JP2007283319A - Laser scribing method, electrooptical device, and electronic equipment - Google Patents

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    • B23K26/362Laser etching
    • B23K26/364Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser scribing method for easily inspecting the formation state of a reformed layer from the outside of a substrate, and to provide an electrooptical device and electronic equipment. <P>SOLUTION: The laser scribing method includes: a substrate manufacturing process (fig.(a)) for forming an inspection mark M1 whose mode varies by the irradiation of a laser beam 44, on the planned cutting lines Dx, Dy provided to a position to be cut for each of a plurality of liquid crystal display panels 20 formed on a first substrate 11, and at least on one side of the first substrate; a laser irradiation process (fig.(b)) for forming a reformed layer R inside the first substrate 11 by irradiating it with the laser beam 44 so that the laser beam 44 irradiates the surface of the first substrate 11 on which at least the inspection mark M1 is formed along the planned cutting lines Dx, Dy; and an inspection process (fig.(c)) for inspecting change in the mode of the inspection mark M1. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、レーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器に関する。   The present invention relates to a laser scribing method, an electro-optical device, and an electronic apparatus.

従来より、レーザ光を照射して基板を切断するレーザスクライブ方法が知られている。この方法では、基板の内部にレーザ光を集光させ、当該集光点の部分に改質層を形成した後、基板に外力を加えることにより、改質層を起点として基板を切断するというものである。改質層の形成方法としては、例えば、特許文献1に示すように、基板に設けられた切断予定ラインに対して基板の厚み方向に集光点の位置を変え、複数回のレーザ光走査を行って、複数の改質層を重ねて形成する方法が知られている。   Conventionally, a laser scribing method for cutting a substrate by irradiating a laser beam is known. In this method, a laser beam is condensed inside the substrate, a modified layer is formed at the condensing point, and an external force is applied to the substrate to cut the substrate starting from the modified layer. It is. As a method for forming the modified layer, for example, as shown in Patent Document 1, the position of the condensing point is changed in the thickness direction of the substrate with respect to the planned cutting line provided on the substrate, and a plurality of laser beam scans are performed. A method is known in which a plurality of modified layers are formed in a stacked manner.

特開2002−205180号公報JP 2002-205180 A

しかしながら、改質層は、ほぼ基板の内部に形成されるので、基板の外部から基板に改質層が形成されたか否かを容易に知ることができなかった。また、改質層が十分に形成されずに基板を切断すると、チッピング等の発生により、基板に損傷を与えるおそれがあった。   However, since the modified layer is formed almost inside the substrate, it was not possible to easily know whether the modified layer was formed on the substrate from the outside of the substrate. Further, if the substrate is cut without the modified layer being sufficiently formed, the substrate may be damaged due to chipping or the like.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、基板の外部から容易に改質層の形成状態を検査することができるレーザスクライブ方法、電気光学装置、電子機器を提供することにある。   The present invention has been made to solve the above-described problem, and provides a laser scribing method, an electro-optical device, and an electronic apparatus that can easily inspect the formation state of a modified layer from the outside of a substrate. It is in.

上記課題を解決するために、本発明では、基板に形成された複数の機能部ごとに切断すべき位置に設けられた切断予定ライン上であって、前記基板の少なくとも一方の面に、レーザ光の照射によって態様が変化する薄膜を形成する基板製造工程と、切断予定ラインに沿って、少なくとも薄膜が形成された基板の表面部にレーザ光が照射されるように、基板に向けてレーザ光を照射し、基板の内部に改質層を形成するレーザ照射工程と、薄膜のレーザ光の照射による態様の変化を検査する検査工程とを含むことを要旨とする。   In order to solve the above-described problem, in the present invention, a laser beam is formed on a planned cutting line provided at a position to be cut for each of a plurality of functional units formed on a substrate, and is applied to at least one surface of the substrate. The substrate manufacturing process for forming a thin film whose aspect changes due to the irradiation, and the laser beam is directed toward the substrate so that at least the surface portion of the substrate on which the thin film is formed is irradiated along the planned cutting line. The gist of the invention includes a laser irradiation step of irradiating and forming a modified layer inside the substrate, and an inspection step of inspecting a change in form caused by laser light irradiation of the thin film.

本発明に係るレーザスクライブ方法によれば、基板の切断予定ライン上であって、基板の面に薄膜が形成され、レーザ光が照射されると、薄膜の態様が変化する。従って、薄膜の態様の有無を検査することにより、改質層の形成状態を代替として容易に検査することができる。   According to the laser scribing method of the present invention, when the thin film is formed on the surface of the substrate and is irradiated with laser light, the thin film is changed. Therefore, by inspecting the presence or absence of a thin film mode, the formation state of the modified layer can be easily inspected as an alternative.

本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程では、基板の機能部が形成された領域以外の領域であって、基板の周縁部に薄膜を形成してもよい。   In the substrate manufacturing process of the laser scribing method of the present invention, a thin film may be formed on the peripheral edge of the substrate in a region other than the region where the functional part of the substrate is formed.

これによれば、薄膜は、基板の周縁部に形成されるので、基板の機能部分のレイアウトに制限することなく、基板を製造することができる。   According to this, since the thin film is formed at the peripheral portion of the substrate, the substrate can be manufactured without being limited to the layout of the functional portion of the substrate.

本発明のレーザスクライブ方法の検査工程は、レーザ照射工程と同時期に行ってもよい。   The inspection process of the laser scribing method of the present invention may be performed at the same time as the laser irradiation process.

これによれば、レーザ照射工程において、薄膜の態様の変化を検査することにより、作業効率を向上させるとともに、早期に不具合を発見することができる。   According to this, in the laser irradiation process, it is possible to improve the working efficiency and to find defects at an early stage by inspecting the change in the mode of the thin film.

本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程では、レーザ光の照射によってレーザ痕が形成される前記薄膜を形成し、検査工程では、レーザ痕による薄膜の態様の変化を検査してもよい。   In the substrate manufacturing process of the laser scribing method of the present invention, the thin film on which the laser mark is formed may be formed by laser light irradiation, and in the inspection process, the change in the mode of the thin film due to the laser mark may be inspected.

これによれば、レーザ光が照射されると、薄膜にレーザ痕が形成される。従って、レーザ光の照射の後で、当該薄膜にレーザ痕が形成されているか否かを確認すれば、容易に改質層の形成状態を検査することができる。   According to this, when laser light is irradiated, laser marks are formed on the thin film. Therefore, the formation state of the modified layer can be easily inspected by confirming whether a laser mark is formed on the thin film after the laser light irradiation.

本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程では、導電性材料で薄膜を形成し、検査工程では、レーザ痕を挟んだ薄膜間の電気的特性の変化を検査してもよい。   In the substrate manufacturing process of the laser scribing method of the present invention, a thin film may be formed with a conductive material, and in the inspection process, a change in electrical characteristics between the thin films with the laser mark interposed therebetween may be inspected.

これによれば、薄膜が導電性材料で形成されるので、切断予定ラインに沿ってレーザ光が照射され、薄膜にレーザ痕が形成されると、切断予定ラインを挟んだ薄膜間の電気的抵抗値が変化する。従って、電気的抵抗値の変化を検査することにより、容易に改質層の形成状態を検査することができる。   According to this, since the thin film is formed of a conductive material, when the laser beam is irradiated along the planned cutting line and a laser mark is formed on the thin film, the electrical resistance between the thin films sandwiching the planned cutting line The value changes. Therefore, it is possible to easily inspect the formation state of the modified layer by inspecting the change in the electrical resistance value.

本発明のレーザスクライブ方法の基板製造工程では、切断予定ライン毎に薄膜を形成するとともに、複数形成された薄膜を電気的に接続するパターンを形成し、検査工程では、レーザ痕によって区画された薄膜間の電気的特性の変化を検査してもよい。   In the substrate manufacturing process of the laser scribing method of the present invention, a thin film is formed for each line to be cut, and a pattern for electrically connecting a plurality of formed thin films is formed. In the inspection process, the thin film partitioned by laser marks Changes in electrical characteristics may be inspected.

これによれば、基板に設けられた切断予定ライン毎に、互いに電気的に接続された薄膜が形成されるので、切断予定ラインに沿ってレーザ光が照射され、薄膜にレーザ痕が形成されると、薄膜間の電気的抵抗値が変化する。従って、基板を一括して電気的抵抗値の変化を検査することにより、検査作業の効率を向上させることができる。   According to this, since the thin film electrically connected to each other is formed for each planned cutting line provided on the substrate, the laser beam is irradiated along the planned cutting line, and a laser mark is formed on the thin film. The electrical resistance value between the thin films changes. Therefore, the efficiency of the inspection work can be improved by collectively inspecting the change in the electrical resistance value of the substrates.

本発明のレーザスクライブ方法の検査工程では、薄膜の態様の変化の有無を判断する判断工程を有し、判断工程において、薄膜の態様に変化があると判断された場合に、基板に外力を与えて切断し、機能部毎に分割する基板切断工程を有してもよい。   The inspection process of the laser scribing method of the present invention includes a determination process for determining whether or not there is a change in the state of the thin film. When it is determined in the determination process that the aspect of the thin film is changed, an external force is applied to the substrate. It may have a substrate cutting process which cuts and divides for every functional part.

これによれば、薄膜の態様の変化があると判断された基板、すなわち、レーザ照射され改質層が形成された基板が切断されるので、切断したときに、チッピングの発生を抑えることができる。   According to this, since the substrate that is determined to have a change in the mode of the thin film, that is, the substrate on which the modified layer is formed by laser irradiation, is cut, occurrence of chipping can be suppressed when cut. .

本発明のレーザスクライブ方法の判断工程において、薄膜の態様に変化がないと判断された場合に、基板を保留又は、再度レーザ照射工程を行ってもよい。   In the determination step of the laser scribing method of the present invention, when it is determined that there is no change in the aspect of the thin film, the substrate may be suspended or the laser irradiation step may be performed again.

これによれば、薄膜の態様の変化がないと判断された基板、すなわち、レーザ照射が不十分で改質層が適正に形成されていない可能性が高い基板を保留することにより、良品基板と確実に識別することができる。また、薄膜の態様の変化がないと判断された基板をレーザ照射することによりリペアすることができる。   According to this, a non-defective substrate can be obtained by holding a substrate that has been determined to have no change in the form of the thin film, that is, a substrate that has a high possibility that the laser irradiation is insufficient and the modified layer is not properly formed. Can be reliably identified. Moreover, it can repair by irradiating the board | substrate determined that there is no change of the aspect of a thin film with a laser.

本発明の電気光学装置は、上記のレーザスクライブ方法によって分割されたことを要旨とする。   The gist of the electro-optical device of the present invention is that it is divided by the laser scribing method described above.

本発明に係る電気光学装置によれば、薄膜の態様の変化に基づいて分割されるので、チッピング等のない品質の高い電気光学装置を提供することができる。   According to the electro-optical device according to the present invention, since the division is performed based on the change in the aspect of the thin film, a high-quality electro-optical device without chipping or the like can be provided.

本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を搭載したとことを要旨とする。   The gist of the electronic apparatus of the present invention is that the above-described electro-optical device is mounted.

これによれば、品質の高い電子機器を提供することができる。   According to this, an electronic device with high quality can be provided.

以下、本発明を具体化した第1及び第2実施形態について図面に従って説明する。   Hereinafter, first and second embodiments embodying the present invention will be described with reference to the drawings.

[第1実施形態]
まず、第1実施形態について説明する。
[First embodiment]
First, the first embodiment will be described.

(マザー基板の構成)
まず、マザー基板の構成について説明する。図1は、マザー基板の構成を示し、図1(a)は平面図を示し、同図(b)は同図(a)のA−A線で切った概略断面図を示す。
(Mother board configuration)
First, the configuration of the mother board will be described. FIG. 1 shows a configuration of a mother substrate, FIG. 1 (a) shows a plan view, and FIG. 1 (b) shows a schematic cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1 (a).

図1(a),(b)において、マザー基板10は、ウエハ形状であり、第1基板11と第2基板12とが接着され、複数の機能部としての液晶表示パネル20で構成されている。1つの液晶表示パネル20は、液晶表示パネル20ごとに切断すべき位置であって、第1基板11に設けられた切断予定ラインDx,Dyに沿って切断して、マザー基板10から分割される。   1A and 1B, a mother substrate 10 has a wafer shape, and a first substrate 11 and a second substrate 12 are bonded to each other, and includes a liquid crystal display panel 20 as a plurality of functional units. . One liquid crystal display panel 20 is a position to be cut for each liquid crystal display panel 20, and is cut along the scheduled cutting lines Dx and Dy provided on the first substrate 11 and divided from the mother substrate 10. .

マザー基板10の液晶表示パネル20が形成された領域以外の領域であって、第1基板11の周縁部の切断予定ラインDx,Dy上に薄膜としての検査マークM1が形成されている。検査マークM1は、レーザ光が照射により、態様が変化する薄膜であり、それぞれの切断予定ラインDx,Dyに対応して形成されている。   The inspection mark M1 as a thin film is formed on the planned cutting lines Dx and Dy on the peripheral edge of the first substrate 11 in a region other than the region where the liquid crystal display panel 20 is formed on the mother substrate 10. The inspection mark M1 is a thin film whose aspect changes when irradiated with laser light, and is formed corresponding to each of the scheduled cutting lines Dx and Dy.

(機能部の構成)
次に、機能部の構成について説明する。図2は、機能部としての液晶表示パネルの構成を示し、図2(a)は平面図を示し、同図(b)は同図(a)のB−B線で切った概略断面図を示す。
(Structure of functional part)
Next, the configuration of the functional unit will be described. 2 shows a configuration of a liquid crystal display panel as a functional unit, FIG. 2 (a) shows a plan view, and FIG. 2 (b) shows a schematic cross-sectional view taken along line BB in FIG. 2 (a). Show.

図2において、液晶表示パネル20は、図2(a)および(b)に示すように、TFT(Thin Film Transistor)素子23を有する第1基板11と、対向電極26を有する第2基板12と、シール材24によって接着された両基板11,12の隙間に充填された液晶材25とを備えている。第1基板11は第2基板12より一回り大きく額縁状に張り出した状態となっており、当該張り出した第1基板11の面には、パターンとしての端子部11aが形成されている。   2, the liquid crystal display panel 20 includes a first substrate 11 having a thin film transistor (TFT) element 23 and a second substrate 12 having a counter electrode 26, as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b). And a liquid crystal material 25 filled in a gap between the substrates 11 and 12 bonded by the sealing material 24. The first substrate 11 protrudes in a frame shape that is slightly larger than the second substrate 12, and a terminal portion 11 a as a pattern is formed on the surface of the protruding first substrate 11.

第1基板11は、厚みおよそ1.2mmの石英ガラス基板を用いており、その表面には画素を構成する画素電極(図示省略)と、3端子のうちの一つが画素電極に接続されたTFT素子23が形成されている。TFT素子23の残りの2端子は、画素電極を囲んで互いに絶縁状態で格子状に配置されたデータ線(図示省略)と走査線(図示省略)とに接続されている。データ線は、Y軸方向に引き出されて端子部11aに形成されたデータ線駆動回路部29に接続されている。走査線は、X軸方向に引き出され、左右の額縁領域に形成された2つの走査線駆動回路部33に個々に接続されている。各データ線駆動回路部29および走査線駆動回路部33の入力側配線は、端子部11aに沿って配列した実装端子31にそれぞれ接続されている。端子部11aとは反対側の額縁領域には、2つの走査線駆動回路部33を繋ぐ配線32が設けられている。   The first substrate 11 uses a quartz glass substrate having a thickness of about 1.2 mm, and has a pixel electrode (not shown) constituting a pixel on its surface and a TFT in which one of the three terminals is connected to the pixel electrode. An element 23 is formed. The remaining two terminals of the TFT element 23 are connected to a data line (not shown) and a scanning line (not shown) which are arranged in a grid in a state of being insulated from each other so as to surround the pixel electrode. The data line is drawn out in the Y-axis direction and connected to a data line driving circuit unit 29 formed in the terminal unit 11a. The scanning lines are drawn in the X-axis direction and are individually connected to two scanning line driving circuit units 33 formed in the left and right frame regions. The input side wirings of the data line driving circuit unit 29 and the scanning line driving circuit unit 33 are connected to the mounting terminals 31 arranged along the terminal unit 11a. In the frame region opposite to the terminal portion 11a, a wiring 32 that connects the two scanning line driving circuit portions 33 is provided.

第2基板12は、厚みおよそ1.2〜1.1mmの透明なガラス基板を用いており、共通電極としての対向電極26が設けられている。対向電極26は、第2基板12の四隅に設けられた上下導通部34を介して第1基板11側に設けられた配線と導通しており、当該配線も端子部11aに設けられた実装端子31に接続されている。   The second substrate 12 uses a transparent glass substrate having a thickness of approximately 1.2 to 1.1 mm, and is provided with a counter electrode 26 as a common electrode. The counter electrode 26 is electrically connected to the wiring provided on the first substrate 11 side via the vertical conduction parts 34 provided at the four corners of the second substrate 12, and the wiring is also a mounting terminal provided in the terminal portion 11a. 31 is connected.

液晶材25に面する第1基板11の表面および第2基板12の表面には、それぞれ配向膜27,28が形成されている。   Alignment films 27 and 28 are formed on the surface of the first substrate 11 and the surface of the second substrate 12 facing the liquid crystal material 25, respectively.

液晶表示パネル20は、外部駆動回路と電気的に繋がる中継基板が実装端子31に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が各データ線駆動回路部29および走査線駆動回路部33に入力されることにより、TFT素子23が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極26との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。   In the liquid crystal display panel 20, a relay substrate that is electrically connected to an external drive circuit is connected to the mounting terminal 31. An input signal from the external drive circuit is input to each data line drive circuit unit 29 and the scan line drive circuit unit 33, whereby the TFT element 23 is switched for each pixel electrode, and the pixel electrode and the counter electrode 26 are switched. In the meantime, a drive voltage is applied to display.

(レーザ照射装置の構成)
次に、マザー基板10に設けられた切断予定ラインDx,Dyに沿ってレーザ光を照射して、当該レーザ光が照射された部分に改質層を形成するためのレーザ照射装置の構成について説明する。
(Configuration of laser irradiation device)
Next, a description will be given of the configuration of a laser irradiation apparatus for irradiating a laser beam along the planned cutting lines Dx and Dy provided on the mother substrate 10 and forming a modified layer in a portion irradiated with the laser beam. To do.

図3は、レーザ照射装置の構成を示す模式図である。図3において、レーザ照射装置40は、パルスレーザ光を出射するレーザ光源41と、出射されたパルスレーザ光を反射するダイクロイックミラー42と、反射したパルスレーザ光を集光する集光手段としての集光レンズ43とを備えている。また、基板10を載置するステージ47と、ステージ47を集光レンズ43に対してX,Y軸方向に移動させる移動手段としてのX軸スライド部48およびY軸スライド部51とを備えている。また、ステージ47に載置された基板10に対して集光レンズ43のZ軸方向の位置を変えて、パルスレーザ光の集光点の位置を調整する調整手段としてのZ軸スライド機構54を備えている。さらに、ダイクロイックミラー42を挟んで集光レンズ43と反対側に位置する撮像装置55を備えており、第1基板11の面に形成された薄膜を撮像することができる。   FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the laser irradiation apparatus. In FIG. 3, a laser irradiation device 40 includes a laser light source 41 that emits a pulsed laser beam, a dichroic mirror 42 that reflects the emitted pulsed laser beam, and a collection unit that collects the reflected pulsed laser beam. And an optical lens 43. Further, a stage 47 on which the substrate 10 is placed and an X-axis slide part 48 and a Y-axis slide part 51 as moving means for moving the stage 47 in the X and Y axis directions with respect to the condenser lens 43 are provided. . Further, a Z-axis slide mechanism 54 as an adjusting means for adjusting the position of the condensing point of the pulse laser beam by changing the position of the condensing lens 43 in the Z-axis direction with respect to the substrate 10 placed on the stage 47 is provided. I have. Further, an imaging device 55 is provided on the opposite side of the condenser lens 43 with the dichroic mirror 42 interposed therebetween, and the thin film formed on the surface of the first substrate 11 can be imaged.

レーザ照射装置40は、上記各構成を制御するメインコンピュータ60を備えており、メインコンピュータ60には、CPUや各種メモリーの他に撮像装置55が撮像した画像情報を処理する画像処理部61を有している。撮像装置55は、同軸落射型光源とCCD(固体撮像素子)が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ43を透過して焦点を結ぶ。   The laser irradiation device 40 includes a main computer 60 that controls each of the above components. The main computer 60 includes an image processing unit 61 that processes image information captured by the image capturing device 55 in addition to a CPU and various memories. is doing. The imaging device 55 incorporates a coaxial incident light source and a CCD (solid-state imaging device). Visible light emitted from the coaxial incident light source passes through the condenser lens 43 and is focused.

メインコンピュータ60には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する入力部63とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部64が接続されている。また、レーザ光源41の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部66と、Z軸スライド機構54を駆動して集光レンズ43のZ軸方向の位置を制御するレンズ制御部67とが接続されている。さらに、X軸スライド部48とY軸スライド部51をそれぞれレール68,69に沿って移動させるサーボモータ(図示省略)を駆動するステージ制御部70が接続されている。   Connected to the main computer 60 are an input unit 63 for inputting data of various processing conditions used during laser processing and a display unit 64 for displaying various information during laser processing. A laser control unit 66 that controls the output, pulse width, and pulse period of the laser light source 41 and a lens control unit 67 that drives the Z-axis slide mechanism 54 to control the position of the condenser lens 43 in the Z-axis direction. It is connected. Further, a stage control unit 70 is connected to drive a servo motor (not shown) that moves the X-axis slide unit 48 and the Y-axis slide unit 51 along rails 68 and 69, respectively.

集光レンズ43をZ軸方向に移動させるZ軸スライド機構54には、移動距離を検出可能な位置センサが内蔵されており、レンズ制御部67は、この位置センサの出力を検出して集光レンズ43のZ軸方向の位置を制御可能となっている。したがって、撮像装置55の同軸落射型光源から出射した可視光の焦点が基板10の表面と合うように集光レンズ43をZ軸方向に移動させれば、基板10の厚みを計測することが可能である。   The Z-axis slide mechanism 54 that moves the condenser lens 43 in the Z-axis direction has a built-in position sensor that can detect the movement distance, and the lens control unit 67 detects the output of the position sensor and collects the light. The position of the lens 43 in the Z-axis direction can be controlled. Therefore, the thickness of the substrate 10 can be measured by moving the condenser lens 43 in the Z-axis direction so that the visible light emitted from the coaxial incident light source of the imaging device 55 is in focus with the surface of the substrate 10. It is.

レーザ光源41は、例えばチタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザである。この場合、パルスレーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が800nmであり、その半値幅はおよそ20nmである。またパルス幅はおよそ300fs(フェムト秒)、パルス周期は1kHz、出力はおよそ700mWである。   The laser light source 41 is a so-called femtosecond laser that emits laser light using, for example, titanium sapphire as a solid light source with a pulse width of femtoseconds. In this case, the pulsed laser light has wavelength dispersion characteristics, the center wavelength is 800 nm, and the half width is about 20 nm. The pulse width is about 300 fs (femtosecond), the pulse period is 1 kHz, and the output is about 700 mW.

集光レンズ43は、この場合、倍率が100倍、開口数(NA)が0.8、WD(Working Distance)が3mmの対物レンズである。集光レンズ43はZ軸スライド機構54から延びたスライドアーム54aによって支持されている。   In this case, the condenser lens 43 is an objective lens having a magnification of 100 times, a numerical aperture (NA) of 0.8, and a WD (Working Distance) of 3 mm. The condenser lens 43 is supported by a slide arm 54 a extending from the Z-axis slide mechanism 54.

なお、本実施形態では、ステージ47は、Y軸スライド部51に支持されているが、X軸スライド部48とY軸スライド部51との位置関係を逆転させてX軸スライド部48に支持される形態としてもよい。また、ステージ47をθテーブル(図示せず)を介してY軸スライド部51に支持することが好ましい。これによれば、基板10を光軸41aに対してより垂直な状態とすることが可能である。   In this embodiment, the stage 47 is supported by the Y-axis slide unit 51, but is supported by the X-axis slide unit 48 by reversing the positional relationship between the X-axis slide unit 48 and the Y-axis slide unit 51. It is good also as a form. Moreover, it is preferable to support the stage 47 on the Y-axis slide part 51 via a θ table (not shown). According to this, it is possible to make the board | substrate 10 into a more perpendicular | vertical state with respect to the optical axis 41a.

(レーザスクライブ方法)
次に、レーザスクライブ方法について説明する。図4は、第1実施形態におけるレーザスクライブ方法を示すフローチャート図である。図5は、第1実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す模式図である。
(Laser scribing method)
Next, a laser scribing method will be described. FIG. 4 is a flowchart showing the laser scribing method in the first embodiment. FIG. 5 is a schematic diagram showing a laser scribing method in the first embodiment.

図4のステップS1では、基板製造を行う。当該基板製造工程では、図5(a)に示すように、第1基板11にTFT素子23等を形成し、第1基板11の面にシール材24を形成した後、当該シール材24で区画された領域に液晶材25を塗布する。一方、第2基板12には、共通電極26等を形成する。そして、両基板11,12を対向して配置し、シール材24の接着力によって両基板11,12を接着する。さらに、切断予定ラインDx,Dy上であって、第1基板11のTFT素子23が形成された面に検査マークM1を形成する。検査マークM1は、液晶パネル20が形成された領域以外の領域であって、第1基板11の周縁部に形成される(図1参照)。   In step S1 of FIG. 4, the substrate is manufactured. In the substrate manufacturing process, as shown in FIG. 5A, the TFT elements 23 and the like are formed on the first substrate 11, and the sealing material 24 is formed on the surface of the first substrate 11. A liquid crystal material 25 is applied to the formed region. On the other hand, the common electrode 26 and the like are formed on the second substrate 12. Then, both the substrates 11 and 12 are arranged to face each other, and both the substrates 11 and 12 are bonded by the adhesive force of the sealing material 24. Further, the inspection mark M1 is formed on the surface on which the TFT element 23 of the first substrate 11 is formed on the cutting planned lines Dx and Dy. The inspection mark M1 is an area other than the area where the liquid crystal panel 20 is formed, and is formed on the peripheral edge of the first substrate 11 (see FIG. 1).

検査マークM1は、レーザ光の照射によって態様が変化する材質よって形成され、例えば、ポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂等を用いることができる。また、検査マークM1の形成方法としては、例えば、インクジェット法、印刷法、フォトリソグラフィ法等を用いて形成することができる。なお、検査マークM1は、必ずしも第1基板11と第2基板12とを接着した後に形成する必要はなく、第1基板11の形成過程で形成してもよい。   The inspection mark M1 is formed of a material whose aspect changes by laser light irradiation. For example, a polyimide resin or an epoxy resin can be used. Further, as a method of forming the inspection mark M1, it can be formed using, for example, an ink jet method, a printing method, a photolithography method, or the like. Note that the inspection mark M1 is not necessarily formed after the first substrate 11 and the second substrate 12 are bonded, and may be formed in the process of forming the first substrate 11.

図4のステップS2では、第1基板11に向けてレーザ照射する。当該レーザ照射工程では、図5(b)に示すように、レーザ照射装置40を用いて、第1基板11のTFT素子23等が形成された第1の面S1に向けてレーザ光44を照射する。レーザ光44は、第1基板11の第1の面S1の反対面となる第2の面S2の近傍に集光点が設定され、第2の面S2に平行方向であって、切断予定ラインDx,Dyに沿って照射しながら走査する。その後、集光点の位置が第1の面S1に近づくようにZ軸方向に集光点の位置を移動させ、レーザ光44を照射させながら切断予定ラインDx,Dyに沿って走査する。そして、さらにZ軸方向に集光点の位置を移動させ、検査マークM1が形成された第1の面S1に達するまで、複数回走査することにより、切断予定ラインDx,Dyに沿った改質層Rが形成される。   In step S <b> 2 of FIG. 4, laser irradiation is performed toward the first substrate 11. In the laser irradiation step, as shown in FIG. 5B, the laser beam 44 is irradiated toward the first surface S1 on which the TFT elements 23 and the like of the first substrate 11 are formed using the laser irradiation device 40. To do. The laser beam 44 has a condensing point set in the vicinity of the second surface S2 which is the opposite surface of the first surface S1 of the first substrate 11, is parallel to the second surface S2, and is a line to be cut. Scan while irradiating along Dx and Dy. Thereafter, the position of the condensing point is moved in the Z-axis direction so that the position of the condensing point approaches the first surface S1, and scanning is performed along the planned cutting lines Dx and Dy while irradiating the laser beam 44. Then, the position of the condensing point is further moved in the Z-axis direction, and scanning is performed a plurality of times until reaching the first surface S1 on which the inspection mark M1 is formed, so that the modification along the scheduled cutting lines Dx and Dy is achieved. Layer R is formed.

照射工程において、第1の面S1までレーザ光44が照射されると、図5(b)に示すように、検査マークM1にレーザ痕H1が形成される。レーザ痕H1は、レーザ光44が走査された個所に形成され、検査マークM1におけるレーザ痕H1が形成された領域とレーザ痕H1以外の領域では、レーザ光44の照射の有無により態様が異なっている。   In the irradiation process, when the laser beam 44 is irradiated to the first surface S1, a laser mark H1 is formed on the inspection mark M1, as shown in FIG. 5B. The laser mark H1 is formed at a place where the laser beam 44 is scanned, and the mode of the inspection mark M1 in the region where the laser mark H1 is formed and the region other than the laser mark H1 are different depending on whether or not the laser beam 44 is irradiated. Yes.

図4のステップS3では、検査マークM1を検査する。当該検査工程では、図5(c)に示すように、検査マークM1の態様の変化を検査する。具体的には撮像装置55が検査マークM1の上方に位置するように、ステージ47を相対移動させた後に、検査マークM1を撮像する。撮像された情報データは、メインコンピュータ60に送信され、画像処理部61で画像処理される。なお、検査工程にける検査マークM1の撮像は、レーザ光44の照射と同時期に行うこともできる。   In step S3 of FIG. 4, the inspection mark M1 is inspected. In the inspection step, as shown in FIG. 5C, a change in the aspect of the inspection mark M1 is inspected. Specifically, the inspection mark M1 is imaged after the stage 47 is relatively moved so that the imaging device 55 is positioned above the inspection mark M1. The imaged information data is transmitted to the main computer 60 and subjected to image processing by the image processing unit 61. The imaging of the inspection mark M1 in the inspection process can be performed at the same time as the irradiation of the laser beam 44.

図4のステップS4では、検査マークM1の態様の変化を判断する。当該判断工程においては、予め設定された基準となる画像データをもとに、レーザ痕H1の形成によって、検査マークM1の態様が変化したか否かを判断される。   In step S4 in FIG. 4, a change in the aspect of the inspection mark M1 is determined. In the determination step, it is determined whether or not the aspect of the inspection mark M1 has changed due to the formation of the laser mark H1, based on preset image data serving as a reference.

図4のステップS5では、ステップS4でYESの場合に、マザー基板10を切断する。当該切断工程では、図5(d)に示すように、マザー基板10に外力を与える。外力が与えられると、第1基板11の内部に形成された改質層Rに応力が生じ、改質層Rに倣って第1基板11が切断され、図5(e)に示すように、液晶表示パネル20ごとに分割される。   In step S5 of FIG. 4, the mother substrate 10 is cut if YES in step S4. In the cutting step, an external force is applied to the mother substrate 10 as shown in FIG. When an external force is applied, stress is generated in the modified layer R formed inside the first substrate 11, and the first substrate 11 is cut along the modified layer R. As shown in FIG. The liquid crystal display panel 20 is divided.

図4のステップS6では、ステップS4のNOの場合に、マザー基板10の加工を一旦保留し、検査マークM1に態様の変化が有りと判断されたマザー基板10と識別する。検査マークM1に態様の変化が無しと判断されたマザー基板10は、レーザ光44が適正に照射されていない可能性が高いため、この状態でマザー基板10を切断すると、チッピング等の不具合が生じるおそれがあるからである。保留されたマザー基板10は、その後、生産性、信頼性を考慮して、リペアすべく、ステップS2のレーザ照射に移行することもできる。   In step S6 of FIG. 4, in the case of NO in step S4, the processing of the mother substrate 10 is temporarily suspended, and is identified from the mother substrate 10 that has been determined to have a change in the aspect of the inspection mark M1. Since there is a high possibility that the laser beam 44 is not properly irradiated on the mother substrate 10 that has been determined that the inspection mark M1 has no change in form, problems such as chipping occur when the mother substrate 10 is cut in this state. Because there is a fear. The suspended mother board 10 can then be shifted to laser irradiation in step S2 in order to repair in consideration of productivity and reliability.

(電気光学装置の構成)
電気光学装置としての液晶表示パネル20の構成については、上記に説明した機能部としての液晶表示パネル20の構成の内容と同じため説明を省略する(図2参照)。
(Configuration of electro-optical device)
The configuration of the liquid crystal display panel 20 as the electro-optical device is the same as the configuration of the liquid crystal display panel 20 as the functional unit described above, and thus the description thereof is omitted (see FIG. 2).

(電子機器の構成)
次に、電子機器の構成について説明する。図6は、電子機器としてのプロジェクタの構成を示す斜視図である。図6において、プロジェクタ80を構成する光学系に液晶表示パネル20が搭載されている。
(Configuration of electronic equipment)
Next, the configuration of the electronic device will be described. FIG. 6 is a perspective view showing a configuration of a projector as an electronic apparatus. In FIG. 6, the liquid crystal display panel 20 is mounted on the optical system constituting the projector 80.

従って、上記の第1実施形態によれば、以下に示す効果がある。   Therefore, according to the first embodiment, there are the following effects.

(1)第1基板11の切断予定ラインDx,Dy上であって、第1基板11の第1の面S1に形成された検査マークM1にレーザ光44が照射されると、検査マークM1にレーザ痕H1が形成される。そして、検査マークM1は、撮像装置55によって撮像され、レーザ痕H1の有無が検査される。従って、検査マークM1のレーザ痕H1の有無を検査することにより、レーザ光44の照射によって第1基板11の内部に形成された改質層の形成状態の検査の代替として、第1基板11の外部から容易に検査することができる。   (1) When the inspection mark M1 formed on the first surface S1 of the first substrate 11 on the scheduled cutting lines Dx and Dy of the first substrate 11 is irradiated with the laser beam 44, the inspection mark M1 is applied to the inspection mark M1. A laser mark H1 is formed. And the inspection mark M1 is imaged by the imaging device 55, and the presence or absence of the laser mark H1 is inspected. Therefore, by inspecting the presence or absence of the laser mark H1 of the inspection mark M1, as an alternative to the inspection of the formation state of the modified layer formed inside the first substrate 11 by irradiation of the laser beam 44, the first substrate 11 It can be easily inspected from the outside.

(2)検査マークM1は、液晶表示パネル20が形成されている領域以外の領域であって、第1基板11の周縁部に形成されるので、設計レイアウトが制限されず、第1基板11を有効に使用することができる。   (2) The inspection mark M1 is a region other than the region where the liquid crystal display panel 20 is formed, and is formed on the peripheral portion of the first substrate 11, so that the design layout is not limited and the first substrate 11 It can be used effectively.

(3)検査マークM1にレーザ痕H1が形成されたか否かを判断することにより、切断すべきマザー基板10と保留すべきマザー基板10とが識別されるので、不具合品の発生を抑えることができる。   (3) Since it is determined whether or not the laser mark H1 is formed on the inspection mark M1, the mother substrate 10 to be cut and the mother substrate 10 to be held are identified, thereby suppressing the occurrence of defective products. it can.

[第2実施形態]
次に、第2実施形態について説明する。なお、機能部としての液晶表示パネルの構成、レーザ照射装置の構成、電気光学装置の構成、電子機器の構成については、第1実施形態と同じなので説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described. Note that the configuration of the liquid crystal display panel as the functional unit, the configuration of the laser irradiation device, the configuration of the electro-optical device, and the configuration of the electronic apparatus are the same as those in the first embodiment, and thus description thereof is omitted.

(マザー基板の構成)
まず、マザー基板の構成について説明する。図7は、マザー基板の構成を示し、図1(a)は平面図を示し、同図(b)は同図(a)のA−A線で切った概略断面図を示す。
(Mother board configuration)
First, the configuration of the mother board will be described. 7 shows the configuration of the mother substrate, FIG. 1 (a) shows a plan view, and FIG. 7 (b) shows a schematic cross-sectional view taken along line AA of FIG.

図7(a),(b)において、マザー基板10は、ウエハ形状であり、第1基板11と第2基板12とが接着され、複数の機能部としての液晶表示パネル20で構成されている。1つの液晶表示パネル20は、液晶表示パネル20ごとに切断すべき位置であって、第1基板11に設けられた切断予定ラインDx,Dyに沿って切断して、マザー基板10から分割される。   7A and 7B, the mother substrate 10 has a wafer shape, and the first substrate 11 and the second substrate 12 are bonded to each other, and is configured by a liquid crystal display panel 20 as a plurality of functional units. . One liquid crystal display panel 20 is a position to be cut for each liquid crystal display panel 20, and is cut along the scheduled cutting lines Dx and Dy provided on the first substrate 11 and divided from the mother substrate 10. .

マザー基板10に形成された液晶表示パネル20以外の領域であって、第1基板11の周縁部の切断予定ラインDx,Dy上に薄膜としての検査マークM2が形成されている。検査マークM2は、レーザ光が照射により、態様が変化する薄膜であり、それぞれの切断予定ラインDx,Dy上に形成された検査マークM2が互いに接続され、連なった形状で形成されている。   In the region other than the liquid crystal display panel 20 formed on the mother substrate 10, the inspection mark M <b> 2 as a thin film is formed on the scheduled cutting lines Dx and Dy on the peripheral edge of the first substrate 11. The inspection mark M2 is a thin film whose aspect changes when irradiated with laser light, and the inspection marks M2 formed on the respective scheduled cutting lines Dx and Dy are connected to each other and formed in a continuous shape.

(レーザスクライブ方法)
次に、レーザスクライブ方法について説明する。図8は、第2実施形態におけるレーザスクライブ方法を示すフローチャート図である。図9は、第2実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す模式図である。
(Laser scribing method)
Next, a laser scribing method will be described. FIG. 8 is a flowchart showing a laser scribing method in the second embodiment. FIG. 9 is a schematic diagram showing a laser scribing method in the second embodiment.

図8のステップS1では、基板製造を行う。当該基板製造工程では、図9(a)に示すように、第1基板11にTFT素子23等を形成し、第1基板11の面にシール材24を形成した後、当該シール材24で区画された領域に液晶材25を塗布する。一方、第2基板12には、共通電極26等を形成する。そして、両基板11,12を対向して配置し、シール材24の接着力によって両基板11,12を接着する。さらに、切断予定ラインDx,Dy上であって、第1基板11のTFT素子23が形成された面に検査マークM2を形成する。検査マークM2は、液晶表示パネル20が形成された領域以外の領域であって、第1基板11の周縁部に連なって形成される(図7参照)。   In step S1 of FIG. 8, substrate manufacture is performed. In the substrate manufacturing process, as shown in FIG. 9A, the TFT elements 23 and the like are formed on the first substrate 11 and the sealing material 24 is formed on the surface of the first substrate 11. A liquid crystal material 25 is applied to the formed region. On the other hand, the common electrode 26 and the like are formed on the second substrate 12. Then, both the substrates 11 and 12 are arranged to face each other, and both the substrates 11 and 12 are bonded by the adhesive force of the sealing material 24. Further, the inspection mark M2 is formed on the surface on which the TFT element 23 of the first substrate 11 is formed on the cutting planned lines Dx and Dy. The inspection mark M2 is an area other than the area where the liquid crystal display panel 20 is formed, and is formed continuously to the peripheral edge of the first substrate 11 (see FIG. 7).

検査マークM2は、レーザ光の照射によって態様が変化するとともに導電性の材質よって形成される。また、検査マークM2の形成方法としては、例えば、インクジェット法、印刷法、フォトリソグラフィ法等を用いて形成する。なお、検査マークM2は、必ずしも第1基板11と第2基板12とを接着した後に形成する必要はなく、第1基板11の形成過程で形成してもよい。   The inspection mark M2 is formed of a conductive material while changing its form by irradiation with laser light. In addition, as a method for forming the inspection mark M2, for example, an inkjet method, a printing method, a photolithography method, or the like is used. Note that the inspection mark M2 is not necessarily formed after the first substrate 11 and the second substrate 12 are bonded, and may be formed in the process of forming the first substrate 11.

図8のステップS2では、第1基板11に向けてレーザ照射する。当該レーザ照射工程では、図9(b)に示すように、レーザ照射装置40を用いて、第1基板11のTFT素子23等が形成された第1の面S1に向けてレーザ光44を照射する。レーザ光44は、第1基板11の第1の面S1の反対面となる第2の面S2の近傍に集光点が設定され、第2の面S2に平行方向であって、切断予定ラインDx,Dyに沿って照射しながら走査する。その後、集光点の位置が第1の面S1に近づくようにZ軸方向に集光点の位置を移動させ、レーザ光44を照射させながら切断予定ラインDx,Dyに沿って走査する。そして、さらにZ軸方向に集光点の位置を移動させ、検査マークM2が形成された第1の面S1に達するまで、複数回走査することにより、切断予定ラインDx,Dyに沿った改質層Rが形成される。   In step S <b> 2 of FIG. 8, laser irradiation is performed toward the first substrate 11. In the laser irradiation step, as shown in FIG. 9B, a laser beam 44 is irradiated toward the first surface S1 on which the TFT elements 23 and the like of the first substrate 11 are formed using a laser irradiation apparatus 40. To do. The laser beam 44 has a condensing point set in the vicinity of the second surface S2 which is the opposite surface of the first surface S1 of the first substrate 11, is parallel to the second surface S2, and is a line to be cut. Scan while irradiating along Dx and Dy. Thereafter, the position of the condensing point is moved in the Z-axis direction so that the position of the condensing point approaches the first surface S1, and scanning is performed along the planned cutting lines Dx and Dy while irradiating the laser beam 44. Then, the position of the condensing point is further moved in the Z-axis direction, and scanning is performed a plurality of times until reaching the first surface S1 on which the inspection mark M2 is formed, thereby improving along the scheduled cutting lines Dx and Dy. Layer R is formed.

照射工程において、第1の面S1までレーザ光44が照射されると、図9(b)に示すように、検査マークM2にレーザ痕H2が形成される。レーザ痕H2は、レーザ光44が走査された個所に形成され、検査マークM2におけるレーザ痕H2が形成された領域とレーザ痕H2以外の領域では、レーザ光44の照射の有無により態様が異なっている。   In the irradiation step, when the laser beam 44 is irradiated to the first surface S1, a laser mark H2 is formed on the inspection mark M2, as shown in FIG. 9B. The laser mark H2 is formed at a position where the laser beam 44 is scanned, and the mode of the inspection mark M2 in the region where the laser mark H2 is formed and the region other than the laser mark H2 are different depending on whether or not the laser beam 44 is irradiated. Yes.

図8のステップS3では、検査マークM2における電気的特性を検査する。当該検査工程では、図9(c)に示すように、検査マークM2のレーザ痕H2を挟んだ検査マークM2aと検査マークM2bとの間の電気的特性を検査する。例えば、テスタ78の一方のテスタ端子78aを検査マークM2aに接続し、他方のテスタ端子78bを検査マークM2bに接続させ、両テスタ端子78a,78b間の導通を検査する。なお、当該電気的特性の検査は、レーザ光44の照射と同時期に行うこともできる。   In step S3 of FIG. 8, the electrical characteristics of the inspection mark M2 are inspected. In the inspection step, as shown in FIG. 9C, the electrical characteristics between the inspection mark M2a and the inspection mark M2b sandwiching the laser mark H2 of the inspection mark M2 are inspected. For example, one tester terminal 78a of the tester 78 is connected to the inspection mark M2a, the other tester terminal 78b is connected to the inspection mark M2b, and the continuity between both tester terminals 78a and 78b is inspected. Note that the inspection of the electrical characteristics can be performed at the same time as the irradiation of the laser beam 44.

図8のステップS4では、検査マークM2における両テスタ端子78a,78b間の電気的特性の変化の有無を判断する。当該判断工程においては、予め設定された基準となる電気的特性データをもとに判断される。   In step S4 of FIG. 8, it is determined whether or not there is a change in electrical characteristics between the tester terminals 78a and 78b in the inspection mark M2. In the determination step, the determination is made based on electrical characteristic data serving as a reference set in advance.

図8のステップS5では、ステップS4でYESの場合に、マザー基板10を切断する。当該切断工程では、図9(d)に示すように、マザー基板10に外力を与える。外力が与えられると、第1基板11の内部に形成された改質層Rに応力が生じ、改質層Rに倣って第1基板11が切断され、図9(e)に示すように、液晶表示パネル20ごとに分割される。   In step S5 in FIG. 8, the mother substrate 10 is cut if YES in step S4. In the cutting step, an external force is applied to the mother substrate 10 as shown in FIG. When an external force is applied, stress is generated in the modified layer R formed inside the first substrate 11, and the first substrate 11 is cut along the modified layer R, as shown in FIG. The liquid crystal display panel 20 is divided.

図8のステップS6では、ステップS4のNOの場合に、マザー基板10の加工を一旦保留し、検査マークM2に態様の変化が有りと判断されたマザー基板10と識別する。検査マークM2に態様の変化が無しと判断されたマザー基板10は、レーザ光44が適正に照射されていない可能性が高いため、この状態でマザー基板10を切断すると、チッピング等の不具合が生じるおそれがあるからである。保留されたマザー基板10は、その後、生産性、信頼性等を考慮して、リペアすべく、ステップS2のレーザ照射に移行することもできる。   In step S6 of FIG. 8, in the case of NO in step S4, the processing of the mother substrate 10 is temporarily suspended, and is identified from the mother substrate 10 that has been determined to have a change in the aspect of the inspection mark M2. Since there is a high possibility that the laser beam 44 is not properly irradiated on the mother substrate 10 that is determined to have no change in the aspect of the inspection mark M2, if the mother substrate 10 is cut in this state, problems such as chipping occur. Because there is a fear. The suspended mother board 10 can then be shifted to laser irradiation in step S2 in order to repair in consideration of productivity, reliability, and the like.

従って、上記の第2実施形態によれば、第1実施形態における効果に加え、以下に示す効果がある。   Therefore, according to said 2nd Embodiment, in addition to the effect in 1st Embodiment, there exists an effect shown below.

第1基板11の切断予定ラインDx,Dy上であって、第1基板11の第1の面S1に導電性材料を用いて形成された検査マークM2にレーザ光44が照射されると、検査マークM2にレーザ痕H2が形成される。そして、検査マークM2は、テスタ78を用いて、検査マークM2のレーザ痕H2を挟んだ検査マークM2a,M2b間の導通が検査される。従って、導通検査することにより、レーザ光44が照射によって第1基板11の内部に形成された改質層Rの形成状態の検査の代替として第1基板11の外部から容易に検査することができる。   When the inspection mark M2 formed on the first cut surface D1 and Dy of the first substrate 11 and formed on the first surface S1 of the first substrate 11 using the conductive material is irradiated with the laser beam 44, the inspection is performed. A laser mark H2 is formed on the mark M2. Then, the inspection mark M2 is inspected for continuity between the inspection marks M2a and M2b using the tester 78 with the laser mark H2 of the inspection mark M2 interposed therebetween. Therefore, by conducting the continuity test, it is possible to easily inspect from the outside of the first substrate 11 as an alternative to the inspection of the formation state of the modified layer R formed inside the first substrate 11 by irradiation with the laser beam 44. .

本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられる。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and the following modifications are given.

(変形例1)第1実施形態の検査工程において、撮像装置55を用いて検査マークM1を撮像したが、これに限定されない。例えば、外観目視で検査マークM1を検査してもよい。このようにしても、検査マークM1のレーザ痕H1の有無を検査することができる。   (Modification 1) In the inspection process of the first embodiment, the inspection mark M1 is imaged using the imaging device 55, but the present invention is not limited to this. For example, the inspection mark M1 may be inspected visually. Even in this case, the presence or absence of the laser mark H1 of the inspection mark M1 can be inspected.

(変形例2)第1実施形態の検査工程において、撮像装置55を用いて検査マークM1を撮像したが、これに限定されない。例えば、表面粗さ計を用いて、検査マークM1の表面を計測してもよい。このようにしても、検査マークM1の表面の粗さでレーザ痕H1の有無を検査することができる。   (Modification 2) In the inspection process of the first embodiment, the inspection mark M1 is imaged using the imaging device 55, but the present invention is not limited to this. For example, the surface of the inspection mark M1 may be measured using a surface roughness meter. Even in this way, the presence or absence of the laser mark H1 can be inspected by the roughness of the surface of the inspection mark M1.

(変形例3)第1実施形態の基板製造工程では、検査マークM1を切断予定ラインDx,Dyのそれぞれに形成したが、これに限定されない。例えば、第2実施形態の検査マークM2の形状のように連なって形成してもよい。このようにしても、検査マークM1のレーザ痕H1の有無を検査することができる。   (Modification 3) In the substrate manufacturing process of the first embodiment, the inspection mark M1 is formed on each of the scheduled cutting lines Dx and Dy, but the present invention is not limited to this. For example, it may be formed continuously like the shape of the inspection mark M2 of the second embodiment. Even in this case, the presence or absence of the laser mark H1 of the inspection mark M1 can be inspected.

(変形例4)第1及び第2実施形態では、第1基板11の一の面にのみ検査マークM1,M2を形成したが、これに限定されない。例えば、他の面にも検査マークM1,M2を形成し、第1基板11の両面に形成された検査マークM1,M2を検査してもよい。このようにすれば、検査精度が向上するので、品質の高い液晶表示パネル20を提供することができる。   (Modification 4) In the first and second embodiments, the inspection marks M1 and M2 are formed only on one surface of the first substrate 11, but the present invention is not limited to this. For example, the inspection marks M1 and M2 may be formed on the other surface, and the inspection marks M1 and M2 formed on both surfaces of the first substrate 11 may be inspected. In this way, since the inspection accuracy is improved, a high quality liquid crystal display panel 20 can be provided.

(変形例5)第1及び第2実施形態では、それぞれの切断予定ラインDx,Dy上に検査マークM1,M2を形成したが、これに限定されない。特定の切断予定ラインDx,Dy上にのみ検査マークM1,M2を形成してもよい。このようにすれば、基板製造工程における工数を削減することができる。   (Modification 5) In the first and second embodiments, the inspection marks M1 and M2 are formed on the respective scheduled cutting lines Dx and Dy. However, the present invention is not limited to this. The inspection marks M1 and M2 may be formed only on the specific cutting lines Dx and Dy. In this way, the number of steps in the substrate manufacturing process can be reduced.

(変形例6)第1及び第2実施形態の検査工程では、全ての検査マークM1,M2を検査したが、これに限定されない。例えば、特定個所に形成された検査マークM1,M2のみを検査してもよい。このようにすれば、検査工程における工数を削減することができる。   (Modification 6) In the inspection process of the first and second embodiments, all inspection marks M1 and M2 are inspected, but the present invention is not limited to this. For example, only the inspection marks M1, M2 formed at specific locations may be inspected. In this way, man-hours in the inspection process can be reduced.

第1実施形態におけるマザー基板の構成を示し、(a)は平面図、(b)は断面図。The structure of the mother board | substrate in 1st Embodiment is shown, (a) is a top view, (b) is sectional drawing. 機能部および電気光学装置としての液晶表示パネルの構成を示し、(a)は平面図、(b)は断面図。2 shows a configuration of a functional unit and a liquid crystal display panel as an electro-optical device, in which (a) is a plan view and (b) is a cross-sectional view. レーザ照射装置の構成を示す模式図。The schematic diagram which shows the structure of a laser irradiation apparatus. 第1実施形態におけるレーザスクライブ方法を示すフローチャート図。The flowchart figure which shows the laser scribing method in 1st Embodiment. 第1実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す模式図。The schematic diagram which shows the laser scribing method in 1st Embodiment. 電子機器としてのプロジェクタの構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the projector as an electronic device. 第2実施形態におけるマザー基板の構成を示し、(a)は平面図、(b)は断面図。The structure of the mother board | substrate in 2nd Embodiment is shown, (a) is a top view, (b) is sectional drawing. 第2実施形態におけるレーザスクライブ方法を示すフローチャート図。The flowchart figure which shows the laser scribing method in 2nd Embodiment. 第2実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す模式図。The schematic diagram which shows the laser scribing method in 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10…マザー基板、11…第1基板、12…第2基板、20…機能部および電気光学装置としての液晶表示パネル、40…レーザ照射装置、44…レーザ光、55…撮像装置、60…メインコンピュータ、61…画像処理部、78…テスタ、78a,78b…テスタ端子、80…電子機器としてのプロジェクタ、S1…第1の面、S2…第2の面、M1,M2,M2a,M2b…検査マーク、H1,H2…レーザ痕、R…改質層、Dx,Dy…切断予定ライン。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Mother board | substrate, 11 ... 1st board | substrate, 12 ... 2nd board | substrate, 20 ... Liquid crystal display panel as a function part and an electro-optical device, 40 ... Laser irradiation apparatus, 44 ... Laser beam, 55 ... Imaging apparatus, 60 ... Main Computer 61: Image processing unit 78: Tester 78a, 78b Tester terminal 80: Projector as electronic device S1: First surface S2: Second surface M1, M2, M2a, M2b: Inspection Marks, H1, H2 ... laser marks, R ... modified layer, Dx, Dy ... lines to be cut.

Claims (10)

基板に形成された複数の機能部ごとに切断すべき位置に設けられた切断予定ライン上であって、前記基板の少なくとも一方の面に、レーザ光の照射によって態様が変化する薄膜を形成する基板製造工程と、
前記切断予定ラインに沿って、少なくとも前記薄膜が形成された前記基板の表面部に前記レーザ光が照射されるように、前記基板に向けて前記レーザ光を照射し、前記基板の内部に改質層を形成するレーザ照射工程と、
前記薄膜の前記レーザ光の照射による態様の変化を検査する検査工程と、を含むことを特徴とするレーザスクライブ方法。
A substrate on a line to be cut provided at a position to be cut for each of a plurality of functional parts formed on the substrate, wherein a thin film whose form is changed by laser light irradiation is formed on at least one surface of the substrate Manufacturing process,
Irradiate the laser beam toward the substrate and modify the inside of the substrate so that at least the surface portion of the substrate on which the thin film is formed is irradiated along the planned cutting line. A laser irradiation step of forming a layer;
An inspection step of inspecting a change in an aspect of the thin film due to the irradiation of the laser light.
請求項1に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、前記基板の機能部が形成された領域以外の領域であって、前記基板の周縁部に前記薄膜を形成することを特徴とするレーザスクライブ方法。
The laser scribing method according to claim 1, wherein
In the substrate manufacturing process, the thin film is formed in a region other than a region where the functional portion of the substrate is formed, and on a peripheral portion of the substrate.
請求項1または2に記載のレーザスクライブ方法において、
前記検査工程は、前記レーザ照射工程と同時期に行うことを特徴とするレーザスクライブ方法。
The laser scribing method according to claim 1 or 2,
The laser scribing method, wherein the inspection step is performed at the same time as the laser irradiation step.
請求項1〜3のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、前記レーザ光の照射によってレーザ痕が形成される前記薄膜を形成し、
前記検査工程では、前記レーザ痕による前記薄膜の態様の変化を検査する、ことを特徴とするレーザスクライブ方法。
In the laser scribing method according to any one of claims 1 to 3,
In the substrate manufacturing process, the thin film on which laser marks are formed by irradiation with the laser light is formed,
In the inspection step, a change in the form of the thin film due to the laser mark is inspected.
請求項1〜4のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、導電性材料で前記薄膜を形成し、
前記検査工程では、前記レーザ痕を挟んだ前記薄膜間の電気的特性の変化を検査する、ことを特徴とするレーザスクライブ方法。
In the laser scribing method according to any one of claims 1 to 4,
In the substrate manufacturing process, the thin film is formed of a conductive material,
In the inspection step, a change in electrical characteristics between the thin films sandwiching the laser mark is inspected.
請求項1〜5のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記基板製造工程では、前記切断予定ライン毎に前記薄膜を形成するとともに、複数形成された前記薄膜を電気的に接続するパターンを形成し、
前記検査工程では、前記レーザ痕で区画された前記薄膜間の電気的特性の変化を検査する、ことを特徴とするレーザスクライブ方法。
In the laser scribing method according to any one of claims 1 to 5,
In the substrate manufacturing process, the thin film is formed for each of the scheduled cutting lines, and a pattern for electrically connecting a plurality of the thin films formed is formed.
In the inspection step, a change in electrical characteristics between the thin films defined by the laser marks is inspected, and the laser scribing method is characterized in that:
請求項1〜6のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記検査工程では、前記薄膜の態様の変化の有無を判断する判断工程を有し、
前記判断工程において、前記薄膜の態様に変化があると判断された場合に、前記基板に外力を与えて切断し、前記機能部毎に分割する基板切断工程を有することを特徴とするレーザスクライブ方法。
In the laser scribing method according to any one of claims 1 to 6,
The inspection step includes a determination step of determining whether there is a change in the aspect of the thin film,
A laser scribing method comprising: a substrate cutting step in which, in the determination step, when it is determined that there is a change in an aspect of the thin film, the substrate is cut by applying an external force to the substrate, and is divided for each functional unit .
請求項1〜7のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記判断工程において、前記薄膜の態様に変化がないと判断された場合に、前記基板を保留又は、再度前記レーザ照射工程を行うことを特徴とするレーザスクライブ方法。
In the laser scribing method according to any one of claims 1 to 7,
A laser scribing method comprising: holding the substrate or performing the laser irradiation step again when it is determined in the determination step that there is no change in the form of the thin film.
請求項1〜8のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法によって分割されたことを特徴とする機能部としての電気光学装置。   An electro-optical device as a functional unit, which is divided by the laser scribing method according to claim 1. 請求項9に記載の電気光学装置を搭載したことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 9.
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