JPH01215757A - ノイズ低減材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上豊且■公！ 本発明は、電子回路中での信号ラインノイズを低減させ
るための有効な材料を提供するものである。

″および　°しよ゛と　る。　占 従来、使用されている信号ラインノイズ低減材料は、そ
の材料の重量が重い割に信号ラインノイズが低減されな
いのが欠点とされていた。

−”　るた　の− 本発明者は、上記の問題を解決するためチタン化合物及
び鉄化合物の混合物、またはチタン及び鉄を含有する化
合物、またはイルメナイトを急速還元焼成し、急速冷却
して得られた半導体物質（特願昭６２−０３６２３９参
照）を必要に応じて粉砕、成形し、再度還元焼成するこ
とによって得られる半導体物質を含有してなる信号ライ
ンノイズ低減材料が、従来のものに比べて重量が軽く、
しかも優れた信号ラインノイズ低減性能を有することを
見出し、本発明を完成するに至った。以下、本発明の詳
細な説明する。

チタン化合物としては、チタン酸化物（ＴｉＯｌＴｉＯ
ｚ　　等）及びその水酸化物、ノλロゲン化チタン、硫
酸チタン等が単独または併用で使用できる。鉄化合物と
しては、鉄酸化物（ＦｅＯ、Ｆｅｚｅ３、Ｆｅ５０４等
）及びその水酸化物、ハロゲン化鉄、硫酸比軟等が単独
または併用で使用できる。

チタン化合物及び鉄化合物の粒径は還元焼成時に反応し
易いようにできるだけ微粉とすることが好ましいが特に
限定しない。

またチタン及び鉄の双方を含有する化合物も使用できる
。

例えばＦｅＴｉＯｓ、Ｆｅ２Ｔｉ０４、Ｆｅ１Ｔｉ０５
−　等の鉄及びチタン含有化合物を使用することが可能
である。

これらの原料は次に還元焼成されるが必要に応じ、再酸
化防止剤（例えばカーボン）、半導体化及びち密化する
目的で、例えばＹ２Ｏ３を添加することもできる。再酸
化防止剤、半導体化剤は、次の再還元焼成する工程で添
加してもよい。還元焼成は焼成物を半導体化する条件で
あれば特に限定しない。

例えば還元雰囲気中での焼成とか、これらの原料が熔融
する温度以上で急速に熔融する方法が用いられる。特に
後者の方法は効果的に半導体化する。そのための手段と
してはガス炉、アーク炉、電気炉、イメージ炉、プラズ
マ炉等が用いられる。

熔融された原料は次に急速冷却される。冷却は熔融物を
水冷または冷媒で冷却された熱伝導のよいロールではさ
みこむ方法等が用いられる。冷却した半導体塊は粉砕さ
れ、必要に応じて再酸化防止剤、半導体化剤等を添加し
、再度焼成する。再度焼成し、冷却された材料は成形体
の場合は水洗し、乾燥後成型体表面を研磨し、電極を取
付けたり、コイルを巻きつけたり円筒形ビード状にする
などの加工を施し、信号ラインノイズ低減材料とする。

再度焼成し、冷却された材料が粉体の場合は水洗し十分
粉砕、乾燥した後、例えば合成樹脂または無機バインダ
ーと混合してシート状、テープ状あるいはペイント状あ
るいはその性成型体状にし、信号ラインノイズ低減材料
とすることもできる。

合成樹脂としては特にフッ素系樹脂が効果的である。

シート状にした複合体には、両手端面に電極を取り付は
コンデンサー状に仕上げ信号ラインノイズ低減材料とす
る。

テープ状にした複合体は電子回路の回路線に巻きつけて
信号ラインノイズ低減材料とすることがｔきる。また成
型体状にした複合体は回路線がその中を貫通するビード
形としたり、トランス状、コイル巻きつけ、モールドト
ランス状とすることもできる。ペイント状にした複合体
は適宜電子回路の回路線に塗布して信号ラインノイズ低
減材料とすることができる。

１隻桝 ルチル型Ｔｉ０ｚ　　１ｋｇとガンマ−型Ｆｅｚｅｓ　
　１　ｋｇに純水を加えてスラリー化し、１０５℃、１
２時間乾燥した後、ジルコニア煉瓦製の炉で酸素・プロ
パンガスを熱源として先の乾燥物を急速溶解し、全体が
十分溶解したところで溶解を中止し水冷した。この固溶
体は熱起電力法より半導体であることを確認した。得ら
れた固溶体を粉砕し、さらにボールミルで水といっしょ
に２４時間微粉砕し、再度１０５℃、１２時間乾燥して
、ふるいにかけ平均粒径１０ミクロン程度の粉体とした
。この粉体に２％ポバール液を加え、十分混合後に直径
８龍、厚さ３ｆｌの円盤状サンプルを成型機で作りアル
ミナルツボにこの成型体を入れカーボン粉を充填してル
ツボの蓋をし、電気炉で１４００℃５時間還元焼成した
。本物質は先の熱起電力法により半導体であることを確
認した。

さらに焼結サンプルの円盤面を紙やすりで研磨し厚さ２
■−１直径７龍にした。この表面に焼付形銀ペーストを
塗布し、４５０℃、３０分焼付後、ハンダ付でリード線
を図の様に取りつけた。

測定はトラッキングジェネレータで直流〜２ＧＨｚまで
の正弦波を発生させ被測定物を経由してスペクトラムア
ナライザーで各周波数でのサンプルの電力減衰特性を調
べた。表−１は市販品ビードとの比較を示す。

試對皇作成方抜 試料−１：直径ＩＮ、・長さ６０龍の銅線をブランクと
し７５Ω同軸ケーブルの芯線を切 断し、その間にこの銅線を挿入し、芯 線とハンダで接続した。同軸ケーブル のシールド線は切断せずそのままとし た。

試料−２：＠トヨムラ扱いの、アミトンフェライトビー
ドＦＢ８０１を１個（１，４４グラム）に直径１ｍ、長
さ６０龍の銅線 を貫通し、試料−１と同様に７５Ω同 軸ケーブルの芯線を切断し、その間に この銅線を挿入し、芯線とハンダで接 続した。同軸ケーブルのシールド線は 切断せずそのままとした。

試料−３ニートヨムラ扱いの、アミトンフェライトビー
ドＦＢ８０１を３個（４，３３グラム）に直径１ｍ、長
さ６０鰭の銅線 を貫通し、試料−１と同様に７５Ω同 軸ケーブルの芯線を切断し、その間に この銅線を挿入し、芯線とハンダで接 続した。同軸ケーブルのシールド線は 切断せずそのままとした。

Ｅ料−４：■トヨムラ扱いの、アミンドフエライトビー
ドＦＢ８０１を５個（７，２０グラム）に直径１龍、長
さ６０關の銅線 を貫通し、試料−１と同様にこの銅線 を挿入し、７５Ω同軸ケーブルの芯線 を切断し、その間に芯線とハンダで接 続した。同軸ケーブルのシールド線は 切断せずそのままとした。

試料−５ニア５Ω同軸ケーブルの芯線を切断し、その間
に■村田製作所製の三端子ノイ ズコンデンサー８２７１Ｍ（１，１０グラム）のビード
を取り付けである端子 を挿入し、ハンダで接続し、ビードを 取り付けていない端子はアースした。

同軸ケーブルのシールド線は切断せず そのままとした。

試料−６ニア５Ω同軸ケーブルの芯線を切断し、その間
に図に示す発明品を挿入し、ハ ンダで接続した。同軸ケーブルのシー ルド線は切断せずそのままとした。

発１廊Ｂ九果 本発明品は市販品に比べて重量当りの信号ラインノイズ
の低減効果が大きく、特にＩ　Ｇ　Ｈｚ〜２ＧＨｚの高
周波域においてより優れた特性を発揮することが認めら
れた。

【図面の簡単な説明】

図面は電力減衰特性の試験に用いたサンプルの斜視図で
ある。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）チタン化合物及び鉄化合物、またはチタン及び鉄
   を含有する化合物を該物質の溶解温度以上で還元焼成し
   、急速冷却して得られた半導体物質を、再度還元焼成し
   て得られる半導体物質を含有してなる信号ラインノイズ
   低減材料。
2. （２）チタン化合物としてＴｉＯ＿２を用い、鉄化合物
   としてＦｅ＿２Ｏ＿３を用い、ＴｉＯ＿２とＦｅ＿２Ｏ
   ＿３の合計を１００重量％としたとき、ＴｉＯ＿２が１
   ０重量％から９０重量％の範囲である混合体を該物質の
   溶解温度以上で還元焼成を行い、急速冷却して得られた
   半導体物質を、再度、還元焼成して得られる半導体物質
   を含有してなる信号ラインノイズ低減材料。
3. （３）チタン及び鉄を含有する化合物としてイルメナイ
   トを用い、該物質の溶解温度以上で還元焼成を行い、急
   速冷却して得られた半導体物質を、再度、還元焼成して
   得られる半導体物質を含有してなる信号ラインノイズ低
   減材料。