JPH01217217A - 振動子 - Google Patents
振動子Info
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- JPH01217217A JPH01217217A JP4198588A JP4198588A JPH01217217A JP H01217217 A JPH01217217 A JP H01217217A JP 4198588 A JP4198588 A JP 4198588A JP 4198588 A JP4198588 A JP 4198588A JP H01217217 A JPH01217217 A JP H01217217A
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
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Landscapes
- Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微小な振動子に係り、特にμmオーダまたは、
それ以下の変位を利用する物理量センサに好適な振動子
に関する。
それ以下の変位を利用する物理量センサに好適な振動子
に関する。
従来の振動子は特許938959号や特開昭61−97
572号公報に記載され、第6図にその断面図を示した
ように支持部101.梁部102.質量部103から構
成され、その支持部を固定して用いる片持梁型の構造と
なっていた。
572号公報に記載され、第6図にその断面図を示した
ように支持部101.梁部102.質量部103から構
成され、その支持部を固定して用いる片持梁型の構造と
なっていた。
上記従来技術は梁のたわみ変形量を大きくすることを主
眼としている。外力によりたわみ振動すると、第7図に
示すように基準位置104に対して質量部103は角度
Oだけ傾く。その結果、質量部の長さをaとすると、質
量部の付は根と先端とでは、Δh=a・θだけの振幅差
が生じてしまう。このように従来技術では質量部の傾き
による上記振幅差の発生について配慮されておらず、質
量部と対向した壁面との間の静電容量変化による振動検
出をする際に、感度を向上させる上で問題があった。ま
た、従来技術の振動子はシリコン単結晶を異方性エツチ
ングで作るため、第9図に示すように梁の断面106が
台形状を成し、外面108と内面107の寸法に差が生
じて、梁部の上、下に対称に電歪材や抵抗素子を形成す
ることが困難という問題があった。さらに第6図におい
てX方向に外力が働くと、質量部の重心と梁部のX方向
の軸とがずれているためモーメントが加わりたわみ変形
するという問題があった。
眼としている。外力によりたわみ振動すると、第7図に
示すように基準位置104に対して質量部103は角度
Oだけ傾く。その結果、質量部の長さをaとすると、質
量部の付は根と先端とでは、Δh=a・θだけの振幅差
が生じてしまう。このように従来技術では質量部の傾き
による上記振幅差の発生について配慮されておらず、質
量部と対向した壁面との間の静電容量変化による振動検
出をする際に、感度を向上させる上で問題があった。ま
た、従来技術の振動子はシリコン単結晶を異方性エツチ
ングで作るため、第9図に示すように梁の断面106が
台形状を成し、外面108と内面107の寸法に差が生
じて、梁部の上、下に対称に電歪材や抵抗素子を形成す
ることが困難という問題があった。さらに第6図におい
てX方向に外力が働くと、質量部の重心と梁部のX方向
の軸とがずれているためモーメントが加わりたわみ変形
するという問題があった。
本発明の目的は、質量部を2方向のみの外力で平行に並
進することを可能とする振動子を提供することにある。
進することを可能とする振動子を提供することにある。
上記目的は、質量部を2枚以上の平行な板ばねで片持ち
支持する構造を有することにより達成される。好ましく
はこれらはシリコン単結晶から作られる。
支持する構造を有することにより達成される。好ましく
はこれらはシリコン単結晶から作られる。
質量部を一対の平行な板ばねで片持ち支持する構造であ
るため、梁部は、質量部を平行案内する柔軟な梁とする
ことができる。またこの構造をシリコン単結晶から作る
ことにより、この一対の梁を振動子の中心軸に対して対
称な構造とすることができるので、振動子の中立軸であ
るX方向の外力によるモーントでたわみ変形することが
なくなる。
るため、梁部は、質量部を平行案内する柔軟な梁とする
ことができる。またこの構造をシリコン単結晶から作る
ことにより、この一対の梁を振動子の中心軸に対して対
称な構造とすることができるので、振動子の中立軸であ
るX方向の外力によるモーントでたわみ変形することが
なくなる。
さらに−枚のシリコン単結晶の表裏面に同じパターンを
形成して異方性エツチング処理を行うことにより平行で
対称な一対の梁が形成されるので、互に対称な梁の部分
に抵抗素子や電歪素子を形成することができる。
形成して異方性エツチング処理を行うことにより平行で
対称な一対の梁が形成されるので、互に対称な梁の部分
に抵抗素子や電歪素子を形成することができる。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。シリ
コンウェーハの両面に所望の振動子の平面形状を作るた
めの表裏面対称なパターンをリングラフィ技術を用いて
パターンニングする。次にそれを用いて、耐エツチング
マスクを酸化膜で形成する。最後にKOHの40%水溶
液を用いて異方性エツチング処理を行なうと本発明の振
動子ができる。
コンウェーハの両面に所望の振動子の平面形状を作るた
めの表裏面対称なパターンをリングラフィ技術を用いて
パターンニングする。次にそれを用いて、耐エツチング
マスクを酸化膜で形成する。最後にKOHの40%水溶
液を用いて異方性エツチング処理を行なうと本発明の振
動子ができる。
支持部1から梁部2,3を介して質量部4が支持された
構造である。質量部4の法線方向はシリコン単結晶(1
00)軸、また質量部4の中心軸X方向は(110)軸
である。質量部4と支持部1の厚さは400μm、質量
部の面積は2部2mm。
構造である。質量部4の法線方向はシリコン単結晶(1
00)軸、また質量部4の中心軸X方向は(110)軸
である。質量部4と支持部1の厚さは400μm、質量
部の面積は2部2mm。
梁部2,3の厚さは各々20μmで長さ200μmであ
る。第2図は本発明のy軸上の横断面図であり、第1図
と同一部品は同一番号を付した。
る。第2図は本発明のy軸上の横断面図であり、第1図
と同一部品は同一番号を付した。
振動子の支持部1は外部の固定台5に接着されている。
梁部2と3は振動子のX方向の中心軸に対して対称な形
状である。第3図は、外力Fが加わり質量部4がhだけ
移動した状態である。梁部2゜3が平行板ばね案内の作
用をするため、質量部4は、平行な並進移動のみが行な
える。
状である。第3図は、外力Fが加わり質量部4がhだけ
移動した状態である。梁部2゜3が平行板ばね案内の作
用をするため、質量部4は、平行な並進移動のみが行な
える。
また第2図において、X方向に圧縮の外力が加わった場
合、梁部2,3に等しく重心Gのモーメントが加わるた
め、第7図の従来例のような、たわみ変形が生じない利
点がある。
合、梁部2,3に等しく重心Gのモーメントが加わるた
め、第7図の従来例のような、たわみ変形が生じない利
点がある。
なお、質量部を平行に移動させる手法として、従来行な
われている例を第8図に示した。固定部201.202
に固定された支持部203,204から、梁部205,
206を介して質量部207が支持されている。この構
造は両端支持構造であるため、同一断面の梁を用いる場
合には、片持梁構造の本発明に比べて、同じたわみ量を
達成するためには、梁部のX方向の長さが2部と大きく
なる。これは振動子の小型化の上では不利になる。
われている例を第8図に示した。固定部201.202
に固定された支持部203,204から、梁部205,
206を介して質量部207が支持されている。この構
造は両端支持構造であるため、同一断面の梁を用いる場
合には、片持梁構造の本発明に比べて、同じたわみ量を
達成するためには、梁部のX方向の長さが2部と大きく
なる。これは振動子の小型化の上では不利になる。
さらに重心Gに加わるX方向の力による回転モーメント
を防ぐことができないので質量部207が傾く。
を防ぐことができないので質量部207が傾く。
第4図に本発明の第2の実施例を示す。支持部31、二
対の梁部32,33,34..35、質量部36とから
構成されている。梁部32,33と梁部34,35はX
方向に所定の距離だけ隔てて設けであるため、y軸回わ
りの回転α、Z軸回わりの回転βなどの外力に対する剛
性が向上し、Z方向の並進移動のみを確実にする。
対の梁部32,33,34..35、質量部36とから
構成されている。梁部32,33と梁部34,35はX
方向に所定の距離だけ隔てて設けであるため、y軸回わ
りの回転α、Z軸回わりの回転βなどの外力に対する剛
性が向上し、Z方向の並進移動のみを確実にする。
第5図は、本発明の振動子を用いた加速度センサの一実
施例である。支持部41.梁部42゜43、質量部44
からなる振動子を絶縁体であるガラス45.46で挟ん
で固定した構造である。
施例である。支持部41.梁部42゜43、質量部44
からなる振動子を絶縁体であるガラス45.46で挟ん
で固定した構造である。
一対の梁部42,43上には、シリコン拡散型の歪ゲー
ジ47.48が形成されている。梁部42゜っている。
ジ47.48が形成されている。梁部42゜っている。
ガラス45.46は、化学エツチングで浅い溝が形成さ
れ、その中に電極49.50が形成されている。これら
の電極に対向した質量部44の表面にも電極51.52
が形成されている。
れ、その中に電極49.50が形成されている。これら
の電極に対向した質量部44の表面にも電極51.52
が形成されている。
本発明の加速度センサの検出系は、Z方向からの加速度
入力による歪ゲージ47.48の出力を増幅し、位相を
進めて、電極49と51または50と52との間に電位
を加えることにより振動子の振動を制振する系となって
いる。この制振に要する電力から加速度が特定される。
入力による歪ゲージ47.48の出力を増幅し、位相を
進めて、電極49と51または50と52との間に電位
を加えることにより振動子の振動を制振する系となって
いる。この制振に要する電力から加速度が特定される。
振動子の質量部44が並進移動するため、電極49と5
1.50と52の間隔を各々、極ねめで小さくすること
が可能となり、本例では2μmに設定した。また質量部
44が平行移動するため、電極どうしが接近した際に薄
い空気層のスクイズ作用によるダンピング効果を利用す
ることも可能となった。
1.50と52の間隔を各々、極ねめで小さくすること
が可能となり、本例では2μmに設定した。また質量部
44が平行移動するため、電極どうしが接近した際に薄
い空気層のスクイズ作用によるダンピング効果を利用す
ることも可能となった。
なお、本発明で述べた、一対の平行な梁部の製作方法に
ついては、(100)ウェーハの表裏にS i 02膜
マスクの所定の開口を設け、両面から対称的にエツチン
グすることにより骨組構造体を作る技術の応用であり、
文献(1987,3,]、 1 。
ついては、(100)ウェーハの表裏にS i 02膜
マスクの所定の開口を設け、両面から対称的にエツチン
グすることにより骨組構造体を作る技術の応用であり、
文献(1987,3,]、 1 。
第16回EMシンポジウム「Siチップ上のマイクロメ
カニクス技術」佐藤著他、電子回路技術委員会主催、電
子情報通信学会協賛)で報告されている。
カニクス技術」佐藤著他、電子回路技術委員会主催、電
子情報通信学会協賛)で報告されている。
また、振動子の制振方法として、本発明の梁部の内側に
、粘弾性材料VEMや鉛系の制振金属を充填することが
可能である。
、粘弾性材料VEMや鉛系の制振金属を充填することが
可能である。
本発明によれば、微小振動子の振動体である質量部を平
行に並進運動することが可能となるので、質量部と剖向
する壁面や電極間隔を極小にすることが可能となり、静
電的な振動検出や制振さらには空気膜によるスクイズ効
果によるダンピング作用を有効に行うことができる。従
って小型で高性能な振動子を有するセンサが製作可能と
なる。
行に並進運動することが可能となるので、質量部と剖向
する壁面や電極間隔を極小にすることが可能となり、静
電的な振動検出や制振さらには空気膜によるスクイズ効
果によるダンピング作用を有効に行うことができる。従
って小型で高性能な振動子を有するセンサが製作可能と
なる。
第1図は本発明の一実施例の烏瞼図、第2図は第1図の
y軸を通る断面図、第3図は、外力下でたわみ変形した
本発明の第2図と同様の断面図、第4図は本発明の第2
の実施例の烏睡図、第5図は本発明の第3の実施例の断
面図、第6図は従来例の断面図、第7図は従来例の断面
図、第8図は第2の従来例の断面図、第9図は梁部の断
面図である。 −N Cつ \吐
y軸を通る断面図、第3図は、外力下でたわみ変形した
本発明の第2図と同様の断面図、第4図は本発明の第2
の実施例の烏睡図、第5図は本発明の第3の実施例の断
面図、第6図は従来例の断面図、第7図は従来例の断面
図、第8図は第2の従来例の断面図、第9図は梁部の断
面図である。 −N Cつ \吐
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一方向に柔軟な梁と剛構造の質量部と支持部とから
構成される片持ち梁部の振動子において、該振動子の振
動方向を法線方向とする2つ以上の異なる平面に含まれ
るように、それぞれの該平面内に梁を設けて、平行板ば
ねを構成することにしたことを特徴とする振動子。 2、上記質量部を一対の平板状壁面で挟み気体による制
振を作用を行うことを特徴とする請求項1記載の振動子
。 3、上記梁部の内側に制振材を付着挿入したことを特徴
とする請求項1記載の振動子。 4、上記質量部と相対向する壁面に該質量部に静電力を
作用させて制振する制振部材を設けたことを特徴とする
請求項1記載の振動子。 5、上記質量部、梁及び支持部はシリコン単結晶から構
成されたことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記
載の振動子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63041985A JP2741861B2 (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 振動子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63041985A JP2741861B2 (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 振動子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01217217A true JPH01217217A (ja) | 1989-08-30 |
JP2741861B2 JP2741861B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=12623492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63041985A Expired - Lifetime JP2741861B2 (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 振動子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2741861B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0221564U (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-13 | ||
JPH04505049A (ja) * | 1989-01-13 | 1992-09-03 | ラディ・メディカル・システムズ・アクチェボラーグ | 小型圧力センサ |
JP2008170383A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 一軸半導体加速度センサ |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5436771A (en) * | 1977-08-26 | 1979-03-17 | Shimadzu Corp | Vibration detector |
JPS5714811U (ja) * | 1980-06-19 | 1982-01-26 | ||
JPS6197572A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
JPS62118259A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-29 | Fujitsu Ltd | 加速度センサ |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63041985A patent/JP2741861B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5436771A (en) * | 1977-08-26 | 1979-03-17 | Shimadzu Corp | Vibration detector |
JPS5714811U (ja) * | 1980-06-19 | 1982-01-26 | ||
JPS6197572A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
JPS62118259A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-29 | Fujitsu Ltd | 加速度センサ |
Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JPH0221564U (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-13 | ||
JPH04505049A (ja) * | 1989-01-13 | 1992-09-03 | ラディ・メディカル・システムズ・アクチェボラーグ | 小型圧力センサ |
JP2008170383A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 一軸半導体加速度センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2741861B2 (ja) | 1998-04-22 |
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