JPH01198477A - 減圧気相成長装置 - Google Patents
減圧気相成長装置Info
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- JPH01198477A JPH01198477A JP2445888A JP2445888A JPH01198477A JP H01198477 A JPH01198477 A JP H01198477A JP 2445888 A JP2445888 A JP 2445888A JP 2445888 A JP2445888 A JP 2445888A JP H01198477 A JPH01198477 A JP H01198477A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造に用いられる減圧気相成長装
置に関し、特に炉芯管の構造に関する。
置に関し、特に炉芯管の構造に関する。
従来の減圧気相成長装置の炉芯管は、第４図に示すよう
に１本の円筒状の石英管１０Ａから構成されてい九〇 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の減圧気相成長の炉芯管は１本の゛円筒状
の石英管から構成されているため、多結晶シリコン膜や
窒化ケイ素膜を形成し九場合膜厚の山内均一性が悪いと
いう問題があった。例えば、七ノシラン（８ｉＨ４）と
アンモニア（ＮＨａ）のガスを用いて窒化ケイ素膜を形
成する場合、５ｉＨ４−ＮＨｓ系ガスの分解が速く、し
かもガスが管壁にそって流れウェハーの中心部までガス
が拡散されにくい為、ウェハーの面内均−性金著しく悪
化させていた。
に１本の円筒状の石英管１０Ａから構成されてい九〇 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の減圧気相成長の炉芯管は１本の゛円筒状
の石英管から構成されているため、多結晶シリコン膜や
窒化ケイ素膜を形成し九場合膜厚の山内均一性が悪いと
いう問題があった。例えば、七ノシラン（８ｉＨ４）と
アンモニア（ＮＨａ）のガスを用いて窒化ケイ素膜を形
成する場合、５ｉＨ４−ＮＨｓ系ガスの分解が速く、し
かもガスが管壁にそって流れウェハーの中心部までガス
が拡散されにくい為、ウェハーの面内均−性金著しく悪
化させていた。
本発明の目的は、膜厚を均一に形成することのできる減
圧気相成長装置ｉｆを提供することにある。
圧気相成長装置ｉｆを提供することにある。
本発明の減圧気相成長装置は、外管と該外管の内部に設
けられかつ灰石ガスを内部に拡散させる九めの複数の開
口部が形成され九内管とから構成される二重構造の炉芯
管を有するものである。
けられかつ灰石ガスを内部に拡散させる九めの複数の開
口部が形成され九内管とから構成される二重構造の炉芯
管を有するものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、 （ｂｌは本発明の一実施例の側面図及
びＡ−Ａ’線断面図である。
びＡ−Ａ’線断面図である。
第１図（ａｌ、 （ｂｌにおいて、炉芯管１０は、石英
製の外管１と、この外管１の内部に設けられ、反応ガス
を内部に拡散する九めの直径２．５ｍｍの円形状の穴４
が複数個設けられた円管２とから構成される二Ｎ構造と
なっている。
製の外管１と、この外管１の内部に設けられ、反応ガス
を内部に拡散する九めの直径２．５ｍｍの円形状の穴４
が複数個設けられた円管２とから構成される二Ｎ構造と
なっている。
このように構成された本実施例を用いて酸化膜や窒化に
’に形成する場合、ガス導入口３より導入され九反応ガ
ス５は、矢印に示されるように内管２に設けられ九人４
を通って内管２の内部に均一に拡散される。従って炉芯
管ｌＯの内部に置かれたワエハー表面には厚さの均一な
膜が形成される。
’に形成する場合、ガス導入口３より導入され九反応ガ
ス５は、矢印に示されるように内管２に設けられ九人４
を通って内管２の内部に均一に拡散される。従って炉芯
管ｌＯの内部に置かれたワエハー表面には厚さの均一な
膜が形成される。
第３図は本実施例を用い、８ｉＨ４−ＮＨａ系のガスに
よシウェハー上に窒化ケイ素膜全成長させた場合のウェ
ハー上の膜厚分布を示したものであシ、曲線Ａが本実施
例の場合、ま比曲線Ｂは従来の減圧気相成長装置を用い
た場合である。
よシウェハー上に窒化ケイ素膜全成長させた場合のウェ
ハー上の膜厚分布を示したものであシ、曲線Ａが本実施
例の場合、ま比曲線Ｂは従来の減圧気相成長装置を用い
た場合である。
第３図に示し次ように、従来の減圧気相成長装置を用い
た場合は窒化ケイ素膜の面内均一性（２σ人ｘｉｏｏ）
は２５．２％であったが、本実施例の場合゛は４．６％
となり、膜厚分布の均一性は著しく改善され次ことがわ
かる。
た場合は窒化ケイ素膜の面内均一性（２σ人ｘｉｏｏ）
は２５．２％であったが、本実施例の場合゛は４．６％
となり、膜厚分布の均一性は著しく改善され次ことがわ
かる。
上記実施例においては、反応ガスを内部に拡散させる開
口部として内管２に円形状の穴を設けた場合について説
明し化が、これに限定されるものではなく、開口部の形
状は他のものであってもよい。例えば、第２図に示すよ
うに、−足間隔でスリット状開口部６を内ｇ２に設けて
もよい。この場合でも第１図に示し九実施例の場合と同
様の効果が得られる。
口部として内管２に円形状の穴を設けた場合について説
明し化が、これに限定されるものではなく、開口部の形
状は他のものであってもよい。例えば、第２図に示すよ
うに、−足間隔でスリット状開口部６を内ｇ２に設けて
もよい。この場合でも第１図に示し九実施例の場合と同
様の効果が得られる。
以上説明したように本発明は、減圧気相装置の炉芯Ｉｇ
Ｆｔ−外管と内管との二重構造とし、内管に反応ガスを
内部に拡散させるための複数の開口部を設けることによ
シ、ウェハー上に形成される膜の厚さを均一にできると
いう効果がある。
Ｆｔ−外管と内管との二重構造とし、内管に反応ガスを
内部に拡散させるための複数の開口部を設けることによ
シ、ウェハー上に形成される膜の厚さを均一にできると
いう効果がある。
渠１図（ａ）、 （ｂｌは本発明δ寅施例の側面図及び
ＡＡＺ線断面図、第２１図は本発明の他の実施例の側面
図、第３図はウェハー上の膜厚分布を示す図、第４図は
従来の減圧気相成長装置の炉芯管の一例の側面図である
。 ｌ・・・・・・外管、２・・・・・・内管、３・・・・
・・ガス導入口、４・・・・・・穴、５・・・・・・反
応ガス、６・・・・・・スリット状開口部、１０・・・
・・・炉芯管、ＩＯＡ・・・・・・石英管。 代理人 弁理士 内 原 音 第１図 第２図 −６５０−ｔ ６１ ウエハーのｃｐ麦ｉ・らの１巨離（ｍｌＦＬ）第３図
ＡＡＺ線断面図、第２１図は本発明の他の実施例の側面
図、第３図はウェハー上の膜厚分布を示す図、第４図は
従来の減圧気相成長装置の炉芯管の一例の側面図である
。 ｌ・・・・・・外管、２・・・・・・内管、３・・・・
・・ガス導入口、４・・・・・・穴、５・・・・・・反
応ガス、６・・・・・・スリット状開口部、１０・・・
・・・炉芯管、ＩＯＡ・・・・・・石英管。 代理人 弁理士 内 原 音 第１図 第２図 −６５０−ｔ ６１ ウエハーのｃｐ麦ｉ・らの１巨離（ｍｌＦＬ）第３図
Claims (1)
- 外管と該外管の内部に設けられかつ反応ガスを内部に拡
散させるための複数の開口部が形成された内管とから構
成される、二重構造の炉芯管を有することを特徴とする
減圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2445888A JPH01198477A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 減圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2445888A JPH01198477A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 減圧気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01198477A true JPH01198477A (ja) | 1989-08-10 |
Family
ID=12138723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2445888A Pending JPH01198477A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 減圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01198477A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8528038B2 (en) | 1999-12-30 | 2013-09-03 | Thomson Licensing | Process for downloading data preceded by announcement signals |
| US8626146B2 (en) | 2003-10-29 | 2014-01-07 | Qualcomm Incorporated | Method, software and apparatus for performing actions on a wireless device using action lists and versioning |
| US10602348B2 (en) | 2002-01-31 | 2020-03-24 | Qualcomm Incorporated | System and method for updating dataset versions resident on a wireless device |
-
1988
- 1988-02-03 JP JP2445888A patent/JPH01198477A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8528038B2 (en) | 1999-12-30 | 2013-09-03 | Thomson Licensing | Process for downloading data preceded by announcement signals |
| US10602348B2 (en) | 2002-01-31 | 2020-03-24 | Qualcomm Incorporated | System and method for updating dataset versions resident on a wireless device |
| US8626146B2 (en) | 2003-10-29 | 2014-01-07 | Qualcomm Incorporated | Method, software and apparatus for performing actions on a wireless device using action lists and versioning |
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