JPH01185454A - Method and apparatus for inspecting shortcircuit failure and shortcircuit failure repairing apparatus - Google Patents
Method and apparatus for inspecting shortcircuit failure and shortcircuit failure repairing apparatusInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はショート欠陥の検査およびこれにより検出され
たショート欠陥の補修装置に係り、特に基板や液晶基板
等の互いに絶縁されたパターン間のショート欠陥を検査
するショート欠陥検査方法や、ショート欠陥検査装置及
びショート欠陥りペア装置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Field of Application) The present invention relates to a device for inspecting short-circuit defects and repairing short-circuit defects detected thereby, and particularly for inspection of short-circuit defects and repair devices for short-circuit defects detected by the inspection. The present invention relates to a short defect inspection method for inspecting short defects between patterns, a short defect inspection device, and a short defect pair device.
（従来の技術）
従来の液晶基板などのパターン間のショートを検査する
ショート欠陥検査方法及び装置若しくはショート欠陥リ
ペア装置は、部分的手段について若干の相違はあるが、
基本的には第４図のような構成により検出を行う。(Prior Art) Conventional short defect inspection methods and devices or short defect repair devices for inspecting shorts between patterns on liquid crystal substrates, etc., have some differences in partial means, but
Basically, detection is performed using the configuration shown in FIG.
まず、互いに絶縁されている導電体パターン（５１）の
ピッチに合せた２本のプローブ（５２） （５３）が電
源（５４）とペンレコーダ（５５）に直列に接続されて
いる。このプローブ（５２） （５３）に電源（５４）
より電圧を印加する。（通常、５〜ＩＯＶ ’）ここで
この２本のプローブ（５２）（５３）から導電体される
２本の導電体パターン（５１ａ）（５１ｂ）は正常な状
態では互いに絶縁されているものであるから２本のプロ
ーブ（５２）（５３）間には電流は流れないものである
。そこで、この２本の導電体パターン（５１ａ） （５
１ｂ）間に電流が流れるということは、この２本の導電
体パターン（５１ａ） （５１ｂ）間にショートが生じ
ていることとなる。First, two probes (52) (53) matched to the pitch of conductor patterns (51) that are insulated from each other are connected in series to a power source (54) and a pen recorder (55). Power supply (54) to this probe (52) (53)
Apply more voltage. (Usually 5~IOV') Here, the two conductive patterns (51a) (51b) that are conductive from these two probes (52) (53) are insulated from each other under normal conditions. Therefore, no current flows between the two probes (52) and (53). Therefore, these two conductor patterns (51a) (5
1b) means that a short circuit has occurred between these two conductor patterns (51a) and (51b).
このことを利用し、実際にはこの２本のプローブ（５２
） （５３）を導電体パターン（５１）の一端に沿って
移動させ、この２本のプローブ（５２） （５３）の間
に電流が生じたところをペンレコーダ（５５）によって
検出し、電流が生じたところにショート欠陥があると判
断する。Taking advantage of this fact, these two probes (52
) (53) along one end of the conductor pattern (51), the pen recorder (55) detects the point where a current is generated between these two probes (52) and (53), and the current is detected. It is determined that there is a short-circuit defect where it occurs.
（発明が解決しようとする課８）
従来の検査装置とそれに用いられる方法では、２本のプ
ローブ（５２） （５３）間に電流が流れたところをシ
ョートしている導電体パターンとして検出しているので
、実際にはショートの有無を検出しただけで、この２本
の導電体パターンのどの部分がショートしたかは、別個
の装置または顕微鏡を用いて検査をしなければならなか
った。(Issue 8 to be solved by the invention) In conventional inspection devices and methods used therefor, the point where current flows between the two probes (52) (53) is detected as a short-circuited conductor pattern. Therefore, in reality, only the presence or absence of a short circuit was detected, but which part of the two conductor patterns was shorted had to be inspected using a separate device or a microscope.
本発明は従来の技術のような１次元的な検出から、２次
元的な検出を可能とするショート欠陥検査方法とその装
置、及びショート欠陥リペア装置を提供することを目的
とする。An object of the present invention is to provide a short defect inspection method and apparatus, and a short defect repair apparatus that enable two-dimensional detection instead of one-dimensional detection as in the conventional technology.
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
予め定まった電圧を所定の導電体パターンに印加する電
圧印加工程と、この電圧印加手段により電圧を印加され
た被検査物のパターン全体から２次元的に赤外線を検出
する赤外線検出工程と、この赤外線検出手段の検出結果
によりショート欠陥の位置を検出するショート欠陥検出
工程とを具備する方法と、これを実現する手段を設けた
装置およびその手段を一部に具備した装置を提供する。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) A voltage application step of applying a predetermined voltage to a predetermined conductor pattern, and a voltage application step of applying a predetermined voltage to a predetermined conductor pattern, and a voltage application step of applying a predetermined voltage to a predetermined conductor pattern. A method comprising an infrared detection step of dimensionally detecting infrared rays and a short defect detection step of detecting the position of a short defect based on the detection result of the infrared detection means, an apparatus provided with a means for realizing the same, and the means thereof To provide a device partially equipped with:
（作用）
上述のように構成されたパターンショート欠陥検査装置
は、導電体パターンに予め定まった電圧を印加すること
によって、ショートを起こしている部分に熱を発生させ
る。これは通常導電体パターンの導電体路内では発熱を
起こさないか、発熱量は極微少である。しかし、ショー
ト部分の導電体路は導電体パターンの導電体路より狭い
ゆえに、ショート部分では発熱が起こりやすい。この発
熱部分より放射される赤外線を赤外線検出手段により２
次元的に検出するものである。このようにして検出した
ショート部分をショート欠陥として表示するものである
。(Function) The pattern short defect inspection device configured as described above generates heat in a portion where a short circuit occurs by applying a predetermined voltage to the conductor pattern. This usually does not generate heat within the conductor path of the conductor pattern, or the amount of heat generated is extremely small. However, since the conductive path in the shorted portion is narrower than the conductive path in the conductive pattern, heat generation is likely to occur in the shorted portion. The infrared rays emitted from this heat generating part are detected by an infrared detection means.
It is something that is detected dimensionally. The short portion detected in this manner is displayed as a short defect.
なお、予め定まった電圧とは、導電体パターンの導電体
路内では発熱が少なく、ショート部分では発熱が大きく
なるように設定された電圧のことを指す。（但し、この
電圧は被検出物の導電体パターンの断面積により異なる
ので、ここでは特に明記しない。）
（実施例）
本発明の方法と装置の一実施例を図面を用いて説明する
。Note that the predetermined voltage refers to a voltage that is set so that less heat is generated within the conductor path of the conductor pattern and more heat is generated at the shorted portion. (However, since this voltage varies depending on the cross-sectional area of the conductor pattern of the object to be detected, it is not specified here.) (Example) An example of the method and apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図は本発明の装置の基本的構成を示した構成図であ
る。被検査物である液晶用ガラス基板（７）の表面上に
設けられた導電体パターン（８）の配設ピッチに合せた
一組のプローブ（ｌａ）（ｌｂ）に５Ｖと４０Ｖの電圧
を切替えられ、かつ電流の検出が可能な電源（２）が接
続されている。また、この−組のプローブ（ｌａ）（ｌ
ｂ）は移動機構（３）により液晶用ガラス基板（７）の
導電体パターン（８）の一端に沿って移動可能なように
取付けられている。液晶用ガラス基板（７）の導電体パ
ターン（８）全体を撮像可能な位置に赤外線テレビカメ
ラ（４）（以下赤外線カメラと略）を配置しである。こ
の赤外線カメラ（４）によって撮像された画像を表示可
能なようにモニタ（５）に接続されている。また、移動
機構（８）の制御と、プローブ（ｌａ）（ｌｂ）間の電
流の検出、電源（２）の電圧切替え及び赤外線カメラ（
４）の制御とを行なえるように制御部（６）が接続され
ている。FIG. 1 is a block diagram showing the basic structure of the apparatus of the present invention. A voltage of 5V and 40V is switched between a pair of probes (la) and (lb) that match the arrangement pitch of the conductor pattern (8) provided on the surface of the liquid crystal glass substrate (7) that is the object to be inspected. A power source (2) is connected to the power source (2), which is connected to the power source (2) and is capable of detecting current. Also, this set of probes (la) (l
b) is attached so as to be movable along one end of the conductive pattern (8) of the liquid crystal glass substrate (7) by a moving mechanism (3). An infrared television camera (4) (hereinafter abbreviated as an infrared camera) is placed at a position where it can image the entire conductor pattern (8) of the liquid crystal glass substrate (7). It is connected to a monitor (5) so that images captured by the infrared camera (4) can be displayed. It also controls the moving mechanism (8), detects the current between the probes (la) and (lb), switches the voltage of the power source (2), and infrared camera (
A control section (6) is connected to perform the control of step 4).
以下に本実施例の装置を用いて本発明の方法の作用を説
明する。The operation of the method of the present invention will be explained below using the apparatus of this embodiment.
液晶用ガラス基板（７）の導電体パターン（８）の中に
ショートしている導電体パターン（８ａ） （８ｂ）が
ある。このとき、プローブ（ｌａ） （ｌｂ）を移動機
構（３）が導電体パターン（８）の一端に沿って移動を
開始させる。このときプローブ（ｌａ） （ｌｂ）には
５ｖの電圧が印加されている。このプローブ（ｌａ）
（ｌｂ）がショートしている導電体パターン（８ａ）
（８ｂ）のところに来ると、導電体パターン（８ａ）と
導電体パターン（８ｂ）との間にショート部分を通して
電流が流れる。このような電流が流れると制御部（６）
は、その位置で移動機構（３）を停止し、電［（２）の
電圧を切替えプローブ（ｌａ）（ｌｂ）に４０Ｖの電圧
を印加する。ここで、赤外線カメラ（４）が導電体パタ
ーン（８）を撮影する。このとき、ショート部分は抵抗
値が大きいので導電体パターン（８）の導電体路の発熱
量を上回る。この発熱に際して放射される赤外線を赤外
線カメラ（４）が撮像し、モニタ（５）に表示される。Among the conductor patterns (8) of the liquid crystal glass substrate (7), there are conductor patterns (8a) (8b) that are short-circuited. At this time, the moving mechanism (3) starts moving the probes (la) (lb) along one end of the conductor pattern (8). At this time, a voltage of 5V is applied to the probes (la) (lb). This probe (la)
(lb) is short-circuited conductor pattern (8a)
When reaching point (8b), a current flows through the shorted portion between the conductor pattern (8a) and the conductor pattern (8b). When such a current flows, the control section (6)
stops the moving mechanism (3) at that position, switches the voltage of the electric current (2), and applies a voltage of 40 V to the probes (la) and (lb). Here, an infrared camera (4) photographs the conductor pattern (8). At this time, since the shorted portion has a large resistance value, it exceeds the amount of heat generated by the conductor path of the conductor pattern (8). An infrared camera (4) captures an image of infrared rays emitted during this heat generation, and the images are displayed on a monitor (5).
次に本発明の第２の実施例を説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described.
第２図は本発明の第２の実施例の装置の構成を示した構
成図である。被検査物である液晶用ガラス基板（１５）
の表面上に設けられた導電体パターン（１Ｂ）の配設ピ
ッチに合せたプローブを複数配設した接続端子（１１）
のプローブに、−本おきに４０Ｖの電圧を印加できる電
源（１２）が接続されている。液晶用ガラス基板（Ｉ５
）の導電体パターン（１Ｂ）全体を撮像可能に赤外線カ
メラ（１３）を配置しである。この赤外線カメラ（１３
）によって撮像された画像を表示可能なようにモニタ（
１４）に接続されている。FIG. 2 is a configuration diagram showing the configuration of an apparatus according to a second embodiment of the present invention. Glass substrate for liquid crystal (15) which is the object to be inspected
A connection terminal (11) in which a plurality of probes are arranged in accordance with the arrangement pitch of the conductor pattern (1B) provided on the surface of the
A power source (12) capable of applying a voltage of 40 V every other probe is connected to the probe. Glass substrate for liquid crystal (I5
) An infrared camera (13) is arranged so as to be able to image the entire conductor pattern (1B). This infrared camera (13
) to display images captured by the monitor (
14).
以下に第２の実施例の作用を説明する。The operation of the second embodiment will be explained below.
液晶用ガラス基板（１５）の導電体パターン（１Ｂ）の
中にショートしている導電体パターン（ｌｅａ） （１
８ｂ）とショートしている導電体パターン（１８ｃ）
（ｌａｄ）がある。このとき、接続端子（１１）の電圧
を印加させられたプローブより導電体パターン（ｌｅａ
）と導電体パターン（１６ｂ）との間にショート部分を
通して電圧を印加してないプローブへと電流が流れる。A conductor pattern (lea) (1) short-circuited in the conductor pattern (1B) of the liquid crystal glass substrate (15)
8b) and the conductor pattern (18c) short-circuited.
There is (lad). At this time, the conductor pattern (lea
) and the conductive pattern (16b) through the shorted portion to the probe to which no voltage is applied.
赤外線カメラ（１３）が液晶用ガラス基板（１５）を撮
影する。このとき、ショート部分は抵抗値が大きいので
導電体パターン（１Ｂ）の導電体路の発熱量を大幅に上
回る。この発熱に際して放射される赤外線を赤外線カメ
ラ（１３）が撮像し、モニタ（１３）に表示される。An infrared camera (13) photographs the liquid crystal glass substrate (15). At this time, since the resistance value of the shorted portion is large, the amount of heat generated by the conductor path of the conductor pattern (1B) is greatly exceeded. An infrared camera (13) captures an image of infrared rays emitted during this heat generation, and the images are displayed on a monitor (13).
以下に本発明の第３の実施例を示す。A third embodiment of the present invention will be shown below.
第３図は本発明の装置の基本的構成を示した構成図であ
る。被検査物である液晶用ガラス基板（３１）の表面上
に設けられた導電体パターン（３２）の配役ピッチに合
せた一組のプローブ（２１ａ） （２１ｂ）に５ｖと４
０Ｖの電圧を切替えられ、かつ電流の検出が可能な電源
（２２）が接続されている。また、この−組のプローブ
（２１ａ） （２１ｂ）は移動機構（２３）により液晶
用ガラス基板（３１）の導電体パターン（３２）の−端
に沿って移動可能なように取付けられている。FIG. 3 is a block diagram showing the basic structure of the apparatus of the present invention. A set of probes (21a) (21b) matched to the pitch of the conductor pattern (32) provided on the surface of the liquid crystal glass substrate (31), which is the object to be inspected, is connected to 5V and 4V.
A power source (22) that can switch the voltage of 0V and detect current is connected. Further, this set of probes (21a) and (21b) is mounted so as to be movable along the -edge of the conductor pattern (32) of the liquid crystal glass substrate (31) by a moving mechanism (23).
液晶用ガラス基板（３１）の導電体パターン（３２）全
体を撮像可能に赤外線カメラ（２４）を配置しである。An infrared camera (24) is arranged so as to be able to image the entire conductor pattern (32) of the liquid crystal glass substrate (31).
この赤外線カメラ（２４）によって撮像された画像信号
を受信可能に画像処理部（２５）に接続されている。It is connected to an image processing section (25) so as to be able to receive an image signal captured by this infrared camera (24).
また、移動機構（２３）の制御と、プローブ（２１ａ）
（２１ｂ）間の電流の検出、電源（２２）の電圧切替え
及び赤外線カメラ（２４）の制御とを行なえるように制
御部（２６）が接続されている。更に画像処理部（２５
）は撮像された画像を画像処理しモニタ（２７）に表示
できるように接続されている。また、この画像処理部（
２５）の処理データを受信可能にレーザ制御部（２８）
が接続され、このレーザ制御部（２８）によって制御さ
れるリペア用のＹＡＧレーザ発振器（２９）とこのレー
ザ発振器（２９）から射出されたレーザ光を走査する２
機のガルバノミラ−（３０ａ） （３０ｂ）が浸けられ
ている。In addition, the control of the moving mechanism (23) and the probe (21a)
A control unit (26) is connected so as to be able to detect the current between (21b), switch the voltage of the power source (22), and control the infrared camera (24). Furthermore, an image processing section (25
) is connected so that the captured image can be image-processed and displayed on a monitor (27). In addition, this image processing unit (
Laser control unit (28) capable of receiving processing data of 25)
is connected to a repair YAG laser oscillator (29) controlled by this laser control unit (28), and a laser beam emitted from this laser oscillator (29) is scanned.
The galvano mirrors (30a) and (30b) of the machine are immersed.
以下に第３の実施例の作用を説明する。The operation of the third embodiment will be explained below.
液晶用ガラス基板（３１）の導電体パターン（３２）の
中にショートしている導電体パターン（２６ａ） （２
６ｂ）がある。このとき、プローブ（２１ａ） （２１
ｂ）を移動機構（２３）が導電体パターン（３２）の一
端に沿って移動を開始させる。このときプローブ（２１
ａ）（２１ｂ）には５Ｖの電圧が印加されている。この
プローブ（２１ａ） （２１ｂ）がショートしている導
電体パターン（３２ａ） （３２ｂ）のところに来ると
、導電体パターン（３２ａ）と導電体パターン（３２ｂ
）との間にショート部分を通して電流が流れる。このよ
うな電流が流れると制御部（２６）は、その位置で移動
機構（２３）を停止し、電源（２２）の電圧を切替え、
プローブ（２１ａ） （２１ｂ）に４０Ｖの電圧を印加
する。ここで、赤外線カメラ（２４）が導電体パターン
（３２）を撮影する。A conductor pattern (26a) (2) short-circuited in the conductor pattern (32) of the liquid crystal glass substrate (31)
6b). At this time, the probe (21a) (21
b) The moving mechanism (23) starts moving the conductor pattern (32) along one end. At this time, the probe (21
a) A voltage of 5V is applied to (21b). When these probes (21a) (21b) come to the shorted conductor patterns (32a) (32b), the conductor patterns (32a) and (32b)
), current flows through the shorted part. When such a current flows, the control unit (26) stops the moving mechanism (23) at that position, switches the voltage of the power source (22),
A voltage of 40V is applied to the probes (21a) and (21b). Here, an infrared camera (24) photographs the conductor pattern (32).
このとき、ショート部分は抵抗値が大きいので導電体パ
ターン（３２）の導電体路の発熱量を上回る。At this time, since the resistance value of the shorted portion is large, the amount of heat generated is greater than that of the conductor path of the conductor pattern (32).
この発熱に際して放射される赤外線を赤外線カメラ（２
４）が撮像し、画像処理部（２５）に入力される。An infrared camera (2
4) captures the image and inputs it to the image processing section (25).
画像処理部（２５）に入力された画像は、画像処理を施
されモニタ（２７）に表示される。また、画像処理部（
２５）は画像処理により赤外線が放射されている極大点
を検出し、この検出された極大点の座標をレーザ制御部
（２８）に送信する。レーザ制御部（２８）はこのデー
タを受信すると、ＹＡＧレーザ発振器（２９）より射出
されるレーザ光を極大点°の座標を中心に導電体パター
ン（３２）の配役方向に平行に導電体パターン（３２）
と同じ幅だけレーザ光を走査させるようにガルバノミラ
−（３０ａ） （３０ｂ）を制御し、レーザ光の射出し
、ショート部分の切断を行う。The image input to the image processing section (25) is subjected to image processing and displayed on the monitor (27). In addition, the image processing unit (
25) detects the maximum point where infrared rays are emitted by image processing, and transmits the coordinates of the detected maximum point to the laser control unit (28). Upon receiving this data, the laser control unit (28) directs the laser beam emitted from the YAG laser oscillator (29) to the conductor pattern (32) parallel to the direction of distribution of the conductor pattern (32), centering on the coordinates of the maximum point °. 32)
The galvanometer mirrors (30a) and (30b) are controlled to scan the laser beam by the same width as the laser beam, and the laser beam is emitted and the short portion is cut.
（ここでレーザ光を導電体パターンと同じ幅だけ走査さ
せた理由は、ショート部分の幅が導電体パターン（３２
）の幅以上有るような場合は、先ず有り得ないと言う本
発明の着眼点により暫定的に定めたものであり、これは
画像処理部（２５）によりショート部分を切断できれば
良いものである。）こうしてショート部分を切断すると
、導電体パターン（３２ａ） （３２ｂ）間に電流が流
れなくなる。電流が流れなくなると制御部（２６）は電
源（２２）の電圧を５Ｖに切り替え、移動機構（２３）
を再稼動させ、上述の動作を行い始めるものである。(Here, the reason why the laser beam was scanned by the same width as the conductor pattern is that the width of the short part is the same as that of the conductor pattern (32
) is provisionally determined based on the viewpoint of the present invention that it is impossible, and it is sufficient if the short portion can be cut off by the image processing section (25). ) When the short-circuit portion is cut in this way, current no longer flows between the conductor patterns (32a) and (32b). When the current stops flowing, the control unit (26) switches the voltage of the power source (22) to 5V, and the moving mechanism (23)
The system restarts the system and starts performing the operations described above.
尚、第３の実施例はショート欠陥リペア用にＹＡＧレー
ザ発振器（２９）とレーザ制御部（２８）？ｊどを用い
たが、本発明のショート欠陥リペア装置は、ショート欠
陥リペア用の手段を特に限定するものではない。The third embodiment uses a YAG laser oscillator (29) and a laser control unit (28) for repairing short defects. However, the short defect repair apparatus of the present invention does not particularly limit the means for repairing short defects.
［発明の効果］
上述のようにショート欠陥検査方法とこの方法を用いた
ショート欠陥検査装置及びショート欠陥リペア装置を構
成することで、従来の方法を用いた装置ではショート部
分の存在する一組の導電体パターンつまり一次元的な検
出しかできなかったものを、２次元的に検出することが
可能となった。[Effects of the Invention] By configuring the short defect inspection method and the short defect inspection apparatus and short defect repair apparatus using this method as described above, the apparatus using the conventional method can detect a set of short parts where short parts exist. Conductor patterns, which could only be detected one-dimensionally, can now be detected two-dimensionally.
第１図は本発明の一実施例の構成を示した構成図、第２
図は本発明の第２の実施例の構成を示した構成図、第３
図は本発明の第３の実施例の構成を示した構成図、第４
図は従来のパターンショート欠陥検査装置の基本的な構
成を示した構成図である。
ｌａ、 ｌｂ・・・プローブ
２・・・赤外線テレビカメラ
３・・・モニタ、 ５・・・液晶用ガラス基板６・・
・導電体パターン、 ７・・・電源８・・・駆動機構、
９・・・制御部Fig. 1 is a block diagram showing the structure of an embodiment of the present invention;
The figure is a configuration diagram showing the configuration of the second embodiment of the present invention;
The figure is a configuration diagram showing the configuration of a third embodiment of the present invention, and a fourth embodiment.
The figure is a configuration diagram showing the basic configuration of a conventional pattern short defect inspection device. la, lb...probe 2...infrared television camera 3...monitor 5...glass substrate for liquid crystal 6...
・Conductor pattern, 7...Power supply 8...Drive mechanism,
9...control unit
Claims (3)
れている導電体パターンのショート欠陥検査方法におい
て、予め定まった電圧を所定の導電体パターンに印加す
る電圧印加工程と、この電圧印加工程により電圧を印加
された被検査物の導電体パターンから放射される赤外線
を検出する赤外線検出工程と、この赤外線検出工程の検
出結果からショート欠陥の位置を検出するショート欠陥
検出工程とを具備することを特徴とするショート欠陥検
査方法。(1) A method for inspecting short defects in conductor patterns that are insulated from each other on a test object placed at a predetermined position; The method includes an infrared detection step of detecting infrared rays emitted from a conductive pattern of an object to be inspected to which a voltage is applied during the process, and a short defect detection step of detecting the position of a short defect from the detection result of this infrared detection step. A short defect inspection method characterized by:
れている導電体パターンのショート欠陥検査方法におい
て、予め定まった電圧を所定の導電体パターンに印加す
る電圧印加手段と、この電圧印加手段により電圧を印加
された被検査物のパターン全体を検査領域に持つ赤外線
検出手段と、この赤外線検出手段からの信号によりショ
ート欠陥の位置を検出するショート欠陥検出手段とを具
備することを特徴とするショート欠陥検査装置。(2) In a method for inspecting short-circuit defects in conductor patterns that are insulated from each other on an object to be inspected and placed at a predetermined position, a voltage applying means for applying a predetermined voltage to a predetermined conductor pattern; The present invention is characterized by comprising an infrared detection means whose inspection area covers the entire pattern of the object to be inspected to which a voltage is applied by the means, and a short-circuit defect detection means that detects the position of the short-circuit defect based on a signal from the infrared detection means. Short defect inspection equipment.
れている導電体パターンのショート欠陥検査方法におい
て、予め定まった電圧を所定の導電体パターンに印加す
る電圧印加手段と、この電圧印加手段により電圧を印加
された被検査物のパターン全体を検査領域に持つ赤外線
検出手段と、この赤外線検出手段からの信号によりショ
ート欠陥の位置を検出するショート欠陥検出手段と、こ
のショート欠陥検出手段の検出結果に基づきショート欠
陥を補修するショート欠陥補修手段とを具備することを
特徴とするショート欠陥レペア装置。(3) In a method for inspecting short-circuit defects in conductor patterns that are insulated from each other on an object to be inspected and placed at a predetermined position, a voltage applying means for applying a predetermined voltage to a predetermined conductor pattern; an infrared detecting means having an entire pattern of an object to be inspected to which a voltage is applied by the means as an inspection area; a short defect detecting means detecting the position of a short defect based on a signal from the infrared detecting means; 1. A short defect repair device comprising: short defect repair means for repairing a short defect based on a detection result.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63009610A JPH01185454A (en) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | Method and apparatus for inspecting shortcircuit failure and shortcircuit failure repairing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63009610A JPH01185454A (en) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | Method and apparatus for inspecting shortcircuit failure and shortcircuit failure repairing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01185454A true JPH01185454A (en) | 1989-07-25 |
Family
ID=11725067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63009610A Pending JPH01185454A (en) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | Method and apparatus for inspecting shortcircuit failure and shortcircuit failure repairing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01185454A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0452532A (en) * | 1990-06-20 | 1992-02-20 | Nippon Avionics Co Ltd | Measuring apparatus of distribution of stress of infrared rays |
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| CN106124917A (en) * | 2016-08-17 | 2016-11-16 | 深圳晶华显示器材有限公司 | A kind of probe test LCD short-circuiting means |
-
1988
- 1988-01-21 JP JP63009610A patent/JPH01185454A/en active Pending
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