのようなチオキサントン系化合物と第三アミン化合
物との組合せなどを挙げることができる。これらの光重
合開始剤は、それぞれ単独で用いてもよいし、２種以上
を組合せて用いてもよい。

本発明組成物に含有される前記（Ｃ）成分の光重合開始
剤の量は、０，０１〜３０重量多、好塘しくは０．０５
〜１０重量係の範囲で選ばれる。この量が０．０１重着
％未満では感度が十分ではないし、３０重量％を超える
と光重合性層の活性線吸収率が高くなシ、光重合性層の
底の部分の硬化が不十分となる。

本発明組成物には、前記（Ａ）　、　（Ｂ）及び（Ｃ）
成分に加え、必要に応じ、熱安定性や保存安定性を向上
させるためのラジカル重合禁止剤、通常の染料や顔料、
あるいは光硬化部分と未硬化部分とを区別するための光
照射によシ発色する発色系染料や褐色系染料などの着色
物質、可塑剤などの添加剤、現像処理における発泡を防
止するための消泡剤などを添加することができる。

前記ラジカル重合禁止剤としては、例えばｐ−メトキシ
フェノール、ヒドロキノン、ピロガロール、ナフチルア
ミン、第三ブチルカテコール、塩化第一銅、２，６−ジ
ー第三ブチル−ｐ−クレゾール、２，２′−メチレンビ
ス（４−エチル−６−ｔ−プチルフェノール）、２．２
−メチレンビス（２−メチル−６−ｔ−ブチルフェノー
ル）などが挙ケられ、通常の染料や顔料などの着色物質
としては、例えばツクシン、オーラミン塩基、カルコキ
シドグリーンＳ、バラマジエンタ、クリスタルバイオレ
ット、メチルオレンジ、ナイルブル−２Ｂ、ビクトリア
ブルー、マラカイトグリーン、ペイシックブルー２０、
ダイヤモンドグリーンなどが挙げられる。

また、該発色系染料としては、ロイコ染料とハロゲン化
合物との組合せがよく知られており、ロイコ染料として
は、例えばトリス（４−ジメチルアミノフェニル〕メタ
ン〔ロイコクリスタルバイオレット〕、トリス（４−ジ
エチルアミノ−２−メチルフェニル）メタンなどが挙げ
られ、一方ハロゲン化合物としては、例えば臭化アミル
、臭化イソアミル、臭化インブチレン、臭化エチレン、
臭化ジフェニルメチル、臭化ベンザル、臭化メチレン、
トリブロモメチルフェニルスルホン、四臭化炭素、トリ
ス（２，３−ジブロモプロピル）ホスフェート、トリク
ロロアセトアミド、ヨウ化アミル、ヨウ化インブチル、
１１１＋１　　）Ｊクロロ−２゜２−ビス（ｐ−クロロ
フェニル）エタン、ヘキサクロロエタンなどが挙げられ
る。

さらに、可塑剤などの添加剤としては、例えばジエチル
フタレート、ジフェニルフタレートナトのフタル酸エス
テル系化合物、ポリエチレングリコール、ポリエチレン
グリコールジアセテート、ポリエチレングリコールジメ
チルエーテルなどのホリエーテル系化合物、　Ｎ、Ｎ−
ジメチルスルポンアミドなどのスルホンアミド系化合物
が挙げられる。消泡剤としては、アニオン系、カチオン
系、ノニオン系、シリコーン系など、消泡効果のある化
合物の中から任意のものを選択して用いることができる
が、特にノニオン系の化合物は光重合性層の組成物との
相容性がよいので好ましい。このノニオン系消泡剤とし
ては、通常ポリアルキレンオキシド構造を主体とする化
合物が用いられる。

本発明組成物は、支持体上に積層して使用されるが、こ
の支持体としては、活性光の吸収や散乱が少なく、透明
でかつ厚みが均一である上、機械的及び熱的強度の高い
ものが望ましい。該支持体トンては、例えばポリエチレ
ンテレフタレートフィルム、ポリビニルアルコールフィ
ルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フ
ィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン
共重合体フィルム、ポリメタクリル酸メチルフィルム、
ポリメタクリル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレ
ンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリアクリロニ
トリルフィルム、スチレン共重合体フィルム、ポリアミ
ドフィルム、セルロース訪導体フィルムなどが挙げられ
る。これらのフィルムは必要に応じ、延伸されたものを
使用してもよい。この支持体の厚みについては特に制限
はないが、通常５〜５０μｍの範囲で選ばれる。この支
持体の厚みが薄いほど得られるレジスト画像の解像度は
向上するが、機械的強度は低下する。

支持体上の光レジスト組成物層の厚みは、用途に応じて
適宜選ばれるが、印刷回路板作製用には、通常５〜１０
０μ口、好ましくは５〜７０μｍの範囲で選ばれる。こ
の厚みは薄いほど解像度は向上するが、硬化層の機械的
強度が低下する。

本発明においては、支持体上に形成された光レジスト層
の表面に、必要に応じ保護層を設けてもよい。この場合
、保護層と光レジスト層との密着力が、支持体と光レジ
スト層との密着力よシ十分に小さく、保護層が容易に剥
離しうろことが重要である。この保護層としては、例え
ばポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、あ
るいは特開昭５９−２０２４５７号公報に記載されてい
る剥離性に優れたフィルムなどを用いることができる。

次に、このようにして得たドライフィルムレジストを用
いて印刷回路板を作成する方法の好適な１例について説
明すると、まず必要に応じ保護層を剥離したのち、ドラ
イフィルムレジストの光レジスト層を印刷回路板用基板
の金属表面に加熱圧着し、積層する。この際の加熱温度
は通常４０〜１６０℃である。次に必要ならば支持体を
剥離し、マスクフィルムを通して活性光によシ画像露光
したのち、光レジスト層上に支持体がある場合にはこれ
を除き、アルカリ水溶液を用いて未露光部を除去現像す
る。

アルカリ水溶液としては、例えば水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムの水溶液
など、従来アルカリ現像処理に慣用されているものの中
から任意のものを選び用いることができるが、通常０．
５〜３重量係の炭酸ナトリウム水溶液が用いられる。次
に、アルカリ現像処理によシ露出した金属面をエツチン
グ又はめつき処理による公知の方法を用いて金属の画像
パターンを形成したのち、硬化レジスト画像を、通常前
記の現像処理で用いたアルカリ水溶液よシも、さらに強
いアルカリ性の水溶液によって剥離させる。この剥離用
のアルカリ水溶液についても特に制限はないが、通常１
〜５重量％の水酸化ナトリウムや水酸化カリウムの水溶
液が用いられる。また、現像液や剥離液には、所望に応
じ、水溶性万機溶媒を加えることもできる。

発明の効果本発明の光レジスト組成物は、それをマスクを通して光
硬化すると、耐薬品性に優れ、特に金めつき処理におい
て、めっきもぐりなどを生じることがなく、十分に金め
つき処理が可能なパターンを与えるので、印刷回路板作
成用として好適に用いられる。

実施例次に、実施例によシ本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。

実施例１第１表に示す溶液を調製し、厚さ２５μｍのポリエチレ
ンテレフタレートフィルムに、バーコーターを用いて均
一に塗布し、９０℃の乾燥機中で５分間乾燥した。光レ
ジスト層の厚さは５０μｍであった。この光レジスト層
のポリエチレンテレフタレートを積層していない表面上
に４０μｍのポリエチレンフィルムを張り合わせてドラ
イフィルムレジストを得た。

次に、この光レジスト層のポリエチレンフィルムを剥が
しながら光レジスト層を銅張積層基板にホットロールラ
ミネーターによシ１０５℃でラミネーターたのち、この
光レジスト層にネガフィルムを通して超高圧水銀灯（オ
ーク製作所、ＢＭＷ−２０１ＫＢ）によｐ８０ｍ、Ｔ／
ｃｆＩの党を照射した。次いでポリエチレンテレフタレ
ートフィルムを剥離したのち、３０℃の１重量係炭酸ナ
トＩＪウム水溶液を約７０秒間スプレーし、さらに水洗
水をスブレーした。その結果未露光部分が溶解除去され
、良好なレジスト画像を得た。

上記の方法で得た基板を下記の条件で常法に従いニッケ
ルめっき次いで金めつきを行った。

電流密度＝　１．ＯＡ／ｄｍ”　　　ｐ）（＝　３．８
−４．２時間＝２５〜３０分　　　温度＝５０〜５５℃
電流密度−０，５Ａ／ｄｍ２時間−１６分次に、この基板に、５０℃、３重量係の水酸化す）　Ｉ
Ｊウム水溶液を約１００秒間スプレーし次いで水洗水を
約１００秒スプレーした結果、レジスト画像は完全に剥
離さ九た。また、ニッケル及び金のめつきパターンを倍
率ｉｏｏ倍の顕微鏡で観察し、めっきが設定の厚みでの
っている端部からさらに外側へ薄くめつきさ九た部分の
巾をめっきしみ込み巾として測定した結果、いずれの場
所でも１０μｍ以下であシ実用上問題のないレベルであ
った。

実施例２〜５各実施例とも、第１表に示す溶液を調製し、実施例１と
同様の方法でドライフィルムレジストを作成し、現像を
行い、いずれも良好なレジスト画像を得た。次に実施例
１と同様の方法でニッケルめっき次いで金めつきを行い
、レジスト画像を剥離したのち、めっきパターンを顕微
鏡で検査した結果、いずれもしみ込み巾で１０μｍ以内
であり実用上問題のないレベルであった。

比較例１．２各比較例とも、第２表に示す溶液を調製し、実施例１と
同様の方法でドライフィルムレシスＨ−作成し、現像を
行い、いずれも良好なレジスト画像を得た。次に実施例
１と同様の方法でニッケルめっき次いで金めつきを行い
、レジスト画像を剥離したのち、めっきパターンを顕微
鏡で検査し、めっきしみ込み巾を測定した結果、いずれ
の場所でも３０μｍを越えており実用上使用不可能なレ
ベルであった。

第２表なお、第１表及び第２表における略号及び符号は次を意
味する。

Ｓｔ　゛　スチレンＭＭＡ　　：　　メタクリル酸メチルＭＡΔ　：　メタクリル酸Ｎ−ＢＡ　　：　　アクリル酸ノルマルブチルＰＭＳｔ
　　：　　パラメチルスチレンＭＡＨＡ　　：　　無水
マレイン酸・イノグロビル半エステル４ＥＧＤＡ　　：
　　テトラエチレングリコールジアクリレート９ＥＧＤ
Ａ　　：　　ノナエチレングリコールジアクリレートＰ
−Ｃ８ｔ　　：　　パラクロルスチレン１）（Ａ　　：
　　２エチルへキシルアクリレート化合物（ｍ）：Ｑ　　　　ＯＨ化合物（■）゛ＯＯＨ化合物（■）：化合物（■）。

化合物（■）：

Claims

【特許請求の範囲】１　（Ａ）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中のＲ＾１は水素原子又は低級アルキル基、ｘはハ
ロゲン原子又は低級アルキル基、ｎは０又は１〜３の整
数であつてｎが２以上の場合、複数のｘはたがいに同一
であつても異なつていてもよい）で表わされる化合物の中から選ばれる少なくとも１種の
スチレン系単量体と、α，β−不飽和カルボン酸の中か
ら選ばれた少なくとも１種のカルボキシル基含有単量体
と、カルボキシル基を含まないビニル化合物の中から選
ばれた少なくとも１種の単量体との共重合体であつて、
カルボキシル基当量１００〜６００、重量平均分子量１
０，０００〜５００，０００の線状共重合体５〜９３重
量％、（Ｂ）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中のＲ＾２、Ｒ＾３及びＲ＾４は水素原子又はメチ
ル基、Ａは炭素数２〜２０の二価の炭化水素残基、ｍは
２〜２５の整数、ｎはＲ＾３がメチル基の場合、１〜２
５の整数であり、Ｒ＾３が水素原子の場合、ｎは１〜１
２でかつｎ／ｍ≦３である）で表わされる化合物の中から選ばれた少なくとも１種の
不飽和ウレタン化合物少なくとも３０重量％を含有する
光重合性不飽和化合物５〜９３重量％及び（Ｃ）光重合開始剤０．０１〜３０重量％から成る光レジスト組成物。