JPH01185848A - 光情報記録再生装置 - Google Patents
光情報記録再生装置Info
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- JPH01185848A JPH01185848A JP1177988A JP1177988A JPH01185848A JP H01185848 A JPH01185848 A JP H01185848A JP 1177988 A JP1177988 A JP 1177988A JP 1177988 A JP1177988 A JP 1177988A JP H01185848 A JPH01185848 A JP H01185848A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光ディスク等を光記録媒体として用いる光情
報記録再生装置に関する。
報記録再生装置に関する。
従来技術
従来、例えば光ディスクに対する光ピツクアップとして
第20図及び第21図に示すようなものがある。まず、
半導体レーザ1から射出されたレーザ光は偏向用のミラ
ー2、コリメートレンズ3、偏光ビームスプリッタ4、
λ/4板5及び対物レンズ6により光ディスク7に集光
照射される。この光ディスク7からの反射光は再び対物
レンズ6及びλ/4板5を通った後、今度は偏光ビーム
スプリッタ4により入射光と分離される方向に反射され
、凸レンズ8により収束される。この収束光は一方では
光検出素子9a、9b (第20図に示すようにZ方向
に2分割され、第21図に示すように光軸中心位置まで
半分だけ進出している)により受光され、これらの光検
出素子9a、9bの差動出力によるプッシュプル法を用
いたトラッキング誤差信号の検知に供される。他方では
、第21図に示すように光検出素子9をナイフェツジと
して利用するナイフェツジ法の下に光検出素子10(2
分割受光素子10 a、 10 o)により受光され
、その差動出力に基づくフォーカス誤差信号の検知に供
される。
第20図及び第21図に示すようなものがある。まず、
半導体レーザ1から射出されたレーザ光は偏向用のミラ
ー2、コリメートレンズ3、偏光ビームスプリッタ4、
λ/4板5及び対物レンズ6により光ディスク7に集光
照射される。この光ディスク7からの反射光は再び対物
レンズ6及びλ/4板5を通った後、今度は偏光ビーム
スプリッタ4により入射光と分離される方向に反射され
、凸レンズ8により収束される。この収束光は一方では
光検出素子9a、9b (第20図に示すようにZ方向
に2分割され、第21図に示すように光軸中心位置まで
半分だけ進出している)により受光され、これらの光検
出素子9a、9bの差動出力によるプッシュプル法を用
いたトラッキング誤差信号の検知に供される。他方では
、第21図に示すように光検出素子9をナイフェツジと
して利用するナイフェツジ法の下に光検出素子10(2
分割受光素子10 a、 10 o)により受光され
、その差動出力に基づくフォーカス誤差信号の検知に供
される。
このような光ピツクアップにあっては、光ディスク7に
対するレーザ照射光が合焦状態にあり、かつ、トラック
を正確に追従することが重要である。このため、上述の
如く、トラッキング誤差信号及びフォーカス誤差信号の
検知を行ない、正常なる状態にフィードバック制御する
ものである。
対するレーザ照射光が合焦状態にあり、かつ、トラック
を正確に追従することが重要である。このため、上述の
如く、トラッキング誤差信号及びフォーカス誤差信号の
検知を行ない、正常なる状態にフィードバック制御する
ものである。
ここに、このようなトラッキング誤差信号及びフォーカ
ス誤差信号によりオートトラッキング及びオートフォー
カシング制御するため、通常は、電磁型のアクチュエー
タが用いられる。第20図ではこれらを概略的に示すも
のであり、対物レンズ6に対してy方向両側には永久磁
石及びコイルよりなる一対のトラッキング用アクチュエ
ータ11 (図面上、手前側のアクチュエータllaの
みを示す)が設けられている。これにより、対物レンズ
6をトラッキング誤差信号に応じてX方向に移動変位さ
せることにより、オートトラッキングさせるものである
。また、対物レンズ6に対してX方向両側には同様に永
久磁石及びコイルよりなる一対のフォーカシング用アク
チュエータ12a。
ス誤差信号によりオートトラッキング及びオートフォー
カシング制御するため、通常は、電磁型のアクチュエー
タが用いられる。第20図ではこれらを概略的に示すも
のであり、対物レンズ6に対してy方向両側には永久磁
石及びコイルよりなる一対のトラッキング用アクチュエ
ータ11 (図面上、手前側のアクチュエータllaの
みを示す)が設けられている。これにより、対物レンズ
6をトラッキング誤差信号に応じてX方向に移動変位さ
せることにより、オートトラッキングさせるものである
。また、対物レンズ6に対してX方向両側には同様に永
久磁石及びコイルよりなる一対のフォーカシング用アク
チュエータ12a。
12bが設けられている。これにより、フォーカス誤差
信号に応じて対物レンズ6を光ディスク7に接近又は離
反させるZ方向に移動変位させオートフォーカシングさ
せるものである。
信号に応じて対物レンズ6を光ディスク7に接近又は離
反させるZ方向に移動変位させオートフォーカシングさ
せるものである。
ところが、このような従来の光ピツクアップにあっては
、永久磁石等の如く比較的重い部材よりなるx、z2方
向についてのアクチュエータ11゜12を必要とし、装
置が大きくて重いものとなっている。よって、光ディス
ク7に対する高速アクセスないしは高速記録再生動作が
困難な現状にある。
、永久磁石等の如く比較的重い部材よりなるx、z2方
向についてのアクチュエータ11゜12を必要とし、装
置が大きくて重いものとなっている。よって、光ディス
ク7に対する高速アクセスないしは高速記録再生動作が
困難な現状にある。
目的
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、トラッ
キング制御用のアクチュエータを不要として機械的な変
位を要せず、オートトラッキングが可能で、軽量化の下
に、高速アクセス化等を図ることができる光情報記録再
生装置を得ることを目的とする。
キング制御用のアクチュエータを不要として機械的な変
位を要せず、オートトラッキングが可能で、軽量化の下
に、高速アクセス化等を図ることができる光情報記録再
生装置を得ることを目的とする。
構成
本発明は、上記目的を達成するため、光源と、光源から
のレーザ光が入射されるアナモルフィック光学系と、こ
のアナモルフィック光学系の一方の光束収束位置に位置
させた電気光学結晶による電気光学光偏向素子と、この
電気光学光偏向素子のからの射出光を断面円形光束に変
換するレンズ系と、この断面円形光束を光記録媒体の信
号記録面に微小スポット状に集光させる対物レンズと、
前記光記録媒体からの反射光を入射光と分離する偏光ビ
ームスプリッタと、分離された反射光をビーム整形した
後で受光してトラッキング誤差信号を検出する信号検出
光学系と、前記トラッキング誤差信号に応じて前記電気
光学光偏向素子に印加する電圧が可変制御される電源手
段とからなることを特徴とするものである。
のレーザ光が入射されるアナモルフィック光学系と、こ
のアナモルフィック光学系の一方の光束収束位置に位置
させた電気光学結晶による電気光学光偏向素子と、この
電気光学光偏向素子のからの射出光を断面円形光束に変
換するレンズ系と、この断面円形光束を光記録媒体の信
号記録面に微小スポット状に集光させる対物レンズと、
前記光記録媒体からの反射光を入射光と分離する偏光ビ
ームスプリッタと、分離された反射光をビーム整形した
後で受光してトラッキング誤差信号を検出する信号検出
光学系と、前記トラッキング誤差信号に応じて前記電気
光学光偏向素子に印加する電圧が可変制御される電源手
段とからなることを特徴とするものである。
以下、本発明の第一の実施例を第1図ないし第8図に基
づいて説明する。まず、光記録媒体としての光ディスク
21に対向させて光源、例えば半導体レーザ22が設け
られている。この半導体レーザ22と前記光ディスク2
1との間には半導体レーザ22側から順に、楕円フレネ
ルレンズ23、偏光ビームスプリッタ兼用の電気光学光
偏向素子24、λ/4板2板製5次元フレネルレンズ2
6及び対物レンズ27が適宜間隔をあけて設けられてい
る。
づいて説明する。まず、光記録媒体としての光ディスク
21に対向させて光源、例えば半導体レーザ22が設け
られている。この半導体レーザ22と前記光ディスク2
1との間には半導体レーザ22側から順に、楕円フレネ
ルレンズ23、偏光ビームスプリッタ兼用の電気光学光
偏向素子24、λ/4板2板製5次元フレネルレンズ2
6及び対物レンズ27が適宜間隔をあけて設けられてい
る。
ここに、前記楕円フレネルレンズ23は第20図のコリ
メートレンズ3に代わるものであり、第4図に示すよう
な楕円格子形状を電子ビーム描画法により作製してなり
、アナモルフィック光学系を構成し、半導体レーザ22
から射出されたレーザ光を平行光束化するとともにその
断面形状を楕円形状とするものである。また、本実施例
の特徴的な電気光学光偏向素子24は第20図の偏光ビ
ームスプリッタ4に代わるものであり、電気光学結晶か
らなるが、構造・動作等の詳細については後述する。1
次元フレネルレンズ26は電気光学光偏向素子24から
射出される光束を断面円形光束に変換するためのレンズ
系を構成するものであす、例えば第5図に示すように適
宜変調された直線格子を形成してなるものである。対物
レンズ27は変換された断面円形光束を微小スポット状
に集光させて光ディスク21の信号記録面に照射させる
ためものである。
メートレンズ3に代わるものであり、第4図に示すよう
な楕円格子形状を電子ビーム描画法により作製してなり
、アナモルフィック光学系を構成し、半導体レーザ22
から射出されたレーザ光を平行光束化するとともにその
断面形状を楕円形状とするものである。また、本実施例
の特徴的な電気光学光偏向素子24は第20図の偏光ビ
ームスプリッタ4に代わるものであり、電気光学結晶か
らなるが、構造・動作等の詳細については後述する。1
次元フレネルレンズ26は電気光学光偏向素子24から
射出される光束を断面円形光束に変換するためのレンズ
系を構成するものであす、例えば第5図に示すように適
宜変調された直線格子を形成してなるものである。対物
レンズ27は変換された断面円形光束を微小スポット状
に集光させて光ディスク21の信号記録面に照射させる
ためものである。
また、前記光ディスク21からの反射光が対物レンズ2
7等を再び通った後、電気光学光偏向素子24の偏光ビ
ームスプリッタ機能により入射光と分離される光路には
、ミラー28を介して信号検出光学系29が設けられて
いる。この信号検出光学系29はトラッキング誤差信号
の検出とともにフォーカス誤差信号検出をも含めて検出
するものであり、1次元フレネルレンズ3o、光検出用
レンズ31、トラッキング誤差信号検出用受光素子32
(2分割受光素子32a、32b)、フォーカス誤差信
号検出用受光素子33(2分割受光素子33 a、
33 b)からなる。1次元フレネルレンズ30は前記
1次元フレネルレンズ26と同種類のものであり、反射
光をビーム整形する機能を持つ。光検出用レンズ32、
受光素子32,33によるトラッキング誤差信号、フォ
ーカス誤差信号の検出は第20図、第21図に示した場
合と同様にプッシュプル法、ナイフェツジ法によるもの
である。
7等を再び通った後、電気光学光偏向素子24の偏光ビ
ームスプリッタ機能により入射光と分離される光路には
、ミラー28を介して信号検出光学系29が設けられて
いる。この信号検出光学系29はトラッキング誤差信号
の検出とともにフォーカス誤差信号検出をも含めて検出
するものであり、1次元フレネルレンズ3o、光検出用
レンズ31、トラッキング誤差信号検出用受光素子32
(2分割受光素子32a、32b)、フォーカス誤差信
号検出用受光素子33(2分割受光素子33 a、
33 b)からなる。1次元フレネルレンズ30は前記
1次元フレネルレンズ26と同種類のものであり、反射
光をビーム整形する機能を持つ。光検出用レンズ32、
受光素子32,33によるトラッキング誤差信号、フォ
ーカス誤差信号の検出は第20図、第21図に示した場
合と同様にプッシュプル法、ナイフェツジ法によるもの
である。
また、対物レンズ27のX方向両側には第20図のアク
チュエータ12a、12bに相当するフォーカシング用
のアクチュエータ34a、34bが設けられている。
チュエータ12a、12bに相当するフォーカシング用
のアクチュエータ34a、34bが設けられている。
このような構成において、半導体レーザ22から射出さ
れた発散レーザ光は楕円フレネルレンズ23を通ること
によりX方向(トラック横切り方向)は平行ビーム、y
方向は集光ビームに整形され、電気光学光偏向素子24
に入射する。この電気光学光偏向素子24においては後
述するようにトラッキング誤差信号に応じてX方向に偏
向制御されて射出される。その後、λ/4板2板製5り
、1次元フレネルレンズ26によりy方向も平行ビーム
に整形され、全体として断面円形光束とされて対物レン
ズ27に入射する。そして、対物レンズ27により光デ
ィスク21の信号記録面に微小スポットとして集光照射
される。光ディスク21からの反射光は再び対物レンズ
27等の同一光路を通り、電気光学光偏向素子24に再
度入射する。
れた発散レーザ光は楕円フレネルレンズ23を通ること
によりX方向(トラック横切り方向)は平行ビーム、y
方向は集光ビームに整形され、電気光学光偏向素子24
に入射する。この電気光学光偏向素子24においては後
述するようにトラッキング誤差信号に応じてX方向に偏
向制御されて射出される。その後、λ/4板2板製5り
、1次元フレネルレンズ26によりy方向も平行ビーム
に整形され、全体として断面円形光束とされて対物レン
ズ27に入射する。そして、対物レンズ27により光デ
ィスク21の信号記録面に微小スポットとして集光照射
される。光ディスク21からの反射光は再び対物レンズ
27等の同一光路を通り、電気光学光偏向素子24に再
度入射する。
この際、電気光学光偏向素子24の偏光ビームスプリッ
タ機能により入射光と分離され、ミラー28方向に進み
、信号検出光学系29中に進む。この際、まず、1次元
フレネルレンズ30によりy方向に平行光束となるよう
整形され、光検出用レグ31側に進み、周知の方法によ
りトラッキング誤差信号及びフォーカス誤差信号が検出
される。
タ機能により入射光と分離され、ミラー28方向に進み
、信号検出光学系29中に進む。この際、まず、1次元
フレネルレンズ30によりy方向に平行光束となるよう
整形され、光検出用レグ31側に進み、周知の方法によ
りトラッキング誤差信号及びフォーカス誤差信号が検出
される。
なお、光信号は受光素子32 a、 32 b、
33 a。
33 a。
33bの出力の総和により得られる。
ここに、合焦状態から外れ、フォーカス誤差信号が出力
された時には、その誤差に応じてアクチユエータ34が
駆動され、合焦状態となるように対物レンズ27の位置
がZ方向に変位される。−方、微小スポットがトラック
から外れ、受光素子32a、32bの差動出力によりト
ラッキング誤差信号が生じた時には、このトラッキング
誤差信号に応じた電圧が電気光学光偏向素子24に印加
され、トラッキング誤差信号がOとなるようにビーム方
向の変位がなされる。
された時には、その誤差に応じてアクチユエータ34が
駆動され、合焦状態となるように対物レンズ27の位置
がZ方向に変位される。−方、微小スポットがトラック
から外れ、受光素子32a、32bの差動出力によりト
ラッキング誤差信号が生じた時には、このトラッキング
誤差信号に応じた電圧が電気光学光偏向素子24に印加
され、トラッキング誤差信号がOとなるようにビーム方
向の変位がなされる。
このための電気光学光偏向素子24の構造及び作用につ
いて第6図ないし第8図を参照して説明する。この電気
光学光偏向素子24は直角三角プリズム形状の2個の電
気光学結晶体41,42、(具体的には、例えばPLZ
T電気光学結晶)をベースとして構成されている。より
具体的には、両結晶体41.42間の接合斜面に多層薄
膜43を介在させて一体的に貼付することにより、偏光
ビームスプリッタの機能を持たせてなる。ここに、一方
の電気光学結晶体41の厚み方向(y方向)の両面には
電極膜44を一体的に形成してなり、電源手段としての
交流電源45により画電極膜44間に電圧を印加し得る
ように配線されている。
いて第6図ないし第8図を参照して説明する。この電気
光学光偏向素子24は直角三角プリズム形状の2個の電
気光学結晶体41,42、(具体的には、例えばPLZ
T電気光学結晶)をベースとして構成されている。より
具体的には、両結晶体41.42間の接合斜面に多層薄
膜43を介在させて一体的に貼付することにより、偏光
ビームスプリッタの機能を持たせてなる。ここに、一方
の電気光学結晶体41の厚み方向(y方向)の両面には
電極膜44を一体的に形成してなり、電源手段としての
交流電源45により画電極膜44間に電圧を印加し得る
ように配線されている。
この交流電源45は前述したトラッキング誤差信号に応
じた電圧を印加し得るように可変制御されるものである
。
じた電圧を印加し得るように可変制御されるものである
。
このような構成において、電気光学光偏向素子24の偏
向作用について説明する。まず、楕円フレネルレンズ2
3側からの入射レーザ光46が電気光学結晶体41の端
面から入射し、内部を通り、他方の電気光学結晶体42
の端面から射出レーザ光47として射出されるものとす
る。ここに、電極膜44間に電圧が印加されていない状
態では偏向作用を示さず、射出レーザ光47aとして直
進射出される。一方、電極膜44間に電圧を印加すると
偏向作用を示し、射出レーザ光47bとして偏向射出さ
れる。
向作用について説明する。まず、楕円フレネルレンズ2
3側からの入射レーザ光46が電気光学結晶体41の端
面から入射し、内部を通り、他方の電気光学結晶体42
の端面から射出レーザ光47として射出されるものとす
る。ここに、電極膜44間に電圧が印加されていない状
態では偏向作用を示さず、射出レーザ光47aとして直
進射出される。一方、電極膜44間に電圧を印加すると
偏向作用を示し、射出レーザ光47bとして偏向射出さ
れる。
いま、このように電極膜44間に電圧を印加した状態で
、入射レーザ光46が第8図に示すように結晶体41.
42の境界面48に入射角αiで入射し屈折角γOで屈
折し、電界Oなる電気光学結晶体42に入射し、さらに
射出角β0で空気中に射出されるものとする。この場合
、スネルの法則により、次の(1)〜(3)式が成立す
る。
、入射レーザ光46が第8図に示すように結晶体41.
42の境界面48に入射角αiで入射し屈折角γOで屈
折し、電界Oなる電気光学結晶体42に入射し、さらに
射出角β0で空気中に射出されるものとする。この場合
、スネルの法則により、次の(1)〜(3)式が成立す
る。
n(V)sinαi = n、sinγ0 叩・・川・
・0・・・・叩・・・・・(1)n、5inyi =
sinβ。 ・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・(2)γ0+γi=δ
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・(3)但し、no はPLZT電気光学結晶体
41,42の屈折率、n(V)はPLZT電気光学結晶
体41の電圧■印加時の屈折率、δは電気光学結晶体4
1.42の各々の1つの頂角である。
・0・・・・叩・・・・・(1)n、5inyi =
sinβ。 ・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・(2)γ0+γi=δ
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・(3)但し、no はPLZT電気光学結晶体
41,42の屈折率、n(V)はPLZT電気光学結晶
体41の電圧■印加時の屈折率、δは電気光学結晶体4
1.42の各々の1つの頂角である。
これらの(1)〜(3)式より、射出角βOは、sin
β0 =sinL/n、”−n”(V)sin2αi −n(
V)cosδsinαi・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・(4)により決定し得る。
β0 =sinL/n、”−n”(V)sin2αi −n(
V)cosδsinαi・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・(4)により決定し得る。
この(4)式に基づきΔβOを求めると、cosδ・5
incti((lの範囲で・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・(5)となる。
incti((lの範囲で・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・(5)となる。
但し、n(v)=n。(l−(1/2)n。”RcE”
)、Δn(V)=−(1/2)n、’RcE”、E=V
/d、d:結晶厚、Rc:PLZTの2次電気光学定数
である。
)、Δn(V)=−(1/2)n、’RcE”、E=V
/d、d:結晶厚、Rc:PLZTの2次電気光学定数
である。
従って、微小射出角ΔβOは、
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・(6)となる。即ち、微小偏向角βOは電界の2乗
にほぼ比例することが判る。ちなみに、本実施例で用い
たPLZT電気光学結晶の組成は(9,0/65/35
)のものである。このような組成のものは、2次電気光
学効果を示し、その定数Rcが大きいため、一般的には
光シヤツターとして利用されているものである。
・・(6)となる。即ち、微小偏向角βOは電界の2乗
にほぼ比例することが判る。ちなみに、本実施例で用い
たPLZT電気光学結晶の組成は(9,0/65/35
)のものである。このような組成のものは、2次電気光
学効果を示し、その定数Rcが大きいため、一般的には
光シヤツターとして利用されているものである。
よって、前述した如く、受光素子32a、32bの検出
信号の差動により得られるトラッキング誤差信号に応じ
て可変された適宜の電圧を電極膜44を介して電気光学
結晶体41の両面間に印加し、射出レーザ光47bの偏
向角β0を可変調整させて射出させ、常に射出レーザ光
47がトラック上に位置するようにオートトラッキング
制御することができる。
信号の差動により得られるトラッキング誤差信号に応じ
て可変された適宜の電圧を電極膜44を介して電気光学
結晶体41の両面間に印加し、射出レーザ光47bの偏
向角β0を可変調整させて射出させ、常に射出レーザ光
47がトラック上に位置するようにオートトラッキング
制御することができる。
このように本実施例によれば、トラッキング制御を電気
光学光偏向素子24により行なうようにしているので、
対物レンズ27に対するトラッキング用アクチュエータ
が不要となり、非常に小型で軽量の光ピツクアップとな
る。また、トラッキング用アクチュエータがなくなる結
果、光ピツクアップの可動部が軽量化され、フォーカス
用のアクチュエータ34自体もより小型のもので済み、
全体が軽量化され、より高速シークないしは記録再生動
作を行なわせることができる。このような点は、偏光ビ
ームスプリッタが電気光学光偏向素子24の兼用構造と
して構成されていることにより、よりコンパクト化が向
上し、効果的となる。
光学光偏向素子24により行なうようにしているので、
対物レンズ27に対するトラッキング用アクチュエータ
が不要となり、非常に小型で軽量の光ピツクアップとな
る。また、トラッキング用アクチュエータがなくなる結
果、光ピツクアップの可動部が軽量化され、フォーカス
用のアクチュエータ34自体もより小型のもので済み、
全体が軽量化され、より高速シークないしは記録再生動
作を行なわせることができる。このような点は、偏光ビ
ームスプリッタが電気光学光偏向素子24の兼用構造と
して構成されていることにより、よりコンパクト化が向
上し、効果的となる。
なお、電気光学光偏向素子24としては第9図及び第1
0図に示すように他方の電気光学結晶体42の厚み方向
両面に電極膜49を形成し、この電極膜49を介して交
流電源50により適宜の電圧をトラッキング誤差信号に
応じて印加させるようにしてもよい。但し、この場合、
電源45による印加電圧をV、=V。十■とすると、電
源5oによる印加電圧■2はV、=V。−■となるよう
に設定される。このような構造による場合、双方の電気
光学結晶体41.42に電圧を印加した時の1次電気光
華効果を利用して光の偏向を行なわせるものである。こ
のような変形例の場合には、PLZT電気光学結晶の組
成としては、例えば(12/40/60)なるものや、
大きな1次電気光学定数rc = 6. 12 X 1
0”m/Vを持つ(8/65/35)なるものが用いら
れる。
0図に示すように他方の電気光学結晶体42の厚み方向
両面に電極膜49を形成し、この電極膜49を介して交
流電源50により適宜の電圧をトラッキング誤差信号に
応じて印加させるようにしてもよい。但し、この場合、
電源45による印加電圧をV、=V。十■とすると、電
源5oによる印加電圧■2はV、=V。−■となるよう
に設定される。このような構造による場合、双方の電気
光学結晶体41.42に電圧を印加した時の1次電気光
華効果を利用して光の偏向を行なわせるものである。こ
のような変形例の場合には、PLZT電気光学結晶の組
成としては、例えば(12/40/60)なるものや、
大きな1次電気光学定数rc = 6. 12 X 1
0”m/Vを持つ(8/65/35)なるものが用いら
れる。
また、2次電気光学効果を持つ(9765/35)なる
組成をもつものでも、例えば第11図に示すようにバイ
アス電圧■。を動作点として設定してなるものであれば
、同様に用いることができる。
組成をもつものでも、例えば第11図に示すようにバイ
アス電圧■。を動作点として設定してなるものであれば
、同様に用いることができる。
つづいて、本発明の第二の実施例を第12図及び第13
図により説明する。本実施例は、楕円フレネルレンズ2
3に代えて、コリメートレンズ51と1次元フレネルレ
ンズ52とによるアナモルフィック光学系53を設けた
ものである。ここに、コリメートレンズ51は半導体レ
ーザ22からの発散光を平行光束にするものである。1
次元フレネルレンズ52は第5図のものと同種類のもの
であり、コリメートレンズ51による平行光束のy方向
のみを収束させて電気光学光偏向素子24に入射させる
ものである。
図により説明する。本実施例は、楕円フレネルレンズ2
3に代えて、コリメートレンズ51と1次元フレネルレ
ンズ52とによるアナモルフィック光学系53を設けた
ものである。ここに、コリメートレンズ51は半導体レ
ーザ22からの発散光を平行光束にするものである。1
次元フレネルレンズ52は第5図のものと同種類のもの
であり、コリメートレンズ51による平行光束のy方向
のみを収束させて電気光学光偏向素子24に入射させる
ものである。
また、本発明の第三の実施例を第14図ないし第16図
により説明する。本実施例は、コリメートレンズ51と
シリンドリカルレンズ54とによりアナモルフィック光
学系55を構成するとともに、レンズ系も1次元フレネ
ルレンズ26に代えてシリンドリカルレンズ56により
構成し、かつ、信号検出光学系29においても1次元フ
レネルレンズ30に代えてシリンドリカルレンズ57を
用いたものである。これらのシリンドリカルレンズ54
.56.57は前述した1次元フレネルレンズと同様の
ビーム変換機能を持つものである。
により説明する。本実施例は、コリメートレンズ51と
シリンドリカルレンズ54とによりアナモルフィック光
学系55を構成するとともに、レンズ系も1次元フレネ
ルレンズ26に代えてシリンドリカルレンズ56により
構成し、かつ、信号検出光学系29においても1次元フ
レネルレンズ30に代えてシリンドリカルレンズ57を
用いたものである。これらのシリンドリカルレンズ54
.56.57は前述した1次元フレネルレンズと同様の
ビーム変換機能を持つものである。
さらに、本発明の第四の実施例を第17図ないし第19
図により説明する。本実施例は、電気光学光偏向素子5
8と偏光ビームスプリッタ59とを別体として設けたも
のである。即ち、電気光学光偏向素子58は第一の実施
例のものとほぼ同様のものであるが、第19図に示すよ
うに境界面48における多層薄膜43を省略して偏光ビ
ームスプリッタ機能を示さないように構成してなる(多
層薄膜43を省略すれば、第9図及び第10図に示した
方式のものでもよい)。また、偏光ビームスプリッタ5
9は偏光膜59aを備えた周知のものであり、この偏光
ビームスプリツタ59以降反射光路に信号検出光学系2
9が配設されている。
図により説明する。本実施例は、電気光学光偏向素子5
8と偏光ビームスプリッタ59とを別体として設けたも
のである。即ち、電気光学光偏向素子58は第一の実施
例のものとほぼ同様のものであるが、第19図に示すよ
うに境界面48における多層薄膜43を省略して偏光ビ
ームスプリッタ機能を示さないように構成してなる(多
層薄膜43を省略すれば、第9図及び第10図に示した
方式のものでもよい)。また、偏光ビームスプリッタ5
9は偏光膜59aを備えた周知のものであり、この偏光
ビームスプリツタ59以降反射光路に信号検出光学系2
9が配設されている。
このような電気光学光偏向素子・偏光ビームスプリッタ
分離方式は、第二、三の実施例でも同様に適用できる。
分離方式は、第二、三の実施例でも同様に適用できる。
効果
本発明は、上述したようにトラッキング誤差信号に応じ
て印加電圧が可変制御される電気光学光偏向素子を備え
、その電気光学効果によりレーザ光を偏向させるように
したので、光ピツクアップ系に機械的に変位するトラッ
キング用アクチュエータを不要にすることができ、がっ
、トラッキング制御の高速応答化も可能となり、よって
、光ピツクアップの小型・軽量化を向上させ、アクセス
動作の高速化をも図ることができ、この際、多層薄膜を
備えた電気光学光偏向素子として偏光ビームスプリッタ
機能をも兼用させることにより、よりコンパクト化を向
上させ、上述した効果をより大きなものとすることがで
きるものである。
て印加電圧が可変制御される電気光学光偏向素子を備え
、その電気光学効果によりレーザ光を偏向させるように
したので、光ピツクアップ系に機械的に変位するトラッ
キング用アクチュエータを不要にすることができ、がっ
、トラッキング制御の高速応答化も可能となり、よって
、光ピツクアップの小型・軽量化を向上させ、アクセス
動作の高速化をも図ることができ、この際、多層薄膜を
備えた電気光学光偏向素子として偏光ビームスプリッタ
機能をも兼用させることにより、よりコンパクト化を向
上させ、上述した効果をより大きなものとすることがで
きるものである。
第1図は本発明の第一の実施例を示す正面図、第2図は
その側面図、第3図は信号検出光学系の側面図、第4図
は楕円フレネルレンズの概略斜視図、第5図は1次元フ
レネルレンズの概略斜視図、第6図は電気光学光偏向素
子の斜視図、第7図はその分解平面図、第8図は偏向動
作を示す平面図、第9図は電気光学光偏向素子の変形例
を示す斜視図、第10図はその分解平面図、第11図は
印加電圧−Δn変化特性図、第12図は本発明の第二の
実施例を示す正面図、第13図はその側面図、第14図
は本発明の第三の実施例を示す正面図、第15図はその
側面図、第16図は信号検出光学系の側面図、第17図
は本発明の第四の実施例を示す正面図、第18図はその
側面図、第19図は電気光学光偏向素子の分解平面図、
第20図は従来例を示す正面図、第21図はその一部の
側面図である。 21・・・光記録媒体、22・・・光源、23・・・ア
ナモルフィック光学系、24・・・偏光ビームスプリッ
タ兼用電気光学光偏向素子、26・・・レンズ系、27
・・・対物レンズ、29・・・信号検出光学系、41,
42・・・三角プリズム型電気光学結晶、43・・・多
層薄膜、45・・・電源手段、5o・・・電源手段、5
3・・・アナモルフィック光学系、55・・・アナモル
フィック光学系、56・・・レンズ系、58・・・電気
光学光偏向素子、59・・・偏光ビームスプリッタ出
願 人 株式会社 リ コ −J ZO図 33z」図 簀 」Ob
その側面図、第3図は信号検出光学系の側面図、第4図
は楕円フレネルレンズの概略斜視図、第5図は1次元フ
レネルレンズの概略斜視図、第6図は電気光学光偏向素
子の斜視図、第7図はその分解平面図、第8図は偏向動
作を示す平面図、第9図は電気光学光偏向素子の変形例
を示す斜視図、第10図はその分解平面図、第11図は
印加電圧−Δn変化特性図、第12図は本発明の第二の
実施例を示す正面図、第13図はその側面図、第14図
は本発明の第三の実施例を示す正面図、第15図はその
側面図、第16図は信号検出光学系の側面図、第17図
は本発明の第四の実施例を示す正面図、第18図はその
側面図、第19図は電気光学光偏向素子の分解平面図、
第20図は従来例を示す正面図、第21図はその一部の
側面図である。 21・・・光記録媒体、22・・・光源、23・・・ア
ナモルフィック光学系、24・・・偏光ビームスプリッ
タ兼用電気光学光偏向素子、26・・・レンズ系、27
・・・対物レンズ、29・・・信号検出光学系、41,
42・・・三角プリズム型電気光学結晶、43・・・多
層薄膜、45・・・電源手段、5o・・・電源手段、5
3・・・アナモルフィック光学系、55・・・アナモル
フィック光学系、56・・・レンズ系、58・・・電気
光学光偏向素子、59・・・偏光ビームスプリッタ出
願 人 株式会社 リ コ −J ZO図 33z」図 簀 」Ob
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光源と、光源からのレーザ光が入射されるアナモル
フイツク光学系と、このアナモルフイツク光学系の一方
の光束収束位置に位置させた電気光学結晶による電気光
学光偏向素子と、この電気光学光偏向素子からの射出光
を断面円形光束に変換するレンズ系と、この断面円形光
束を光記録媒体の信号記録面に微小スポット状に集光さ
せる対物レンズと、前記光記録媒体からの反射光を入射
光と分離する偏光ビームスプリッタと、分離された反射
光をビーム整形した後で受光してトラッキング誤差信号
を検出する信号検出光学系と、前記トラッキング誤差信
号に応じて前記電気光学光偏向素子に印加する電圧が可
変制御される電源手段とからなることを特徴とする光情
報記録再生装置。 2、三角プリズム型の2個の電気光学結晶を多層薄膜を
介して貼付一体化した電気光学光偏向素子とし、偏光ビ
ームスプリッタを兼用させたことを特徴とする請求項1
記載の光情報記録再生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1177988A JPH01185848A (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | 光情報記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1177988A JPH01185848A (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | 光情報記録再生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01185848A true JPH01185848A (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=11787439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1177988A Pending JPH01185848A (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | 光情報記録再生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01185848A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04115321U (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-13 | 株式会社ジエス | 光デイスク装置 |
EP1469464A2 (en) * | 2003-04-14 | 2004-10-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A beam shaping device, an optical head, and a master disk recording apparatus |
-
1988
- 1988-01-21 JP JP1177988A patent/JPH01185848A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04115321U (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-13 | 株式会社ジエス | 光デイスク装置 |
EP1469464A2 (en) * | 2003-04-14 | 2004-10-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A beam shaping device, an optical head, and a master disk recording apparatus |
EP1469464A3 (en) * | 2003-04-14 | 2005-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A beam shaping device, an optical head, and a master disk recording apparatus |
CN1324589C (zh) * | 2003-04-14 | 2007-07-04 | 松下电器产业株式会社 | 光束整形器、光学头以及光盘记录设备 |
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