JPH01205555A - 半導体装置用基板材料 - Google Patents
半導体装置用基板材料Info
- Publication number
- JPH01205555A JPH01205555A JP3020388A JP3020388A JPH01205555A JP H01205555 A JPH01205555 A JP H01205555A JP 3020388 A JP3020388 A JP 3020388A JP 3020388 A JP3020388 A JP 3020388A JP H01205555 A JPH01205555 A JP H01205555A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- alloy
- thickness
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 27
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 9
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 9
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 23
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 2
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- 238000001192 hot extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用基板材料に関する。
従来から半導体装置用の基板材料には、耐食性及び半田
付は性を改善する目的で、金（Ａｕ）メッキが施される
ことが多い。
付は性を改善する目的で、金（Ａｕ）メッキが施される
ことが多い。
一方、ザーヴイソプ型パッケージを始め、基板材料の材
質はセラミックが一般的であった。しかし、セラミック
は金属に比較して熱伝導度が小さいため熱放散性が悪く
、集積度が高く消費電力の大きな半導体装置では、放熱
フィンを取付ける等の対策を講じなりればならないとい
う不都合が生じていた。熱伝導度が良いセラミックとし
てＡＩＮが脚光をあびているが、密度が３．２６ ｇ７
’ｏｎｂ と大さく、大型化しつつある半導体装置の重
量が重くなる欠点があった。
質はセラミックが一般的であった。しかし、セラミック
は金属に比較して熱伝導度が小さいため熱放散性が悪く
、集積度が高く消費電力の大きな半導体装置では、放熱
フィンを取付ける等の対策を講じなりればならないとい
う不都合が生じていた。熱伝導度が良いセラミックとし
てＡＩＮが脚光をあびているが、密度が３．２６ ｇ７
’ｏｎｂ と大さく、大型化しつつある半導体装置の重
量が重くなる欠点があった。
更に、ＡｌＮ等のセラミックは蓮根やキャビティ程度の
加工は可能であるが、例えばタップ加工等により複雑な
形状とすることが困難で、パンケージ等としての形状に
制限があった。
加工は可能であるが、例えばタップ加工等により複雑な
形状とすることが困難で、パンケージ等としての形状に
制限があった。
この様な問題を解決するため、軽量て熱膨張差Ｇこよる
歪が少なく、熱放散性にも優れたＡ７−３１合金からな
る基板ないしパッケージが提案されている（特開昭６１
．−８７８４３号及び特開昭６１−２８１．５４１号参
照）。しかし、このｌ−Ｓ：ｌ−合金からなる基板材料
に、耐食性及び半Ｅｌｌ （１け性を改善するためＡ、
ｕメッキを施すには困難な点があった。
歪が少なく、熱放散性にも優れたＡ７−３１合金からな
る基板ないしパッケージが提案されている（特開昭６１
．−８７８４３号及び特開昭６１−２８１．５４１号参
照）。しかし、このｌ−Ｓ：ｌ−合金からなる基板材料
に、耐食性及び半Ｅｌｌ （１け性を改善するためＡ、
ｕメッキを施すには困難な点があった。
この人ｌ −Ｓ ］−合金からなる基板材料はＡ４をベ
ースとするので、メタライズ処理なしにＡｕメッキを施
すことができるが、基板材料表面に直接Ａｕメンキを形
成すると、半田付番づ時やガラス封止時の熱によりＡｕ
と合金中の８１が反応し、液相を形成して合金化するの
で、脆くなったり、変色したり、耐食性が低下するとい
う問題があった。
ースとするので、メタライズ処理なしにＡｕメッキを施
すことができるが、基板材料表面に直接Ａｕメンキを形
成すると、半田付番づ時やガラス封止時の熱によりＡｕ
と合金中の８１が反応し、液相を形成して合金化するの
で、脆くなったり、変色したり、耐食性が低下するとい
う問題があった。
本発明はかかる事情に鑑み、軽量で熱膨張差による歪が
少なく熱放散性にも優れたＡ４−３ｉ合金を基体とし、
その表面にＡｕメッキ層を具え耐食性と半田付は性に優
れた半導体装置用基板材料を提供することを目的とする
。
少なく熱放散性にも優れたＡ４−３ｉ合金を基体とし、
その表面にＡｕメッキ層を具え耐食性と半田付は性に優
れた半導体装置用基板材料を提供することを目的とする
。
〔課題を解決するだめの手段〕
本発明の半導体装置用基板材料は、珪素とアルミニウム
の合金からなる基体と、基体の表面上に形成した金属表
面層とがらなり、該金属表面層が基体表面Ｇこ接する厚
さ０．１〜２μｍの化学メッキ層と、その上の厚さ０．
５〜３μｍの電気メッキ層と、最上層の厚さ０．１〜３
μｍの金メッキ層とからなることを特徴とするものであ
る。
の合金からなる基体と、基体の表面上に形成した金属表
面層とがらなり、該金属表面層が基体表面Ｇこ接する厚
さ０．１〜２μｍの化学メッキ層と、その上の厚さ０．
５〜３μｍの電気メッキ層と、最上層の厚さ０．１〜３
μｍの金メッキ層とからなることを特徴とするものであ
る。
基体となるＡＩ！、−８ｉ合金は、ガスアトマイズ法等
の噴霧法により溶湯を平均冷却速度］、 ０２０ＹＪｓ
ｅ ｃ以上で凝固させてＡ７！−３ｉ合金粉末を形成
し、４２メソシユ以下のこの合金粉末を熱間ての押出や
鍛造などの方法で塑性加工することにより、ノマッケー
ジ等の所望の形状に固化成形することができる。
の噴霧法により溶湯を平均冷却速度］、 ０２０ＹＪｓ
ｅ ｃ以上で凝固させてＡ７！−３ｉ合金粉末を形成
し、４２メソシユ以下のこの合金粉末を熱間ての押出や
鍛造などの方法で塑性加工することにより、ノマッケー
ジ等の所望の形状に固化成形することができる。
基体となるＡｌ−５ｉ合金は通常３０〜８０重量％のＳ
ｌを含むこと（こよって、第１表に示すようＧこ熱伝導
度を半導体装置用として適当な値に保ちながら、密度及
び熱膨張係数を小さくすることができ、優れた半導体装
置用基板材料となる。
ｌを含むこと（こよって、第１表に示すようＧこ熱伝導
度を半導体装置用として適当な値に保ちながら、密度及
び熱膨張係数を小さくすることができ、優れた半導体装
置用基板材料となる。
第 １ 表
Ａｌ−３０Ｓ上２．５８ １．３．］、 ００３５Ａ
Ｉ！ −４０３ｉ ２．５３ １２．０ ０＋３０Ａｌ
−５０Ｓｉ ２．５０ １１．２ ０．２７ｈｌ −
６０Ｓｉ ２．４．３ ９．８ ０．２５Ａ！ −７０
Ｓｌ ２．４０ ８．７ ０．２３Ａｌ −８０Ｓｉ
２．３８ ６．５ ０．２０Ｓ１濃度が３０重量％未満
では密度が高くなる為充分な軽量化が図れず、また熱膨
張係数も大きくなりパンケージとした場合にガラス封止
が困難になる。逆にＳｉ濃度が８０重量％を超えると、
ＳｌとＡ、ｌの界面での接合が不充分になって界面での
熱抵抗が大きくなるので、熱伝導度が小さくなり放熱性
が低下する。更に、硬度も高くなって被削性が著しく低
下し、加工性が悪くなる。
Ｉ！ −４０３ｉ ２．５３ １２．０ ０＋３０Ａｌ
−５０Ｓｉ ２．５０ １１．２ ０．２７ｈｌ −
６０Ｓｉ ２．４．３ ９．８ ０．２５Ａ！ −７０
Ｓｌ ２．４０ ８．７ ０．２３Ａｌ −８０Ｓｉ
２．３８ ６．５ ０．２０Ｓ１濃度が３０重量％未満
では密度が高くなる為充分な軽量化が図れず、また熱膨
張係数も大きくなりパンケージとした場合にガラス封止
が困難になる。逆にＳｉ濃度が８０重量％を超えると、
ＳｌとＡ、ｌの界面での接合が不充分になって界面での
熱抵抗が大きくなるので、熱伝導度が小さくなり放熱性
が低下する。更に、硬度も高くなって被削性が著しく低
下し、加工性が悪くなる。
又、同−Ｓｉ。濃度であっても、Ｓｉ初晶の粒径が太さ
いと工具の摩耗が激しり、シかも複雑な形状の加工が困
難で寸法精度が低下するので、合金粉末生成時の冷却速
度を速くして、Ｓ１初晶の粒径を５０μｍ以下とするの
が好ましい。
いと工具の摩耗が激しり、シかも複雑な形状の加工が困
難で寸法精度が低下するので、合金粉末生成時の冷却速
度を速くして、Ｓ１初晶の粒径を５０μｍ以下とするの
が好ましい。
尚、本発明における基板材料とは、所謂半導体基板を構
成する材料のみではなく、各種形状のパッケージを構成
する材料も含むものである。
成する材料のみではなく、各種形状のパッケージを構成
する材料も含むものである。
前記したように、基体であるＡｌ−３ｉ合金の表面に直
接Ａｕメッキを形成すると、半田付は時やガラス封止時
の熱によりＡｕと合金中の８１が反応し、合金化して脆
くなったり耐食性が低下する等の問題があることが判明
していた。
接Ａｕメッキを形成すると、半田付は時やガラス封止時
の熱によりＡｕと合金中の８１が反応し、合金化して脆
くなったり耐食性が低下する等の問題があることが判明
していた。
そこで、基体であるＡＡ−３ｉ合金とＡｕメッキとの間
に中間層を形成することが検削された。
に中間層を形成することが検削された。
しかし、中間層としてＮ１等を化学メッキ（無電解メッ
キ〕すると、Ａｕ−３ｉ共晶半田付は時やガラス封止時
の加熱で化学メッキ層が結晶化してスルーホールが形成
される。この中間層に形成されたスルーホールを通して
上層のＡｕメッキと基体中のＳｉ−が反応し、やはり脆
くなったり耐食性が低下する等の欠点が現われる。又、
中間層として電気メッキを施すと、基体のＡ／！−３ｉ
合金にはＳｌがマトリックス中に固溶する以外に初晶Ｓ
１として晶出しているので、この初晶Ｓ１上には電気メ
ッキが充分にのらずピンホールが形成されやすい。
キ〕すると、Ａｕ−３ｉ共晶半田付は時やガラス封止時
の加熱で化学メッキ層が結晶化してスルーホールが形成
される。この中間層に形成されたスルーホールを通して
上層のＡｕメッキと基体中のＳｉ−が反応し、やはり脆
くなったり耐食性が低下する等の欠点が現われる。又、
中間層として電気メッキを施すと、基体のＡ／！−３ｉ
合金にはＳｌがマトリックス中に固溶する以外に初晶Ｓ
１として晶出しているので、この初晶Ｓ１上には電気メ
ッキが充分にのらずピンホールが形成されやすい。
その結果、上層のＡｕメッキと基体中の８１が反応し、
やはり同様の欠点があられれる。
やはり同様の欠点があられれる。
本発明では、基体のＡｌ−３ｉ合金表面Ｇこまず化学メ
ンキして全体的に均一な金属層を形成し、その上に電気
メッキを施した後、最後にＡｕメッキを形成する。その
結果、電気メッキ層は化学メッキ層上Ｇこピンホール等
なく形成されしかも電気メッキ層は加熱してもスルーホ
ールが発生しないので加熱時に化学メッキ層にスルーポ
ールが形成されたとしても、上層のＡｕメッキと基体中
の８１との反応を防ぐことができる。
ンキして全体的に均一な金属層を形成し、その上に電気
メッキを施した後、最後にＡｕメッキを形成する。その
結果、電気メッキ層は化学メッキ層上Ｇこピンホール等
なく形成されしかも電気メッキ層は加熱してもスルーホ
ールが発生しないので加熱時に化学メッキ層にスルーポ
ールが形成されたとしても、上層のＡｕメッキと基体中
の８１との反応を防ぐことができる。
化学メッキ層及び電気メッキ層としては、Ｎ１以外にＮ
１−ＰＸＮｉ−Ｂ等を使用できる。
１−ＰＸＮｉ−Ｂ等を使用できる。
又、化学メッキ層の厚さを００１〜２μｍとする理由は
０．１μｍ以下では十分に下地のＳＪの部分を覆うこと
が出来ず、２μｍ以上にするとコストが高くなるからで
ある。
０．１μｍ以下では十分に下地のＳＪの部分を覆うこと
が出来ず、２μｍ以上にするとコストが高くなるからで
ある。
電気メッキ層の厚さを０．５〜３μｍとするり山は下地
の拡散を抑える為には０．５μｍ以上必要であり、３μ
ｍ以上施すとメッキ粒子が粗くなりその上に形成される
Ａｕメッキも粒子が粗くなって、両者の間で相互拡散を
生じるためである。
の拡散を抑える為には０．５μｍ以上必要であり、３μ
ｍ以上施すとメッキ粒子が粗くなりその上に形成される
Ａｕメッキも粒子が粗くなって、両者の間で相互拡散を
生じるためである。
Ａｕメッキ層の厚さを００１〜３μｍとする理由は０、
１． ｌ１ｍ以下では下地との間で相互拡散を生じ、３
１ｉｍ以」−にすると寸法精度が悪くなりコスト的にも
かなり高価になるためである。
１． ｌ１ｍ以下では下地との間で相互拡散を生じ、３
１ｉｍ以」−にすると寸法精度が悪くなりコスト的にも
かなり高価になるためである。
ガスアトマイズ法Ｇこより溶湯を平均冷却速度１０２０
に／ｓ ’ｅ ｃ以上で凝固させ、６０重量％のｓｌを
含有する１−８ｉ合金粉末を製造した。Ａ４−８ｉ合金
中の初晶Ｓ１の粒径は５０μｍ以下であった。次に、こ
のＡ／！−３ｉ合金粉末を５００Ｃの温度及び５ ｔ
ｏ ｎ／Ｄ／Ｍ２の圧力て加圧焼結し、Ａｌ−３：１合
金からなる基体を製造した。この基体の密度は２゜４．
２ ｇ汐ｂ３、熱膨張係数は９．５ Ｘ １．０−’／
Ｔ、及び熱伝導度は０．２５ ｃａｌ／ｓｅｃ。Ｃてあ
った。
に／ｓ ’ｅ ｃ以上で凝固させ、６０重量％のｓｌを
含有する１−８ｉ合金粉末を製造した。Ａ４−８ｉ合金
中の初晶Ｓ１の粒径は５０μｍ以下であった。次に、こ
のＡ／！−３ｉ合金粉末を５００Ｃの温度及び５ ｔ
ｏ ｎ／Ｄ／Ｍ２の圧力て加圧焼結し、Ａｌ−３：１合
金からなる基体を製造した。この基体の密度は２゜４．
２ ｇ汐ｂ３、熱膨張係数は９．５ Ｘ １．０−’／
Ｔ、及び熱伝導度は０．２５ ｃａｌ／ｓｅｃ。Ｃてあ
った。
この基体上に、第２表に示す組合せで化学メッキ層、電
気メッキ層及びＡｕメッキ層をＩｆｆａ番に形成した。
気メッキ層及びＡｕメッキ層をＩｆｆａ番に形成した。
第 ２ 表
１ Ｎコ、 ２ ／ｊｍ なし ２μ
ｍ２ なし Ｎｉ ２μｍ ２μｍ３
Ｎｉ０．５μｍＮｉ２μｍ２μｍ各サンプルを大気中Ｇ
こおいて４５０Ｃて１ｏ分間加熱した後、外観を観察し
ＳＥＭによる表面観察及びＥＤＸ＆こよる断面観察を行
なった。観察結果を第３表に示した。
ｍ２ なし Ｎｉ ２μｍ ２μｍ３
Ｎｉ０．５μｍＮｉ２μｍ２μｍ各サンプルを大気中Ｇ
こおいて４５０Ｃて１ｏ分間加熱した後、外観を観察し
ＳＥＭによる表面観察及びＥＤＸ＆こよる断面観察を行
なった。観察結果を第３表に示した。
第 ３ 表
Ａ６ 外観観察 表面観察 断面観察］ 多少黒色
変化なし 合金化 ２ 灰白色 合金化 合金化 ３ 変化なし 変化なし 変化なし 次Ｇこ、第２表に示した同様の各サンプルを用いて、２
５０Ｃで半田付けした後、６５ Ｃ−＋ １５０ Ｃ（
７）熱サイクルＫ］、ＯＯサイクル施し、夫々外観を観
察したところ、サンプル届１及び扁２は茶色に変色した
が、本発明のサンプル／ｆ（ｚ ３には何ら変化が無か
った。更に、各サンプルをＥＤＸで断面観察したどころ
、サンプルｊ６１及び蔦２は基体中の８１が化学メッキ
層又は電気メッキ層に拡散してＡ、ｕメッキ層と合金化
していたが、サンプル蔦３てはＳ工が化学メッキ層Ｇこ
拡散しているもののその上の電気メンキ層には拡散して
おらず、Ａｕメッキ層との合金化が防止でさた。
変化なし 合金化 ２ 灰白色 合金化 合金化 ３ 変化なし 変化なし 変化なし 次Ｇこ、第２表に示した同様の各サンプルを用いて、２
５０Ｃで半田付けした後、６５ Ｃ−＋ １５０ Ｃ（
７）熱サイクルＫ］、ＯＯサイクル施し、夫々外観を観
察したところ、サンプル届１及び扁２は茶色に変色した
が、本発明のサンプル／ｆ（ｚ ３には何ら変化が無か
った。更に、各サンプルをＥＤＸで断面観察したどころ
、サンプルｊ６１及び蔦２は基体中の８１が化学メッキ
層又は電気メッキ層に拡散してＡ、ｕメッキ層と合金化
していたが、サンプル蔦３てはＳ工が化学メッキ層Ｇこ
拡散しているもののその上の電気メンキ層には拡散して
おらず、Ａｕメッキ層との合金化が防止でさた。
本発明によれば、軽量で熱膨張差による歪が少なく且つ
熱放散性にも優れたＡｔ−８ｉ−合金を基体とし、その
表面に加熱時に合金化しないＡｕメッキ層を具えること
によって、耐食性及び半田付は性に優れた半導体装置用
基板材料を提供できる。
熱放散性にも優れたＡｔ−８ｉ−合金を基体とし、その
表面に加熱時に合金化しないＡｕメッキ層を具えること
によって、耐食性及び半田付は性に優れた半導体装置用
基板材料を提供できる。
出願人 住友電気工業株式会社
同 山本正１．緒
（ζこ−レ
Claims (2)
- （１）珪素とアルミニウムの合金からなる基体と、基体
の表面上に形成した金属表面層とからなり、該金属表面
層が基体表面に接する厚さ０．１〜２μｍの化学メッキ
層と、その上の厚さ０．５〜３μｍの電気メッキ層と、
最上層の厚さ０．１〜３μｍの金メッキ層とからなるこ
とを特徴とする半導体装置用基板材料。 - （２）含有される珪素の初晶の粒径が５０μｍ以下であ
る請求項（１）記載の半導体装置用基板材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3020388A JP2514684B2 (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 半導体装置用基板材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3020388A JP2514684B2 (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 半導体装置用基板材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205555A true JPH01205555A (ja) | 1989-08-17 |
| JP2514684B2 JP2514684B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=12297182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3020388A Expired - Lifetime JP2514684B2 (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 半導体装置用基板材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2514684B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0713250A3 (en) * | 1994-11-15 | 1997-05-14 | Sumitomo Electric Industries | Material for semiconductor substrate, its manufacture and product from this substrate |
-
1988
- 1988-02-12 JP JP3020388A patent/JP2514684B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0713250A3 (en) * | 1994-11-15 | 1997-05-14 | Sumitomo Electric Industries | Material for semiconductor substrate, its manufacture and product from this substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2514684B2 (ja) | 1996-07-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3493844B2 (ja) | 半導体基板材料とその製造方法及び該基板を用いた半導体装置 | |
| US3875652A (en) | Method of bonding metals together | |
| US5493153A (en) | Plastic-packaged semiconductor device having a heat sink matched with a plastic package | |
| US20050263877A1 (en) | Laminated radiation member, power semiconductor apparatus, and method for producing the same | |
| KR900701038A (ko) | 반도체 팩캐지 | |
| JPS6013078B2 (ja) | 金メツキされた電子部品及びその製法 | |
| CN101687717A (zh) | 具有一种金属化陶瓷体的构件 | |
| RU2196683C2 (ru) | Подложка, способ ее получения (варианты) и металлическое соединенное изделие | |
| WO1995024113A1 (fr) | Boule en cuivre et procede de production de cette derniere | |
| JPH01205555A (ja) | 半導体装置用基板材料 | |
| CN1199262C (zh) | 引线框和用于引线框的铜合金 | |
| US4711826A (en) | Iron-nickel alloys having improved glass sealing properties | |
| JPS63132463A (ja) | 少なくとも１つの金属または合金の被覆帯を他の金属の下地の上に選択的に形成する方法およびこの方法によって製造される集積回路リードフレーム | |
| US5605558A (en) | Nitrogenous aluminum-silicon powder metallurgical alloy | |
| JPH10194860A (ja) | ろう材 | |
| EP0084161B1 (en) | Lead frames for electronic and electric devices | |
| US20050040369A1 (en) | Thermal interface materials; and compositions comprising indium and zinc | |
| JPS6360537A (ja) | 金属積層体及びその製造方法 | |
| JPH01205055A (ja) | 半導体装置用基板材料 | |
| JPH01169955A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58147140A (ja) | 半導体装置のリ−ド材 | |
| CN86107676A (zh) | 具有改进玻璃密封性的防相互扩散的铁—镍合金 | |
| JPS617637A (ja) | 半導体 | |
| JPS60206053A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH06318662A (ja) | セラミックパッケージ用リードフレーム |