JPH01217231A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH01217231A JPH01217231A JP63042098A JP4209888A JPH01217231A JP H01217231 A JPH01217231 A JP H01217231A JP 63042098 A JP63042098 A JP 63042098A JP 4209888 A JP4209888 A JP 4209888A JP H01217231 A JPH01217231 A JP H01217231A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- silicone gel
- pressure
- sensor chip
- polyparaxylene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は液体、気体等に於て、比較的高い圧力で計測可
能な感圧センサに関する。
能な感圧センサに関する。
（従来の技術）
近時感圧センサの要求が高まるとともに、種々の提案が
なされているが、従来高圧における油圧や各種液圧用の
牛導体圧カセンサは半導体チップをシリコーンオイルで
封止し、ゴム或いはステンレスのダイアフラムを介して
圧力を伝達する２重ダイアフラム方式のものと、半導体
ブーツブの裏面から圧力をかける逆圧方式のものがあっ
た。
なされているが、従来高圧における油圧や各種液圧用の
牛導体圧カセンサは半導体チップをシリコーンオイルで
封止し、ゴム或いはステンレスのダイアフラムを介して
圧力を伝達する２重ダイアフラム方式のものと、半導体
ブーツブの裏面から圧力をかける逆圧方式のものがあっ
た。
（発明が解決すべき課題）
前者の２重ダイアフラム方式は、ゴム或いはステンレス
のダイアフラムを介して半導体チップに圧力を伝達する
ため、精度的に問題があり、後者は接着面に剥離方向の
力が働くため、耐圧サージ圧に対して問題がある。
のダイアフラムを介して半導体チップに圧力を伝達する
ため、精度的に問題があり、後者は接着面に剥離方向の
力が働くため、耐圧サージ圧に対して問題がある。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記の実情に鑑みなされたもので、特に圧力セ
ンサチップの上部を蔽って設けられるエラストマの表面
にポリパラキシリレンのコーティング薄膜を設けたもの
圧力媒体とするものである。
ンサチップの上部を蔽って設けられるエラストマの表面
にポリパラキシリレンのコーティング薄膜を設けたもの
圧力媒体とするものである。
ここでエラストマとしてはシリコーンゲルの如きシリコ
−ノボ９マーや油を充填したノルボーネンポリマーが圧
力感受性が高く好ましい。
−ノボ９マーや油を充填したノルボーネンポリマーが圧
力感受性が高く好ましい。
又この上に設けられるポリパラキシリレン（ユニオンカ
ーバイド・コーポレーション社商品名パリレン樹脂）は
真空蒸着によシ薄膜を生成し、例えば０．２μの薄さの
ものまでピンホール無しに蒸着できる。又、被着物に熱
的支障を全く与えることがない等の特徴を有する。又こ
れによってシリコーン°ゲルの表面の粘着性を解消する
ことができる。
ーバイド・コーポレーション社商品名パリレン樹脂）は
真空蒸着によシ薄膜を生成し、例えば０．２μの薄さの
ものまでピンホール無しに蒸着できる。又、被着物に熱
的支障を全く与えることがない等の特徴を有する。又こ
れによってシリコーン°ゲルの表面の粘着性を解消する
ことができる。
（実施例）
本発明による圧力センサの具体例は第１図に示すとお夛
である。
である。
第１図に於て１はステム、２はキャン、８はセンサテッ
プで４はセンサテップ８の上部に充填されたシリコーン
・ゲル、５はシリコーンゲル４の表面に蒸着されたポリ
パラキシリレン皮膜である。
プで４はセンサテップ８の上部に充填されたシリコーン
・ゲル、５はシリコーンゲル４の表面に蒸着されたポリ
パラキシリレン皮膜である。
ポリパラキシリレン皮膜５は内部のシリコーン・ゲル４
と密着し、その圧力変形に追随して変形し、破れたり割
れたシすることがない。
と密着し、その圧力変形に追随して変形し、破れたり割
れたシすることがない。
又真空蒸着に当ってはターゲットの方向を向いた面上に
のみ薄膜が形成されるので、センサの裏側に回シ込んで
リードフレームやステムに影響を与えることなしに蒸着
できる。
のみ薄膜が形成されるので、センサの裏側に回シ込んで
リードフレームやステムに影響を与えることなしに蒸着
できる。
次に本発明による圧力センサと比較例（ポリパラキシリ
レン）に代えて他の樹脂を使用した場合の比較試験を行
なった結果を表示すれば下表のとおシである。
レン）に代えて他の樹脂を使用した場合の比較試験を行
なった結果を表示すれば下表のとおシである。
ＰＥ： ポリエチレン
ＰＰ： ポリプロピレン
ＰＯ： ポリフェニレンオキサイド
Ｐｏ： 膜なしの場合の一定圧力下での出力Ｐ：膜を
付した場合の “ 残率＝−ｘ１ｏｏ（％） これによれば本発明によるものはセンサの出力の残率が
大であるのに対し比較例は５０前後に低下することが認
められた。
付した場合の “ 残率＝−ｘ１ｏｏ（％） これによれば本発明によるものはセンサの出力の残率が
大であるのに対し比較例は５０前後に低下することが認
められた。
（発明の効果）
本発明によれば感圧センサの表面を蔽うエラストマの表
面が特にポリパラキシリレンで蔽われているため、エラ
ストマが露出しているときに生じていた汚れを防止し、
かつ表面はよシ疎水性となるため水に耐する耐久性を向
上することができ、感圧特性も良く信頼性に優れた小型
の圧力センサを提供することができる。
面が特にポリパラキシリレンで蔽われているため、エラ
ストマが露出しているときに生じていた汚れを防止し、
かつ表面はよシ疎水性となるため水に耐する耐久性を向
上することができ、感圧特性も良く信頼性に優れた小型
の圧力センサを提供することができる。
第１図は本発明による感圧センサの一実施例の断面図で
ある。 膜 代理人 弁理士 竹 内 守 第１ 図
ある。 膜 代理人 弁理士 竹 内 守 第１ 図
Claims (1)
- １）キャビティ内に圧力センサチップを搭載し、その上
部を蔽うシリコーン・ゲル充填層の表面にポリパラキシ
リレンのコーティング薄膜を有する圧力媒体を設けたこ
とを特徴とする半導体圧力センサ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63042098A JPH01217231A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63042098A JPH01217231A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01217231A true JPH01217231A (ja) | 1989-08-30 |
Family
ID=12626518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63042098A Pending JPH01217231A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01217231A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0552017A2 (en) * | 1992-01-13 | 1993-07-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing same |
| US5466127A (en) * | 1992-12-30 | 1995-11-14 | Wilo Gmbh | Device for switching a submersible motor-driven pump on and off |
| JP2019519778A (ja) * | 2016-06-14 | 2019-07-11 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ | センサ装置及びセンサ装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63042098A patent/JPH01217231A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0552017A2 (en) * | 1992-01-13 | 1993-07-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor pressure sensor and method of manufacturing same |
| EP0552017A3 (ja) * | 1992-01-13 | 1994-02-09 | Mitsubishi Electric Corp | |
| US5466127A (en) * | 1992-12-30 | 1995-11-14 | Wilo Gmbh | Device for switching a submersible motor-driven pump on and off |
| JP2019519778A (ja) * | 2016-06-14 | 2019-07-11 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングＲｏｂｅｒｔ Ｂｏｓｃｈ Ｇｍｂｈ | センサ装置及びセンサ装置の製造方法 |
| US10900817B2 (en) | 2016-06-14 | 2021-01-26 | Robert Bosch Gmbh | Sensor system and method for producing a sensor system |
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