JPH01214095A - フレキシブルプリント基板の製造方法 - Google Patents

フレキシブルプリント基板の製造方法

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JPH01214095A
JPH01214095A JP3904588A JP3904588A JPH01214095A JP H01214095 A JPH01214095 A JP H01214095A JP 3904588 A JP3904588 A JP 3904588A JP 3904588 A JP3904588 A JP 3904588A JP H01214095 A JPH01214095 A JP H01214095A
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JP
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layer
plasma
plasma polymer
flexible printed
film
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Application number
JP3904588A
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English (en)
Inventor
Kinya Kumazawa
金也 熊沢
Nobumitsu Yamanaka
信光 山中
Osamu Seki
関 収
Masaya Komatsu
雅也 小松
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業の利用分野) 本発明はフレキシブルプリント基板、特に高周波回路用
フレキシブルプリント基板の製造に適するフレキシブル
プリント基板の製造方法に関するものである。
(従来技術) 従来の高周波回路用フレキシブルプリント基板は、四フ
ッ化エチレン重合体(PTFE)、四フッ化エチレン共
重合体(ETFE)、四ツ−2化エチレン六フッ化プロ
ピレン共重合体(FEP)等の低誘電率フッ素系樹脂フ
ィルム上に、接着剤により或はヒートシールなどによっ
て銅箔を貼り合わせるなどして得られていた。
しかしながらフッ素系樹脂は一般に、密着性に寄与する
極性力が小であるため十分な密着力が得られず、また接
着剤を用いると低誘電率であるフッ素系樹脂本来の優れ
た特性が損なわれるという問題もあった。
そこで最近はフッ素系樹脂表面を■アルカリ金属溶液処
理、■放射線グラフト処理、■プラズマ処理等を施すこ
とによって同表面を粗面化したり、一部、極性基の導入
を行なって密着力を向上させ、更に真空薄着、スパッタ
リング、イオンブレーティングなどの物理蒸着(PVD
)法によって導体を形成する高周波回路用フレキシブル
プリント基板の製造方法が開発されている。
特に最近では信号伝送速度をより高速化するため、誘電
体層(樹脂フィルム)に各種の発泡体を用いることが試
みられている。これによれば特に多孔質四フッ化エチレ
ン重合体(PTFE)樹脂を用いたフレキシブル基板の
場合は低誘電率(1゜1−1.4 、1MHz)となり
各方面から注目を浴びている。
(従来技術の問題点) しかしながら上記のように優れた電気特性を有する多孔
質四フッ化エチレン樹脂のフレキシブル基板でも、導体
の密着性の点では必ずしも充分ではない、それは延伸な
どにより微小孔を有する多孔買四フッ化エチレン樹脂上
に、物理蒸着(PVD)法により所望の金属薄膜を付着
形成しても密着力が充分ではなく、特に薬品浸漬後の密
着力が著しく低下する。この原因は定かではないが、微
小孔による凹凸面に物理蒸着(PVD)法により金属物
質を付着形成させても、この密着力に寄与する効果は単
に機械的に接合するだけ、即ち投錨効果しか期待できな
いためと考えられる。
(発明の目的) 本発明の目的は上記のような問題点を解決し、高周波特
性に優れ、フィルムと導電層との密着力が強力なフレキ
シブルプリント基板を得ることができるフレキシブルプ
リント基板の製造方法を提供することにある。
(問題点を解決するための手段) 本発明のフレキシブルプリント基板の製造方法は、フッ
素系樹脂フィルム1がセ−,)された真空槽6内に有機
モノマーを導入し、同士ツマ−をプラズマによりイオン
化させながら上記樹脂フィルムlの片面もしくは両面に
プラズマ重合体層2を形成し、引続きプラズマ重合体層
2を形成しながら所望の金属物質を蒸着してプラズマ重
合体−金属複合体層3を形成し、その後、徐々に有機モ
ノマーの導入を減する一方、金属物質の蒸着量を増やし
て最終的に導体層4を形成するようにすることを特徴と
するものである。
(発明の作用) 第1図、第2図は本発明の製造方法により製造されたフ
レキシブルプリント基板の異なる例である。このうち第
1図のものは有機モノマーをプラズマによりイオン化さ
せながら四フッ化エチレン樹脂フィルムlの片面に、第
2図のものは同フィルム1の両面に、C(炭素)とF(
フッ素)とを含むプラズマ重合体N2を形成し、次いで
同プラズマ重合体712を形成しながら所望の金属物質
を蒸着してプラズマ重合体−金属複合体層3を形成し、
引き続いて、徐々に前記七ツマ−の導入を減する一方、
前記金属物質の蒸着量を増やして最終的に導体層4を形
成することにより、明確な界面の存在しない連続導体膜
を形成したものである。
第3図は本発明の製造方法の一実施例である。
この製造方法では多孔質四フッ化エチレン樹脂フィルム
lを真空槽(ベルジャ)6内の基板ホルダー7にセット
し、この真空槽6内を充分排気した後、同真空槽6内に
CとFとを含む七ツマーガスをガス導入口8から導入す
る。ここで使用される七ツマーガスとしては、例えばC
F鳥、CF2 =CF2 、CHF=CF@ 、CF2
 =CFCI等を使用する。この場合これらのガスと一
緒にアルゴン、ヘリウム、ネオンなどの不活性ガスをキ
ャリアガスとして導入してもよい。
次に、真空槽6内の高周波コイル9に高周波電源15か
ら高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、基板ホル
ダー7に直流電源17から負電位の直流電圧を印加する
と、真空槽6内に導入されたCとFとを含むモノマーガ
スがプラズマ中でイオン化され、また、基板である四フ
ッ化エチレン樹脂フィルムlの表面もイオンボンバード
され、ラジカルが発生するなどの状況を呈しながら、プ
ラズマ重合体層2が形成される。この重合体層2の膜厚
は10〜100OA、望ましくはlO〜100Aである
引続きこのプラズマ重合体層2を形成しながら、第3図
の蒸着ボード10内にセットされている金属物質11を
、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着などの物理蒸着(PV
D)法などにより蒸着させると前記重合体層2の外側に
いわゆるプラズマ重合体−金属複合体層3が形成される
。この金属物質11の蒸着においても七ツマーガスは前
記したプラズマによりイオン化されて活性化状態となり
、プラズマ重合体層2と金属蒸発粒子を構成する分子同
志が一部結層するなどして強固な結合状態となる。この
プラズマ重合体−金属複合体層3の膜厚も10〜100
OA、望ましくはlO〜100Aである。
この場合有機モノマーの導入を減少させながら金属物質
11の蒸着量を徐々に増やしてプラズマ重合体−金属複
合体層3が次第に金属層に近くなるようにすると、同複
合体層3がより良い層となる。ここで使用される金属物
質11は、フレキシブルプリント基板の導体として適合
し得るものであれば特に限定されるものではないが、銅
及び銅合金或はアルミニウムなどが一般的である。
次に上記のようにしてプラズマ重合体−金属複合体層3
を形成した後、真空槽6内へのCとFを含むモノマーガ
スの導入を停止し、金属物質11を引続き蒸着させるか
、或はアルゴン、ヘリウムなどのキャリアガスを供給し
た状態でプラズマ放電を維持しながら金属物質11を蒸
着(いわゆるイオンブレーティング)させると、プラズ
マ重合体−金属複合体層3の外側に導体層4が形成され
る。この種の導体層4の膜厚はフレキシブルプリント基
板としての使用に応じて適宜決定されるが、−船釣には
電流容量、屈曲性、その他の条件から1−10鉢m程度
がよい。
(実施例1) 以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。
気孔率50%、厚さ50pmの四フッ化エチレン共重合
体(PTFE)樹脂フィルムlを、第3図に示すイオン
ブレーティング装置の真空槽6内の基板ホルダー7にセ
ットし、同真空槽6内を充分排気した後、オクタフルオ
ロシクロブタン(−〇4 F8 、ダイキン製)とアル
ゴンガスとを混合したモノマーガスを真空槽6内へ導入
し、圧力5XIO−3Torrに調整し、更に基板ホル
ダー7に直流電源17から一500vの直流電圧を、ま
た、高周波コイル9に高周波電源15から高周波電力2
00Wを投入して放電を開始した。
放電が充分安定した後、シャッター12を開けて前記フ
ィルムl上にCとFとから成るプラズマ重合体2を10
0A厚に形成した。その後、徐々にモノマーガスの流量
を減らしながら、引続き銅蒸着(イオンブレーティング
)を行なって5pmの銅薄膜からなる導体層4を形成し
、前記フィルム1をフレキシブルプリント基板とした。
なお第3図の13は排気口、14はマツチングボックス
である。
(比較例1) 実施例1の場合と同様に前記フィルム1を第3図に示す
真空槽6内の基板ホルダー7にセットし、真空槽6内を
充分に排気した後、オクタフルオロシクロブタン(−〇
4 F8 、ダイキン製)とアルゴンガスとを混合した
モノマーガスを真空槽6内に導入し、圧力5X101T
orrに調整し、さらに基板ホルダー7に直流電源17
から一500■の直流電圧を、また、高周波コイル9に
高周波電源15から200Wの高周波電力を投入して放
電を開始する。放電が充分安定した後シャッター12を
開けて前記フィルム1上にCとFとから成るプラズマ重
合体層2を100Ayfj成する。そしてこの比較例で
は、その後、七ツマーガスの供給を停止し、アルゴンガ
スを供給してプラズマが発生した状態で蒸着ボード10
に直流電源16から直流電圧を印加して銅蒸着(イオン
ブレーティング)し、膜厚5gmの導体層4を形成して
フレキシブルプリント基板とした。
本発明の優位性を把握するため、常態及び2N硫酸浸漬
後の導体層4の密着力計価、基板の誘電率測定(JIS
  K  6911)、更にMIT耐折試験(J I 
S  P  8115)を行なったところ表1のような
結果が得られた。
なお、導体層4の密着力は第4図に示す180度ビール
強度法によって測定した。即ち、アルミニウム補強板2
0上に、エポキシ接着剤21を介してフレキシブルプリ
ント基板lの導体層4を接着させ、前記補強板20を固
定して導体層4とプラズマ重合体−金属複合体層3との
間の剥離力を測定した。
表1 C1ff考) 1、密着力測定は、180度ビール強度法に基づく。
2、誘電率測定は、JIS  K  6911に基づく
3、耐折回数測定は、JIS  P  8115に基づ
く。
なお、表1における値はいづれもN=5の平均値を示す
(発明の効果) 本発明のフレキシブルプリント基板の製造方法は次のよ
うな効果がある。
(1)表1から明らかなように、多孔質四フッ化エチレ
ン樹脂フィルムの優れた電気特性(誘電率1.1〜1.
4; IMHz )が損なわれることがなく、しかも導
体層4との密着力が大で、且つ高屈曲性を示すなど優れ
た高周波特性を持ったフレキシブルプリント基板が得ら
れる。
(2)プラズマ重合体層2、プラズマ重合体−金属複合
体層3、導体層4が接着剤などにより貼り合されている
のではなく、各層の境界に明確な界面がなく徐々に変化
するように一体化されているため、従来のフレキシブル
プリント基板のようにフィルムと導体との密着が不充分
であるといったことがない。
(3)各層が一体化されるのでそれらの層が熱応力緩和
層としての機衡をも有し、カールも少ないフレキシブル
プリント基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は本発明の製造方法で得られたフレキシ
ブルプリント基板の異なる実施例の平面図、第3図は本
発明に用いたイオンブレーティング装置の説明図、第4
図は本発明の製造方法で製造されたフレキシブルプリン
ト基板の密着力を測定するための180度ビール強度法
の概略図である。 lは四フッ化エチレン樹脂フィルム 2はプラズマ重合体層 3はプラズマ重合体−金属複合体層 4は導体層 6は真空槽 (y)(N     円

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. フッ素系樹脂フィルム1がセットされた真空槽6内に有
    機モノマーを導入し、同モノマーをプラズマによりイオ
    ン化させながら上記樹脂フィルム1の片面もしくは両面
    にプラズマ重合体層2を形成し、引続きプラズマ重合体
    層2を形成しながら所望の金属物質を蒸着してプラズマ
    重合体−金属複合体層3を形成し、その後、徐々に有機
    モノマーの導入を減する一方、金属物質の蒸着量を増加
    させて最終的に導体層4を形成するようにすることを特
    徴とするフレキシブルプリント基板の製造方法。
JP3904588A 1988-02-22 1988-02-22 フレキシブルプリント基板の製造方法 Pending JPH01214095A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020066457A1 (ja) * 2018-09-25 2020-04-02 東レKpフィルム株式会社 積層体および積層体の製造方法
JP2023502570A (ja) * 2019-11-21 2023-01-25 リテルフューズ、インコーポレイテッド Ptcデバイスとバックアップヒューズとを有する回路保護装置

Cited By (3)

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WO2020066457A1 (ja) * 2018-09-25 2020-04-02 東レKpフィルム株式会社 積層体および積層体の製造方法
JPWO2020066457A1 (ja) * 2018-09-25 2021-08-30 東レ株式会社 積層体および積層体の製造方法
JP2023502570A (ja) * 2019-11-21 2023-01-25 リテルフューズ、インコーポレイテッド Ptcデバイスとバックアップヒューズとを有する回路保護装置

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