JPH0122288Y2 - - Google Patents

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JPH0122288Y2
JPH0122288Y2 JP376083U JP376083U JPH0122288Y2 JP H0122288 Y2 JPH0122288 Y2 JP H0122288Y2 JP 376083 U JP376083 U JP 376083U JP 376083 U JP376083 U JP 376083U JP H0122288 Y2 JPH0122288 Y2 JP H0122288Y2
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current
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constant current
diode
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Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 この考案は、γ補正回路などとして好適な非直
線回路に関する。
[Detailed Description of the Invention] Industrial Application Field This invention relates to a nonlinear circuit suitable as a γ correction circuit or the like.

背景技術とその問題点 例えばビデオカメラにおいては、撮像管から得
られた輝度信号に対してγ補正を行う必要があ
る。そして、このγ補正を行うことができる非直
線回路として第1図に示すような回路が考えられ
ている。
Background Art and its Problems For example, in a video camera, it is necessary to perform γ correction on a luminance signal obtained from an image pickup tube. A circuit as shown in FIG. 1 has been considered as a non-linear circuit capable of performing this γ correction.

すなわち、第1図において、電源端子T1と接
地との間に、定電流源Q2と、(N−K)個のダイ
オードD1と、K個のダイオードD2とが直列接続
され、ダイオードD1とD2との接続点に定電流信
号源Q1が接続されると共に、ダイオードD2に定
電流源Q3が並列接続される。また、端子T1と接
地との間に、トランジスタQ4のコレクタ・エミ
ツタ間と、(N−J−1)個のダイオードD3と、
定電流源Q5とが直列接続され、トランジスタQ4
のベースが定電流源Q2とダイオードD1との接続
点に接続される。さらに、ダイオードD3と定電
流源Q5との接続点がトランジスタQ6のベースに
接続され、そのエミツタと接地との間に(J−
1)個のダイオードD4が接続される。
That is, in FIG. 1, a constant current source Q2 , (N-K) diodes D1 , and K diodes D2 are connected in series between the power supply terminal T1 and the ground. A constant current signal source Q 1 is connected to the connection point between D 1 and D 2 , and a constant current source Q 3 is connected in parallel to the diode D 2 . Further, between the terminal T1 and the ground, between the collector and emitter of the transistor Q4 , and (N-J-1) diodes D3 ,
A constant current source Q 5 is connected in series, and a transistor Q 4
The base of is connected to the connection point between constant current source Q 2 and diode D 1 . Furthermore, the connection point between diode D3 and constant current source Q5 is connected to the base of transistor Q6 , and between its emitter and ground (J-
1) diodes D 4 are connected.

また、このとき、 i1:信号源Q1の入力信号電流 i6:トランジスタQ6のコレクタ電流(出力信号
電流) I2:定電流源Q2の定電流 I3:定電流源Q3の定電流 I5:定電流源Q5の定電流 Is:ダイオードD1〜D4及びトランジスタQ4
Q6のベース・エミツタ間ダイオードの
飽和電流 N,J,K:1以上の整数 とする。
Also, at this time, i 1 : Input signal current of signal source Q 1 i 6 : Collector current of transistor Q 6 (output signal current) I 2 : Constant current of constant current source Q 2 I 3 : Constant current of constant current source Q 3 Constant current I5 : Constant current of constant current source Q5 Is : Diodes D1 to D4 and transistor Q4 ,
Saturation current of Q6 base-emitter diode N, J, K: Integers of 1 or more.

従つて、 I2=I3 …(i) とすれば、ダイオードD2には信号電流i1だけが流
れると共に、このとき、ダイオードD1,D2の直
列回路の端子電圧と、トランジスタQ4,Q6のベ
ース・エミツタ間及びダイオードD3,D4の直列
回路の端子電圧とは等しいので、次式が得られ
る。
Therefore, if I 2 = I 3 ...(i), only the signal current i 1 flows through the diode D 2 , and at this time, the terminal voltage of the series circuit of the diodes D 1 and D 2 and the transistor Q 4 , Q 6 and the terminal voltage of the series circuit of diodes D 3 and D 4 are equal, so the following equation is obtained.

(N−K)kT/qlnI2/Is+KkT/qlni1/Is =(N−J)kT/qlnI5/Is+JkT/qlni6/Is ∴(I2/Is)N-K・(i1/Is)K=(I5/Is)N-J ・(i6/Is)J ∴i6=αi1 K/J …(ii) α=I2 N-K/J/I5 N-J/J すなわち、(ii)式によれば、第1図の回路は、ダ
イオードD1〜D4の数J,Kを選定することによ
り種々のγ特性を得ることができる。
(N-K)kT/qlnI 2 /Is+KkT/qlni 1 /Is = (N-J)kT/qlnI 5 /Is+JkT/qlni 6 /Is ∴(I 2 /Is) NK・(i 1 /Is) K = (I 5 /Is) NJ・(i 6 /Is)J ∴i 6 = αi 1 K/J …(ii) α=I 2 NK/J /I 5 NJ/J That is, according to equation (ii) , the circuit shown in FIG. 1 can obtain various γ characteristics by selecting the numbers J and K of the diodes D 1 to D 4 .

しかも、そのγ特性は折れ線近似ではなく、完
全な曲線となる。
Moreover, the γ characteristic is not a polygonal line approximation, but a complete curve.

しかし、第1図の回路において、(ii)式が成立す
るには、(i)式 I2=I3 …(i) が成立していなければならず、もし、(i)式が成立
していないときには、(ii)式は i6=α(I2−I3+i1K/J …(iii) となつて直流項(I2−I3)が含まれてしまい、完
全なγ特性は得られなくなつてしまう。
However, in the circuit shown in Figure 1, for equation (ii) to hold, equation (i) I 2 = I 3 ...(i) must hold; if equation (i) holds, then When not, equation (ii) becomes i 6 = α (I 2 − I 3 + i 1 ) K/J …(iii), which includes the DC term (I 2 − I 3 ), and the complete γ Characteristics become unobtainable.

しかも、この直流項(I2−I3)、すなわち、差
電流(I2−I3)は、γ特性の立ち上がり部分(信
号レベルの低い部分)の特性に大きな影響を与え
るので、電流I2,I3はpA(ピコアンペア)のオー
ダーで一致させる必要がある。
Moreover, this DC term (I 2 - I 3 ), that is, the difference current (I 2 - I 3 ), has a large influence on the characteristics of the rising part (low signal level part) of the γ characteristic, so the current I 2 , I 3 must match on the order of pA (picoampere).

しかし、このように厳密に電流I2,I3を一致さ
せることは困難であり、まして、温度特性も考慮
すると、安定な動作は全く期待できない。また、
γ特性の立ち上がり付近では、ダイオードD1
D2との接続点の電位が下がるので、電流I3を安定
に引き出すのは、容易ではない。
However, it is difficult to precisely match the currents I 2 and I 3 in this way, and furthermore, when temperature characteristics are taken into consideration, stable operation cannot be expected at all. Also,
Near the rise of the γ characteristic, the diode D1 and
Since the potential at the connection point with D 2 drops, it is not easy to draw out the current I 3 stably.

また、例えば第1のγ特性と第2のγ特性を合
成して新たな第3のγ特性を近似する場合、第1
のγ特性を形成する回路の電流I2,I5と、第2の
γ特性を形成する回路の電流I2,I5とが異なる大
きさになると、(ii)式の係数αの大きさが異なつて
しまうので、第3のγ特性を希望する特性にでき
なくなつてしまう。
Furthermore, for example, when approximating a new third γ characteristic by combining the first γ characteristic and the second γ characteristic, the first
If the currents I 2 , I 5 in the circuit that form the γ characteristics of and the currents I 2 , I 5 of the circuit that forms the second γ characteristics become different in magnitude, the magnitude of the coefficient α in equation (ii) As a result, the third γ characteristic cannot be set to the desired characteristic.

そこで、例えば第2図に示すように、差動アン
プ11及び定電流源Q14,Q15によりダイオード
D1,D2に電流I2,i1を供給する回路が考えられて
いる。
Therefore, as shown in FIG. 2, for example, the differential amplifier 11 and constant current sources Q 14 and Q 15 are used to
A circuit that supplies currents I 2 and i 1 to D 1 and D 2 has been considered.

すなわち、第2図において、トランジスタ
Q11,Q12のエミツタ間に抵抗器R11,R12が直列
接続され、抵抗器R11,R12の接続中点と、基準
電位点、例えば接地との間に定電流源Q13が接続
されて差動アンプ11が構成されると共に、トラ
ンジスタQ11のベースが入力端子T11に接続され、
ここに例えば負同期極性の輝度信号が供給され
る。
That is, in FIG. 2, the transistor
Resistors R 11 and R 12 are connected in series between the emitters of Q 11 and Q 12 , and a constant current source Q 13 is connected between the connection midpoint of resistors R 11 and R 12 and a reference potential point, for example, ground. are connected to configure the differential amplifier 11, and the base of the transistor Q11 is connected to the input terminal T11 .
For example, a luminance signal of negative synchronization polarity is supplied here.

また、トランジスタQ11,Q12のコレクタと、
電源端子T1との間に定電流源Q14,Q15がそれぞ
れ接続されると共に、トランジスタQ11,Q12
コレクタ間にK個のダイオードD2が直列接続さ
れ、トランジスタQ11のコレクタと接地との間に
(N−K)個のダイオードD1が直列接続される。
In addition, the collectors of transistors Q 11 and Q 12 and
Constant current sources Q 14 and Q 15 are connected between the power supply terminal T 1 and K diodes D 2 are connected in series between the collectors of the transistors Q 11 and Q 12 . (N-K) diodes D1 are connected in series between the ground and the ground.

さらに、電圧比較回路12が設けられ、その非
反転入力端及び反転入力端がトランジスタQ11
Q12のコレクタにそれぞれ接続され、比較回路1
2の出力端がトランジスタQ12のベースに接続さ
れると共に、このベースと接地との間に、クラン
プ用のコンデンサC11が接続される。なお、比較
回路12には、輝度信号のペデスタルクランプを
行うためのクランプパルスが端子T12から供給さ
れる。
Further, a voltage comparison circuit 12 is provided, and its non-inverting input terminal and inverting input terminal are connected to transistors Q 11 ,
are connected to the collectors of Q12 , respectively, and comparator circuit 1
The output terminal of transistor Q 2 is connected to the base of transistor Q 12 , and a clamping capacitor C 11 is connected between this base and ground. Note that a clamp pulse for performing pedestal clamping of the luminance signal is supplied to the comparison circuit 12 from the terminal T12 .

また、第1図の定電流源Q5がトランジスタQ5
により構成されると共に、素子Q4〜Q6,D3,D4
が第1図と同様に接続され、トランジスタQ4
ベースがトランジスタQ12のコレクタに接続さ
れ、トランジスタQ5のベースが、ダイオードD1
のうちの接地側から第1番目及び第2番目のダイ
オードD1a,D1bの接続中点に接続され、ダイオ
ードD1aとトランジスタQ5とによりカレントミラ
ー回路13が構成される。
Also, the constant current source Q 5 in Fig. 1 is the transistor Q 5
and elements Q 4 to Q 6 , D 3 , D 4
are connected as in FIG. 1, the base of transistor Q 4 is connected to the collector of transistor Q 12 , the base of transistor Q 5 is connected to diode D 1
The current mirror circuit 13 is connected to the connection midpoint of the first and second diodes D 1 a and D 1 b from the ground side, and the diode D 1 a and the transistor Q 5 constitute a current mirror circuit 13 .

さらに、素子Q4〜Q6,D3,D4と同様の素子
Q41〜Q61,D31,D41が同様に接続されると共に、
このとき、ダイオードD1aとトランジスタQ51
により別のカレントミラー回路131が構成され
る。
Furthermore, elements similar to elements Q 4 to Q 6 , D 3 , and D 4
Q 41 to Q 61 , D 31 , and D 41 are connected in the same way, and
At this time, another current mirror circuit 131 is configured by the diode D 1 a and the transistor Q 51 .

なお、 I13〜I15:定電流源Q13〜Q15の定電流とすれば、
一例として I13=400μA I14=200μA I15=500μA である。
In addition, if I 13 ~ I 15 : constant current of constant current sources Q 13 ~ Q 15 , then
As an example, I 13 = 400 μA I 14 = 200 μA I 15 = 500 μA.

このような構成において、端子T11に輝度信号
が供給されると、第2図に矢印として示すよう
に、トランジスタQ11←→トランジスタQ12←→ダイ
オードD2←→トランジスタQ11のループに信号電流
i1が流れる。また、この場合、端子T11の入力レ
ベルが0(ペデスタルレベル)のときのトランジ
スタQ11,Q12のコレクタ電圧が比較回路12に
おいて比較されてその比較出力がクランプされる
と共に、トランジスタQ12のベースに帰還される
ので、トランジスタQ11,Q12のコレクタ電圧の
直流レベルは互いに等しくなり、ダイオードD2
には直流電流は流れない。すなわち、ダイオード
D2には信号電流i1だけが流れる。 …() また、 I2:ダイオードD1を流れる電流 とすれば、 I2=I14−I15−I13 …(iv) となり、ダイオードD1には信号電流i1は流れず、
定電流I2だけが流れる。 …() さらに、ダイオードD1,D2の直列回路が、ト
ランジスタQ4のベースと、接地との間に並列接
続されている。 …() 従つて、これら()〜()項により第2図
の回路は、第1図の回路と等価であると共に、特
に()項により(ii)式 i6=αi1 K/J …(ii) が成立する。すなわち、出力信号電流i6は入力信
号電流i1に対してγ特性を与えたものとなる。
In such a configuration, when a luminance signal is supplied to the terminal T 11 , the signal is transmitted to the loop of the transistor Q 11 ←→transistor Q 12 ←→diode D 2 ←→transistor Q 11 as shown by the arrow in FIG. current
i 1 flows. Further, in this case, the collector voltages of transistors Q 11 and Q 12 when the input level of terminal T 11 is 0 (pedestal level) are compared in comparator circuit 12, and the comparison output is clamped, and the voltage of transistor Q 12 is Since it is fed back to the base, the DC levels of the collector voltages of transistors Q 11 and Q 12 are equal to each other, and the diode D 2
No direct current flows through. i.e. diode
Only the signal current i1 flows through D2 . …() Also, if I 2 is the current flowing through the diode D 1 , then I 2 = I 14 − I 15 − I 13 …(iv), and the signal current i 1 does not flow through the diode D 1,
Only a constant current I 2 flows. ...() Furthermore, a series circuit of diodes D 1 and D 2 is connected in parallel between the base of transistor Q 4 and ground. ...() Therefore, with these terms () to (), the circuit in Figure 2 is equivalent to the circuit in Figure 1, and in particular, with terms (), equation (ii) i 6 = αi 1 K/J ... (ii) holds true. In other words, the output signal current i 6 has a γ characteristic relative to the input signal current i 1 .

さらに、トランジスタQ61の出力信号電流(コ
レクタ電流)をi61とすれば、同様の理由により
電流i61も入力信号電流i1に対してγ特性を与えた
ものとなる。
Further, if the output signal current (collector current) of the transistor Q 61 is i 61 , the current i 61 also has a γ characteristic with respect to the input signal current i 1 for the same reason.

また、このとき、ダイオードD1aを入力側とし
てトランジスタQ5,Q51によりカレントミラー回
路13,131が構成されているので、トランジ
スタQ5,Q51のコレクタ電流I5,I51は、 I5=I2 I51=I2 …(v) となる。従つて、(ii)式は i6/I2=(i1/I2K/J …(vi) となり、同様にして i61/I2=(i1/I2K/J 1 …(vii) J1:ダイオードD41の数+1 となる。すなわち、第3図にも示すように電流
i6,i61は電流I2で正規化されたK/J,K/J1
の信号電流となる。
Also, at this time, since the current mirror circuits 13 and 131 are constituted by the transistors Q 5 and Q 51 with the diode D 1 a on the input side, the collector currents I 5 and I 51 of the transistors Q 5 and Q 51 are I 5 = I 2 I 51 = I 2 ...(v). Therefore, formula (ii) becomes i 6 /I 2 = (i 1 /I 2 ) K/J …(vi), and similarly, i 61 /I 2 = (i 1 /I 2 ) K/J 1 ...(vii) J 1 : Number of diodes D 41 +1. In other words, as shown in Figure 3, the current
i 6 and i 61 are signal currents of K/J and K/J squared normalized by current I 2 .

従つて、電流i6とi61とをそのまま合成すれば、
新たなγ特性の出力信号を近似することができ
る。
Therefore, if we combine the currents i 6 and i 61 as they are, we get
It is possible to approximate an output signal with a new γ characteristic.

こうして、第2図の回路によれば、(ii)式に示す
完全なγ特性を得ることができる。また、第1及
び第2のγ特性を合成して新たな第3のγ特性を
得ることもできる。しかも、第1図に示した回路
の特長を損うことがなく、また、IC化も容易で
ある。
In this way, according to the circuit shown in FIG. 2, it is possible to obtain the perfect γ characteristic shown in equation (ii). Furthermore, a new third γ characteristic can be obtained by combining the first and second γ characteristics. Moreover, the features of the circuit shown in FIG. 1 are not lost, and it can be easily integrated into an IC.

ところが、この第2図の回路では、ダイオード
の数J,Kが異なると、出力信号電流i6の温度特
性が異なつてしまう。
However, in the circuit shown in FIG. 2, if the numbers J and K of diodes differ, the temperature characteristics of the output signal current i6 will differ.

すなわち(vi)式を変形すると、 i6=I2 1-K/J・i1 K/J …(viii) となるが、ここで、電流i1,I2が異なる温度特性
を有し、温度TがΔTだけ変化したとき、電流i1
がi1の大きさから(1+a)i1の大きさとなり、
電流I2がI2の大きさから(1+b)I2の大きさに
なつたとする。すると、このときの出力信号電流
i6は、(viii)式から i6={(1+b)I21-K/J{(1+a)i1K/J=(
1+b)1-K/J(1+a)K/JI2 1-K/Ji1 K/J…(ix) となる。従つて、電流i6は、ダイオードの数J,
Kが異なると、温度特性が異なつてしまう。
In other words, when formula (vi) is transformed, i 6 = I 2 1-K/J・i 1 K/J (viii), but here, the currents i 1 and I 2 have different temperature characteristics, When the temperature T changes by ΔT, the current i 1
becomes the size of (1+a)i 1 from the size of i 1 ,
Suppose that the current I 2 changes from the magnitude of I 2 to the magnitude of (1+b)I 2 . Then, the output signal current at this time is
i 6 is calculated from equation (viii) as follows: i 6 = {(1+b)I 2 } 1-K/J {(1+a)i 1 } K/J = (
1+b) 1-K/J (1+a) K/J I 2 1-K/J i 1 K/J …(ix) Therefore, the current i 6 is equal to the number of diodes J,
If K is different, the temperature characteristics will be different.

また、電流i61についても同様であると共に、i6
≠i61のときには、J≠J1であるから電流i6とi61
の温度特性が異なつてしまい、すなわち複数の出
力を取り出すと、その出力の温度特性がまちまち
になつてしまう。
The same applies to the current i 61 and i 6
When ≠i 61 , since J≠J 1 , the temperature characteristics of the currents i 6 and i 61 will be different. That is, if a plurality of outputs are extracted, the temperature characteristics of the outputs will be different.

さらに、このように各出力の温度特性がばらつ
くので、合成により第3のγ特性を得た場合、温
度変化があると正規化されなくなつてしまう。
Furthermore, since the temperature characteristics of each output vary in this way, if the third γ characteristic is obtained by synthesis, it will no longer be normalized if there is a temperature change.

考案の目的 この考案は、このような問題点を一掃しようと
するものである。
Purpose of the invention This invention aims to eliminate these problems.

考案の概要 このため、この考案においては、例えば第4図
に示すように、ダイオードD1の電流I2を検出し、
この検出出力を定電流源Q14に帰還して電流I2
基準値Irとなるように制御するものである。
Summary of the invention Therefore, in this invention, as shown in FIG. 4, for example, the current I 2 of the diode D 1 is detected,
This detection output is fed back to the constant current source Q 14 to control the current I 2 to the reference value Ir.

実施例 すなわち、第4図に示す例においては、ダイオ
ードD1はD1a〜D1cの3個、ダイオードD2は1
個、ダイオードD3は2個、ダイオードD4は0、
ダイオードD31は1個、ダイオードD41は1個の
場合(N=4,K=1,J=1,J1=2)であ
る。
Example In other words, in the example shown in FIG. 4, there are three diodes D1 , D1a to D1c , and one diode D2 .
, diode D 3 is 2, diode D 4 is 0,
This is the case where there is one diode D 31 and one diode D 41 (N=4, K=1, J=1, J 1 =2).

そして、トランジスタQ11,Q12のコレクタに
抵抗器R101〜R103及びダイオードD101が接続され
る。この場合、素子R101〜R103,D101は信号電流
i1にわずかのオフセツトを与え、比較回路12の
入力端からトランジスタQ11,Q12のコレクタ側
を見たときのインピーダンスを小さくして周波数
特性を改善するためのものである。
Resistors R 101 to R 103 and diode D 101 are connected to the collectors of transistors Q 11 and Q 12 . In this case, elements R 101 to R 103 and D 101 carry the signal current
This is to give a slight offset to i 1 to reduce the impedance when looking from the input terminal of the comparison circuit 12 to the collector side of the transistors Q 11 and Q 12 , thereby improving frequency characteristics.

さらに、トランジスタQ151〜Q153によりカレン
トミラー回路15が構成されると共に、これに定
電流源Q154が接続されて定電流源Q15が構成され
る。
Further, the transistors Q 151 to Q 153 constitute a current mirror circuit 15, and a constant current source Q 154 is connected to this to constitute a constant current source Q 15 .

また、トランジスタQ141〜Q143によりカレント
ミラー回路14が構成されると共に、これにトラ
ンジスタQ162のコレクタが接続されて定電流源
Q14が構成される。この場合、トランジスタQ162
は、トランジスタQ161及び定電流源Q163と共に差
動アンプ16を構成しているものである。そし
て、トランジスタQ161にはバイアス抵抗器R161
R162により一定のベースバイアス電圧が供給され
ている。
In addition, the transistors Q 141 to Q 143 constitute a current mirror circuit 14, and the collector of the transistor Q 162 is connected to this to form a constant current source.
Q 14 is configured. In this case, the transistor Q 162
constitutes the differential amplifier 16 together with the transistor Q 161 and the constant current source Q 163 . And the transistor Q 161 has a bias resistor R 161 ,
A constant base bias voltage is provided by R162 .

さらに、ダイオードD1aとD1bとの接続点にト
ランジスタQ171のベースが接続され、ダイオード
D1bとD1cとの接続点がトランジスタQ172のベー
スに接続されると共に、トランジスタQ172のエミ
ツタと接地との間に、トランジスタQ171のコレク
タ・エミツタ間が接続されてカレントミラー回路
17が構成される。このカレントミラー回路17
は、ダイオードD1の電流I2を検出する検出回路で
あり、トランジスタQ172のコレクタが負荷抵抗器
R171に接続されると共に、トランジスタQ162のベ
ースに接続される。
Furthermore, the base of transistor Q 171 is connected to the connection point between diodes D 1 a and D 1 b, and the diode
The connection point between D 1 b and D 1 c is connected to the base of transistor Q 172 , and the collector and emitter of transistor Q 171 are connected between the emitter of transistor Q 172 and ground, forming a current mirror circuit. 17 are constructed. This current mirror circuit 17
is a detection circuit that detects the current I 2 in diode D 1 and the collector of transistor Q 172 is connected to the load resistor
Connected to R 171 and to the base of transistor Q 162 .

また、トランジスタQ181が設けられ、そのエミ
ツタに定電流源Q182が接続されてトランジスタ
Q181はエミツタフオロワとされると共に、トラン
ジスタQ162のコレクタ出力がトランジスタQ181
びコンデンサF181を通じてトランジスタQ162のベ
ースに負帰還され、発振防止が行われる。
In addition, a transistor Q 181 is provided, and a constant current source Q 182 is connected to its emitter to operate the transistor.
Q 181 is used as an emitter follower, and the collector output of transistor Q 162 is negatively fed back to the base of transistor Q 162 through transistor Q 181 and capacitor F 181 to prevent oscillation.

このような構成によれば、ダイオードD1a,
D1b及びトランジスタQ171,Q172によりカレント
ミラー回路17が構成されているので、トランジ
スタQ172のコレクタ電流をI17とすれば、 I17=I2 …(x) となる。
According to such a configuration, the diodes D 1 a,
Since D 1 b and the transistors Q 171 and Q 172 constitute the current mirror circuit 17, if the collector current of the transistor Q 172 is I 17 , then I 17 =I 2 . . . (x).

また、トランジスタQ162のコレクタ電流I16
トランジスタQ143のコレクタ電流でもあると共
に、トランジスタQ141〜Q143がカレントミラー回
路14を構成しているので、 I14=I16 …() である。
Further, the collector current I 16 of the transistor Q 162 is also the collector current of the transistor Q 143 , and since the transistors Q 141 to Q 143 constitute the current mirror circuit 14, I 14 =I 16 ().

そして、このとき、抵抗器R161には基準となる
一定の電流Irが流れているので、何らかの理由に
より電流I2が例えば増加すると、(x)式により電流
I17が増加して電流I16が減少すると共に、(x)式に
より電流I14が減少し、電流I14が減少すれば(iv)式
により、 I2=I14+I15−I13 …(iv) であるから電流I2が減少するというように負帰還
がかかり、 I2=Ir …() となる。
At this time, a constant reference current Ir is flowing through the resistor R161 , so if the current I2 increases for some reason, the current will increase according to equation (x).
As I 17 increases and current I 16 decreases, current I 14 decreases according to equation (x), and if current I 14 decreases, then according to equation (iv), I 2 = I 14 + I 15 − I 13 ... (iv) Therefore, negative feedback is applied such that the current I 2 decreases, and I 2 = Ir...().

そして、 Ir=VCC/R161+R162 …() であるから()式から I2=VCC/R161+R162 …() となる。すなわち、電流I2の温度特性は、抵抗器
R161,R162の温度特性によるものだけになる。
Since Ir=V CC /R 161 + R 162 ...(), from equation (), I 2 =V CC /R 161 +R 162 ...(). That is, the temperature characteristic of the current I 2 is
This is only due to the temperature characteristics of R 161 and R 162 .

一方、入力信号電流i1に対応する信号電圧をv1
とすれば、 i1=v1/R11+R12 …() であり、信号電流i1の温度特性も抵抗器R11,R12
の温度特性だけによるものである。
On the other hand, the signal voltage corresponding to the input signal current i 1 is v 1
Then, i 1 = v 1 / R 11 + R 12 ...(), and the temperature characteristics of the signal current i 1 are also
This is due only to the temperature characteristics of

そして、抵抗器R161,R162,R11,R12の温度特
性は等しくできるので、特にIC化した場合には、
容易に等しくできるので、電流i1,I2の温度特性
を等しくでき、(ix)式において、 a=b …() となる。従つて、(ix)式は、 i6=(1+b)1-K/J(1+a)K/JI2 1-K/J i1 K/J …() =(1+a)1-K/J(1+a)K/JI2 1-K/Ji1 K/J =(1+a)I2 K/Ji1 K/J …() となる。すなわち、出力信号電流i6の温度特性
は、ダイオードの数J,Kの影響を受けることが
ない(入力信号電流i1と同じ温度特性となる)。
Since the temperature characteristics of the resistors R 161 , R 162 , R 11 , and R 12 can be made equal, especially when integrated into an IC,
Since they can be easily made equal, the temperature characteristics of the currents i 1 and I 2 can be made equal, and in equation (ix), a=b...(). Therefore, formula (ix) is: i 6 = (1+b) 1-K/J (1+a) K/J I 2 1-K/J i 1 K/J …() = (1+a) 1-K/J (1+a) K/J I 2 1-K/J i 1 K/J = (1+a) I 2 K/J i 1 K/J …(). That is, the temperature characteristics of the output signal current i 6 are not affected by the numbers J and K of diodes (the temperature characteristics are the same as those of the input signal current i 1 ).

そして、出力信号電流源i61についても全く同
様である。
The same applies to the output signal current source i61 .

こうして、この考案によれば、ダイオードの数
J,Kに影響を受けない温度特性のγ特性を得る
ことができる。また、ダイオードの数J,Kに影
響を受けないので、複数のγ特性を得てもそれら
は同じ温度特性にできる。さらに、各γ特性の温
度特性が同じなので、第3のγ特性を合成したと
き、これを正規化できる。
Thus, according to this invention, it is possible to obtain a γ characteristic of temperature characteristics that is not affected by the number J and K of diodes. Further, since it is not affected by the number J and K of diodes, even if a plurality of γ characteristics are obtained, they can be made to have the same temperature characteristics. Furthermore, since the temperature characteristics of each γ characteristic are the same, when the third γ characteristic is synthesized, it can be normalized.

考案の効果 ダイオードの数J,Kに影響を受けない温度特
性のγ特性を得ることができる。また、ダイオー
ドの数J,Kに影響を受けないので、複数のγ特
性を得てもそれらは同じ温度特性にできる。さら
に、各γ特性の温度特性が同じなので、第3のγ
特性を合成したとき、これを正規化できる。
Effects of the invention It is possible to obtain a temperature characteristic γ characteristic that is not affected by the number J and K of diodes. Further, since it is not affected by the number J and K of diodes, even if a plurality of γ characteristics are obtained, they can be made to have the same temperature characteristics. Furthermore, since the temperature characteristics of each γ characteristic are the same, the third γ
When properties are combined, they can be normalized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図〜第3図はこの考案を説明するための
図、第4図はこの考案の一例の接続図である。 12は電圧比較回路である。
1 to 3 are diagrams for explaining this invention, and FIG. 4 is a connection diagram of an example of this invention. 12 is a voltage comparison circuit.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 第1及び第2のトランジスタのエミツタが第1
の定電流源に共通に接続されて差動アンプが構成
されると共に、上記第1及び第2のトランジスタ
のコレクタに第2及び第3の定電流源が接続さ
れ、上記第1のトランジスタのコレクタと基準電
位点との間に、(N−K)個の第1のダイオード
が直列接続され、上記第1及び第2のトランジス
タのコレクタ間にK個の第2のダイオードが直列
接続され、上記第2のトランジスタのコレクタに
第3のトランジスタのベースが接続され、この第
3のトランジスタのエミツタと上記基準電位点と
の間に、(N−J−1)個の第3のダイオードと、
第4のトランジスタのベース・エミツタ間と、
(J−1)個の第4のダイオードとが直列接続さ
れ、上記第4のトランジスタのベースに第4の定
電流源が接続され、上記第1のトランジスタのベ
ースに入力信号が供給されて上記第4のトランジ
スタのコレクタに上記N,J,Kをパラメータと
する非直線特性の出力信号が取り出されると共
に、上記第1のダイオードを流れる電流が検出さ
れ、この検出出力が上記第1〜第3の定電流源の
いずれかに、上記第1のダイオードを流れる電流
が基準値となるように帰還される非直線回路。た
だし、上記N,J,Kは1以上の整数とする。
The emitters of the first and second transistors are
are commonly connected to a constant current source to form a differential amplifier, and second and third constant current sources are connected to the collectors of the first and second transistors, and the collectors of the first transistor and and a reference potential point, (N-K) first diodes are connected in series, K second diodes are connected in series between the collectors of the first and second transistors, and the The base of a third transistor is connected to the collector of the second transistor, and (N-J-1) third diodes are connected between the emitter of the third transistor and the reference potential point;
Between the base and emitter of the fourth transistor,
(J-1) fourth diodes are connected in series, a fourth constant current source is connected to the base of the fourth transistor, and an input signal is supplied to the base of the first transistor. An output signal with non-linear characteristics using the N, J, and K as parameters is taken out to the collector of the fourth transistor, and a current flowing through the first diode is detected, and this detection output is used as the output signal of the first to third transistors. A non-linear circuit in which the current flowing through the first diode is fed back to one of the constant current sources so that it becomes a reference value. However, the above N, J, and K are integers of 1 or more.
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