JPH01222319A - 誘導負荷用自動力率制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の対象〕 本発明は力率制御装置に関し、とくに、交流インダラシ
１ンモータ等の誘導負荷用自動力率制御装置に関する。

（従来技術〕 従来、交流インダラシ１ンモータ、その他の誘導負荷の
省エネルギーを目的として、米国特許第４，０５２，６
４８号および同４，３３７，６４０号において、インダ
クシ１ンモータの入力電圧を位相制御により変えて力率
を改善することが提案されている。

エムら力率制御装置では、サイリスタにより負荷に供給
される交流電圧を直接位相制御するため、負荷電流が多
くの電磁波ノイズや高調枝成分を含み、コンピュータ等
の情報機器や１通信機器その他の制御装置に多大な障害
を与えていた。さらに、サイリスタは毎サイクルにおい
て電圧に同期して点弧されているが、サイリスタの点弧
のための同期信号は電源電圧からとっているので、同期
信号は電源電圧の波形歪みのために変動してしまうこと
があった、このため負荷の状態によっては制御が不安定
になったり。

場合によっては制御不能となってしまい、力率の制御が
不充分となったり。

あるいは力率制御装置自体の安全性ならびに信頼性にお
いて問題があった。

これを解決することを目的として、米国特許第４，６０
２，２００号には高調波フィルターを設けることが提案
されているが、この′ＪＩ４ｔｉでは多数の大容量のコ
ンデンサ、リアクトル、ならびに抵抗を必要とし、装置
全体が大形化するとともに製造コストが極めて高くつい
ていた。つぎに電力用半導体素子は過負荷耐量が小さい
ために、Ｉｆ＃導負荷の始動時のラッシュカレントによ
り、しばしば破壊し、その都度負荷装置が停止１ニジて
頻繁な保守点検が必要であった。したがって、これを防
ぐためには大容量の電力用半導体素子と大きな制御電力
とを必要とし、不経済であり、ｖ！１気的損失が大きい
ばかりでなく１人形の放熱フィンが必要となり、装置全
体の小形化、低コスト化ができない欠点があった。

〔発明の目的〕

そこで、本発明の目的は電磁波ノイズや高調波成分の発
生が著しく少なく、シかも、省エネルギー効果の高い誘
導負荷用自動力率制御装置を提供することを目的とする
。

本発明の他の目的は過負荷耐量が大きくて、安定性や信
頼性が高く、保守点検が不要な誘導負荷用自動力率制御
装置を提供することを目的とする。

本発明の他の目的は熱損失が少なく、大形の放熱フィン
を不必要とし、しかも小さな制御電力で大容量の負荷の
力率制御が可能な誘導負荷用自動力率制御装置を提供す
ることを目的とする。

本発明の他の目的は著しく小形軽量化され、従来の数分
の１の低コストで製造可能な誘導負荷用自動力率制御装
置を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

本発明の自動力率制御装置は交流電源と誘導負荷との間
に接続される小ターン数の１次巻線と１次巻線に比べて
大きなターン数の２次巻線とを有する電流変圧器と、前
記２次巻線の端部に接続さムて前記２次巻線内に予じめ
定められた短絡電流シ還流させる短絡素子と、前記２次
巻線に接続されてバイアス電流を流す短絡回路と、前記
短絡回路に挿入され、前記バイアス電流を可変する可変
バイアス電流源と、前記誘導負荷の力率に比例した出力
信号を出す力率検出回路と、前記出力信号に応答したパ
ルス幅の駆動信号を発生する駆動信号発生器とを有する
制御回路と、を備え、前記可変バイアスｆ１ｗｉｌが前
記駆動信号に応答して前記バイアス電流を可変し、前記
２次巻線のインピーダンスを前記力率に応じて制御する
ことを特徴とする。

〔実施例〕

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図において１本発明の望ましい実施例による誘導負
荷用自動力率制御袋！！！１１０は３相交流電源１２に
接続される入力端ａ、ｂ、Ｑと、誘導負荷１４に接続さ
れる出力端ａ’　、ｂ’　、Ｑ″と、Ｘ導負荷１４に供
給される入力電圧を負荷の力率に応じて可変調整する電
流変圧器１６と、電流変圧器１６に接続された短絡回路
１８と、短絡回路１８に挿入された可変バイアス電源２
０と、力率検出回路２２からの力率に比例した出力信号
に応答して可変バイアス電［２０の直流出力電流を制御
して電流変圧ｗ１１６のインピーダンスを可変する制御
回路２４とを備える。

第１図の実施例において、電流変圧１ｉｉ１６は鉄心２
６ａ、２６ｂ、２６Ｃに巻装された小巻数の１次巻線ま
たは交流巻＄２８ａ、２８ｂ、２８Ｃと、大巻数の２次
巻線３０ａ、３０ｂ、３０ｃｌｉ−備え、これらの２次
巻線はそれぞれセンタータップ３０’　ａ、３０’　ｂ
、３０’　ｃを備える。望ましくは１次巻線と２次巻線
の巻数比は１：３〜１：１０の範囲で選択される。

２次巻線３０ａ、３０ｂ、３０ｃの両端はそれぞれダイ
オード３２ａ。

３４ａ　；　３２ｂ、３４ｂ　；　３２ｅ、３４ｅ等の
直流変換器３６ａ、３６ｂ。

３６ｃが接続され、該直流変換器３６ａ、３６ｂ、３６
ｅの直流出力端に短絡回路１８が接続されている。２次
巻線３０ａ、３０ｂ、３０ｃの両端にはそれぞれリニア
ライジング素子として作用する抵抗３８ｎ、３８ｂ。

３８ｃが接続されている。

下記表は０．７５ｋＷ、３φ、２００Ｖ、５０Ｈｚ定格
の電流変圧器１６の１相分をとり出して、入力電圧（相
電圧）を１１６ｖとしたときの２次巻線に流れる制御電
流（Ａ）と出力電圧（相電圧）〔Ｖ〕との関係を示し、
そのグラフを第２図に示す、％Ｅ電流変圧器ヨコ７６−
×タテ６４−×アツミ３０−の鉄心に９１ターンの１次
巻線を巻装し、その上に４５５ターンの２次巻線を巻装
したものが実験に使われた。

上記表と第２図より明らかなように、制御電流が０〜０
．４〔Δ〕の範囲では電流変圧器の出力電圧は９６．５
Ｖ〜９４．３Ｖの範囲で低減し、制御電流が０．４〜０
．５４　（Ａ）の範囲で電流変圧器の出力電圧はほぼ直
線的に変化する。

第１図において、電流変圧器の２次巻４９１３０　ａ　
、　３０　ｂ　、　３０　ｒ、をりニアライジング抵抗
３８ａ、３８ｂ、３８ａを介して短絡することにより、
２次巻線３０ａ、３０ｂ、３０ｃ内に第２図で、たとえ
ば、　０．４　［Δ〕のリニアライジング短絡Ｗｔ流を
常時還流させて鉄心２６ａ、２６ｂ、２６Ｃを一部飽和
させておき、バイアス電源２０の作用により、制御電流
を０゜４〜０．５４　（Ａ）の範囲で制御することによ
り出力電圧をほぼ直線的な範囲で変化させるようにした
ものである。なお、リニアライジング抵抗３８ａ、３８
ｂ、３８ｃは可変バイアス［＠２０が破損したときに電
流変圧器１６の２次側が開路状態となって２次巻線３０
ａ、３０ｂ、３０ｅ＆こ高電圧が誘起されるのを防ぐ作
用もある。リニアライジング素子は抵抗の代りにツェナ
ーダイオード等の定電圧素子で構成し、上記表におし１
て、制御電圧がたとえば１１０（Ｖ）で定電圧化される
ようにしても良い、可変バイアス電源２０は２次巻線３
０　ａ　＋　３０　ｂ　＊　３０　Ｃの交流出力端に接
続されたダイオード３２ａ、３４ａＨ３２ｂ、３４ｂ；
３２ｃ、３４ｃからなる直流変換器３６ａ、３６ｂ、３
６Ｃの接続線とセンタータップ３０’ａ、３０’　　ｂ
、３０’　ｃの接続線との間の電流吸収用コンデンサＣ
を備える。すなわち、コンデンサＣは三相結線された直
流変換器３６ａ、３６ｂ。

３６ｃの直流出力端と、三相結線されたセンタタップの
入力端との間に接続されている。コンデンサＣと並列に
過電圧防止素子用のツェナーダイオードＺＤＩと、パワ
ートランジスタまたはパワーＭＯＳＦＥＴ等のダーリン
トン接続された半導体スイッチＴ１．Ｔ２からなる直流
電流可変素子と。

ドライブ用のホトトランジスタＴ３とを備える。半導体
スイッチＴｌのコレクタは直流変換ＭＩＩ３６ａ、３６
ｂ、３６ｃの出力端に接続され、エミッタはセンタタッ
プ３０’　ａ、３０’　ｂ、３０’　ｃの接続端に接続
されている。半導体スイッチＴ１のベースは起動抵抗Ｒ
１を介してコレクタに接続され、さらに抵抗Ｒ２を介し
てトランジスタＴ２のコレクタに接続されている。トラ
ンジスタＴ２のエミッタはトランジスタＴ１のエミッタ
側に接続され、ベースは起動抵抗Ｒ１，Ｒ３を介してト
ランジスタＴ１のコレクタ側に接続されている。トラン
ジスタＴ２のコレクタベース間にツェナーダイオードＺ
Ｄ２が接続されている。このようにすると抵抗Ｒ３の両
端電圧が定電圧化され、トランジスタＴ２のコレクタ電
流が定電流化されるので効率が向上する。起動抵抗Ｒ１
，Ｒ３は負荷１４の起動時に半導体スイッチＴｌ、Ｔ２
がオンして自動的に短絡回路１８を短絡させて電流変圧
器１６のインピーダンスを最小として負荷１４に起動電
流が流れるようにする役目を果たす、ドライブ用のホト
トランジスタＴ３のコレクタは抵抗Ｒ４を介してトラン
ジスタＴ２のベースに接続され、ホトトランジスタＴ３
のエミッタはトランジスタＴ２のエミッタに接続されて
おり、ベースはベースバイアス用抵抗Ｒ５，Ｒ６に接続
されている。光が入射してホトトランジスタＴ３がオン
、トランジスタＴ２．Ｔｌがオフになろうとするとき。

抵抗Ｒ６を通じてベース電流が供給されるので、スイッ
チング速度が速くなる。電圧制限素子ｚＤ１は、とくに
、誘導負荷１４の入力電圧に異常が発生したことにより
短絡回路１８内の電圧が電圧制限素子ｚＤ１により制限
される電圧に達すると導通し、半導体スイッチＴ１とコ
ンデンサＣに過電圧が加オ）らないようにしている。

制御回路２４は変圧１ｉＩＰＴからの電圧Ｖａａと変流
１ｉｊｃＴからの電流Ｉｂに応答して誘導負荷１４の力
率に比例した出力電圧信号Ｅｏを発生する力率検出回路
２２と、三角波基準信号Ｓｒを発生する三角波発振器か
らなる基準信号発生器４０と、出力信号Ｅｏと三角波ノ
ル準信号Ｓｒとを比較して、その差に比例したパルス幅
の駆動パルス信号りによりホトダイオード４２を点燈さ
せ、ドライブ用ホトトランジスタＴ３をオンさせる差動
増幅器からなる駆動信号発生器４４とを備える。

第３図は電圧と電流の位相関係を示すベクトル図である
。Ｖａ、Ｖｂ。

Ｖｃはそれぞれ三相交流電源１２の相電圧を示し、Ｖａ
ｂ、Ｖｂａは線間ａ−ｂ、ｂ−ａの線間電圧をそ九ぞ九
示す、線間電圧Ｖａｏはａ−ｅ相間の線間電圧を示し、
線間電圧ＶａｂとＶａｃとのベクトル和として導き出さ
れる。　Ｉ６．Ｉｂ、Ｉｃはａ相、ｂ相、Ｃ相の相電流
をそれぞれ示す。

θは相電圧と相電流との位相差を示し、誘導負荷１４の
力率はＣｏｍｅで表わされる。力率が１のとき、線間電
圧Ｖａｅは線間電圧ｖｂから９０゜位相がづれた関係に
ある。

第４．５図の力率検出回路２２において、変圧器ＰＴか
らの正弦波の電圧信号ｖａＣは演算増幅器により成る増
幅器４６に供給され、同様に変流器ＣＴからの正弦波の
ｍ流信号Ｉｂは移相器４８を介して９０１位相されて演
算増幅器より成る増幅器５０に供給される。増幅器４６
．５０は、大きな増幅率を有し、信号ＶａｃおよびＴｂ
’　をそれぞれ矩形波に変換して信号ｅおよびｉを出力
する。ついで、信号８およびｉはＮＯＲ回路５２に供給
され、信号０およびｉの位相差０と等しいパルスＰを出
力する。このパルスＰは抵抗とコンデンサからなるロー
パス・フィルタ５４を介して直流！圧信号Ｅｏに変換さ
れる。この直流電圧信号Ｅｏは制御回路２４の駆動信号
発生器４４に供給される。

第１図において、誘導負荷１４が起動されると、電流変
圧器２８ａ。

２８ｂ、２８ｃの１次巻線２８ａ、２８ｂ、２８ｃに流
れる１次電流によって２次巻線３０ａ、３０ｂ、３０ｃ
に２次ｍ流が流れ、この２次電流は直流変換器３６ａ、
３６ｂ、３６ｃにより直流変換されて直流電流となる。

この直流電流は起動抵抗Ｒ１，Ｒ３を介してトランジス
タＴ２のベースに供給されて、トランジスタＴ２がオン
さｈ、同時にトランジスタＴ１がオンされる。このとき
、直流電流はトランジスタＴ１から電流変圧器１６の２
次巻線３０ａ、３０ｂ、３０ｃにセンタタップ３０’　
ａ、３０’　ｂ。

３０′　ｃを介してバイアス電流として供給され、鉄心
２６ａ、２６ｂ。

２６ｃが飽和して、電流変圧器１６のインピーダンスを
大幅に減少させて。

誘導負荷１４の入力電圧を最大にする。

第６図の電圧電流波形図より明らかなように、力率検出
回路２２の出力信号Ｅｏは誘導負荷１４の負荷率が小さ
いとき、すなオ）ち、力率が悪いときに高レベルとなり
、負荷率の−１−昇につれて力率も上昇して出力信号Ｅ
。

は低レベルとなる。駆動信号発生器４４はＩＪ！、力借
号Ｅｏが高レベルのとき。

小さなパルス幅の駆動パルスＤを発生させ、出力信号Ｅ
ｏのレベルが小さくなるにつれて大きなパルス幅の駆動
パルスＤを発生する。駆動パルスＤのパルス幅が小さい
とき、すなわち、負荷率が小さいときは半導体スイッチ
Ｔ１の通流率は小さいため、バイアス電流は少なくなっ
て電流変圧器１６のインピーダンスを、上昇させて交流
出力電流を減少させ、誘導負荷１４の入力電圧を低下さ
せる。負荷率が増大するにつれて駆動パルスＤのパルス
幅が大きくなり、このとき半導体スイッチＴ１の通流率
が大きくなってバイアスｆＩ！Ａは増大するため、電流
変圧器１６のインピーダンスが低下して交流出力電流が
増大し、誘導負荷１４の入力電圧が上昇する。このよう
に、短絡回路１８の可変バイアス電源２０の通流率が力
率に応答した制御回路２４の駆動信号により制御されて
電流変圧器１６の２次巻ｌｌＡ３゜ａ、３０ｂ、３０ｃ
に供給されるバイアス電流が調整さ九る。その結果。

電流変圧器１６のインピーダンスが調整されて誘導負荷
１４の入力電圧と交流出力電流が可変されて、誘導負荷
１４の力率が自動的にかつ連続的に調整される。

以上、力率検出回路２２の一例が示されたが力率検出回
路は公知のたとえば米国特許第４，１１７，４０８号に
開示された負荷俳号発生装置で構成しても良い。

〔発明の効果〕

以上より明らかなように１本発明による自動力率制御装
置はつぎのような効果をもたらす。

（１）誘導負荷の入力電圧が力率に応じて自動的にしか
も連続的に瞬時制御され、すなわち負荷率の減少に比例
して負荷電圧が減少されるため、誘導負荷が常に高い力
率で駆動され、大幅な省エネルギー効果が得られる。

（２）入力電圧の制御が電流変圧器の２次側端子に接続
された可変バイアス電源により行なわれ、電源ラインに
おける交流電圧を直接位相制御することがないため、電
磁波ノイズの発生が少なく、また、負荷電流に含まれる
高調波成分が少ない６したがって、コンピュータ等の情
報機器や通信機器、その他の制御装置に与える障害が極
めて少ない。

（３）電磁波ノイズや高調波成分が少ないため、大形で
高価な大容量の高調波フィルタを省略でき、信頼性と安
全性の向上を図れるとともに、大幅な小形軽量化が図れ
る。

（４）半導体スイッチは直接に電源ラインの交流電圧を
制御せず、電流変圧器の２次側のバイアス電流を制御す
るため、半導体スイッチと制御回路の著しい小容量化と
大幅な低コスト化が図れ１回路設計も容易となる。また
、電流変圧器の鉄心を飽和させるための別電源も必要と
しない。

（５）　［圧変圧器のアンペアターンは極めて小さいの
で、ｆｔｉ流変圧変圧器めて小形のものでよく、装置全
体の寸法重量が著しく低減されるため、自動力率制御装
置が著しく小形軽量化されるとともに大幅なコストダウ
ンが可能である。

（６）低電Ｉ〔、小容量の半導体スイッチと小形の電流
変圧器と組み合わせて高電圧、大容量の電力制御が可能
なため、安全で信頼性が高く、シかも。

極めて安価な電子部品で従来不可能であった大容量負荷
の力率制御が可能となるため、実用上の効果が大きい。

（７）大きな負荷容量に対して小形の電流変圧器と微小
電力（消費電力に対して１〜１．５％）の制御回路の採
用を可能として、電気損失と発熱を最小としたため、大
幅な高効率化が図れる。

（８）　ｆｆｌ流変圧変圧器流巻線の過負荷耐量が極め
て大きく、誘導負荷の起動時のラッシュカレントにより
交流巻線が断線することがない、しかも、電流変圧器の
短絡回路のバイアス電源には電圧制限素子が挿入されて
いるため、バイアス電源の電圧制御素子を破損させるこ
とがなく、安全性ならびに信頼性が高い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による自動力率制御装置の望ましい実施
例の結線図、第２図は第１図の電流変圧器の出力電圧と
制御電流との関係を示すグラフ。 第３図は第１図の電圧−電流のベクトル図、第４図は第
１図の力率検出回路の具体例、第５図は第４図の電圧電
流波形図、第６図は第１図の電圧電流波形図をそれぞれ
示す。 １６・・・・・・・・・電流変圧器 １８・・・・・・・・・短絡回路 ２０・・・・・・・・・バイアス電源 ２２・・・・・・・・・力率検出回路 ２４・・・・・・・・・制御回路 特許出願人　株式会社ハイテク研究所 第　Ｉｆ￥１ 第２図 第３図 ｂｃ Ｌ−−ｊ 第５図 十□ ｏ０

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、（ａ）交流電源と誘導負荷との間に接続される小タ
   ーン数の１次巻線と１次巻線に比べて大きなターン数の
   ２次巻線とを有する電流変圧器と、 （ｂ）前記２次巻線の端部に接続されて前記２次巻線内
   に予じめ定められた短絡電流を還流させる短絡素子と、 （ｃ）前記２次巻線に接続されてバイアス電流を流す短
   絡回路と、 （ｄ）前記短絡回路に挿入され、前記バイアス電流を可
   変する可変バイアス電源と、 （ｅ）前記誘導負荷の力率に比例した出力信号を出す力
   率検出回路と、前記出力信号に応答したパルス幅の駆動
   信号を発生する駆動信号発生器とを有する制御回路と、
   を備え、 （ｆ）前記可変バイアス電源が前記駆動信号に応答して
   前記バイアス電流を可変し、前記２次巻線のインピーダ
   ンスを前記力率に応じて制御することを特徴とする誘導
   負荷用自動力率制御装置。 ２、前記１次巻線と２次巻線の巻数比が１：３〜１：１
   ０の範囲で選択されることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の誘導負荷用自動力率制御装置。 ３、前記可変バイアス電源が前記短絡回路内の交流電流
   を直流電流に変換するダイオードと、前記ダイオードの
   直流出力端に接続され、前記直流電流をオンオフする半
   導体スイッチと、前記駆動信号に応答して前記半導体ス
   イッチをオンオフ駆動するドライブ用トランジスタとを
   備えたことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
   ２項記載の誘導負荷用自動力率制御装置。 ４、前記短絡回路が前記可変バイアス電源と並列に接続
   されたコンデンサを備えたことを特徴とする特許請求の
   範囲第３項記載の誘導負荷用自動力率制御装置。 ５、前記可変バイアス電源が前記半導体スイッチと並列
   に接続された電圧制限素子を備えたことを特徴とする特
   許請求の範囲第２項または第３項記載の誘導負荷用自動
   力率制御装置。 ６、前記制御回路が基準信号発生器と、前記基準信号発
   生器からの基準信号と前記力率検出回路からの前記出力
   信号とを比較して、その差に比例したパルス幅の前記駆
   動信号を発生する増幅器とを備えたことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項または第２項記載の誘導負荷用自動
   力率制御装置。 ７、（ａ）三相交流電源と三相誘導負荷との間に直列に
   接続される１次巻線と、１次巻線の巻数に対して３〜１
   ０倍の巻数比の三相結線された２次巻線とを有する電流
   変圧器と、（ｂ）前記２次巻線に接続されて前記２次巻
   線内に予じめ定められた短絡電流を還流させる短絡素子
   と、 （ｃ）前記２次巻線の両端に接続されてバイアス電流を
   流す短絡回路と、 （ｄ）前記短絡回路に挿入され、前記バイアス電流を可
   変する可変バイアス電源と、 （ｅ）前記誘導負荷の入力電圧と負荷電流との位相差か
   ら力率に比例した出力信号を出す力率検出回路と、前記
   出力信号に応答したパルス幅の駆動信号を発生する駆動
   信号発生器とを有する制御回路と、を備え、 （ｆ）前記可変バイアス電源が前記駆動信号に応答して
   前記バイアス電流を可変し、前記１次巻線のインピーダ
   ンスを前記位相差が小さくなる方向に制御することを特
   徴とする誘導負荷用自動力率制御装置。 ８、前記可変バイアス電源が前記短絡回路内の交流電流
   を直流電流に変換するダイオードと、前記ダイオードの
   直流出力端に接続され、前記直流電流をオンオフする半
   導体スイッチと、前記駆動信号に応答して前記半導体ス
   イッチをオンオフ駆動するドライブ用トランジスタとを
   備えたことを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の誘
   導負荷用自動力率制御装置。 ９、前記短絡回路が前記可変バイアス電源と並列に接続
   されたコンデンサを備えたことを特徴とする特許請求の
   範囲第８項記載の誘導負荷用自動力率制御装置。 １０、前記可変バイアス電源が前記半導体スイッチと並
   列に接続された電圧制限素子を備えたことを特徴とする
   特許請求の範囲第８項または第９項記載の誘導負荷用自
   動力率制御装置。 １１、前記制御回路が基準信号発生器と、前記基準信号
   発生器からの基準信号と前記力率検出回路からの前記出
   力信号とを比較して、その差に比例したパルス幅の前記
   駆動信号を発生する増幅器とを備えたことを特徴とする
   特許請求の範囲第７項または第８項記載の誘導負荷用自
   動力率制御装置。 １２、（ａ）三相交流電源と三相誘導負荷との間に直列
   接続される１次巻線と、前記１次巻線に比べて大きな巻
   数比の２次巻線とを有する電流変圧器と、 （ｂ）前記２次巻線の端部に接続されて前記２次巻線内
   に予じめ定められた短絡電流を還流させる短絡素子と、 （ｃ）前記２次巻線に接続されてバイアス電流を流す短
   絡回路と、 （ｄ）前記短絡回路に挿入され、前記バイアス電流を可
   変する可変バイアスと、 （ｅ）前記誘導負荷の力率に比例した出力信号を出す力
   率検出回路と、前記出力信号に応答したパルス幅の駆動
   信号を発生する駆動信号発生器とを有する制御回路と、
   を備え、 （ｆ）前記可変バイアス電源が前記短絡回路をオンオフ
   するための半導体スイッチと、前記誘導負荷の起動時に
   前記半導体スイッチを自動的にオンするための起動抵抗
   とを備え、前記誘導負荷の起動後に前記可変バイアス電
   源が前記駆動信号に応答して前記バイアス電流を可変し
   、前記２次巻線のインピーダンスを前記力率に応じて制
   御することを特徴とする誘導負荷用自動力率制御装置。