JPH01218101A - ローデツドライン形ダイオード移相器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電子制御アンテナの位相制御等に用いられ
る。ダイオード移相器の特性改善に関するものである。

〔従来の技術〕

第４図は、従来のローデツドライン形移相器の一例を示
す斜視図である。図において、（りはセラミック・デュ
ロイドなどのサブストレート基板。

（２）はサブストレート基板（１）の底面に金などの導
体をメタライズして形成している地導体、（３）は移相
器の主線路、（４）は主線路に４分の１波長の間隔で付
加される装荷線路、（５）はダイオード、（６）はダイ
オード（５）の接地点を、マイクロ波的に短絡とするた
めの約４分の１波長の低インピーダンス線路。

（７）は外部から駆動バイアス電圧を受けるためのバイ
アスパッド、（８）は約４分の１波長の低インピーダン
ス線路、（９）は約４分の１波長の高インピーダンス線
路、　ｆｌｙは接地用パッド、α９は接地用金リボン、
α２はｆ８１　（９１αααＢから成る接地用回路であ
り主線路に付加されている。

次に動作について説明する。従来のダイオード移相器は
、ダイオード（５）の駆動バイアス電圧を変えることに
よって、ダイオード（５）のインピーダンスを変化させ
、主線路（３）から見た装荷線路（４）のサセプタンス
値を変え、その時の透過位相の差が所望の移相量となる
ように動作する。

駆動バイアス電圧は、バイアスパッド（７１によシ。

ダイオード（５）の電極の一方に印加され、他方の電極
にバイアス電流が抜けていくが、この際、他方の電極を
駆動バイアス電圧との間に電位差をもたせるために、あ
る一定の電位に設定しておく必要がある。通常は、地導
体と同一レベルとし接地することになる。同図では、接
地用回路α２の接地用パッドαＧを接地用金リボンａυ
で、地導体（２）と接続することによって直流的に接地
し、主線路（３）、装荷線路（４）ヲ介して、ダイオー
ド＋５１の他方の電極を直流的に接地している。

地導体（２）は、シャーシ等に半田付けされ接地される
。

ダイオード（５）は、約４分の１波長の低インピーダン
ス線路によって、電極の一方がマイクロ波的に短絡状態
になる。

第５図（、）は、ダイオードの駆動バイアス電圧を順バ
イアスにした場合の等価回路、（ｂ）は駆動バイアス電
圧を逆バイアスにした場合の等価回路である。図におい
て、（３）は主線路、（４）は装荷線路、　＜１３１は
ダイオード（５）に順バイアス電圧を印加したときのタ
゛イオード等価抵抗、ｕ４はダイオード（５）に逆バイ
アス電圧を印加したときのダイオード等価容量である。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のダイオード移相器では、移相器としての損失が大
きくなるという欠点があった。また、２個のダイオード
（５）のうち１個が切断等で故障した場合に、主線路（
３）から見た２本の装荷線路（４）のサセプタンス値が
アンバランスとなり、移相量、損失、ＶＳＷＲを劣化さ
せるという問題点があった。

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、移相器の低損失化を達成できるとともにダ
イオードが切断等で故障した場合に、移相量、損失、Ｖ
ＳＷＲの劣化を防ぐことを目的としている。

〔課題を解決するための手段Ｊ この発明に係るローデツドライン形移相器は。

１装荷線路につき、２個のダイオードを並列に接続した
ものである。

〔作用〕

この発明における移相器は、１装荷線路に２個。

同じダイオードを並列に接続することにより、ダイオー
ド順バイアス等価抵抗値は１個の場合の２分の１程度と
なり、損失が小さくなる。また、ダイオードが２個並列
に接続されているので、ダイオードが１個切断等で故障
した場合の、特性の劣化を最小限にとどめることができ
る。

〔実施例〕

第１図は、この発明の一実施例を示す斜視図である。（
１）〜ａ２は上記従来の装置と全く同一のものである。

（５）のダイオードは、１装荷線路につき２個ずつ並列
に接続されている。実際に使用される場合には、サブス
トレート基板（！）はシャーシ等に半田付けされ、地導
体（２）は接地される。

上記のように構成されたローデツドライン形移相器にお
いて、サブストレート基板Ｕ＋の地導体（２）の面がシ
ャーシ等に半田付けされた後、バイアスパッド（７）よ
り駆動バイアス電圧が外部より供給されダイオード（５
）の電極の一方に印加される。この時、他方の電標は接
地用回路（ＩＸ５．主線路（３）、装荷線路（４）を介
して接地されているので、４個のダイオードは正常動作
が可能となる。この駆動バイアス電圧をオン、オフする
ことにより主線路（３）から見た装荷線路（４）のサセ
プタンス値が変化し、その時の透過移相の差が移相差と
なる。

第２図（ａ）は、ダイオードの駆動バイアス電圧を屓バ
イアスにしたときの等価回路、同図（ｂ）は逆バイアス
にしたときの等価回路である。（３）は主線路。

（４）は装荷線路、ａ３はダイオード順バイアス等価抵
抗、ｕＨダイオード逆バイアス等価容量である。

このように、同じダイオードを２個並列に接続した場合
、原バイアス等価抵抗の合成値が、１個の場合の２分の
１程度となシ損失が小さくなる。

第３図は、第４図のダイオードのうち１個が切断等で故
障した場合の等価回路である。（３１（４１（１３ｔ１
４１は上記実施例と全く同一で、同図（ａ）は駆動バイ
アス電圧を順バイアスにした場合で、同図（ｂ）は逆バ
イアスにした場合である。また第６図は、第４図の従来
の移相器において、ダイオードが１個切断等で故障した
場合の等何回路である。（３）　（４）α、１（Ｌ４１
は上記実施例と全く同一で、同図（ａ）は駆動バイアス
電圧を順バイアスにした場合で、同図（ｂ）は逆バイア
スにした場合である。このように、従来の構成では２個
のダイオードのうち１個が切断等で故障した場合、故障
した部分は常に開放となる。しかし１本発明による実施
例において、ダイオードが１個切断等で故障しても、他
方のダイオードにより、移相量、損失、ＶＳＷＲの劣化
を防ぐことができ１周囲に与える影響を最小限におさえ
ることができる。

なお、上記実施例では、マイクロストリップ形で説明し
たが、トリプレート形移相器にも同様の効果がある。

また、上記実施例では、１装荷線路につきダイオードを
２個並列に接続して説明したが、ダイオードの個数を増
やしても同様の効果が得られる。

さらに、上記実施例では、単ビツト移相器で説明したが
、多ビツト移相器の構成においても同様の効果が得られ
る。

〔発明の効果〕

この発明は９以上説明したとおり、ローデツドライン形
移相器の１装荷線路につき、２個同じダイオードを並列
に接続したため、移相器の低損失化を達成することがで
き、また、ダイオードが切断等で故障した場合に、移相
量、損失、ＶＳＷＲの劣化を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明のローデツドライン形移相器の一実
施例を示す斜視図、第２図はこの発明の等価回路図で、
第２図（、）は駆動バイアス電圧を順バイアスにした時
の等価回路図、第２図（ｂ）は逆バイアスにした時の等
価回路図、第３図は４つのダイオードのうち１つが切断
等で故障した場合の等価回路図で、第３図（、）は駆動
バイアス電圧を順バイアスにした場合の等価回路図、第
３図（ｂ’）は逆バイアスにした場合の等価回路図、第
４図は従来のローデツドライン形移相器の一実施例を示
す斜視図、第５図は従来の実施例の等価回路図で、第５
図（、）は駆動バイアス電圧を順バイアスにした時の等
価回路図、第４図（ｂ）は逆バイアスにした時の等価回
路図、第６図は従来の実施例においてダイオードが１個
切断等で故障した場合の等価回路図で。 第６図（ａ）は駆動バイアス電圧を順バイアスにした時
の等価回路図、第６図（ｂ）は逆バイアスにした時の等
価回路図である。 図中、（１）はサブストレート基板、（２）は地導体。 （３）は主線路、（４）は装荷線路、（５）はダイオー
ド、（６）は低インピーダンス線路、（７）はバイアス
パッド；（８）は低インピーダンス線路、（９）は高イ
ンピーダンス線路、Ｈは接地用パッド、αＢは接地用金
リボン。 α２はｆ８１　（９１α０（１１１から成る接地用回路
、αＪはダイオード順バイアス等価抵抗、　＜１４１は
ダイオード逆バイアス等価容量である。 なお１図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　サブストレート基板上に、ストリップ線路によって形
   成されている主線路、複数の装荷線路、及び、接地回路
   と、上記装荷線路につながつている複数個のダイオード
   と、上記基板上にストリップ線路によつて形成され、か
   つ上記ダイオードそれぞれの一方の電極にバイアス電圧
   を印加するバイアス電圧印加手段とから構成されたロー
   デツドライン形ダイオード移相器において、上記複数の
   装荷線路それぞれにダイオードを複数個並列に接続した
   ことを特徴とするローデッドライン形移相器。