JPH01214095A - フレキシブルプリント基板の製造方法 - Google Patents
フレキシブルプリント基板の製造方法Info
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業の利用分野)
本発明はフレキシブルプリント基板、特に高周波回路用
フレキシブルプリント基板の製造に適するフレキシブル
プリント基板の製造方法に関するものである。
フレキシブルプリント基板の製造に適するフレキシブル
プリント基板の製造方法に関するものである。
(従来技術)
従来の高周波回路用フレキシブルプリント基板は、四フ
ッ化エチレン重合体(PTFE)、四フッ化エチレン共
重合体(ETFE)、四ツ−2化エチレン六フッ化プロ
ピレン共重合体(FEP)等の低誘電率フッ素系樹脂フ
ィルム上に、接着剤により或はヒートシールなどによっ
て銅箔を貼り合わせるなどして得られていた。
ッ化エチレン重合体(PTFE)、四フッ化エチレン共
重合体(ETFE)、四ツ−2化エチレン六フッ化プロ
ピレン共重合体(FEP)等の低誘電率フッ素系樹脂フ
ィルム上に、接着剤により或はヒートシールなどによっ
て銅箔を貼り合わせるなどして得られていた。
しかしながらフッ素系樹脂は一般に、密着性に寄与する
極性力が小であるため十分な密着力が得られず、また接
着剤を用いると低誘電率であるフッ素系樹脂本来の優れ
た特性が損なわれるという問題もあった。
極性力が小であるため十分な密着力が得られず、また接
着剤を用いると低誘電率であるフッ素系樹脂本来の優れ
た特性が損なわれるという問題もあった。
そこで最近はフッ素系樹脂表面を■アルカリ金属溶液処
理、■放射線グラフト処理、■プラズマ処理等を施すこ
とによって同表面を粗面化したり、一部、極性基の導入
を行なって密着力を向上させ、更に真空薄着、スパッタ
リング、イオンブレーティングなどの物理蒸着(PVD
)法によって導体を形成する高周波回路用フレキシブル
プリント基板の製造方法が開発されている。
理、■放射線グラフト処理、■プラズマ処理等を施すこ
とによって同表面を粗面化したり、一部、極性基の導入
を行なって密着力を向上させ、更に真空薄着、スパッタ
リング、イオンブレーティングなどの物理蒸着(PVD
)法によって導体を形成する高周波回路用フレキシブル
プリント基板の製造方法が開発されている。
特に最近では信号伝送速度をより高速化するため、誘電
体層(樹脂フィルム)に各種の発泡体を用いることが試
みられている。これによれば特に多孔質四フッ化エチレ
ン重合体(PTFE)樹脂を用いたフレキシブル基板の
場合は低誘電率(1゜1−1.4 、1MHz)となり
各方面から注目を浴びている。
体層(樹脂フィルム)に各種の発泡体を用いることが試
みられている。これによれば特に多孔質四フッ化エチレ
ン重合体(PTFE)樹脂を用いたフレキシブル基板の
場合は低誘電率(1゜1−1.4 、1MHz)となり
各方面から注目を浴びている。
(従来技術の問題点)
しかしながら上記のように優れた電気特性を有する多孔
質四フッ化エチレン樹脂のフレキシブル基板でも、導体
の密着性の点では必ずしも充分ではない、それは延伸な
どにより微小孔を有する多孔買四フッ化エチレン樹脂上
に、物理蒸着(PVD)法により所望の金属薄膜を付着
形成しても密着力が充分ではなく、特に薬品浸漬後の密
着力が著しく低下する。この原因は定かではないが、微
小孔による凹凸面に物理蒸着(PVD)法により金属物
質を付着形成させても、この密着力に寄与する効果は単
に機械的に接合するだけ、即ち投錨効果しか期待できな
いためと考えられる。
質四フッ化エチレン樹脂のフレキシブル基板でも、導体
の密着性の点では必ずしも充分ではない、それは延伸な
どにより微小孔を有する多孔買四フッ化エチレン樹脂上
に、物理蒸着(PVD)法により所望の金属薄膜を付着
形成しても密着力が充分ではなく、特に薬品浸漬後の密
着力が著しく低下する。この原因は定かではないが、微
小孔による凹凸面に物理蒸着(PVD)法により金属物
質を付着形成させても、この密着力に寄与する効果は単
に機械的に接合するだけ、即ち投錨効果しか期待できな
いためと考えられる。
(発明の目的)
本発明の目的は上記のような問題点を解決し、高周波特
性に優れ、フィルムと導電層との密着力が強力なフレキ
シブルプリント基板を得ることができるフレキシブルプ
リント基板の製造方法を提供することにある。
性に優れ、フィルムと導電層との密着力が強力なフレキ
シブルプリント基板を得ることができるフレキシブルプ
リント基板の製造方法を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明のフレキシブルプリント基板の製造方法は、フッ
素系樹脂フィルム1がセ−,)された真空槽6内に有機
モノマーを導入し、同士ツマ−をプラズマによりイオン
化させながら上記樹脂フィルムlの片面もしくは両面に
プラズマ重合体層2を形成し、引続きプラズマ重合体層
2を形成しながら所望の金属物質を蒸着してプラズマ重
合体−金属複合体層3を形成し、その後、徐々に有機モ
ノマーの導入を減する一方、金属物質の蒸着量を増やし
て最終的に導体層4を形成するようにすることを特徴と
するものである。
素系樹脂フィルム1がセ−,)された真空槽6内に有機
モノマーを導入し、同士ツマ−をプラズマによりイオン
化させながら上記樹脂フィルムlの片面もしくは両面に
プラズマ重合体層2を形成し、引続きプラズマ重合体層
2を形成しながら所望の金属物質を蒸着してプラズマ重
合体−金属複合体層3を形成し、その後、徐々に有機モ
ノマーの導入を減する一方、金属物質の蒸着量を増やし
て最終的に導体層4を形成するようにすることを特徴と
するものである。
(発明の作用)
第1図、第2図は本発明の製造方法により製造されたフ
レキシブルプリント基板の異なる例である。このうち第
1図のものは有機モノマーをプラズマによりイオン化さ
せながら四フッ化エチレン樹脂フィルムlの片面に、第
2図のものは同フィルム1の両面に、C(炭素)とF(
フッ素)とを含むプラズマ重合体N2を形成し、次いで
同プラズマ重合体712を形成しながら所望の金属物質
を蒸着してプラズマ重合体−金属複合体層3を形成し、
引き続いて、徐々に前記七ツマ−の導入を減する一方、
前記金属物質の蒸着量を増やして最終的に導体層4を形
成することにより、明確な界面の存在しない連続導体膜
を形成したものである。
レキシブルプリント基板の異なる例である。このうち第
1図のものは有機モノマーをプラズマによりイオン化さ
せながら四フッ化エチレン樹脂フィルムlの片面に、第
2図のものは同フィルム1の両面に、C(炭素)とF(
フッ素)とを含むプラズマ重合体N2を形成し、次いで
同プラズマ重合体712を形成しながら所望の金属物質
を蒸着してプラズマ重合体−金属複合体層3を形成し、
引き続いて、徐々に前記七ツマ−の導入を減する一方、
前記金属物質の蒸着量を増やして最終的に導体層4を形
成することにより、明確な界面の存在しない連続導体膜
を形成したものである。
第3図は本発明の製造方法の一実施例である。
この製造方法では多孔質四フッ化エチレン樹脂フィルム
lを真空槽(ベルジャ)6内の基板ホルダー7にセット
し、この真空槽6内を充分排気した後、同真空槽6内に
CとFとを含む七ツマーガスをガス導入口8から導入す
る。ここで使用される七ツマーガスとしては、例えばC
F鳥、CF2 =CF2 、CHF=CF@ 、CF2
=CFCI等を使用する。この場合これらのガスと一
緒にアルゴン、ヘリウム、ネオンなどの不活性ガスをキ
ャリアガスとして導入してもよい。
lを真空槽(ベルジャ)6内の基板ホルダー7にセット
し、この真空槽6内を充分排気した後、同真空槽6内に
CとFとを含む七ツマーガスをガス導入口8から導入す
る。ここで使用される七ツマーガスとしては、例えばC
F鳥、CF2 =CF2 、CHF=CF@ 、CF2
=CFCI等を使用する。この場合これらのガスと一
緒にアルゴン、ヘリウム、ネオンなどの不活性ガスをキ
ャリアガスとして導入してもよい。
次に、真空槽6内の高周波コイル9に高周波電源15か
ら高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、基板ホル
ダー7に直流電源17から負電位の直流電圧を印加する
と、真空槽6内に導入されたCとFとを含むモノマーガ
スがプラズマ中でイオン化され、また、基板である四フ
ッ化エチレン樹脂フィルムlの表面もイオンボンバード
され、ラジカルが発生するなどの状況を呈しながら、プ
ラズマ重合体層2が形成される。この重合体層2の膜厚
は10〜100OA、望ましくはlO〜100Aである
。
ら高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、基板ホル
ダー7に直流電源17から負電位の直流電圧を印加する
と、真空槽6内に導入されたCとFとを含むモノマーガ
スがプラズマ中でイオン化され、また、基板である四フ
ッ化エチレン樹脂フィルムlの表面もイオンボンバード
され、ラジカルが発生するなどの状況を呈しながら、プ
ラズマ重合体層2が形成される。この重合体層2の膜厚
は10〜100OA、望ましくはlO〜100Aである
。
引続きこのプラズマ重合体層2を形成しながら、第3図
の蒸着ボード10内にセットされている金属物質11を
、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着などの物理蒸着(PV
D)法などにより蒸着させると前記重合体層2の外側に
いわゆるプラズマ重合体−金属複合体層3が形成される
。この金属物質11の蒸着においても七ツマーガスは前
記したプラズマによりイオン化されて活性化状態となり
、プラズマ重合体層2と金属蒸発粒子を構成する分子同
志が一部結層するなどして強固な結合状態となる。この
プラズマ重合体−金属複合体層3の膜厚も10〜100
OA、望ましくはlO〜100Aである。
の蒸着ボード10内にセットされている金属物質11を
、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着などの物理蒸着(PV
D)法などにより蒸着させると前記重合体層2の外側に
いわゆるプラズマ重合体−金属複合体層3が形成される
。この金属物質11の蒸着においても七ツマーガスは前
記したプラズマによりイオン化されて活性化状態となり
、プラズマ重合体層2と金属蒸発粒子を構成する分子同
志が一部結層するなどして強固な結合状態となる。この
プラズマ重合体−金属複合体層3の膜厚も10〜100
OA、望ましくはlO〜100Aである。
この場合有機モノマーの導入を減少させながら金属物質
11の蒸着量を徐々に増やしてプラズマ重合体−金属複
合体層3が次第に金属層に近くなるようにすると、同複
合体層3がより良い層となる。ここで使用される金属物
質11は、フレキシブルプリント基板の導体として適合
し得るものであれば特に限定されるものではないが、銅
及び銅合金或はアルミニウムなどが一般的である。
11の蒸着量を徐々に増やしてプラズマ重合体−金属複
合体層3が次第に金属層に近くなるようにすると、同複
合体層3がより良い層となる。ここで使用される金属物
質11は、フレキシブルプリント基板の導体として適合
し得るものであれば特に限定されるものではないが、銅
及び銅合金或はアルミニウムなどが一般的である。
次に上記のようにしてプラズマ重合体−金属複合体層3
を形成した後、真空槽6内へのCとFを含むモノマーガ
スの導入を停止し、金属物質11を引続き蒸着させるか
、或はアルゴン、ヘリウムなどのキャリアガスを供給し
た状態でプラズマ放電を維持しながら金属物質11を蒸
着(いわゆるイオンブレーティング)させると、プラズ
マ重合体−金属複合体層3の外側に導体層4が形成され
る。この種の導体層4の膜厚はフレキシブルプリント基
板としての使用に応じて適宜決定されるが、−船釣には
電流容量、屈曲性、その他の条件から1−10鉢m程度
がよい。
を形成した後、真空槽6内へのCとFを含むモノマーガ
スの導入を停止し、金属物質11を引続き蒸着させるか
、或はアルゴン、ヘリウムなどのキャリアガスを供給し
た状態でプラズマ放電を維持しながら金属物質11を蒸
着(いわゆるイオンブレーティング)させると、プラズ
マ重合体−金属複合体層3の外側に導体層4が形成され
る。この種の導体層4の膜厚はフレキシブルプリント基
板としての使用に応じて適宜決定されるが、−船釣には
電流容量、屈曲性、その他の条件から1−10鉢m程度
がよい。
(実施例1)
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。
気孔率50%、厚さ50pmの四フッ化エチレン共重合
体(PTFE)樹脂フィルムlを、第3図に示すイオン
ブレーティング装置の真空槽6内の基板ホルダー7にセ
ットし、同真空槽6内を充分排気した後、オクタフルオ
ロシクロブタン(−〇4 F8 、ダイキン製)とアル
ゴンガスとを混合したモノマーガスを真空槽6内へ導入
し、圧力5XIO−3Torrに調整し、更に基板ホル
ダー7に直流電源17から一500vの直流電圧を、ま
た、高周波コイル9に高周波電源15から高周波電力2
00Wを投入して放電を開始した。
体(PTFE)樹脂フィルムlを、第3図に示すイオン
ブレーティング装置の真空槽6内の基板ホルダー7にセ
ットし、同真空槽6内を充分排気した後、オクタフルオ
ロシクロブタン(−〇4 F8 、ダイキン製)とアル
ゴンガスとを混合したモノマーガスを真空槽6内へ導入
し、圧力5XIO−3Torrに調整し、更に基板ホル
ダー7に直流電源17から一500vの直流電圧を、ま
た、高周波コイル9に高周波電源15から高周波電力2
00Wを投入して放電を開始した。
放電が充分安定した後、シャッター12を開けて前記フ
ィルムl上にCとFとから成るプラズマ重合体2を10
0A厚に形成した。その後、徐々にモノマーガスの流量
を減らしながら、引続き銅蒸着(イオンブレーティング
)を行なって5pmの銅薄膜からなる導体層4を形成し
、前記フィルム1をフレキシブルプリント基板とした。
ィルムl上にCとFとから成るプラズマ重合体2を10
0A厚に形成した。その後、徐々にモノマーガスの流量
を減らしながら、引続き銅蒸着(イオンブレーティング
)を行なって5pmの銅薄膜からなる導体層4を形成し
、前記フィルム1をフレキシブルプリント基板とした。
なお第3図の13は排気口、14はマツチングボックス
である。
である。
(比較例1)
実施例1の場合と同様に前記フィルム1を第3図に示す
真空槽6内の基板ホルダー7にセットし、真空槽6内を
充分に排気した後、オクタフルオロシクロブタン(−〇
4 F8 、ダイキン製)とアルゴンガスとを混合した
モノマーガスを真空槽6内に導入し、圧力5X101T
orrに調整し、さらに基板ホルダー7に直流電源17
から一500■の直流電圧を、また、高周波コイル9に
高周波電源15から200Wの高周波電力を投入して放
電を開始する。放電が充分安定した後シャッター12を
開けて前記フィルム1上にCとFとから成るプラズマ重
合体層2を100Ayfj成する。そしてこの比較例で
は、その後、七ツマーガスの供給を停止し、アルゴンガ
スを供給してプラズマが発生した状態で蒸着ボード10
に直流電源16から直流電圧を印加して銅蒸着(イオン
ブレーティング)し、膜厚5gmの導体層4を形成して
フレキシブルプリント基板とした。
真空槽6内の基板ホルダー7にセットし、真空槽6内を
充分に排気した後、オクタフルオロシクロブタン(−〇
4 F8 、ダイキン製)とアルゴンガスとを混合した
モノマーガスを真空槽6内に導入し、圧力5X101T
orrに調整し、さらに基板ホルダー7に直流電源17
から一500■の直流電圧を、また、高周波コイル9に
高周波電源15から200Wの高周波電力を投入して放
電を開始する。放電が充分安定した後シャッター12を
開けて前記フィルム1上にCとFとから成るプラズマ重
合体層2を100Ayfj成する。そしてこの比較例で
は、その後、七ツマーガスの供給を停止し、アルゴンガ
スを供給してプラズマが発生した状態で蒸着ボード10
に直流電源16から直流電圧を印加して銅蒸着(イオン
ブレーティング)し、膜厚5gmの導体層4を形成して
フレキシブルプリント基板とした。
本発明の優位性を把握するため、常態及び2N硫酸浸漬
後の導体層4の密着力計価、基板の誘電率測定(JIS
K 6911)、更にMIT耐折試験(J I
S P 8115)を行なったところ表1のような
結果が得られた。
後の導体層4の密着力計価、基板の誘電率測定(JIS
K 6911)、更にMIT耐折試験(J I
S P 8115)を行なったところ表1のような
結果が得られた。
なお、導体層4の密着力は第4図に示す180度ビール
強度法によって測定した。即ち、アルミニウム補強板2
0上に、エポキシ接着剤21を介してフレキシブルプリ
ント基板lの導体層4を接着させ、前記補強板20を固
定して導体層4とプラズマ重合体−金属複合体層3との
間の剥離力を測定した。
強度法によって測定した。即ち、アルミニウム補強板2
0上に、エポキシ接着剤21を介してフレキシブルプリ
ント基板lの導体層4を接着させ、前記補強板20を固
定して導体層4とプラズマ重合体−金属複合体層3との
間の剥離力を測定した。
表1
C1ff考)
1、密着力測定は、180度ビール強度法に基づく。
2、誘電率測定は、JIS K 6911に基づく
。
。
3、耐折回数測定は、JIS P 8115に基づ
く。
く。
なお、表1における値はいづれもN=5の平均値を示す
。
。
(発明の効果)
本発明のフレキシブルプリント基板の製造方法は次のよ
うな効果がある。
うな効果がある。
(1)表1から明らかなように、多孔質四フッ化エチレ
ン樹脂フィルムの優れた電気特性(誘電率1.1〜1.
4; IMHz )が損なわれることがなく、しかも導
体層4との密着力が大で、且つ高屈曲性を示すなど優れ
た高周波特性を持ったフレキシブルプリント基板が得ら
れる。
ン樹脂フィルムの優れた電気特性(誘電率1.1〜1.
4; IMHz )が損なわれることがなく、しかも導
体層4との密着力が大で、且つ高屈曲性を示すなど優れ
た高周波特性を持ったフレキシブルプリント基板が得ら
れる。
(2)プラズマ重合体層2、プラズマ重合体−金属複合
体層3、導体層4が接着剤などにより貼り合されている
のではなく、各層の境界に明確な界面がなく徐々に変化
するように一体化されているため、従来のフレキシブル
プリント基板のようにフィルムと導体との密着が不充分
であるといったことがない。
体層3、導体層4が接着剤などにより貼り合されている
のではなく、各層の境界に明確な界面がなく徐々に変化
するように一体化されているため、従来のフレキシブル
プリント基板のようにフィルムと導体との密着が不充分
であるといったことがない。
(3)各層が一体化されるのでそれらの層が熱応力緩和
層としての機衡をも有し、カールも少ないフレキシブル
プリント基板が得られる。
層としての機衡をも有し、カールも少ないフレキシブル
プリント基板が得られる。
第1図、第2図は本発明の製造方法で得られたフレキシ
ブルプリント基板の異なる実施例の平面図、第3図は本
発明に用いたイオンブレーティング装置の説明図、第4
図は本発明の製造方法で製造されたフレキシブルプリン
ト基板の密着力を測定するための180度ビール強度法
の概略図である。 lは四フッ化エチレン樹脂フィルム 2はプラズマ重合体層 3はプラズマ重合体−金属複合体層 4は導体層 6は真空槽 (y)(N 円
ブルプリント基板の異なる実施例の平面図、第3図は本
発明に用いたイオンブレーティング装置の説明図、第4
図は本発明の製造方法で製造されたフレキシブルプリン
ト基板の密着力を測定するための180度ビール強度法
の概略図である。 lは四フッ化エチレン樹脂フィルム 2はプラズマ重合体層 3はプラズマ重合体−金属複合体層 4は導体層 6は真空槽 (y)(N 円
Claims (1)
- フッ素系樹脂フィルム1がセットされた真空槽6内に有
機モノマーを導入し、同モノマーをプラズマによりイオ
ン化させながら上記樹脂フィルム1の片面もしくは両面
にプラズマ重合体層2を形成し、引続きプラズマ重合体
層2を形成しながら所望の金属物質を蒸着してプラズマ
重合体−金属複合体層3を形成し、その後、徐々に有機
モノマーの導入を減する一方、金属物質の蒸着量を増加
させて最終的に導体層4を形成するようにすることを特
徴とするフレキシブルプリント基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3904588A JPH01214095A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | フレキシブルプリント基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3904588A JPH01214095A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | フレキシブルプリント基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01214095A true JPH01214095A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12542151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3904588A Pending JPH01214095A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | フレキシブルプリント基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01214095A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020066457A1 (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 東レKpフィルム株式会社 | 積層体および積層体の製造方法 |
JP2023502570A (ja) * | 2019-11-21 | 2023-01-25 | リテルフューズ、インコーポレイテッド | Ptcデバイスとバックアップヒューズとを有する回路保護装置 |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP3904588A patent/JPH01214095A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020066457A1 (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 東レKpフィルム株式会社 | 積層体および積層体の製造方法 |
JPWO2020066457A1 (ja) * | 2018-09-25 | 2021-08-30 | 東レ株式会社 | 積層体および積層体の製造方法 |
JP2023502570A (ja) * | 2019-11-21 | 2023-01-25 | リテルフューズ、インコーポレイテッド | Ptcデバイスとバックアップヒューズとを有する回路保護装置 |
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