JPH01196151A - 半導体装置のモールド封止構造 - Google Patents
半導体装置のモールド封止構造Info
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- JPH01196151A JPH01196151A JP2155888A JP2155888A JPH01196151A JP H01196151 A JPH01196151 A JP H01196151A JP 2155888 A JP2155888 A JP 2155888A JP 2155888 A JP2155888 A JP 2155888A JP H01196151 A JPH01196151 A JP H01196151A
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- Japan
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- circuit board
- hole
- semiconductor element
- molding agent
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
本発明はフィルムキャリアやバンプ付半導体素子を外部
基板に実装した半導体装置のモールド封止構造に関する
。尚以下の説明はフィルムキャリアに基づいて説明する
。
基板に実装した半導体装置のモールド封止構造に関する
。尚以下の説明はフィルムキャリアに基づいて説明する
。
従来第３図に示すように回路基板６に形成された回路パ
ターン５に半導体素子１の外部端子３を接合する際、半
導体素子側にのみモールド封止を行うか、第４図に示す
ように半導体素子の上全体にモールド樹脂封止を行って
いた。
ターン５に半導体素子１の外部端子３を接合する際、半
導体素子側にのみモールド封止を行うか、第４図に示す
ように半導体素子の上全体にモールド樹脂封止を行って
いた。
しかし従来の半導体装置のモールド封止構造は第３図の
ように樹脂封止を行なわない場合は、回路基板６と半導
体素子１との熱膨張率の差によりフィルムキャリア実装
の場合には半導体素子と外部回路パターン５をつなぐフ
ィンガー３部が切れ、又バンプ付き半導体素子ではバン
ブ接続部にクランクが生じ、オープン不良となり又第４
図のように樹脂封止を行なった場合は、半導体素子の裏
側の回路基板上にスルーホールがないとモールド樹脂４
が半導体素子１の裏側には回り込まず、硬化時に半導体
素子裏面に閉じ込められた空気が抜けて空気穴が開いて
しまい耐湿性が低下したり、硬化後にモールド樹脂の硬
化収縮のため回路基板が反ってしまうという問題点を有
していた。そこで本発明は従来のこのような問題点を解
決するため熱膨張率の差によるフィンガー切れやハンプ
接合部のクランク等のオープン不良や硬化後の空気穴の
発生や基板の反りの発生を防ぎ高信顛性の半導体素子を
提供することを目的とする。
ように樹脂封止を行なわない場合は、回路基板６と半導
体素子１との熱膨張率の差によりフィルムキャリア実装
の場合には半導体素子と外部回路パターン５をつなぐフ
ィンガー３部が切れ、又バンプ付き半導体素子ではバン
ブ接続部にクランクが生じ、オープン不良となり又第４
図のように樹脂封止を行なった場合は、半導体素子の裏
側の回路基板上にスルーホールがないとモールド樹脂４
が半導体素子１の裏側には回り込まず、硬化時に半導体
素子裏面に閉じ込められた空気が抜けて空気穴が開いて
しまい耐湿性が低下したり、硬化後にモールド樹脂の硬
化収縮のため回路基板が反ってしまうという問題点を有
していた。そこで本発明は従来のこのような問題点を解
決するため熱膨張率の差によるフィンガー切れやハンプ
接合部のクランク等のオープン不良や硬化後の空気穴の
発生や基板の反りの発生を防ぎ高信顛性の半導体素子を
提供することを目的とする。
本発明の半導体装置のモールド封止構造は、フィルムキ
ャリア上に実装した半導体素子、あるいはハンプ付半導
体素子を回路基板上に能動面を下向きにして実装する実
装構造において、該半導体素子の裏側に当る回路基板に
スルーホールを配置し半導体素子のを樹脂封止すること
を特徴とする。
ャリア上に実装した半導体素子、あるいはハンプ付半導
体素子を回路基板上に能動面を下向きにして実装する実
装構造において、該半導体素子の裏側に当る回路基板に
スルーホールを配置し半導体素子のを樹脂封止すること
を特徴とする。
〔実施例］
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
（実施例１）
第１図のようにテープキャリアに実装した半導体素子１
を回路基板６に接合した後、ＩＣ周囲にデイスペンサー
等でモールド剤を充てんする際、ＩＣ裏面側の回路基板
上に回路パターン５と接続されるスルーボール２を配置
しておき、モールド剤としては、粘度が比較的小さく、
チクソ性の小さい熱硬化性樹脂を用いるとモールド剤は
、ＩＣチップ１と回路基板６のすき間に毛細管現象によ
りＩＣ裏面に入りこんで、最終的には基板のスルーホー
ル内までモールド剤が入り込む。この状態で硬化させる
とＩＣ裏面には気泡が残ってないため、硬化時には、モ
ールド剤から気泡が抜けて、空気穴が残ることは全くな
くなり、モールド封止構造としてＩＣ周囲及びＩＣ裏面
までを封止した。
を回路基板６に接合した後、ＩＣ周囲にデイスペンサー
等でモールド剤を充てんする際、ＩＣ裏面側の回路基板
上に回路パターン５と接続されるスルーボール２を配置
しておき、モールド剤としては、粘度が比較的小さく、
チクソ性の小さい熱硬化性樹脂を用いるとモールド剤は
、ＩＣチップ１と回路基板６のすき間に毛細管現象によ
りＩＣ裏面に入りこんで、最終的には基板のスルーホー
ル内までモールド剤が入り込む。この状態で硬化させる
とＩＣ裏面には気泡が残ってないため、硬化時には、モ
ールド剤から気泡が抜けて、空気穴が残ることは全くな
くなり、モールド封止構造としてＩＣ周囲及びＩＣ裏面
までを封止した。
このようにスルーホール２が形成されている回路基板の
場合には前記スルーホール２をＩＣ裏面に移動してスル
ーボール２を追加することなく兼用も、活用すると共に
スルーホール２が形成されていない回路基板の場合には
前述の如き安定したモールド封止構造を得るために別途
スルーホールを形成する。
場合には前記スルーホール２をＩＣ裏面に移動してスル
ーボール２を追加することなく兼用も、活用すると共に
スルーホール２が形成されていない回路基板の場合には
前述の如き安定したモールド封止構造を得るために別途
スルーホールを形成する。
尚今回使用したモールド剤は熱硬化性エポキシ樹脂で粘
度が１８０ポイズで、フィラーが１０〜２０％含有の物
を用いた。
度が１８０ポイズで、フィラーが１０〜２０％含有の物
を用いた。
本発明による実施例と従来技術による比較例とにおける
湿度サイクル試験および通電耐湿試験の結果を以下に述
べる。
湿度サイクル試験および通電耐湿試験の結果を以下に述
べる。
比較例１のサンプルは、
能動面に薄く熱硬化性エポキシ樹脂をモールド封止した
半導体素子を実装したフィルムキャリアを回路基板に実
装したもの（第３図参照）であり、比較例２のサンプル
は、 半導体素子を実装したフィルムキャリアを回路基板に実
装し熱硬化性エポキシ樹脂を半導体素子上にボッティン
グを行って封止したものである。
半導体素子を実装したフィルムキャリアを回路基板に実
装したもの（第３図参照）であり、比較例２のサンプル
は、 半導体素子を実装したフィルムキャリアを回路基板に実
装し熱硬化性エポキシ樹脂を半導体素子上にボッティン
グを行って封止したものである。
尚、半導体素子裏面の回路基板にはスルーホールがない
ものを使用してした。（第４図参照）実施例１と比較例
１の回路基板を温度サイクル試験（条件ニー２０°Ｃ３
０ｍ１ｎ、８５°Ｃ３０ｍ１ｎ３ゾーン）に投入した所
、比較例１の回路基−５＝ 板は投入後３００サイクル頃から半導体素子１のフィン
ガー３部分にクランクが生じオープン不良が発生しだし
た。それに対して実施例１の回路基板は１０００サイク
ルを越えても全くオープン不良が発生しなかった。これ
は、モールド樹脂が半導体素子と回路基板に密着して、
熱膨張率の差を押え込んだためと思われる。
ものを使用してした。（第４図参照）実施例１と比較例
１の回路基板を温度サイクル試験（条件ニー２０°Ｃ３
０ｍ１ｎ、８５°Ｃ３０ｍ１ｎ３ゾーン）に投入した所
、比較例１の回路基−５＝ 板は投入後３００サイクル頃から半導体素子１のフィン
ガー３部分にクランクが生じオープン不良が発生しだし
た。それに対して実施例１の回路基板は１０００サイク
ルを越えても全くオープン不良が発生しなかった。これ
は、モールド樹脂が半導体素子と回路基板に密着して、
熱膨張率の差を押え込んだためと思われる。
第１表 温度サイクル試験
又実施例１と比較例２の回路基板を通電耐湿試験に投入
した所、（比較例２のモールド封止状態は半導体素子裏
面に気泡が残り、硬化後に空気穴−〇− が開いていた。）下表のように比較例２の回路基板は条
件が６０°Ｃ９０％６■印加の通電耐湿試験に投入した
所、５００ｈｒから不良が発生しだしたのに対して実施
例１の回路基板は、１ｏｏｏｈｒ経過後もまだ不良が発
生していない。
した所、（比較例２のモールド封止状態は半導体素子裏
面に気泡が残り、硬化後に空気穴−〇− が開いていた。）下表のように比較例２の回路基板は条
件が６０°Ｃ９０％６■印加の通電耐湿試験に投入した
所、５００ｈｒから不良が発生しだしたのに対して実施
例１の回路基板は、１ｏｏｏｈｒ経過後もまだ不良が発
生していない。
第２表 通電耐湿試験
以上のように本発明の半導体装置のモールド封止構造は
、温度サイクル試験、通電耐湿試験に耐えうる高倍転性
のモールド構造となる。
、温度サイクル試験、通電耐湿試験に耐えうる高倍転性
のモールド構造となる。
又比較例２のようなモールド構造だとモールド剤の硬化
収縮により基板が反ってしまうが実施例１のモールド構
造では、封止に用いるモールド剤の量が少ないため基板
がほとんど反らないといった利点も生ずる。
収縮により基板が反ってしまうが実施例１のモールド構
造では、封止に用いるモールド剤の量が少ないため基板
がほとんど反らないといった利点も生ずる。
以上述べたように本発明の半導体装置のモールド封止構
造は、例えばスルーホールが形成されている回路基板の
場合には半導体素子の裏側に当る回路基板上にスルーホ
ールを移動して配置することにより、前記スルーホール
を追加することなく半導体素子の周囲だけでなくＩＣ裏
面も封止され、空気穴も発生しないモールド封止構造が
得られるので、温度サイクル試験、通電耐湿試験におけ
る信幀性試験において高い信頬度が得られ品質の優れた
半導体装置のモールド封止構造が提供できるという効果
を有する。
造は、例えばスルーホールが形成されている回路基板の
場合には半導体素子の裏側に当る回路基板上にスルーホ
ールを移動して配置することにより、前記スルーホール
を追加することなく半導体素子の周囲だけでなくＩＣ裏
面も封止され、空気穴も発生しないモールド封止構造が
得られるので、温度サイクル試験、通電耐湿試験におけ
る信幀性試験において高い信頬度が得られ品質の優れた
半導体装置のモールド封止構造が提供できるという効果
を有する。
第１図は本発明にかかる半導体装置のモールド封止構造
の平面図。 第２図は本発明にかかる半導体装置のモールド構造の断
面図。 第３図は従来の基板実装後にモールド封止を行なわない
場合の半導体装置の実装断面図。 第４図は従来の基板実装後に半導体素子全体にモールド
封止を行なう場合の実装断面図。 １・・・半導体素子 ２・・・スルーホール ３・・・フィンガー ・ ４・・・モールド封止剤 ５・・・回路パターン ６・・・回路基板 以上 第１図 第２図
の平面図。 第２図は本発明にかかる半導体装置のモールド構造の断
面図。 第３図は従来の基板実装後にモールド封止を行なわない
場合の半導体装置の実装断面図。 第４図は従来の基板実装後に半導体素子全体にモールド
封止を行なう場合の実装断面図。 １・・・半導体素子 ２・・・スルーホール ３・・・フィンガー ・ ４・・・モールド封止剤 ５・・・回路パターン ６・・・回路基板 以上 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）フィルムキャリア上に実装した半導体素子、ある
いはバンプ付半導体素子を回路基板上に能動面を下向き
にして実装する実装構造において該半導体素子の裏側に
当る回路基板にスルーホールを配置し該半導体素子を樹
脂封止することを特徴とする半導体装置のモールド封止
構造。 - （２）前記樹脂が熱硬化性樹脂で粘度が数百〜数万セン
チポイズであり、チクソ性が小さいことを特徴とする第
１項記載の半導体装置のモールド封止構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155888A JPH01196151A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 半導体装置のモールド封止構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155888A JPH01196151A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 半導体装置のモールド封止構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196151A true JPH01196151A (ja) | 1989-08-07 |
Family
ID=12058337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2155888A Pending JPH01196151A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 半導体装置のモールド封止構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01196151A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5489752A (en) * | 1992-12-15 | 1996-02-06 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Process for dissipating heat from a semiconductor package |
-
1988
- 1988-02-01 JP JP2155888A patent/JPH01196151A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5590462A (en) * | 1992-02-15 | 1997-01-07 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Process for dissipating heat from a semiconductor package |
| US5489752A (en) * | 1992-12-15 | 1996-02-06 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Process for dissipating heat from a semiconductor package |
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