JPH01191433A - 集積回路素子 - Google Patents

集積回路素子

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JPH01191433A
JPH01191433A JP63016584A JP1658488A JPH01191433A JP H01191433 A JPH01191433 A JP H01191433A JP 63016584 A JP63016584 A JP 63016584A JP 1658488 A JP1658488 A JP 1658488A JP H01191433 A JPH01191433 A JP H01191433A
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JP
Japan
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pad
output
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ground
power source
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JP63016584A
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Yutaka Isoda
豊 磯田
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔(既  要〕 本発明は集積回路素子の内部構造に関し、特に出力切換
時に発生するノイズ量が全ての出力信号で均等化された
集積回路素子の提供を目的とし、 出力回路パッドに対する電源・グランドパッドの設置率
を、電源・グランドパッド配線パターンの長さ、即ち配
線パターンのインダクタンスと逆比例させた構成とする
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路素子の内部構造に係り、特に出力切換
時に発生するノイズ量が全ての出力信号で均一化された
集積回路素子に関する。
〔従来の技術〕
第2図は従来の集積回路素子の内部構成例を示す要部平
面図である。
第2図に示すように、従来の集積回路素子は、出力回路
パッド2 (図中、空白の部分)、および電源・グラン
ドパッドト(図中、斜線を施した部分)が各縁辺部11
に形成されたLSIチップ10と、該出力回路パッド2
.および電源・グランドパッド1に対応する配線パター
ン3を装備したLSIパッケージ20とによって構成さ
れている。そして、出力回路バッド2および電源・グラ
ンドパッド1と配線パターン3とは、それぞれボンディ
ングワイヤ4によって電気的に結合されている。
但し、従来のLSIチップ10は第2図で明らかなよう
に、出力回路バッド2の数に対する電源・グランドパッ
ド1の設置率が、配線パターン3の長さ(Ll<L3)
とは無関係に全く同じ設置率(この例では、三個の出力
回路バッド2に対して電源・グランドパッド1が一個の
割合)になっている。
なお、図中、G、は配線パターン3が最も短い縁辺部1
1の中央部分7挺おける電源・グランドパッド1と出力
回路バッド2のグループを示し、G3は配線パターン3
が最も長い縁辺部11の端部βにおける電源・グランド
パッド1と出力回路バッド2のグループを示す。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このように従来の集積回路素子は、配線パターン3の長
さ、即ち配線パターン3のインダクタンスの大小とは無
関係に、−個の電源・グランドパッド1に対応する出力
回路バッド2の数が決められているため、出力信号切換
時に出力回路の出力電圧に重畳される電源・グランドノ
イズ■8は、縁辺部11の中央部分αからの信号では小
さく、縁辺部11の端部βからの信号では大きい、とい
うアンバランスを現象を生じる。
本発明は従来の集積回路素子に見られる上記問題点を解
決するためになされたものである。
なお、出力信号切換時において出力回路の出力電圧に重
畳される電源・グランドノイズ■8は以下の式で表せる
V、 = n x L Xdi/dt −−−−−(1
)ここで、 ■、4:出力信号に重畳されるノイズ量n  ニー個の
電源・グランドパッド当たりの出力回路バッド2の数 L  :配線パターンのインダクタンス値di/dtニ
ーつの出力信号が切り換わる際に発生する電流の変化量 〔問題点を解決するための手段〕 本発明による集積回路素子は、第1図の実施例に示すよ
うに、出力回路バッド2に対する電源・グランドパッド
1の設置率を、配線パターン3の長さ、即ち配線パター
ン3のインピーダンス値の大小に対応して変化させた形
になっている。
〔作 用〕
このように、配線パターン3の長さに対応して出力回路
バッド2に対する電源・グランドパッド1の設置率を変
化させた本発明の集積回路素子に 。
よれば、出力切換時に発生するノイズ量を全出力信号で
均一化することが可能となる。
〔実施例〕
以下実施例図に基づいて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す要部平面図であるが、
前記第2図と同一部分には同一符号を付している。
第1図に示すように、本発明による集積回路素子は、中
央部分αと端部βとで出力回路バッド2に対する電源・
グランドパッド1の配置数が異なっている。即ち中央部
分αにおけるグループG、では三個の出力回路パッド2
に対して一個の、またこれと隣接する部分のグループG
2では二個の出力回路バッド2に対して一個の、そして
端部βにおけるグループG3では一個の出力回路バッド
2に対して一個の電源・グランドパッド1がそれぞれ配
置されている。
このように、配線パターン3の長さが、Ll−Lx→L
、と変化する(長くなる)のと逆比例して出力回路バッ
ド2に対する電源・グランドパッド1の配置率が三個−
二個−−個と変化する本発明の集積回路素子は、各出力
回路の出力電圧に重畳される電源・グランドノイズv、
4〔第4頁の(1)式を参照〕が全て均一化される。
なお、本実施例は、出力回路パッド2と電源・グランド
パッド1のグループをGI+ GZ+ c:lの3グル
ープに分類した場合について説明したが、これをさらに
細かく分類するようにすれば、より高精度に電源・グラ
ンドノイズを均一化することができる。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように本発明によれば、出力切
換時に発生するノイズ憧を全出力信号で均一化すること
ができるため、最適なノイズマージン設計が可能となる
、という著しい工業的効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す要部平面図、第2図は
従来の集積回路素子の構成例を示す要部平面図である。 図中、1は電源・グランドパッド、 2は出力回路パッド、 3は配線パターン、 4はボンディングワイヤ、 10はLSIチップ、 11は縁辺部、 20はLSIパッケージ、 をそれぞれ示す。 \2゜“154,7 LSI千、7′ へ′T−シ゛ 、づ≦発ロW/I−tノイ崎イン°ゴrンゴ@ 1 図 従来め菓n口寥参稟了の力りへ4列iフ第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  出力回路パッド(2)と電源・グランドパッド(1)
    とが各縁辺部(11)に形成されて成るLSIチップ(
    10)と、前記パッド(1)対応に配線パターン(3)
    が形成されて成るLSIパッケージ(20)とによって
    構成された集積回路素子において、 前記出力回路パッド(2)に対する前記電源・グランド
    パッド(1)の設置率を、前記配線パターン(3)の長
    さと逆比例させるようにしたことを特徴とする集積回路
    素子。
JP63016584A 1988-01-26 1988-01-26 集積回路素子 Pending JPH01191433A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03102747U (ja) * 1990-02-09 1991-10-25
US5895977A (en) * 1996-08-08 1999-04-20 Intel Corporation Bond pad functional layout on die to improve package manufacturability and assembly
KR100681398B1 (ko) * 2005-12-29 2007-02-15 삼성전자주식회사 열방출형 반도체 칩과 테이프 배선기판 및 그를 이용한테이프 패키지

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03102747U (ja) * 1990-02-09 1991-10-25
US5895977A (en) * 1996-08-08 1999-04-20 Intel Corporation Bond pad functional layout on die to improve package manufacturability and assembly
US6214638B1 (en) 1996-08-08 2001-04-10 Intle Corporation Bond pad functional layout on die to improve package manufacturability and assembly
KR100681398B1 (ko) * 2005-12-29 2007-02-15 삼성전자주식회사 열방출형 반도체 칩과 테이프 배선기판 및 그를 이용한테이프 패키지

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