JPH01208913A - インバータ回路 - Google Patents

インバータ回路

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Publication number
JPH01208913A
JPH01208913A JP63034454A JP3445488A JPH01208913A JP H01208913 A JPH01208913 A JP H01208913A JP 63034454 A JP63034454 A JP 63034454A JP 3445488 A JP3445488 A JP 3445488A JP H01208913 A JPH01208913 A JP H01208913A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
drain
channel
mos transistor
gate
source
Prior art date
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Pending
Application number
JP63034454A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiro Nakada
和宏 中田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63034454A priority Critical patent/JPH01208913A/ja
Publication of JPH01208913A publication Critical patent/JPH01208913A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00346Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents
    • H03K19/00361Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents in field effect transistor circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はインバータ回路に関し、特にMOSトランジス
タで構成されるインバータ回路に関する。
〔従来の技術〕
従来、CMOSで構成されたインバータとしては、第4
図に示すような回路が用いられてきた。
即ち、Pチャネル型MO3トランジスタ(以下、P−M
o3Tと記す)Q12とNチャネル型トランジスタ(以
下、N−Mo3Tと記す)Q13とを電源と接地間に直
列に接続し、それぞれのゲートを入力端子rN、に接続
し、P −M OS T Q 12・のドレインとN 
 M OS T Q 13のドレインとを出力端子OU
T、に接続していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のインバータ回路では、その電源能力は電
源電圧の変化により大きく変動するので、電源電圧が高
くなるにしたがって、インバータ回路を多段に接続した
場合に信号伝達速度が高速になり、一定の遅柾時間を必
要とする箇所又は高速動作になると雑音量が増大する箇
所に対して動作マージンが狭くなるという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本第1の発明のインバータ回路は、ソースを電源端子(
又は接地端子)に接続するPチャネル(又はNチャネル
)型の第1のMOSトランジスタと、ソースを前記第1
のMOSトランジスタのドレインに接続しゲートを入力
端子に接続しドレインを出力端子に接続するPチャネル
(又はNチャネル)型の第2のMOSトランジスタと、
ドレインを前記第2のMOSトランジスタのドレインに
接続しゲートを前記入力端子に接続しソースを接地端子
(又は電源端子)に接続するNチャネル(又はPチャネ
ル)型の第3のMOSトランジスタと、ソースを前記電
源端子(又は接地端子)に接続するPチャネル(又はN
チャネル)型の第4のMOSトランジスタと、ソースを
前記第4のMOSトランジスタのゲートとドレインとに
接続しドレインとゲートとを前記第1のMOSトランジ
スタのゲートに接続するPチャネル(又はNチャネル)
型の第5のMOSトランジスタと、ドレインを前記第5
のMOSトランジスタのドレインに接続しゲートを前記
電源端子(又は接地端子)に接続しソースを前記接地端
子(又は電源端子)に接続するNチャネル(又はPチャ
ネル)型の第6のMOSトランジスタとを有している。
本第2の発明のインバータ回路は、ソースを接地端子(
又は電源端子)に接続するNチャネル(又はPチャネル
)型の第1のMOSトランジスタと、ソースを前記第1
のMOSトランジスタのドレインに接続しゲートを入力
端子に接続しドレインを出力端子に接続するNチャネル
(又はPチャネル)型の第2のMOSトランジスタと、
ドレインを前記第2のMOSトランジスタのドレインに
接続しゲートを前記入力端子に接続しソースを電源端子
(又は接地端子)に接続するPチャネル(又はNチャネ
ル)型の第3のMOSトランジスタと、ソースを前記接
地端子(又は電源端子)に接続するNチャネル(又はP
チャネル)型の第4のMOSトランジスタと、ソースを
前記第4のMOSトランジスタのゲートとドレインとに
接続しドレインとゲートとを前記第1のMOSトランジ
スタのゲートに接続するNチャネル(又はPチャネル)
型の第5のMOSトランジスタと、一端を前記第5のM
OSトランジスタのドレインに接続し他端を前記電源端
子(又は接地端子)に接続する抵抗とを有している。
〔実施例〕 次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本箱1の発明の一実施例の回路図である。
第1図に示すように、ソースを電源端子に接続する第1
のP−MO3TQIと、ソースをP−MOSTQ、のド
レインに接続しゲートを入力端子IN、に接続しドレイ
ンを出力端子01J T 1に接続する第2のP−MO
STQ2と、ドレインをP−MOSTQ2のドレインに
接続しゲートを入力端子INtの接続しソースを接地端
子に接続する第3のN−MOSTQ、と、ソースを電源
端子に接続する第4のP−MOSTQ、と、ソースをP
−MOSTQ4のゲートとドレインとに接続しドレイン
とゲートとをP−MOSTQ1のゲートに接続する第5
のP −M OS T Q 5と、ドレインをP−MO
STQ、のドレインに接続しゲートを電源端子に接続し
ソースを接地端子に接続する第6のN  M OS T
 Q 6とを含んで構成される。
ここで、P  M OS T Q 5のドレインとN−
M OS T Q 6のドレインとを接続する節点をN
とし、N −M OS T Q bの電流能力をP−M
O5TQ4 、Q5に比較して極端に低くすると、接点
N1の電位レベルはP−MOSTのしきい電圧VTPに
のみ依存し、電源電圧より一定の電位だけ低い電位レベ
ルとなる。
この接点N1をP −M OS T Q sのゲートに
接続し、P −M OS T Q 1のソースを電源端
子に接続し、ドレインをP−MOSTQ2のソースに接
続し、P−MOSTQ2のゲートを入力端子IN、に接
続し、ドレインを出力端子OU T 1に接続する。ソ
ースとゲート間電圧が一定のためP−M OS T Q
 lの電流能力は一定であり、P−MOSTQ、は電流
リミッタの働きをする。
第2図は第1図の実施例を動作させたときの電源電圧と
動作速度との相関の特性曲線と従来の特性曲線との比較
を示す特性図である。
第2図に示すようにインバータとして出力端子OUT、
が低レベルから高レベルに変化する場合の電源電圧に対
する動作速度の特性曲線Aは第4図の従来のインバータ
回路の特性曲線Bと比べて変化が著しく改善される。
第3図は本箱2の発明の一実施例の回路図である。
第3図に示すように、第2の発明の実施例は上述した第
1の発明の実施例のP−MOSTをN−MOSTにN−
MOSTをP−MOSTに変更し、かつ、第1の発明の
実施例のN−MOSTQ6を高抵抗の抵抗R1に置換え
ている。
即ち、第1図のP −M OS T Q 1. Q 2
をN−MOSTQ7 、Qsに、N −M OS T 
Q 3をP−、MOSTQ9に、P −M OS T 
Q 4 、 Q sをN−MO3TQIO,Qllに置
換えている。
第3図の実施例では、出力端子0UT2が高レベルから
低レベルへ変化するときの電源電圧の変動に対する動作
時間の変動が第4図のインバータ回路に比べて著しく改
善される。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、電源電圧に依存しない安
定な動作速度をもつことができるという効果があり、従
って本発明を適用することにより、半導体回路内での正
確な遅延時間の設定及び電源電圧の高低に無関係に雑音
量を同じにおさえることが可能になるという効果がある
【図面の簡単な説明】
第1図は本箱1の発明の一実施例の回路図、第2図は第
1図の実施例を動作させたときの電源電圧と動作速度と
の相関の特性曲線と従来の特性曲線との比較を示す特性
図、第3図は本箱2の発明の一実施例の回路図、第4図
は従来のインバータ回路の一例の回路図である。 IN、、IN、、IN3・・・入力端子、OUT、。 0UT2,0UT3・・・出力端子、R,−・・抵抗、
Ql、Q2 、Q4 、Q5 、Q9 、Ql2・・・
P−MOST、Q3  ・ Q6 ・ Ql ・ Q8
 ・ QIO・ Qll・Ql9・・・N−MOST。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ソースを電源端子(又は接地端子)に接続するP
    チャネル(又はNチャネル)型の第1のMOSトランジ
    スタと、ソースを前記第1のMOSトランジスタのドレ
    インに接続しゲートを入力端子に接続しドレインを出力
    端子に接続するPチャネル(又はNチャネル)型の第2
    のMOSトランジスタと、ドレインを前記第2のMOS
    トランジスタのドレインに接続しゲートを前記入力端子
    に接続しソースを接地端子(又は電源端子)に接続する
    Nチャネル(又はPチャネル)型の第3のMOSトラン
    ジスタと、ソースを前記電源端子(又は接地端子)に接
    続するPチャネル(又はNチャネル)型の第4のMOS
    トランジスタと、ソースを前記第4のMOSトランジス
    タのゲートとドレインとに接続しドレインとゲートとを
    前記第1のMOSトランジスタのゲートに接続するPチ
    ャネル(又はNチャネル)型の第5のMOSトランジス
    タと、ドレインを前記第5のMOSトランジスタのドレ
    インに接続しゲートを前記電源端子(又は接地端子)に
    接続しソースを前記接地端子(又は電源端子)に接続す
    るNチャネル(又はPチャネル)型の第6のMOSトラ
    ンジスタとを有するインバータ回路。
  2. (2)ソースを接地端子(又は電源端子)に接続するN
    チャネル(又はPチャネル)型の第1のMOSトランジ
    スタと、ソースを前記第1のMOSトランジスタのドレ
    インに接続しゲートを入力端子に接続しドレインを出力
    端子に接続するNチャネル(又はPチャネル)型の第2
    のMOSトランジスタと、ドレインを前記第2のMOS
    トランジスタのドレインに接続しゲートを前記入力端子
    に接続しソースを電源端子(又は接地端子)に接続する
    Pチャネル(又はNチャネル)型の第3のMOSトラン
    ジスタと、ソースを前記接地端子(又は電源端子)に接
    続するNチャネル(又はPチャネル)型の第4のMOS
    トランジスタと、ソースを前記第4のMOSトランジス
    タのゲートとドレインとに接続しドレインとゲートとを
    前記第1のMOSトランジスタのゲートに接続するNチ
    ャネル(又はPチャネル)型の第5のMOSトランジス
    タと、一端を前記第5のMOSトランジスタのドレイン
    に接続し他端を前記電源端子(又は接地端子)に接続す
    る抵抗とを有するインバータ回路。
JP63034454A 1988-02-16 1988-02-16 インバータ回路 Pending JPH01208913A (ja)

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JP63034454A JPH01208913A (ja) 1988-02-16 1988-02-16 インバータ回路

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ID=12414693

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JP63034454A Pending JPH01208913A (ja) 1988-02-16 1988-02-16 インバータ回路

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JP (1) JPH01208913A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0818413A (ja) * 1994-06-27 1996-01-19 Yamaha Corp 遅延回路
JP2010258716A (ja) * 2009-04-23 2010-11-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 閾値回路

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0818413A (ja) * 1994-06-27 1996-01-19 Yamaha Corp 遅延回路
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