JPH01205486A - 半導体レ−ザの波長安定化装置 - Google Patents

半導体レ−ザの波長安定化装置

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JPH01205486A
JPH01205486A JP16751087A JP16751087A JPH01205486A JP H01205486 A JPH01205486 A JP H01205486A JP 16751087 A JP16751087 A JP 16751087A JP 16751087 A JP16751087 A JP 16751087A JP H01205486 A JPH01205486 A JP H01205486A
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JP
Japan
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wavelength
semiconductor laser
interferometers
interferometer
temperature
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JP16751087A
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Inventor
Hideo Takizawa
滝沢 英郎
Tadashi Suda
須田 匡
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Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/0687Stabilising the frequency of the laser

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体レーザの波長を安定Cヒする装置に
関するもので、詳細には時間的に変動する波長に対して
特性の異なる2組の干渉計を組合わせ、時間経過により
切り替えていずれか適応する一方を使用するものである
[従来の技術] 最近急速に進歩している半導体レーザは、従来のガスレ
ーザ管などに比して小型で消費電力が少なく通信、計測
など各方面に広く利用されている。
しかしながら、半導体レーザは温度、注入電流により発
振波長が変動する欠点があり、このままでは波長の変動
が許されない計測、例えは干渉計またはこれを用いた測
長器には使用できない。このような波長変動を排除して
安定化を計るには、変動を検出し、その出力を温度およ
び注入電流の制御にフィードバックすることが必要であ
る。
フィードバックの方法には従来から種々の試みがなされ
ており、第3図は一殻に行われている方法の基本構成図
である。図において、半導体レーザ]より投射されるレ
ーザビームは集光レンズ2により適当に集束されてハー
フミラ3により分割され、直進するビームは干渉計5に
おいて干渉縞が形成される。この干渉縞の一点の光を受
光器6−2で受光して電圧■2が出力される。一方、ハ
ーフミラ−3による反射ビームはミラー4を経て受光器
6−1に入力し、電圧V1が出力される。各電圧は除算
器7において電圧比V 2 / V 1が算出され、さ
らに=1ンバレータ8により一定の参照電圧voを閾値
としてこれを越える部分が干渉縞信号として演算部9に
入力する。演算部9においては、波長変動により生ずる
干渉縞の移動による干渉縞信号の変fヒを検出し、T・
め知られた半導体レーザの波長対注入電流特性にもとす
いて注入電流の制御数値を演算して注入電流源10に与
え、半導体レーザの波長か一定に保持される。なお、図
示しないが温度制御に対しても同様に行われる。また以
上において電圧比をとった理由は、半導体レーザの光出
力レベルか変動するので、干渉縞信号の強度を光出力レ
ベルの変動に無関係とするもので、また閾値■。てオフ
セントするのは干渉縞信号に含まれる直流分を除いて測
定精度を向上するためである。
第3図における干渉計5としては、従来専らファブリ・
ペロー干渉計が使用されている。ファブリ・ペロー干渉
計は公知の広く使用されているものであるが、この発明
の理解を助けるため一応説明する。第4図はファブリ、
ペロー干渉計の原理と動作の説明図で、図(a)におい
て、面光源5aの一点P1よりのレーザビームは2枚の
半透明ミラー5b−1,5b−2よりなるエタロン5b
において、透過、反射を繰り返して多数の光線となり、
これらは集光レンズ5Cにより集束されて投影面5dに
焦点P2を結ぶ。この場合、集束された各光線は互いに
干渉し合い、エタロンに対する入射角θ、ミラーの間隔
dおよび波長λにより決まる干渉縞を作り、入射角θを
同一とする面光源コの各点のレーザビームが投影面に焦
点を結んで干渉縞リングを形成する。いま、波長が変動
すると干渉縞リングの間隔、位置が変化し、従って点P
2における光強度が変ずヒするので、適当な位置に受光
器6を設けて干渉縞信号を取り出すものである。
第4図(b)は波長λまたは周波数fに対する上配子渉
縞リングの強度■を、波長λまたは周波数fを横軸とし
た曲線を示すもので、波長間隔へλ(または周波数間隔
Δf)としてピークが並び、いわゆるスペクトル線をな
している。ここで、ピーク波形の特性を表す指標として
、半値全幅εと波長間隔Δ^(または周波数間隔Δf)
がある。
半値全幅εはエタロンミラーの反射率Rにより決まるも
ので次式により表される。
ε−2(1−R)/rπ、−−−−・・(1)図(b)
において、実線の曲線はRが約0.6の場合で、点線は
0.05の場合を示す。後者は波形の立ち上がりが鈍く
て隣接ピークが分離し難いので、精密な測定のためにR
を大きくとって鋭いピークとするのが通常である。
次に、波長間隔Δλおよび周波数間隔Δfはエタロンミ
ラーの間隔dにより決まるもので、それぞれ次式により
表される。
Δλ=λ”/ 2 n d         −−・−
(2)Δf = c / 2 n d 、      
  −−13)ここで、nはミラー間の媒体の屈折率、
Cは光速度である。
いま、光源の発振波長が変動するとピーク列が右または
左に移動して受光器の出力電圧は波形に従って変化する
。図(C)に示すように波長がδλ変動して曲線の波形
が時間とともに実線から点線に移動するときは、点pに
対する強度■、から点qに対する強度丁2への電圧変化
が検出され、これが制御用に使用されるのである。この
場合もし波長変動の変動量が大きいときは、多数のピー
ク列が順次受光器に入力するので、−J二連した電圧変
化の検出が不都合となる。これに対しては、波長間隔Δ
λが十分大きい干渉計を使用することが必要であり、ま
たこのような場合は半値幅εがむしろ大きい方がレベル
変化が検出し易いとも考えられる。これに対して、波長
変動が狭い範囲で緩慢な場合は、Δλ、εがともに小さ
い干渉計による方が変動を精密に捕捉できることとなる
しかしながら、ファブリ ペロー干渉計は元来、スペク
トルの微細構造を精密に調べる場合には極めて効果的な
もので、εの値をかなり狭く固定して分解能を良好とし
、またΔλを変えるには機械的な方法により間隔dを調
整するものである。これに対して生産現場で使用する測
長器などに用いられる半導体レーザにおいては、波長の
変動幅がかなり大きい上、変動速度が絶えず変fヒする
ことを前提とするので上記のような間隔dの調整は困難
である。そこで、特性の異なるファブリ ペロー干渉計
を2ないし3組組合わせて使用することが考えられる。
さて、ファブリ ベロー干渉計のエタロンミラーに代わ
ってオプチカルファイバを使用した干渉計が、この発明
の発明者により提案され、特願「半導体レーザの波長変
動モニタJとしてこの発明と同時出願されている。以下
概要を説明する。
第5図(a)は該特願による波長変動モニタの構成国で
、半導体レーザ1よりのレーザビームは集光レンズ1で
集光されてハーフミラ−11aに入射して2分割され、
一方はオプチカルファイバ12aを、また他方はオプチ
カルファイバ+2bを通り、両者はハーフミラ−11b
により合成される。オブヂカルファイノ箇1aとIlb
の光路長1− aおよびLbには一定の光路差ΔLをな
しておき、合成されたビームは互いに干渉する。この干
渉波を適当な集光レンズ2“により受光器7に受光して
干渉縞信号を作り、波長の変動を監視するものである。
ただしこの場合の干渉縞の曲線はファブリ ベロー干渉
計と異なるもので、これを説明する。
上記提案のオプチカルファイバ形式における干渉縞の強
度丁は、次式により余弦変化する。
I=A  −ト B  +  2  (−)V−丁r 
c o s (Φ o−2π Δ L Δ Φ 〉−・
−・−・(4) Δ Φ = Δ λ/λ 。            
  ・・−−15)ここで、A、Bは2つのビームの強
度、^。は基準波長、Φ。は基準波長λ0における両者
の位相角である。この場合、2本のオプチカルファイバ
の出力レベルはほぼ同一とすることができるから(2)
式は次式となる。
I=2[]→−cos (ΦO−2πΔLΔΦ) ]、
−(6)ただし、A、 = B−]としこの曲線を第5
図(b)に示す。
ファブリ・ペローの場合は、前述したように繰り返し反
射による多数の光線が集束されているので、反射、率R
を大きくとると干渉縞の半値全幅εが狭くでき、波形は
鋭いピークとなる。これに対して、オプチカルファイバ
の場合は、単に2波の干渉であるので余弦波となるわけ
である。この場合の変化は式(4)または〈6)により
、2πΔLΔΦ=2πm、(m・整数)・・・・・−げ
)により周期変化するもので、周期ずなわち波長間隔Δ
λまたは周波数間隔Δfは、mを1として△LΔΦ−1
より求められる。式(7)により、波長の間隔Δλと光
路差ΔI−は周期に対して反比例の関係にあり、波長間
隔へλを大きくするには、光路差△Lを小さくし、また
この反対を行うことにより、任意の波長間隔とすること
ができるものである。そこで上記の特願においては、異
なる光路差を有する2組または3組段」二のオプチカル
ファイバを使用して複数の干渉計のセットを組合わせた
ものを提案している。このような方式は、用途を生産現
場の測長器などに使用する半導体レーザ対しては、−に
記のオプチカルファイバ方式の余弦波曲線の干渉縞でも
十分波長変動が監視、測定が可能であるとされている。
[発明の目的] この発明は以上の事情に鑑み、半導体レーザに対して2
組の干渉計によりそれぞれの干渉縞信号を検出し、波長
の変動幅に応じて随時に一方の干渉縞信号から他方に移
行し、いずれかにより効果的に波長変動による信号の変
化を捕捉して、精度の高い注入電流および温度制御を行
い、これにより発振波長の安定化を計る装置を提供する
ことを目的とするものである。
[問題点を解決するための手段] この発明は、半導体レーザよりのレーザビームを干渉計
に入力して干渉縞を発生させ、干渉縞の強度変化を帰還
して半導体レーザの発振波長の安定化を行う装置であっ
て、レーザビームを第1、第2および第3のハーフミラ
−で逐次分割して第1、第2および第3の3木のビーム
とし、第1のビームを受光した第1の受光器の出力電圧
を基準電圧■1とする。第2および第3のビームをそれ
ぞれ、異なる干渉縞の波長間隔△f、およびΔf2を有
する第1および第2の干渉計に人力して、それぞれによ
り検出された干渉縞ビームを受光した第2および第3の
受光器の出力電圧をI2およびI3とし、これらを第]
および第2の除算器において基準電圧■1で除算した電
圧比V2/VlおよびV 3 / V 1を演算部に与
える。これを演算部において監視し、時間の経過による
発振波長の変動幅に応じて一方の電圧比から他方の電圧
比に移行し、発振波長を一定値に保持するための半導体
レーザの注入電流および温度に対する制御電流の制御数
値を演算して出力し、この制御数値により注入電流源よ
り半導体レーザに注入電流を供給し、また温度制御電流
源より温度調整器に温度制御電流を供給するものである
上記に対する]実施態様として、第1および第2の干渉
計として、ファブリ−ぺI7−型干渉計を使用する。ま
た他の実施態様として、レーザビームを2分割し、それ
ぞれのビームを光路長が互いに異なる2本のオプチカル
ファイバを通して再合成し、合成により生ずる干渉縞を
検出するオプチカルファイバ形式の干渉計を上記の第1
および第2の干渉計として使用するものである。
「作用] 以上の構成による半導体レーザの安定化装置においては
、ファブリ・ペロー型またはオプチカルファイバ形式の
2組の干渉計により、半導体レーザの波長の時間変動に
対して、変動幅が未知または大きい場合には波長間隔の
大きい方の干渉縞信号により波長の制御信号を作り、変
動幅が小さい場合には波長間隔の小さい方の干渉縞信号
により制御信号を作るものである。これを測長器に組み
込まれた半導体レーザについて適用する場合は、時間的
に波長変動幅が変化するときは、演算部による干渉縞信
号の監視により変動状態に適当する特性を持つ方の干渉
縞信号に随時に移行するもので、従来のように羊にLM
の干渉計による安定fL装置に比較してより精度の高い
制御信号が得られて良好な波長の安定化が期待されるも
のである。
[実施例] 第1図(a)′はこの発明による半導体レーザの波長安
定化装置の実施例における構成図を示すもので、半導体
レーザ1より投射されるレーザビームはハーフミラ−1
3により分割されて、一方の反射ビームMはこのレーザ
ビームを使用する測長器などに供給される。他方の直進
ビームは第1のハーフミラ−I4により分割されて、直
進ビームは第1の受光器6−1に受光され、基準電圧■
1がえられる。第]のハーフミラ−の反射ビームは第2
のハーフミラ−15−1および第3のハーフミラ−15
−2により逐次に分割されて、それぞれの反射ビームは
、第1の干渉計5刊および第2の干渉計5−2に入力し
てそれぞれの干渉波が出力され、ついで各干渉波は第2
および第3の受光器6−2および6−3に受光されて、
干渉縞信号電圧v2およびI3が出力される。次に、除
算器7−1.7−2により電圧比V2 /Vl 、I3
 /Vlが算出され、それぞれがコンパレータ8−1.
8−2において 値V。、 V O′により不必要な直
流分が除かれて演算部9に取り込まれる。
以−」二までの構成は基本的には、第3図で説明した従
来の波長安定化装置と同様なもので、ただし干渉計5−
1と5−2にはすでに詳述したファプリーペロー型また
はオプチカルファイバ形式の2個を使用する。各干渉計
は異なる特性、特に波長間隔(ファプリーペロー干渉計
の場合は、自由スペク1ヘル領域という)が異なる八λ
、およびΔλ2を存するものとし、これらに対して必要
なハーフミラ−5受光器、除算器およびコンパレータが
それぞれ配設されている。
演算部9においては、上記の電圧比のデータより波長変
動の状態を検出して、測定に適当する一方のデータを採
るもので、これを第1図(b)により説明する。区は前
記したオプチカルファイバ形式の干渉計による正弦波曲
線の干渉縞信号を示す。
いま曲線(イ)において、波長が図示の実線より点線に
δλ1だけ変化したとすると、δλ1が間隔へλ1の2
分の1 (S])より小さい場合は、電圧の変化は一義
的に読み取ることができる。しかし、鎖線のように変動
幅が81より大きいときは、波形の隣接部分に亘るので
正しい値を知ることができない。その場合はより長い波
長間隔の干渉計によることが必要である。また、波長変
化が81より非常に小さいδλ2のときは、曲線(旧に
示す小さい波長間隔Δλ2の区間S2において電圧変化
を検出することにより、精度がより高い測定がなされる
。この発明はこの考え方を基礎とするもので、波長変動
の状態により2つの干渉計を使い分け、波長変動が時間
的に変化する半導体レーザに対して、適当する方に随時
移行して総合的に高精度の波長の安定化を計るものであ
る。
以上の考え方により演算M9においては、2個の干渉計
の出力電圧比を選択して移行する。選択の方法としては
、電圧比の時間変化、周期性などを検出して行うことが
できる。選択された電圧比により、予めの測定によりえ
られた波長変化に対する電圧比の変化、注入電流および
温度制御電流の関係データにもとすいて制御数値を算出
し、これを注入電流源10および温度制御電流源16に
与える。これにより注入電流源10より半導体レーザ1
に適切な電流が注入され、また温度制御電流源16より
温度調整器17に温度制御電流が供給されて、半導体レ
ーザの温度が制御されて半導体の発振波長が一定値に保
持され安定化される。なお、温度調整器17は温度制御
効率の良好なベルチェ素子17aを、熱伝率の良いヒー
トシンク17bを介して半導体レーザ1に接触さぜなも
のである。
第2図は、第1図(a)の第1の干渉計5−1および第
2の干渉計5−2として前記のオプチカルファイバ形式
のものを使用した場合の構成図で、レーザビームはハー
フミラ−14,ll−1,11−21および11−3に
より分割され、第5図(a)に倣ってそれぞれオプチカ
ルファイバ+ 2−] 、 + 2−2およびI 2−
3 、 ] 2−4を通してそれぞれハーフミラ−11
−4および11−5により合成されて干渉ビームが出力
される。ここで、各オプチカルファイバの光路差、La
−Lb−ΔL lとLc−Ld−ΔL2は異なるものと
し、また受光器7以下は第1図(a)で説明した通りで
ある。
=17− [発明の効果] 以上の説明により明らかなように、この発明による半導
体レーザの波長安定化装置においては、干渉縞の波長間
隔の異なる2組の干渉計を組み合わせ、波長変動範囲の
広、狭に従って適当する方の干渉波曲線を随時選択して
移行することにより、変動量の検出を高精度として半導
体の注入電流および温度を制御するもので、従来1組の
干渉計による場合に必要とされた干渉計の波長間隔調整
が不必要となる。また、実施例においては構造が簡易で
取り扱いの容易なオプチカルファイバ形式の干渉計が導
入されており、これらにより生産現場で使用される測長
器などに対する半導体レーザの波長安定化に寄与する効
果には大きいものがある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)および<b)は、この発明による半導体レ
ーザの波長安定化装置の実施例のブロック構成図および
動作説明図、第2図は第1図(a)の干渉計としてオプ
チカルファイバ形式を使用した場合の実施例の構成図、
第3図は干渉計による従来の半導体レーザの波長安定化
装置の構成図、第4図(a)、(b)、および(C)は
ファプリーペロー干渉計の原理と干渉縞の特性を説明す
る曲線図、第5図(a)および(b)は特許[半導体レ
ーザの波長変動モニタ」の基本構成図である。 ]−半導体レーザ素子、2.2”・・・集光レンズ、3
.4. 、 II、+3.+4.15−・−ハーフミラ
−55−干渉計、5a・−面光源、5b・・・エタV7
ン、5c−集光レンズ、5d−投影面、6−受光器、7
・・・除算器、8− コンパレータ、9−演算部、10
・・・注入電流源、  I2−・・オプチカルファイバ
、16・・−温度制御電流源、 17−・・温度調整器
、17a −−−ペルチェ素子、 +7b・−ピー1〜
シンク。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)、半導体レーザ素子(以下単に半導体レーザとい
    う)よりのレーザビームを干渉計に入力して干渉縞を発
    生させ、該干渉縞の強度変化を帰還して半導体レーザの
    発振波長の安定化を行う装置において、上記レーザビー
    ムを第1、第2および第3のハーフミラーで逐次分割し
    て第1、第2および第3の3本のビームとし、第1のビ
    ームを受光した第1の受光器の出力電圧を基準電圧v_
    1とし、第2および第3のビームをそれぞれ、異なる干
    渉縞の波長間隔Δλ_1、Δλ_2を有する第1および
    第2の干渉計に入力して、それぞれにより検出された干
    渉縞ビームを受光した第2および第3の受光器の出力電
    圧v_2およびv_3を、第1および第2の除算器にお
    いて上記基準電圧v_1により除算してえられる電圧比
    v_2/v_1およびv_3/v_1を演算部において
    監視し、時間の経過による発振波長の変動範囲に応じて
    一方の該電圧比から他方の電圧比に移行し、該発振波長
    を一定値に保持するための半導体レーザの注入電流およ
    び温度に対する制御電流の制御数値を演算して出力し、
    該制御数値により注入電流源より上記半導体レーザに注
    入電流を供給し、また温度制御電流源より温度調整器に
    温度制御電流を供給することを特徴とする、半導体レー
    ザの波長安定化装置。
  2. (2)、ファブリ・ペロー型干渉計を上記第1および第
    2の干渉計とする、特許請求の範囲第1項記載の半導体
    レーザの波長安定化装置。
  3. (3)、レーザビームを2分割し、それぞれのビームを
    光路長が互いに異なる2本のオプチカルファイバを通し
    て再合成し、該合成により生ずる干渉縞を検出するオプ
    チカルファイバ形式の干渉計を上記第1および第2の干
    渉計とする、特許請求の範囲第1項記載の半導体レーザ
    の波長安定化装置。
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