JPH0119473Y2 - - Google Patents

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JPH0119473Y2
JPH0119473Y2 JP2705282U JP2705282U JPH0119473Y2 JP H0119473 Y2 JPH0119473 Y2 JP H0119473Y2 JP 2705282 U JP2705282 U JP 2705282U JP 2705282 U JP2705282 U JP 2705282U JP H0119473 Y2 JPH0119473 Y2 JP H0119473Y2
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semiconductor switch
transformer
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semiconductor
winding
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はサイリスタの様な自己保持機能を有す
る半導体スイツチの駆動回路に関する。
〔従来の技術及び考案が解決しようとする課題〕
比較的高い直流電圧を扱う回路に用いられる自
己保持機能を有する半導体スイツチ(以下単に半
導体スイツチと記す。)の従来の代表的な駆動回
路としては第1図に示す様なものがある。
この回路について説明すると、先ず直流高電圧
を与える直流高圧電源1と直列に半導体スイツチ
2及び負荷3が接続されており、半導体スイツチ
2は例えば直列接続されたサイリスタS1〜S5、及
びこれらサイリスタS1〜S5に跨つて互いに直列接
続され且つ互いの接続点がサイリスタS1〜S5のゲ
ートに接続された抵抗とコンデンサとの直列接続
体R1−C1,R2−C2……R5−C5とからなり、そし
て半導体スイツチ2の最もカソード側に位置する
サイリスタS1のゲートとカソードには整流器4を
介して高圧パルストランス5の2次巻線N2が接
続され、その1次巻線N1には駆動パルス発生器
6が接続された構成となつている。斯かる従来の
回路にあつては高圧パルストランス5の2次巻線
N2が整流器4を介して高電位の点Jに接続され、
その1次巻線N1は低電位にある駆動パルス発生
器6に接続されているので、高圧パルストランス
5はほぼ点Jにおける直流高電圧よりも大きい絶
縁耐圧を有しなければならない。従つて直流出力
電圧が高くなるにつれて高圧パルストランスの製
作が難しくなり、その大型重量化及びコスト高を
招来せざるを得ない。更にまた負荷が静電塗装機
の様に放電現象を利用するものの場合には出力側
に高周波リツプルが生じ、この高周波リツプル電
流が高圧パルストランス5の2次側回路における
ストレイキヤパシタンスを介して高圧パルストラ
ンス5に流れたり、或いはサージ電流が同様に流
れることにより、半導体スイツチ2が誤点弧され
る場合があつた。
本考案は従来の欠点をすべて除去し、しかも直
流高圧出力電圧を平滑する機能をも有する半導体
スイツチの駆動回路を提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
本考案は以上述べた課題を解決するため、直流
高電圧が印加される自己保持機能を有する半導体
スイツチを駆動する回路において、直流高電圧が
与えられるセンタタツプを備えた第1の巻線とそ
の半導体スイツチに駆動パルスを与える第2の巻
線とを備えた第1の変成器、そしてその第1の変
成器の第1の巻線の夫々の端子に直列接続された
前記直流高電圧と同等以上の耐圧を夫々有するコ
ンデンサ、及びこれらコンデンサの他端に夫々接
続された第1の巻線を設け、そのセンタタツプを
接地した第2の変成器とその第2の巻線に駆動パ
ルスを与えるパルス発生回路とからなることを特
徴とする半導体スイツチの駆動回路を提案するも
のである。
〔実施例〕
先ず第2図により本考案に係る半導体スイツチ
の駆動回路の基本的な一実施例を述べると、第1
図のと同じ記号は対応する回路部材を示し、7は
半導体スイツチ2を流れる電流を制限する電流制
限抵抗、8は巻数の等しい2つの1次巻線N1
N1′、これら巻線の結合点から導出されたセンタ
タツプT、及び整流器4を介して半導体スイツチ
2のゲート・カソード間に結合された2次巻線
N2などを備えた第1の変成器、9は変成器8の
1次巻線N1,N1′の夫々に直列接続された容量の
等しい一組のコンデンサC,C′からなるコンデン
サバンク、10は駆動パルス発生器6に接続され
た1次巻線n1、巻数の等しい2つの2次巻線n2
n2′及びこれら2次巻線の結合点から導出された
センタタツプtなどからなる第2の変成器、11
は限流インピーダンスである。ここで第1の変成
器8のセンタタツプTは直流高電位点Jに接続さ
れ、第2の変成器10のセンタタツプtは低電圧
の基準電位点に接続されている。
斯かる構成の回路においては、通常、半導体ス
イツチ2は非導通状態にあり、直流高圧電源1か
ら負荷3に直流高電圧が給電されている。この状
態ではコンデンサC,C′が直流高圧電源1の直流
出力電圧とほぼ等しい電圧に充電されており、直
流高圧電源1からのリツプル電流は第2の変成器
10のセンタタツプtから2次巻線n2,n2′の
夫々にほぼ等しく分流され、分流された夫々の電
流はコンデンサC及び第1の変成器8の一方の1
次巻線N1、又はコンデンサC′及び他方の1次巻
線N1′を介してそのセンタタツプTに流れる。従
つて第1、第2の変成器8,10における巻線
N1とN1′、n2とn2′を介して流れる電流により発生
する磁束は互いに逆極性で大きさがほぼ等しいの
で、第1の変成器8、第2の変成器10は励磁さ
れない。よつてリツプル電流、サージ電流によつ
て半導体スイツチ2が誤点弧されることはなく、
またコンデンサバンク9がフイルタコンデンサと
しても作用するので、負荷3にリツプルの小さい
直流出力電圧を与えることが出来る。
次に負荷3などの保護のために直流高電位点J
の電圧を瞬間的に低電位に降下させるには、下記
の様にして半導体スイツチ2が駆動される。
先ず駆動パルス発生器6が駆動パルスを発生す
ると、その駆動パルスは第2の変成器10の2次
巻線n2、コンデンサC、第1の変成器8の1次
巻線N1,N1′、コンデンサC′及び第2の変成
器10の2次巻線n2′よりなる閉回路をいずれ
かの方向に電流を流し、第1の変成器8の2次巻
線N2に伝達される。そして第1の変成器8の2
次巻線N2に現出せる駆動パルスは整流器4を介
して半導体スイツチ2のゲートに印加され、これ
をターンオンさせる。従つて直流高電圧点Jは半
導体スイツチ2及び電流制限抵抗7を介して低電
位点に結合されるので、瞬時に低電圧に降下す
る。
斯かる構成の駆動回路では、コンデンサバンク
9が直流高電圧電源1の電圧にほぼ等しい電圧を
負うので、第1の変成器8、第2の変成器10は
双方共低電圧用のもので良い。
次に第3により本考案に係る半導体スイツチの
駆動回路の具体的な一実施例を説明すると、1は
高周波インバータなどからなる交流電源1A、昇
圧トランス1B及び複数のダイオードdとコンデ
ンサcとを多段倍電圧回路に接続してなる直流高
電圧発生部1Cなどからなる直流高圧電源、2は
直列接続された複数のサイリスタS1,S2,…So
これらに跨つて互いに直列接続され且つ相互の結
合点がサイリスタS2,S3…Soのゲートに接続され
たコンデンサの様な充放電素子2C1,2C2,2
C3……2Coと抵抗2R1,2R2,2R3……2Ro
の直列接続体とからなる半導体スイツチ、3は塗
装機3Aと接地された被塗装物品3Bとで示され
た負荷、4はダイオード4Aとコンデンサ4Bと
からなる整流器、6は第2の変成器10の1次巻
線n1と直列に接続された直流電源6A、トランジ
スタスイツチ6B及び抵抗6Cからなる駆動パル
ス発生器であり、これは第2の変成器10を含む
場合がある。9は夫々直列接続された容量の等し
い一組のコンデンサ9C1〜9C6と9C1′と9C6′と
からなるコンデンサバンク、12は電流制限用抵
抗、13は電流検出抵抗、14は火花放電発生予
知機能を備えた制御回路であり、8及び10は
夫々第2図の実施例で述べた変成器と同様な構成
の変成器である。
斯かる構成の回路において、通常の動作時には
半導体スイツチ2は非導通状態にあり、コンデン
サバンク9が点Jにおける直流高電圧にほぼ等し
い電圧を負つているのは前記実施例と同様であ
る。そしてこのコンデンサバンク9がフイルタと
しても作用し、第1の変成器8と第2の変成器1
0と共働してリツプル電流やサージ電流などによ
り半導体スイツチ2が誤点弧されない様に作用す
ることも前記実施例で述べた通りである。
次に電流検出抵抗13を介して流れる出力電流
に関連する検出信号が設定レベルを越えると、制
御回路14がこれを火花放電が確実に発生する前
兆として判定し、矩形波の出力信号を駆動パルス
発生器6のトランジスタスイツチ6Bのベースに
与える。このトランジスタ6Bがオンすると、直
流電源6Aから第2の変成器10の1次巻線n1
抵抗6C及びトランジスタスイツチ6Bを介して
矩形状の電流が流れ、これによつて駆動パルスが
第2の変成器10、コンデンサバンク9、第1の
変成器8及び整流器4を介して伝達されて、半導
体スイツチ2の最もカソード側に位置するサイリ
スタS1のゲートに印加される。これに伴いサイリ
スタS1が点弧されると、充放電素子2C1に充電
されていたエネルギがサイリスタS2のゲートーカ
ソード間、サイリスタS1のアノードーカソード間
及び抵抗2R1を介して放電されるので、サイリ
スタS2が点弧される。
次にこのサイリスタS2が点弧されると、充放電
素子2C2に充電されていたエネルギがサイリス
タS3のゲートカソード間を介して放電されるので
サイリスタS3が点弧される。以下同様にして順次
サイリスタS4,S5……Soが従属的に点弧され、そ
の結果半導体スイツチ2が導通する。この半導体
スイツチ2の導通によつて高電位点Jの電圧は瞬
時に低電位に降下し、この際半導体スイツチ2を
流れる電流は電流制限抵抗7により制限されるの
で、半導体スイツチ2が焼損することはない。
前述の実施例では半導体スイツチを直流高圧電
源と負荷とに対し並列に設けたが、勿論これら両
者に直列接続して用いても良く、また駆動パルス
発生器6において、トランジスタスイツチを通常
導通状態にしておき、このトランジスタスイツチ
をターンオフさせることにより第2の変成器10
のインダクタンスを利用してパルスを発生させて
も良い。
〔考案の効果〕
以上述べた様に本考案によれば半導体スイツチ
を駆動するためのパルストランスとしては、低い
耐電圧ですむので、小型軽量化及びコストの低減
が行え、しかも駆動回路における駆動パルス伝達
用のコンデンサがフイルタとしても作用するので
リツプルの小さい直流高出力電圧を得ることが出
来、またノイズやリツプル電圧などによつて半導
体スイツチが誤点弧されることがないなど、多大
の効果を奏する。尚、半導体スイツチとしてトラ
イアツクを用いる場合には整流器4を除去でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体スイツチの駆動回路を示
す図、第2図及び第3図は夫々本考案に係る半導
体スイツチの駆動回路の異なる一実施例を示す図
である。 1……直流高圧電源、2……半導体スイツチ、
3……負荷、4……整流器、6……駆動パルス発
生器、8……第1の変成器、10……第2の変成
器、9……コンデンサバンク、14……制御回
路。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 直流高電圧が印加される自己保持機能を有す
    る半導体スイツチを駆動する回路において、前
    記直流高電圧が与えられるセンタタツプを備え
    た第1の巻線と前記半導体スイツチに駆動パル
    スを与える第2の巻線とを備えた第1の変成
    器、該第1の変成器の前記第1の巻線の夫々の
    端子に直列接続された前記直流高電圧と同等以
    上の耐圧を夫々有するコンデンサ、これらコン
    デンサの他端に夫々接続された第1の巻線を有
    し、該巻線のセンタタツプを接地した第2の変
    成器、及び該第2の変成器の第2の巻線に駆動
    パルスを与えるパルス発生回路とからなること
    を特徴とする半導体スイツチの駆動回路。 (2) 前記半導体スイツチが複数の直列接続された
    半導体スイツチと複数の直列接続された充放電
    素子とからなり、これら半導体スイツチの内の
    カソード側に位置する一部の半導体スイツチが
    前記駆動パルスにより点弧されるに伴い相隣る
    アノード側に位置する半導体スイツチのゲート
    に夫々充放電素子が充電エネルギを与えてこれ
    ら残りの半導体スイツチを従属点弧する様に前
    記半導体スイツチを構成したことを特徴とする
    実用新案登録請求の範囲第1項記載の半導体ス
    イツチの駆動回路。 (3) 前記コンデンサが夫々複数の直列接続された
    2組のコンデンサからなることを特徴とする実
    用新案登録請求の範囲第1項記載の半導体スイ
    ツチの駆動回路。
JP2705282U 1982-02-26 1982-02-26 半導体スイツチの駆動回路 Granted JPS58129749U (ja)

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JPS58129749U JPS58129749U (ja) 1983-09-02
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