JP2009121894A - Method and device for inspecting defect of conductor pattern - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and device for inspecting a conductor pattern that dispense with acquisition of the whole substrate image, capable of detecting a defective spot on the transparent conductor pattern in a short time. <P>SOLUTION: A probe 15a is connected to each left end of odd-numbered conductor patterns 31, and a probe 15b is connected to each right end of even-numbered conductor patterns 31, and a prescribed voltage is applied between the probes 15a, 15b. When some conductor pattern 31 has a short circuit defect, a current flows through the conductor pattern 31 to generate heat. An infrared camera 12 is moved in a direction perpendicular to the conductor patterns 31, to thereby detect a heat-generating conductor pattern 31. Then, the infrared camera 31 is moved along the heat-generating conductor pattern 31, to thereby detect a heat-generating spot of a part out of a straight line, and the position is stored as a short circuit spot. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、コレステリック型液晶表示装置の配線の短絡や断線等の欠陥検出に好適な導電体パターンの欠陥検査方法及び欠陥検査装置に関する。   The present invention relates to a defect inspection method and a defect inspection apparatus for a conductor pattern suitable for detecting a defect such as a short circuit or disconnection of wiring of a cholesteric liquid crystal display device.

コレステリック型液晶表示装置の製造時には、ガラス等の基板の上にITO(Indium-Tin Oxide)等の光透過性の導電材料からなる多数の配線や電極等(以下、これらの配線や電極等を「導電体パターン」という)を形成した後、これらの導電体パターンの短絡や断線等の欠陥の有無を検出する電気検査が行われる。   When manufacturing a cholesteric liquid crystal display device, a large number of wirings and electrodes made of a light-transmitting conductive material such as ITO (Indium-Tin Oxide) on a substrate such as glass (hereinafter, these wirings and electrodes etc. After the formation of “conductor patterns”, an electrical inspection is performed to detect the presence or absence of defects such as short circuits or disconnections of these conductor patterns.

一般的に、電気検査は、各導電体パターンの端部にそれぞれプローブピンを接触させ、1本の導電体パターンの両端における電気抵抗や、相互に隣接する導電体パターン間の電気抵抗及び電気容量を測定することにより行っている。この電気検査により欠陥の有無を検出することは比較的容易であるが、欠陥を修復するためには欠陥個所を特定することが必要となる。   Generally, in the electrical inspection, probe pins are brought into contact with the end portions of each conductor pattern, and the electrical resistance at both ends of one conductor pattern, and the electrical resistance and capacitance between adjacent conductor patterns. It is done by measuring. Although it is relatively easy to detect the presence or absence of a defect by this electrical inspection, it is necessary to specify the defect location in order to repair the defect.

欠陥個所の特定には、作業者が拡大鏡(顕微鏡)を使用して基板を観察する方法と、カメラで基板を撮影し、画像処理を行って欠陥個所を自動的に検出する方法とがある。前者の方法では、作業者の負荷が大きく、また作業者により検出効率及び検出精度が大きく異なるという問題がある。   There are two methods for identifying a defect location: a method in which an operator observes a substrate using a magnifying glass (microscope), and a method in which the substrate is photographed with a camera and image processing is performed to automatically detect the defect location. . The former method has a problem that the load on the worker is large and the detection efficiency and detection accuracy differ greatly depending on the worker.

後者の方法では、作業者の負荷が小さく、作業を効率的に行うことができる。しかし、光透過性の導電材料からなる導電体パターンは光を透過するため、カメラで撮影した画像のコントラストが低く、検出ミスが発生しやすい。検出ミスを低減するために高解像度の光学系を使用することも考えられるが、そうすると検査装置のコストが高くなることに加え、画像処理に要する時間が長くなるという問題がある。また、基板に光を遮断する異物等が付着していると、コントラストが大きく変化して透明導電体パターンの欠陥検出が困難になるという問題もある。   In the latter method, the load on the worker is small and the work can be performed efficiently. However, since a conductor pattern made of a light-transmitting conductive material transmits light, the contrast of an image photographed by a camera is low, and detection errors are likely to occur. Although it is conceivable to use a high-resolution optical system in order to reduce detection errors, there is a problem in that this increases the cost of the inspection apparatus and increases the time required for image processing. In addition, when a foreign substance or the like that blocks light adheres to the substrate, there is a problem that the contrast changes greatly and it becomes difficult to detect a defect in the transparent conductor pattern.

特許文献1〜3には、導電体パターンに電圧を印加して抵抗発熱させ、赤外線カメラで基板を撮影して欠陥個所を検出することが提案されている。このような方法では、抵抗発熱している部分(通電している部分)とそうでない部分(通電していない部分)とのコントラストの差が大きい画像が得られるため、欠陥の有無の判定及び欠陥個所の特定が容易になるという利点がある。
特開平1−185454号公報 特開平5−340905号公報 特開平6−51011号公報
Patent Documents 1 to 3 propose that a voltage is applied to a conductor pattern to cause resistance heat generation, and a substrate is photographed with an infrared camera to detect a defective portion. In such a method, an image having a large contrast difference between a portion that generates resistance (a portion that is energized) and a portion that does not (the portion that is not energized) is obtained. There is an advantage that it is easy to specify the location.
JP-A-1-185454 JP-A-5-340905 JP-A-6-51011

しかしながら、本願発明者らは、上記の特許文献1〜3に記載された技術には以下に示す問題点があると考える。すなわち、特許文献1〜3に記載された方法では、いずれも基板の全体像を取り込んでいる。基板の全体像を取り込むためには、例えば高解像度の赤外線カメラを基板から離れた位置に配置して、この赤外線カメラにより基板の全体像を1度に撮影することが考えられる。しかし、この場合は、高解像度の赤外線カメラとそれに対応する高性能の画像処理装置とが必要となり、検査装置のコストが高くなる。   However, the present inventors consider that the techniques described in Patent Documents 1 to 3 described above have the following problems. That is, all the methods described in Patent Documents 1 to 3 capture the entire image of the substrate. In order to capture the entire image of the substrate, for example, a high-resolution infrared camera may be arranged at a position away from the substrate, and the entire image of the substrate may be taken at once by this infrared camera. However, in this case, a high-resolution infrared camera and a high-performance image processing apparatus corresponding to the high-resolution infrared camera are required, which increases the cost of the inspection apparatus.

比較的低解像度の赤外線カメラを基板の近くに配置し、赤外線カメラを基板に対し相対的に移動(スキャン)させて基板の全体像を取得することも考えられる。しかし、この場合は、基板の全体像を取得するまでに時間がかかり、スループットが低下する。   It is also conceivable to arrange a relatively low-resolution infrared camera near the substrate and move (scan) the infrared camera relative to the substrate to obtain an entire image of the substrate. However, in this case, it takes time to acquire the entire image of the substrate, and the throughput is reduced.

以上から、本発明の目的は、基板全体の画像を取得する必要がなく、透明導電体パターンの欠陥個所を短時間で検出できる導電体パターンの欠陥検査方法及び欠陥検査装置を提供することである。   As described above, an object of the present invention is to provide a conductor pattern defect inspection method and a defect inspection apparatus capable of detecting a defective portion of a transparent conductor pattern in a short time without obtaining an image of the entire substrate. .

本発明の一観点によれば、基板に形成された複数の導電体パターンの欠陥を検査する導電体パターンの欠陥検査方法において、前記複数の導電体パターンに電圧を印加する第1の工程と、赤外線検出器を前記複数の導電体パターンと交差する方向に移動させて前記導電体パターンが発熱しているか否かを調べる第2の工程とを有する導電体パターンの欠陥検査方法が提供される。   According to one aspect of the present invention, in a defect inspection method for a conductor pattern for inspecting a plurality of conductor pattern defects formed on a substrate, a first step of applying a voltage to the plurality of conductor patterns; There is provided a conductor pattern defect inspection method comprising a second step of examining whether or not the conductor pattern is generating heat by moving an infrared detector in a direction crossing the plurality of conductor patterns.

また、本発明の他の観点によれば、複数の導電体パターンが形成された基板が載置されるステージと、前記ステージの上方に配置された赤外線検出器と、前記赤外線検出器及び前記基板の少なくとも一方を、前記基板の面に平行な第1の方向に移動させる第1の移動機構と、前記赤外線検出器及び前記基板の少なくとも一方を、前記基板の面に平行かつ前記第1の方向に交差する第2の方向に移動させる第2の移動機構と、前記導電体パターンに電圧を印加する電圧印加部と、前記赤外線検出器から出力される信号に基づいて前記導電体パターンが発熱しているか否かを判定する主制御部とを有し、前記主制御部は、前記電圧印加部を制御して前記複数の導電体パターンに電圧を印加し、前記第1の移動機構及び前記第2の移動機構を制御して前記赤外線検出器を前記複数の導電体パターンと交差する方向に相対的に移動させ、前記赤外線検出器の出力に基づいて発熱している導電体パターンを検出する導電体パターンの欠陥検査装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, a stage on which a substrate on which a plurality of conductor patterns are formed is placed, an infrared detector disposed above the stage, the infrared detector, and the substrate. A first moving mechanism for moving at least one of the infrared detector and the substrate in a first direction parallel to the surface of the substrate; and at least one of the infrared detector and the substrate parallel to the surface of the substrate and the first direction The conductor pattern generates heat based on a second moving mechanism that moves in a second direction that intersects the voltage, a voltage applying unit that applies a voltage to the conductor pattern, and a signal output from the infrared detector. A main control unit that determines whether or not the voltage is applied to the plurality of conductor patterns by controlling the voltage application unit, and the first moving mechanism and the first control unit To control the two movement mechanisms Provided is a conductor pattern defect inspection device that detects the conductor pattern that generates heat based on the output of the infrared detector by moving the infrared detector relative to the direction intersecting the plurality of conductor patterns. Is done.

本発明において、例えば短絡検査時には、隣接する導電体パターン間に電圧を印加する。これらの導電体パターン間に短絡欠陥がない場合は、これらの導電体パターン間には電流が流れず、導電体パターンは発熱しない。一方、これらの導電体パターン間に短絡欠陥がある場合は、導電体パターンに電流が流れてジュール熱が発生し、導電体パターンが発熱する。赤外線検出器を導電体パターンと交差する方向に移動させながら赤外線検出器の出力を信号処理(画像処理)することにより、発熱している導電体パターン(すなわち、短絡欠陥を有する導電体パターン)と発熱していない導電体パターン(すなわち、短絡欠陥欠陥がない導電体パターン)とを区別することができる。   In the present invention, for example, during a short circuit inspection, a voltage is applied between adjacent conductor patterns. When there is no short circuit defect between these conductor patterns, no current flows between these conductor patterns, and the conductor patterns do not generate heat. On the other hand, when there is a short-circuit defect between these conductor patterns, current flows through the conductor pattern, Joule heat is generated, and the conductor pattern generates heat. By performing signal processing (image processing) on the output of the infrared detector while moving the infrared detector in a direction crossing the conductor pattern, a heat generating conductor pattern (that is, a conductor pattern having a short-circuit defect) and A conductor pattern that does not generate heat (that is, a conductor pattern having no short-circuit defect) can be distinguished.

短絡個所を有する導電体パターンを検出したときは、その導電体パターンに沿って赤外線検出器を移動し、導電体パターンの設計データに基づく判定基準から外れる発熱個所を検出する。例えば、直線状の導電体パターンの場合、直線から外れる発熱個所を検出したときに、その発熱個所を短絡個所とする。このようにして、本発明においては、欠陥個所を検出する。   When a conductor pattern having a short-circuit portion is detected, the infrared detector is moved along the conductor pattern, and a heat generation portion deviating from a criterion based on the design data of the conductor pattern is detected. For example, in the case of a linear conductor pattern, when a heat generation location deviating from the straight line is detected, the heat generation location is set as a short-circuit location. In this way, in the present invention, the defective portion is detected.

本発明においては、基板の全体像を取得するのではなく、赤外線検出器を導電体パターンと交差する方向に相対的に移動させて発熱している導電体パターンを検出し、その結果に基づいて欠陥の有無を判定する。このため、高解像度の赤外線カメラや高解像度の画像を処理するための高性能の画像処理装置が不要であり、装置コストを低減できるとともに検査に要する時間を短縮できるという効果を奏する。   In the present invention, instead of acquiring the entire image of the substrate, the infrared detector is moved in the direction intersecting the conductor pattern to detect the heat generating conductor pattern, and based on the result. Determine if there is a defect. This eliminates the need for a high-resolution infrared camera or a high-performance image processing apparatus for processing a high-resolution image, thereby reducing the apparatus cost and reducing the time required for the inspection.

以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電体パターンの欠陥検査装置の構成を示す模式図である。本実施形態においては、コレステリック型液晶表示装置用基板の導電体パターンの欠陥検出に適用した例について説明する。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic view showing the configuration of a conductor pattern defect inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention. In the present embodiment, an example in which the present invention is applied to defect detection of a conductor pattern of a substrate for a cholesteric liquid crystal display device will be described.

なお、コレステリック型液晶表示装置は、一対の透明基板間にコレステリック液晶を封入し、背面に光吸収層を配置した構造を有する反射型の表示装置である。一方の透明基板には横方向(X軸方向)に伸びる複数の透明導電体パターンが形成され、他方の透明基板には縦方向(Y軸方向)に伸びる複数の透明導電体パターンが形成されている。一方の基板に形成された透明導電体パターンと他方の基板に形成された透明導電体パターンとが交差する部分がそれぞれ画素となる。コレステリック液晶は、印加する電圧に応じて光を透過するフォーカルコニック状態又は特定の波長の光を反射するプレーナ状態に変化し、電圧の印加を停止してもその直前の状態を保持する。従って、電圧を供給しなくても文字又は画像等の表示が可能であり、消費電力が極めて少ない表示装置を実現できる。また、赤色光を反射する液晶パネルと、緑色光を反射する液晶パネルと、青色光を反射する液晶パネルとを重ね合せて、フルカラーの表示装置とすることも可能である。   The cholesteric liquid crystal display device is a reflective display device having a structure in which cholesteric liquid crystal is sealed between a pair of transparent substrates and a light absorption layer is disposed on the back surface. A plurality of transparent conductor patterns extending in the horizontal direction (X-axis direction) are formed on one transparent substrate, and a plurality of transparent conductor patterns extending in the vertical direction (Y-axis direction) are formed on the other transparent substrate. Yes. The portions where the transparent conductor pattern formed on one substrate intersects the transparent conductor pattern formed on the other substrate are pixels. The cholesteric liquid crystal changes to a focal conic state in which light is transmitted or a planar state in which light having a specific wavelength is reflected according to an applied voltage, and maintains the state immediately before the application of voltage is stopped. Therefore, it is possible to display a character or an image without supplying voltage and to realize a display device with extremely low power consumption. In addition, a liquid crystal panel that reflects red light, a liquid crystal panel that reflects green light, and a liquid crystal panel that reflects blue light can be overlapped to form a full-color display device.

図1に示すように、本実施形態に係る導電体パターンの欠陥検査装置は、ステージ11、赤外線カメラ(赤外線検出器)12、X軸ガイドレール13、Y軸ガイドレール14、プローブ15a,15b、主制御部16、X軸駆動制御部17、Y軸駆動制御部18、電圧印加部19、プローブ駆動部20、設計データ記憶部21及び欠陥個所記憶部22により構成されている。   As shown in FIG. 1, the conductor pattern defect inspection apparatus according to this embodiment includes a stage 11, an infrared camera (infrared detector) 12, an X-axis guide rail 13, a Y-axis guide rail 14, probes 15a and 15b, The main control unit 16, the X-axis drive control unit 17, the Y-axis drive control unit 18, the voltage application unit 19, the probe drive unit 20, the design data storage unit 21, and the defect location storage unit 22 are configured.

検査する基板30は、ステージ11上に載置される。ここでは、図1に示すように、基板30の表面にはITO等の透明導電体材料からなる多数の直線状の導電体パターン31が、X軸方向(横方向)に平行にかつY軸方向(縦方向)に一定の間隔で配列して形成されているものとする。   The substrate 30 to be inspected is placed on the stage 11. Here, as shown in FIG. 1, a large number of linear conductor patterns 31 made of a transparent conductor material such as ITO are formed on the surface of the substrate 30 in parallel to the X-axis direction (lateral direction) and in the Y-axis direction. It is assumed that they are arranged in the (vertical direction) at regular intervals.

赤外線カメラ12は、基板30の上方に配置される。この赤外線カメラ12は、X軸ガイドレール13によりX軸方向に移動可能に支持されている。また、X軸ガイドレール13は、Y軸ガイドレール14によりY軸方向に移動可能に支持されている。赤外線カメラ12のX軸方向及びY軸方向の位置は、主制御部16によりX軸駆動制御部17及びY軸駆動制御部18を介して制御される。なお、X軸駆動制御部17及びY軸駆動制御部18にはそれぞれ赤外線カメラ12のX軸方向の位置及びY軸方向の位置を検出するエンコーダ(図示せず)が設けられており、主制御部16はこれらのエンコーダの出力により赤外線カメラ12の位置(X座標及びY座標)を知ることができる。   The infrared camera 12 is disposed above the substrate 30. The infrared camera 12 is supported by an X-axis guide rail 13 so as to be movable in the X-axis direction. The X-axis guide rail 13 is supported by the Y-axis guide rail 14 so as to be movable in the Y-axis direction. The positions of the infrared camera 12 in the X-axis direction and the Y-axis direction are controlled by the main control unit 16 via the X-axis drive control unit 17 and the Y-axis drive control unit 18. The X-axis drive control unit 17 and the Y-axis drive control unit 18 are provided with encoders (not shown) that detect the position of the infrared camera 12 in the X-axis direction and the Y-axis direction, respectively. The unit 16 can know the position (X coordinate and Y coordinate) of the infrared camera 12 from the output of these encoders.

プローブ15a,15bは、その下側に複数のプローブピン(図示せず)が設けられている。プローブ15aはプローブ駆動部20により駆動され、導電体パターン31の左側の端部にプローブピンを接触させる。また、プローブ15bはプローブ駆動部20により駆動され、導電体パターン31の右側の端部にプローブピンを接触させる。   The probes 15a and 15b are provided with a plurality of probe pins (not shown) on the lower side thereof. The probe 15 a is driven by the probe driving unit 20, and a probe pin is brought into contact with the left end portion of the conductor pattern 31. In addition, the probe 15 b is driven by the probe driving unit 20 to bring a probe pin into contact with the right end of the conductor pattern 31.

電圧印加部19は、主制御部16からの信号に基づき、プローブ15a,15bを介して所定の導電体パターン31に所定の電圧を供給する。   The voltage application unit 19 supplies a predetermined voltage to the predetermined conductor pattern 31 via the probes 15a and 15b based on a signal from the main control unit 16.

設計データ記憶部21には、導電体パターン31の設計データが記憶される。主制御部16は、設計データ記憶部21に記憶されている設計データから検査対象の導電体パターン31の規則性を抽出する。導電体パターンの規則性は、その導電体パターンの形状の概略を示すデータであり、欠陥の有無の判定に用いられる。例えば、本実施形態では導電体パターン31がいずれもX軸に平行な直線であるので、主制御部16は導電体パターン31の規則性として、導電体パターン31の始点と終点との間が連続的につながっており、かつX座標の急激な変化がないことを欠陥無しの判定条件(判定基準)とする。   The design data storage unit 21 stores design data for the conductor pattern 31. The main control unit 16 extracts the regularity of the conductor pattern 31 to be inspected from the design data stored in the design data storage unit 21. The regularity of the conductor pattern is data indicating an outline of the shape of the conductor pattern, and is used for determining the presence or absence of a defect. For example, in this embodiment, since all the conductor patterns 31 are straight lines parallel to the X axis, the main controller 16 has a regularity between the conductor patterns 31 so that the start point and the end point of the conductor patterns 31 are continuous. It is determined that there is no defect and that there is no sudden change in the X coordinate.

主制御部16は、X軸駆動制御部17、Y軸駆動制御部18、電圧印加部19及びプローブ駆動部20を制御するとともに、赤外線カメラ12から出力される信号を入力して画像処理を行う。そして、上述の導電体パターンの規則性に基づいて欠陥の有無を判定し、欠陥有りと判定した場合はそのときの赤外線カメラ12のX座標及びY座標の位置を欠陥個所の位置として欠陥個所記憶部22に記憶する。   The main control unit 16 controls the X-axis drive control unit 17, the Y-axis drive control unit 18, the voltage application unit 19, and the probe drive unit 20, and inputs a signal output from the infrared camera 12 to perform image processing. . Then, the presence / absence of a defect is determined based on the regularity of the conductor pattern described above, and when it is determined that there is a defect, the position of the X coordinate and the Y coordinate of the infrared camera 12 at that time is stored as a defect location. Store in unit 22.

以下、本実施形態に係る導電体パターンの欠陥検査方法について、図2に示すフローチャート及び図3〜図5に示す模式図を参照して説明する。なお、ここでは、短絡欠陥を検出する場合の動作について説明する。また、ここでは、図3,図4に破線円で囲んだ部分に短絡欠陥が発生しているものとする。   Hereinafter, the defect inspection method for the conductor pattern according to the present embodiment will be described with reference to the flowchart shown in FIG. 2 and the schematic diagrams shown in FIGS. Here, the operation when a short-circuit defect is detected will be described. Here, it is assumed that a short-circuit defect has occurred in a portion surrounded by a broken-line circle in FIGS.

短絡欠陥を検出する場合、ステップS11において、主制御部16はプローブ駆動部20を制御して、図4に示すようにプローブ15aのプローブピンを奇数番目の導電体パターン31の左端部に接続し、プローブ15bのプローブピンを偶数番目の導電体パターン31の右端部に接続する。そして、ステップS12に移行し、電圧印加部19を制御してプローブ15a,15b間に所定の電圧を供給する。プローブ15a,15b間に供給する電圧は、直流電圧でもよく、交流電圧でもよい。また、三角波若しくは矩形波の交番電圧でもよい。   When detecting a short-circuit defect, in step S11, the main control unit 16 controls the probe driving unit 20 to connect the probe pin of the probe 15a to the left end portion of the odd-numbered conductor pattern 31 as shown in FIG. The probe pin of the probe 15 b is connected to the right end portion of the even-numbered conductor pattern 31. In step S12, the voltage application unit 19 is controlled to supply a predetermined voltage between the probes 15a and 15b. The voltage supplied between the probes 15a and 15b may be a DC voltage or an AC voltage. Further, an alternating voltage of a triangular wave or a rectangular wave may be used.

短絡欠陥がない場合は、奇数番目の導電体パターン31と偶数番目の導電体パターン31とがつながっていないため、導電体パターン31は発熱しない。しかし、図3,図4に示すように短絡欠陥がある場合は、図4中に太線で示すように電流が流れてジュール熱が発生し、電流が流れた部分の導電体パターン31の温度が上昇する。   When there is no short circuit defect, the odd-numbered conductor pattern 31 and the even-numbered conductor pattern 31 are not connected, and thus the conductor pattern 31 does not generate heat. However, when there is a short-circuit defect as shown in FIGS. 3 and 4, current flows as shown by a thick line in FIG. 4 to generate Joule heat, and the temperature of the conductor pattern 31 in the portion where the current flows is To rise.

プローブ15a,15b間に所定の電圧を印加し、短絡した導電体パターン31の温度が十分上昇するのに要する時間が経過した後、ステップS13に移行する。そして、主制御部16は、X軸駆動制御部17及びY軸駆動制御部18を制御して、図4に示すように赤外線カメラ12を第1行目(最上部)の導電体パターン31の右端上部に移動させる。その後、ステップS14に移行し、主制御部16はY軸駆動制御部18を制御して赤外線カメラ12を図4中矢印Aで示すように+Y方向(上から下)に一定の速度で移動させながら、赤外線カメラ12で撮影した画像を画像処理して、発熱している(一定量以上の赤外線を放出している)導電体パターン31の有無を判定する。発熱している導電体パターン31を検出したときは、その位置(Y座標)を記憶しておく。   After a predetermined voltage is applied between the probes 15a and 15b and a time required for the temperature of the shorted conductor pattern 31 to sufficiently rise has elapsed, the process proceeds to step S13. Then, the main control unit 16 controls the X-axis drive control unit 17 and the Y-axis drive control unit 18 to make the infrared camera 12 of the conductor pattern 31 in the first row (uppermost part) as shown in FIG. Move to the upper right corner. Thereafter, the process proceeds to step S14, where the main control unit 16 controls the Y-axis drive control unit 18 to move the infrared camera 12 in the + Y direction (from top to bottom) at a constant speed as indicated by the arrow A in FIG. On the other hand, the image captured by the infrared camera 12 is subjected to image processing to determine the presence or absence of the conductor pattern 31 that generates heat (emits a certain amount or more of infrared rays). When the heat generating conductive pattern 31 is detected, the position (Y coordinate) is stored.

赤外線カメラ12が最終行(最下部)の導電体パターン31を通過したら、ステップS15に移行し、主制御部16は発熱している導電体パターン31が有ったか否かを判定する。ここで、発熱している導電体パターン31が無かったと判定した場合(NOの場合)は、短絡欠陥がないものとして短絡検査を終了する。   When the infrared camera 12 passes through the conductor pattern 31 in the last row (lowermost part), the process proceeds to step S15, and the main control unit 16 determines whether or not there is a conductor pattern 31 that generates heat. Here, if it is determined that there is no heat-generating conductor pattern 31 (in the case of NO), the short-circuit inspection is terminated assuming that there is no short-circuit defect.

一方、ステップS15において発熱している導電体パターン31が有ったと判定した場合(YESの場合)は、ステップS16に移行する。そして、主制御部16は、Y軸駆動制御部18を制御して赤外線カメラ12を発熱している導電体パターン31の右端の位置まで移動させる。   On the other hand, when it is determined in step S15 that there is a conductor pattern 31 that generates heat (in the case of YES), the process proceeds to step S16. The main control unit 16 controls the Y-axis drive control unit 18 to move the infrared camera 12 to the right end position of the conductor pattern 31 that is generating heat.

その後、ステップS17に移行し、主制御部16はX軸駆動制御部17を制御し、図5に示すように発熱している導電体パターン31に沿って赤外線カメラ12を左方向(X軸方向)に移動させる。また、主制御部16は、赤外線カメラ12で撮影した画像を画像処理し、その結果に基づいて発熱している導電体パターン31が赤外線カメラ12の視野の中央に位置するようにY軸駆動制御部18を制御して、赤外線カメラ12の位置を調整する。そして、主制御部16は、X軸駆動制御部17及びY軸駆動制御部18から取得される赤外線カメラ12のX座標及びY座標を監視し、赤外線カメラ12の移動が導電体パターンの規則性に適合しているか否かを判定する。   Thereafter, the process proceeds to step S17, where the main control unit 16 controls the X-axis drive control unit 17, and moves the infrared camera 12 to the left (X-axis direction) along the heat-generating conductor pattern 31 as shown in FIG. ). Further, the main control unit 16 performs image processing on an image photographed by the infrared camera 12, and based on the result, Y-axis drive control is performed so that the heat-generating conductor pattern 31 is located at the center of the visual field of the infrared camera 12. The unit 18 is controlled to adjust the position of the infrared camera 12. The main control unit 16 monitors the X and Y coordinates of the infrared camera 12 acquired from the X-axis drive control unit 17 and the Y-axis drive control unit 18, and the movement of the infrared camera 12 is the regularity of the conductor pattern. It is determined whether or not it conforms to.

導電体パターンの規則性に適合している場合、すなわち赤外線カメラ12の移動が直線的である箇所は欠陥個所でないと判定する。一方、導電体パターンの規則性から外れる場合、すなわち赤外線カメラ12がY軸方向に急激に移動した場合は、その場所を欠陥個所と判定する。そして、ステップS18において、そのときの赤外線カメラ12の位置(X座標及びY座標)を欠陥個所の位置として欠陥個所記憶部22に記憶する。   If it conforms to the regularity of the conductor pattern, that is, a portion where the movement of the infrared camera 12 is linear is determined not to be a defective portion. On the other hand, when the regularity of the conductor pattern deviates, that is, when the infrared camera 12 moves suddenly in the Y-axis direction, the location is determined as a defective portion. In step S18, the position (X coordinate and Y coordinate) of the infrared camera 12 at that time is stored in the defect location storage unit 22 as the position of the defect location.

このようにして、短絡欠陥の有無が自動的に検査され、短絡欠陥が有ると判定した場合は欠陥箇所の位置(X座標及びY座標)が欠陥箇所記憶部22に記憶される。なお、発熱している導電体パターン31が複数ある場合は、それぞれの導電体パターン31についてステップS16からステップS18までの処理を行う。また、短絡欠陥は、例えば短絡検査工程の後の修復工程でレーザにより短絡個所を切断することにより修復される。   In this way, the presence / absence of a short-circuit defect is automatically inspected, and when it is determined that there is a short-circuit defect, the position (X coordinate and Y coordinate) of the defective part is stored in the defective part storage unit 22. If there are a plurality of conductor patterns 31 that generate heat, the processes from step S16 to step S18 are performed for each conductor pattern 31. In addition, the short-circuit defect is repaired by cutting the short-circuit portion with a laser in a repair process after the short-circuit inspection process, for example.

本実施形態では、上述したように、各導電体パターン31に電圧を印加した状態で赤外線カメラ(赤外線検出器)12を導電体パターン31と交差する方向(上記の例では+Y方向)に移動させて短絡欠陥が発生している導電体パターンを検出し、次に短絡が発生している導電体パターン31に沿って赤外線カメラ12を移動させて短絡個所を特定する。従って、従来のように基板の全体像を取得する必要がなく、短絡検査に要する時間が短縮される。また、赤外線カメラ12は基板30の一部を撮影するだけであるので、比較的低解像度のものでよく、装置コストを低減できるという利点もある。   In the present embodiment, as described above, the infrared camera (infrared detector) 12 is moved in a direction intersecting the conductor pattern 31 (+ Y direction in the above example) while a voltage is applied to each conductor pattern 31. Then, the conductor pattern in which the short-circuit defect has occurred is detected, and then the infrared camera 12 is moved along the conductor pattern 31 in which the short-circuit has occurred to identify the short-circuit portion. Therefore, it is not necessary to acquire the entire image of the substrate as in the prior art, and the time required for the short circuit inspection is shortened. Further, since the infrared camera 12 only shoots a part of the substrate 30, it may have a relatively low resolution, and there is an advantage that the apparatus cost can be reduced.

更に、本実施形態では、単に発熱量により短絡個所を特定するのではなく、導電体パターンの規則性からのずれにより短絡個所を特定するので、短絡個所の面積が大きく発熱量が少ない場合であっても、短絡個所の特定が容易である。   Furthermore, in the present embodiment, the short-circuit portion is specified not by the calorific value, but by the deviation from the regularity of the conductor pattern, so that the area of the short-circuit portion is large and the calorific value is small. However, it is easy to identify the short-circuit point.

次に、断線欠陥の有無の検査時の動作について、図6に示す模式図及び図7に示すフローチャートを参照して説明する。なお、ここでは、図6に破線円で囲んだ部分に断線欠陥が発生しているものとする。   Next, the operation at the time of inspection for the presence or absence of a disconnection defect will be described with reference to the schematic diagram shown in FIG. 6 and the flowchart shown in FIG. Here, it is assumed that a disconnection defect occurs in a portion surrounded by a broken-line circle in FIG.

断線欠陥を検出する場合、ステップS21において、主制御部16はプローブ駆動部20を制御して、図6に示すようにプローブ15aのプローブピンを各導電体パターン31の左端部に接続し、プローブ15bのプローブピンを各導電体パターン31の右端部に接続する。そして、ステップS22に移行し、電圧印加部19を制御してプローブ15a、15b間に所定の電圧を印加する。   When detecting a disconnection defect, in step S21, the main control unit 16 controls the probe driving unit 20 to connect the probe pin of the probe 15a to the left end of each conductor pattern 31 as shown in FIG. The probe pin 15b is connected to the right end of each conductor pattern 31. In step S22, the voltage application unit 19 is controlled to apply a predetermined voltage between the probes 15a and 15b.

断線欠陥がない場合は、導電体パターン31に電流が流れてジュール熱が発生する。しかし、図6に示すように断線欠陥がある場合は、その導電体パターン31には電流が流れないため、導電体パターン31は発熱しない。   When there is no disconnection defect, current flows through the conductor pattern 31 and Joule heat is generated. However, when there is a disconnection defect as shown in FIG. 6, no current flows through the conductor pattern 31, so the conductor pattern 31 does not generate heat.

プローブ15a、15b間に所定の電圧を印加し、導電体パターン31の温度が十分に上昇するのに要する時間が経過した後、ステップS23に移行する。そして、主制御部16はX軸駆動制御部17及びY軸駆動制御部18を制御して、図6に示すように赤外線カメラ12を第1行目(最上部)の導電体パターン31の右端上部に移動させる。その後、ステップS24に移行し、主制御部16はY軸駆動制御部18を制御して赤外線カメラ12を図6中矢印Aで示すように+Y方向(上から下)に一定の速度で移動させて、発熱していない(赤外線の放出量が少ない)導電体パターン31を検出する。発熱していない導電体パターン31を検出したときは、その位置(Y座標)を記憶しておく。   After a predetermined voltage is applied between the probes 15a and 15b and a time required for the temperature of the conductor pattern 31 to sufficiently rise has elapsed, the process proceeds to step S23. Then, the main control unit 16 controls the X-axis drive control unit 17 and the Y-axis drive control unit 18 so that the infrared camera 12 is placed at the right end of the conductor pattern 31 in the first row (uppermost part) as shown in FIG. Move to the top. Thereafter, the process proceeds to step S24, where the main control unit 16 controls the Y-axis drive control unit 18 to move the infrared camera 12 in the + Y direction (from top to bottom) at a constant speed as indicated by arrow A in FIG. Thus, the conductor pattern 31 that does not generate heat (the amount of emitted infrared rays is small) is detected. When the conductor pattern 31 that does not generate heat is detected, the position (Y coordinate) is stored.

赤外線カメラ12が最終行の導電体パターン31を通過したら、ステップS25に移行し、主制御部16はX軸駆動制御部17を制御して、赤外線カメラ12を最終行の導電体パターン31の左端下部に移動させる。その後、ステップS26に移行し、主制御部16は、Y軸駆動制御部18を制御して赤外線カメラ12を図6中破線矢印Bで示すように−Y方向(下から上)に一定の速度で移動させて、発熱していない導電体パターン31を検出する。   When the infrared camera 12 passes the conductor pattern 31 in the last row, the process proceeds to step S25, and the main control unit 16 controls the X-axis drive control unit 17 to make the infrared camera 12 the left end of the conductor pattern 31 in the last row. Move to the bottom. Thereafter, the process proceeds to step S26, and the main control unit 16 controls the Y-axis drive control unit 18 to move the infrared camera 12 at a constant speed in the -Y direction (from bottom to top) as indicated by the broken line arrow B in FIG. To detect the conductor pattern 31 not generating heat.

次いで、ステップS27に移行し、主制御部16は発熱していない(断線している)導電体パターン31の位置を欠陥個所記憶部22に記憶する。このようにして、本実施形態に係る導電体パターン検査装置では、断線が発生している導電体パターン31を自動的に検出することができる。   Next, the process proceeds to step S <b> 27, and the main control unit 16 stores the position of the conductor pattern 31 that is not generating heat (disconnected) in the defect location storage unit 22. In this manner, the conductor pattern inspection apparatus according to the present embodiment can automatically detect the conductor pattern 31 in which a disconnection has occurred.

上述したように、本実施形態によれば、断線検査の場合も、基板30の全体像を取得する必要がなく、高価な高解像度の赤外線カメラが不要であり、検査に要する時間が短縮されるという利点がある。   As described above, according to the present embodiment, it is not necessary to acquire the entire image of the substrate 30 even in the case of the disconnection inspection, and an expensive high-resolution infrared camera is unnecessary, and the time required for the inspection is shortened. There is an advantage.

(第2の実施形態)
図8は、本発明の第2の実施形態に係る導電体パターンの欠陥検査装置の構成を示す模式図である。本実施形態が第1の実施形態と異なる点は短絡欠陥修復用のレーザ装置が設けられていることにあり、その他の構成は基本的に第1の実施形態と同様であるので、図8において図1と同一物には同一符号を付し、その詳しい説明は省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 8 is a schematic diagram showing a configuration of a conductor pattern defect inspection apparatus according to the second embodiment of the present invention. This embodiment is different from the first embodiment in that a laser device for repairing a short-circuit defect is provided, and other configurations are basically the same as those of the first embodiment. The same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施形態においては、X軸ガイドレール13に、赤外線カメラ12とともに短絡欠陥修復用のレーザ装置41が支持されている。これらの赤外線カメラ12及びレーザ装置41は、X軸ガイドレール13に沿って一体的に移動する。赤外線カメラ12とレーザ装置41との間隔(オフセット量Δx)は、主制御部16に記憶されている。   In the present embodiment, a laser device 41 for short-circuit defect repair is supported on the X-axis guide rail 13 together with the infrared camera 12. The infrared camera 12 and the laser device 41 move integrally along the X-axis guide rail 13. The interval (offset amount Δx) between the infrared camera 12 and the laser device 41 is stored in the main control unit 16.

以下、本実施形態の欠陥検査装置を用いた短絡欠陥検査時の動作について説明する。ここでも、図3,図4を参照する。   Hereinafter, the operation at the time of short-circuit defect inspection using the defect inspection apparatus of the present embodiment will be described. Again, reference is made to FIGS.

まず、第1の実施形態と同様に、主制御部16はプローブ駆動部20を制御して、奇数番目の導電体パターン31の左端部にプローブ15aのプローブピンを接触させ、偶数番目の導電体パターン31の右端部にプローブ15bのプローブピンを接触させる。その後、主制御部16は、電圧印加部19を制御して、プローブ15a,15b間に所定の電圧を印加する。   First, as in the first embodiment, the main control unit 16 controls the probe driving unit 20 to bring the probe pin of the probe 15a into contact with the left end portion of the odd-numbered conductor pattern 31 so as to contact the even-numbered conductor. The probe pin of the probe 15 b is brought into contact with the right end portion of the pattern 31. Thereafter, the main control unit 16 controls the voltage application unit 19 to apply a predetermined voltage between the probes 15a and 15b.

次に、主制御部16は、X軸駆動制御部17及びY軸駆動制御部18を制御し、赤外線カメラ12を第1行目(最上部)の導電体パターン31の右端上部に配置し、その後赤外線カメラ12を+Y方向(上から下)に移動させる。このとき、主制御部16は、赤外線カメラ12で撮影した画像を画像処理して、発熱している導電体パターン31の有無を判定する。発熱している導電体パターン31を検出したときは、その位置を記憶しておく。   Next, the main control unit 16 controls the X-axis drive control unit 17 and the Y-axis drive control unit 18, and arranges the infrared camera 12 at the upper right end of the conductor pattern 31 in the first row (top), Thereafter, the infrared camera 12 is moved in the + Y direction (from top to bottom). At this time, the main control unit 16 performs image processing on the image captured by the infrared camera 12 and determines the presence or absence of the conductive pattern 31 that generates heat. When the heat generating conductor pattern 31 is detected, the position is stored.

赤外線カメラ12が最終行(最下部)の導電体パターン31の上を通過した後、主制御部16は発熱している導電体パターンが有ったか否かを判定する。ここで、発熱している導電体パターンが無かったと判定したときは、短絡欠陥が無いものとして短絡検査を終了する。   After the infrared camera 12 passes over the conductor pattern 31 in the last row (lowermost part), the main control unit 16 determines whether or not there is a conductor pattern that generates heat. Here, when it is determined that there is no heat-generating conductor pattern, the short-circuit inspection is terminated assuming that there is no short-circuit defect.

一方、発熱している導電体パターン31が有ったと判定したときには、主制御部16は赤外線カメラ12を発熱している導電体パターン31の右端の位置まで移動させる。その後、図9(a)に示すように、発熱している導電体パターン31に沿って赤外線カメラ12を左方向に移動させつつ、主制御部16により赤外線カメラ12で撮影した画像を画像処理して、導電体パターンの規則性から外れる箇所、すなわち短絡箇所を検出する。そして、短絡箇所を検出した場合は、その位置を欠陥個所記憶部22に記憶する。ここまでの工程は、第1の実施形態と基本的に同じである。   On the other hand, when it is determined that there is a conductor pattern 31 that generates heat, the main control unit 16 moves the infrared camera 12 to the right end position of the conductor pattern 31 that generates heat. Thereafter, as shown in FIG. 9A, the main control unit 16 performs image processing on the image captured by the infrared camera 12 while moving the infrared camera 12 to the left along the conductive pattern 31 that generates heat. Thus, a location deviating from the regularity of the conductor pattern, that is, a short-circuit location is detected. And when a short circuit location is detected, the position is memorize | stored in the defect location memory | storage part 22. FIG. The steps up to here are basically the same as those in the first embodiment.

次に、主制御部16は、オフセットΔx分だけ赤外線カメラ12及びレーザ装置41を移動し、レーザ装置41を短絡個所の上方に配置する。そして、図9(b)に示すように、レーザ装置41を駆動し短絡個所を切断する。この場合に、一般的にレーザ装置にはレーザ照射位置を確認するために光学顕微鏡が設けられているので、主制御部16はレーザ装置に設けられた光学顕微鏡の画像をCCD(charge-coupled device)等の素子を介して取得し、その画像に基づいて切断箇所の決定とレーザ装置の焦点距離の最適化等の処理を行う。   Next, the main control unit 16 moves the infrared camera 12 and the laser device 41 by the offset Δx, and arranges the laser device 41 above the short-circuit portion. And as shown in FIG.9 (b), the laser apparatus 41 is driven and a short circuit location is cut | disconnected. In this case, since the laser device is generally provided with an optical microscope for confirming the laser irradiation position, the main control unit 16 converts the image of the optical microscope provided in the laser device into a charge-coupled device (CCD). ) And the like, and processing such as determination of the cutting location and optimization of the focal length of the laser device is performed based on the image.

このようにして、本実施形態の欠陥検査装置によれば、導電体パターン31の短絡個所の検出及び修復が自動的に行われる。なお、欠陥の修復が行われた基板は、再度欠陥検査を行って欠陥が除去されていることを確認することが好ましい。   Thus, according to the defect inspection apparatus of the present embodiment, the detection and repair of the short-circuited portion of the conductor pattern 31 is automatically performed. Note that it is preferable that the substrate on which the defect has been repaired is subjected to defect inspection again to confirm that the defect has been removed.

上述の第1及び第2の実施形態では、いずれも短絡欠陥検出時に図10(a)に括弧付きの数字で示す順番で赤外線カメラ12を移動させている。すなわち、赤外線カメラ12をY軸方向に最終行の導電体パターン31の上まで移動させて発熱している導電体パターン31を検出し、その後赤外線カメラ12を発熱している導電体パターン31に沿ってX軸方向に移動させて各導電体パターン31の短絡個所を特定している。しかし、図10(b)に括弧付きの数字で示す順番で赤外線カメラ12を移動させてもよい。すなわち、赤外線カメラ12をY軸方向に移動させて発熱している導電体パターン31を検出したら、その導電体パターン31に沿って赤外線カメラ12をX軸方向に移動させて短絡個所を特定し、その後赤外線カメラ12を導電体パターン31の端部までX軸方向に移動させた後、Y軸方向に移動させて次の発熱している導電体パターン31を探すようにしてもよい。   In both the first and second embodiments described above, the infrared camera 12 is moved in the order indicated by the numbers in parentheses in FIG. That is, the infrared camera 12 is moved in the Y-axis direction to the top of the conductive pattern 31 in the last row to detect the conductive pattern 31 that generates heat, and then the infrared camera 12 moves along the conductive pattern 31 that generates heat. The short-circuit portion of each conductor pattern 31 is specified by moving in the X-axis direction. However, the infrared camera 12 may be moved in the order indicated by the numbers in parentheses in FIG. That is, when the infrared camera 12 is moved in the Y-axis direction to detect the heat-generating conductor pattern 31, the infrared camera 12 is moved in the X-axis direction along the conductor pattern 31 to identify the short-circuited portion. Thereafter, the infrared camera 12 may be moved in the X-axis direction to the end of the conductor pattern 31 and then moved in the Y-axis direction to search for the next heat-generating conductor pattern 31.

なお、上記第1及び第2の実施形態ではいずれも赤外線カメラ12がX軸方向及びY軸方向に移動するものとしたが、例えば赤外線カメラ12がX軸方向に移動し、基板30を載置するステージ11がY軸方向に移動するようにしてもよく、赤外線カメラ12が固定され、ステージ11がX軸方向及びY軸方向に移動するようにしてもよい。   In both the first and second embodiments, the infrared camera 12 is moved in the X-axis direction and the Y-axis direction. For example, the infrared camera 12 is moved in the X-axis direction and the substrate 30 is placed. The stage 11 to be moved may move in the Y-axis direction, the infrared camera 12 may be fixed, and the stage 11 may move in the X-axis direction and the Y-axis direction.

以下、上述の本発明に係る方法により欠陥検出及び短絡個所の修復を行った実施例について、比較例と比較して説明する。   Hereinafter, an example in which a defect is detected and a short-circuit portion is repaired by the above-described method according to the present invention will be described in comparison with a comparative example.

試験体として、1枚に付き5箇所の短絡個所を有する基板を用意した。1枚の基板の大きさは300mm×250mmである。基板上にはITOからなる直線状の導電体パターン(配線)が240μmのピッチで1024本配列されている。各導電体パターンの長さは200mmであり、導電体パターン間の間隔(ギャップ)は15μmである。   As a test body, a substrate having five short-circuited portions per sheet was prepared. The size of one substrate is 300 mm × 250 mm. On the substrate, 1024 linear conductor patterns (wirings) made of ITO are arranged at a pitch of 240 μm. Each conductor pattern has a length of 200 mm, and an interval (gap) between the conductor patterns is 15 μm.

(比較例1)
上記試験体の基板を電気検査して、短絡が発生している導電体パターンを特定した。その後、作業者が拡大鏡(顕微鏡)を用いて導電体パターンを検査し、短絡個所を特定した。次いで、作業者がYAG第2高調波を発生するレーザ装置を操作して短絡個所を切断し、その後再度電気検査を行って、短絡個所が修復されていることを確認した。
(Comparative Example 1)
The board | substrate of the said test body was electrically test | inspected and the conductor pattern in which the short circuit has generate | occur | produced was specified. Thereafter, the operator inspected the conductor pattern using a magnifying glass (microscope), and identified the short-circuited portion. Next, the operator operated the laser device that generates the second harmonic of YAG to cut the short-circuited portion, and then performed electrical inspection again to confirm that the short-circuited portion was repaired.

この比較例1では、試験体の基板1枚当たり電気検査に約5分間かかり、短絡個所の特定及びレーザ装置による短絡個所の修復に約10分間かかった。   In Comparative Example 1, it took about 5 minutes for the electrical inspection per substrate of the test specimen, and it took about 10 minutes to identify the short-circuited part and repair the short-circuited part by the laser device.

(比較例2)
従来の検査装置を用いて試験体の基板の導電パターンの短絡個所を自動的に検出した。すなわち、カメラ(赤外線カメラではない)を走査して試験体の基板の全体像を撮影し、その後撮影した画像を画像処理して短絡箇所を特定した。この検査装置では基板上に付着した異物も短絡個所と同様に検出してしまうため、作業者が顕微鏡を用いて短絡個所を調べ、短絡と確認された個所をYAG第2高調波を発生するレーザ装置を使用して切断した。次いで、電気検査を行って、短絡個所が修復されていることを確認した。
(Comparative Example 2)
A short-circuit portion of the conductive pattern of the substrate of the specimen was automatically detected using a conventional inspection apparatus. That is, a camera (not an infrared camera) was scanned to capture an entire image of the substrate of the test specimen, and then the captured image was subjected to image processing to identify a short-circuit location. Since this inspection apparatus also detects foreign matter adhering to the substrate in the same manner as the short-circuited portion, the operator uses a microscope to check the short-circuited portion, and a laser that generates YAG second harmonics at the location confirmed as short-circuited. Disconnected using the device. Next, an electrical inspection was performed to confirm that the short-circuit portion was repaired.

この比較例2では、試験体の基板1枚当たり電気検査に約5分間かかり、短絡個所の確認及びレーザ装置による短絡個所の修復に約2分間かかった。   In Comparative Example 2, it took about 5 minutes for the electrical inspection per substrate of the test specimen, and it took about 2 minutes for the confirmation of the short-circuited part and the repair of the short-circuited part by the laser device.

(実施例1)
第1の実施形態で説明した欠陥検査装置により、試験体の基板の短絡個所を特定した。なお、導電体パターンには、周波数が100Hz、振幅が100Vの矩形波交番電圧を印加した。電圧を印加してから5秒後に赤外線カメラをY軸方向に移動して、発熱している導電体パターンを検出した。発熱している導電体パターンを検出したときには、その箇所をマーキングした。この操作に約5秒かかった。
Example 1
The short-circuit part of the board | substrate of a test body was specified by the defect inspection apparatus demonstrated in 1st Embodiment. A rectangular wave alternating voltage having a frequency of 100 Hz and an amplitude of 100 V was applied to the conductor pattern. Five seconds after the voltage was applied, the infrared camera was moved in the Y-axis direction to detect a heat generating conductor pattern. When a conductive pattern that generated heat was detected, the portion was marked. This operation took about 5 seconds.

次に、マーキングした導電体パターンに沿って赤外線カメラを移動し、導電体パターンの規則性から外れる部分、すなわち短絡個所を検出してその箇所をマーキングした。この短絡箇所の検出には、導電体パターン1本当たり約5秒かかった。   Next, the infrared camera was moved along the marked conductor pattern, and a portion deviating from the regularity of the conductor pattern, that is, a short-circuit portion was detected, and the portion was marked. It took about 5 seconds for each conductor pattern to detect this short-circuited portion.

次に、赤外線カメラとは別に配置されたレーザ装置を短絡個所に移動し、レーザ光を照射して短絡個所を切断した。レーザ装置の移動及び短絡個所の切断に、1つの短絡個所毎に約5秒かかった。次いで、奇数番目の導電体パターンと偶数番目の導電体パターンとの間に電圧を印加し、赤外線カメラをY軸方向に移動して、発熱している導電体パターンがないこと、すなわち短絡個所が修復されていることを確認した。この実施例1では、試験体の基板1枚当たりの処理時間は約1分間であった。   Next, the laser device arranged separately from the infrared camera was moved to the short-circuit portion, and the short-circuit portion was cut by irradiating the laser beam. The movement of the laser device and the disconnection of the short-circuit portion took about 5 seconds for each short-circuit portion. Next, a voltage is applied between the odd-numbered conductor pattern and the even-numbered conductor pattern, and the infrared camera is moved in the Y-axis direction. Confirmed that it was repaired. In Example 1, the processing time per substrate of the test specimen was about 1 minute.

(実施例2)
第2の実施形態で説明した装置を使用し、図10(a)に示すように赤外線カメラ及びレーザ装置を移動させて、短絡個所の特定及び修正を行った。短絡個所を修正した後は、奇数番目の導電体パターンと偶数番目の導電体パターンとの間に電圧を印加し、赤外線カメラをY軸方向に移動させて、発熱している導電体パターンがないこと、すなわち短絡個所が修復されていることを確認した。この実施例2では、試験体の基板1枚当たりの処理時間は約0.5分間であった。
(Example 2)
The apparatus described in the second embodiment was used, and the infrared camera and the laser apparatus were moved as shown in FIG. After correcting the short-circuit portion, a voltage is applied between the odd-numbered conductor pattern and the even-numbered conductor pattern, and the infrared camera is moved in the Y-axis direction so that there is no heat-generating conductor pattern. That is, it was confirmed that the short-circuit portion was repaired. In Example 2, the processing time per substrate of the test specimen was about 0.5 minutes.

(実施例3)
第2の実施形態で説明した装置を使用し、図10(b)に示すように赤外線カメラ及びレーザ装置を移動させて、短絡個所の特定及び修正を行った。短絡個所の修正を行う毎に導電体パターンに電圧を印加し、導電体パターンが発熱しないこと、すなわち短絡個所が修復されていることを確認した。この実施例3では、試験体の基板1枚当たりの処理時間は約0.5分間であった。
(Example 3)
The apparatus described in the second embodiment was used, and the infrared camera and the laser apparatus were moved as shown in FIG. A voltage was applied to the conductor pattern every time the short-circuit portion was corrected, and it was confirmed that the conductor pattern did not generate heat, that is, the short-circuit portion was repaired. In Example 3, the processing time per substrate of the test specimen was about 0.5 minutes.

上記の実施例1〜3及び比較例1,2の比較から、本願発明は導電体パターンの短絡欠陥の検出及び修復に要する時間が短縮されることが確認された。   From the comparison of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2, it was confirmed that the present invention shortens the time required for detection and repair of short-circuit defects in the conductor pattern.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電体パターンの欠陥検査装置の構成を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing the configuration of a conductor pattern defect inspection apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図2は、実施形態に係る導電体パターンの欠陥検査方法(短絡欠陥検査時)を示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart showing a conductor pattern defect inspection method (at the time of short-circuit defect inspection) according to the embodiment. 図3は、実施形態に係る導電体パターンの欠陥検査方法(短絡欠陥検査時)を示す模式図(その1)である。Drawing 3 is a mimetic diagram (the 1) showing a defect inspection method (at the time of a short circuit defect inspection) of a conductor pattern concerning an embodiment. 図4は、実施形態に係る導電体パターンの欠陥検査方法(短絡欠陥検査時)を示す模式図(その2)である。Drawing 4 is a mimetic diagram (the 2) showing a defect inspection method (at the time of short circuit defect inspection) of a conductor pattern concerning an embodiment. 図5は、実施形態に係る導電体パターンの欠陥検査方法(短絡欠陥検査時)を示す模式図(その3)である。FIG. 5 is a schematic diagram (No. 3) showing the conductor pattern defect inspection method (at the time of short-circuit defect inspection) according to the embodiment. 図6は、実施形態に係る導電体パターンの欠陥検査方法(断線欠陥検査時)を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic diagram showing a conductor pattern defect inspection method (when a disconnection defect is inspected) according to the embodiment. 図7は、実施形態に係る導電体パターンの欠陥検査方法(断線欠陥検査時)を示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart showing a conductor pattern defect inspection method (at the time of disconnection defect inspection) according to the embodiment. 図8は、本発明の第2の実施形態に係る導電体パターンの欠陥検査装置の構成を示す模式図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing a configuration of a conductor pattern defect inspection apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図9(a),(b)は、短絡欠陥の修復方法を示す模式図である。9A and 9B are schematic views showing a method for repairing a short-circuit defect. 図10(a),(b)は、赤外線カメラの移動方法を示す模式図である。FIGS. 10A and 10B are schematic diagrams showing a moving method of the infrared camera.

符号の説明Explanation of symbols

11…ステージ、
12…赤外線カメラ、
13…X軸ガイドレール、
14…Y軸ガイドレール、
15a,15b…プローブ、
16…主制御部、
17…X軸駆動制御部、
18…Y軸駆動制御部、
19…電圧印加部、
20…プローブ駆動部、
21…設計データ記憶部、
22…欠陥個所記憶部、
30…基板、
31…導電体パターン、
41…レーザ装置。
11 ... stage,
12 ... Infrared camera,
13 ... X-axis guide rail,
14 ... Y-axis guide rail,
15a, 15b ... probes,
16 ... main control part,
17 ... X-axis drive control unit,
18 ... Y-axis drive control unit,
19: Voltage application unit,
20: Probe drive unit,
21 ... design data storage unit,
22 ... Defect location storage unit,
30 ... substrate,
31 ... Conductor pattern,
41 ... Laser device.

Claims (6)

基板に形成された複数の導電体パターンの欠陥を検査する導電体パターンの欠陥検査方法において、
前記複数の導電体パターンに電圧を印加する第1の工程と、
赤外線検出器を前記複数の導電体パターンと交差する方向に移動させて前記導電体パターンが発熱しているか否かを調べる第2の工程と
を有することを特徴とする導電体パターンの欠陥検査方法。
In a defect inspection method for a conductor pattern for inspecting a plurality of conductor pattern defects formed on a substrate,
A first step of applying a voltage to the plurality of conductor patterns;
And a second step of examining whether or not the conductor pattern is generating heat by moving an infrared detector in a direction crossing the plurality of conductor patterns. .
前記第2の工程により検出した発熱している導電体パターンに沿って前記赤外線検出器を移動させ、前記導電体パターンの設計データに基づく判定基準から外れる発熱箇所を短絡個所として検出する第3の工程を有することを特徴とする請求項1に記載の導電体パターンの欠陥検査方法。   The infrared detector is moved along the heat-generating conductor pattern detected in the second step, and a heat generation point that deviates from a criterion based on the design data of the conductor pattern is detected as a short-circuit point. The method for inspecting a defect of a conductor pattern according to claim 1, further comprising a step. 前記第3の工程の後に、前記短絡個所にレーザ光を照射して短絡を修復する第4の工程を有することを特徴とする請求項2に記載の導電体パターンの欠陥検査方法。   The conductor pattern defect inspection method according to claim 2, further comprising a fourth step of repairing the short circuit by irradiating the short circuit portion with laser light after the third step. 前記基板が、コレステリック型液晶表示装置用の基板であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の導電体パターンの欠陥検査方法。   The defect inspection method for a conductor pattern according to any one of claims 1 to 3, wherein the substrate is a substrate for a cholesteric liquid crystal display device. 複数の導電体パターンが形成された基板が載置されるステージと、
前記ステージの上方に配置された赤外線検出器と、
前記赤外線検出器及び前記基板の少なくとも一方を、前記基板の面に平行な第1の方向に移動させる第1の移動機構と、
前記赤外線検出器及び前記基板の少なくとも一方を、前記基板の面に平行かつ前記第1の方向に交差する第2の方向に移動させる第2の移動機構と、
前記導電体パターンに電圧を印加する電圧印加部と、
前記赤外線検出器から出力される信号に基づいて前記導電体パターンが発熱しているか否かを判定する主制御部とを有し、
前記主制御部は、前記電圧印加部を制御して前記複数の導電体パターンに電圧を印加し、前記第1の移動機構及び前記第2の移動機構を制御して前記赤外線検出器を前記複数の導電体パターンと交差する方向に相対的に移動させ、前記赤外線検出器の出力に基づいて発熱している導電体パターンを検出することを特徴とする導電体パターンの欠陥検査装置。
A stage on which a substrate on which a plurality of conductor patterns are formed is placed;
An infrared detector disposed above the stage;
A first moving mechanism for moving at least one of the infrared detector and the substrate in a first direction parallel to the surface of the substrate;
A second moving mechanism for moving at least one of the infrared detector and the substrate in a second direction parallel to the surface of the substrate and intersecting the first direction;
A voltage application unit for applying a voltage to the conductor pattern;
A main controller that determines whether or not the conductor pattern is generating heat based on a signal output from the infrared detector;
The main control unit controls the voltage applying unit to apply a voltage to the plurality of conductor patterns, and controls the first moving mechanism and the second moving mechanism to control the plurality of infrared detectors. A defect inspection apparatus for a conductor pattern, wherein the conductor pattern is moved relatively in a direction intersecting with the conductor pattern, and a conductor pattern that generates heat is detected based on an output of the infrared detector.
更に、導電体パターンの短絡箇所を切断するレーザ装置を有することを特徴とする請求項5に記載の導電体パターンの欠陥検査装置。   6. The defect inspection apparatus for a conductor pattern according to claim 5, further comprising a laser device for cutting a short-circuit portion of the conductor pattern.
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