JPH01180105A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
- Publication number
- JPH01180105A JPH01180105A JP312888A JP312888A JPH01180105A JP H01180105 A JPH01180105 A JP H01180105A JP 312888 A JP312888 A JP 312888A JP 312888 A JP312888 A JP 312888A JP H01180105 A JPH01180105 A JP H01180105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metallic
- amplifier
- base
- circuit
- case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、マイクロ波周波数帯で使用されるマイクロ波
発掘器に間し、特に、小型、簡便で、発振スペクトラム
のきれいなマイクロ波発振器に間する。
発掘器に間し、特に、小型、簡便で、発振スペクトラム
のきれいなマイクロ波発振器に間する。
[従来の技術]
近年、マイクロ波の分野では、高い周波数帯で発振可能
なマイクロ波発振器の開発が進められている。
なマイクロ波発振器の開発が進められている。
このうち、従来は、10GHz以上で発振する固体化発
振器として、ガンダイオードやインバットダイオードな
どの負性抵抗型ダイオードによるマイクロ波発振器が知
られていた。
振器として、ガンダイオードやインバットダイオードな
どの負性抵抗型ダイオードによるマイクロ波発振器が知
られていた。
また、この他にも、GaAs FETを用いたマイクロ
波発振器では、12C;Hz程度の周波数を直接発振す
ることができるようになってきている。
波発振器では、12C;Hz程度の周波数を直接発振す
ることができるようになってきている。
[解決すべき問題点]
上述した従来のマイクロ波発振器は、次のような問題点
があった。
があった。
■負性抵抗型ダイオードによるマイクロ波発振器では、
素子の負性抵抗特性に素子特有の極めて強い周波数依存
性があり、汎用的でない。
素子の負性抵抗特性に素子特有の極めて強い周波数依存
性があり、汎用的でない。
■CaAsFETによるマイクロ波発振器では、素子自
体は30C;Hz程度でも十分増幅機能を持つにもかか
わらず、20GHz程度まで発振周波数を延ばす汎用的
な発振器を構成することは極めて難しい。
体は30C;Hz程度でも十分増幅機能を持つにもかか
わらず、20GHz程度まで発振周波数を延ばす汎用的
な発振器を構成することは極めて難しい。
本発明は、上記問題点にかんがみてなされたもので、小
型、簡便で、発振スペクトラムのきれいなマイクロ波発
振器の提供を目的とする。
型、簡便で、発振スペクトラムのきれいなマイクロ波発
振器の提供を目的とする。
[問題点の解決手段]
上記目的を達成するため、本発明のマイクロ波発振器は
、その一面上に気密パッケージに納められたマイクロ波
帯増幅器を備えるとともに、他の一面上にはこのマイク
ロ波帯増幅器のRF入出力端子を備えたベース金属板と
、このベース金属板のRF入出力端子を備える面上に導
波管共振器を形成する金属ケースとを備えた構成としで
ある。
、その一面上に気密パッケージに納められたマイクロ波
帯増幅器を備えるとともに、他の一面上にはこのマイク
ロ波帯増幅器のRF入出力端子を備えたベース金属板と
、このベース金属板のRF入出力端子を備える面上に導
波管共振器を形成する金属ケースとを備えた構成としで
ある。
すなわち、金属ベース上に金属シールドの気密パッケー
ジを構成し、その内部にGaAsFETやHEMTとい
った高周波増幅トランジスタを用いた増幅器を備えると
ともに、この増幅器の発振周波数を安定化するために、
上記金属ヘースの反対面に導波管共振器を形成する金属
ケースを取り付けた構造としである。
ジを構成し、その内部にGaAsFETやHEMTとい
った高周波増幅トランジスタを用いた増幅器を備えると
ともに、この増幅器の発振周波数を安定化するために、
上記金属ヘースの反対面に導波管共振器を形成する金属
ケースを取り付けた構造としである。
この結果、他の付属回路を付加することなく汎用的な発
振器が構成できる。
振器が構成できる。
[実施例]
以下、図面にもとづいて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係るマイクロ波発振器の
横断面図である。
横断面図である。
同図において、lは金属ベース、2は増幅器回路、3は
凹型金属ケース、4は信号出力コネクタ、11はネジで
ある。
凹型金属ケース、4は信号出力コネクタ、11はネジで
ある。
ここで、金属ベース1上に設けられた増幅器回路2は、
増幅回路20と入出力回路21.22から構成され、そ
のRF入出力端子23.24は金属ベース1の反対側に
出力されている。また、25は気密パッケージを作る金
属シールドである。
増幅回路20と入出力回路21.22から構成され、そ
のRF入出力端子23.24は金属ベース1の反対側に
出力されている。また、25は気密パッケージを作る金
属シールドである。
なお、この増幅回路20は、GaAsFETやHEMT
といった高周波増幅トランジスタによって構成する。
といった高周波増幅トランジスタによって構成する。
一方、凹型金属ケース3は、金属ベース1との間に空洞
共振器を形成しているため、この空洞共振器を介してR
F出力端子24から出力される信号の一部はRF入力端
子23に帰還される。これにより、発振器が構成された
ことになる。このことは、逆にいうならば、少なくとも
RF入出力端子23.24が各−個づつ、金属ベースl
と金属ケース3が形成する空洞共振器内になければなら
ないことにもなる。
共振器を形成しているため、この空洞共振器を介してR
F出力端子24から出力される信号の一部はRF入力端
子23に帰還される。これにより、発振器が構成された
ことになる。このことは、逆にいうならば、少なくとも
RF入出力端子23.24が各−個づつ、金属ベースl
と金属ケース3が形成する空洞共振器内になければなら
ないことにもなる。
さらに、凹型金属ケース3には信号出力コネクタ4が取
り付けられており、そのRF端子41を通して信号の一
部が出力される。
り付けられており、そのRF端子41を通して信号の一
部が出力される。
以上のような構成をとっているため、増幅器側回路は汎
用的な広帯域なものが形成できる。また、凹型金属ケー
ス3の寸法形状を種々選ぶことによって、容易にその発
振周波数を変更することができる。また、C; a A
s F E TやHEMTといった高周波増幅トラン
ジスタを使用しているため、負性抵抗型ダイオードを使
用した場合に比べ、発振スペクトラムがきれいでもある
。
用的な広帯域なものが形成できる。また、凹型金属ケー
ス3の寸法形状を種々選ぶことによって、容易にその発
振周波数を変更することができる。また、C; a A
s F E TやHEMTといった高周波増幅トラン
ジスタを使用しているため、負性抵抗型ダイオードを使
用した場合に比べ、発振スペクトラムがきれいでもある
。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものでなく、要
旨の範囲内における種々変形例を含むものである。例え
ば、上述の実施例では、金属ベースを平板状としている
が、筐体としてその内部に増幅器回路を設置することも
できる。
旨の範囲内における種々変形例を含むものである。例え
ば、上述の実施例では、金属ベースを平板状としている
が、筐体としてその内部に増幅器回路を設置することも
できる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明は、金属ベースの一方に汎用
的な増幅器を形成するとともに、その他方の面に単なる
凹型の金属ケースを取り付けることによって発振回路を
構成しているため、極めて汎用的、かつ、構成が簡単な
、しかも発振スペクトラムがきれいであるというマイク
ロ波発振器を提供できるという効果がある。
的な増幅器を形成するとともに、その他方の面に単なる
凹型の金属ケースを取り付けることによって発振回路を
構成しているため、極めて汎用的、かつ、構成が簡単な
、しかも発振スペクトラムがきれいであるというマイク
ロ波発振器を提供できるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例に係るマイクロ波発振器の横
断面図である。 l二金属ベース 2:増幅器回路 23.24: RF入出力端子 3:金属ケース
断面図である。 l二金属ベース 2:増幅器回路 23.24: RF入出力端子 3:金属ケース
Claims (1)
- その一面上に気密パッケージに納められたマイクロ波帯
増幅器を備えるとともに、他の一面上にはこのマイクロ
波帯増幅器のRF入出力端子を備えたベース金属板と、
このベース金属板のRF入出力端子を備える面上に導波
管共振器を形成する金属ケースとを具備することを特徴
とするマイクロ波発振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP312888A JPH01180105A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | マイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP312888A JPH01180105A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | マイクロ波発振器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01180105A true JPH01180105A (ja) | 1989-07-18 |
Family
ID=11548722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP312888A Pending JPH01180105A (ja) | 1988-01-12 | 1988-01-12 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01180105A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50158259A (ja) * | 1974-06-10 | 1975-12-22 |
-
1988
- 1988-01-12 JP JP312888A patent/JPH01180105A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50158259A (ja) * | 1974-06-10 | 1975-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4783638A (en) | Frequency doubling oscillator working at ultra-high frequencies | |
US4539530A (en) | Transistorized microwave oscillator of oscillation frequency multiplying type | |
ATE196703T1 (de) | Oszillator für eine frequenz von 1,6 bis 3 ghz | |
US6239663B1 (en) | High-frequency oscillator using FETs and transmission lines | |
JPH01180105A (ja) | マイクロ波発振器 | |
US6344779B1 (en) | Oscillator and radio equipment | |
JPS5787209A (en) | Microwave semiconductor oscillator | |
JPS58177010A (ja) | 発振逓倍器 | |
JPH01273404A (ja) | 高周波半導体デバイス | |
JPS6190502A (ja) | 広帯域発振器 | |
JPH1093348A (ja) | 電圧制御発振器 | |
US6512421B1 (en) | Gunn diode oscillator with NRD guide | |
JPH02215209A (ja) | マイクロ波低雑音コンバータ | |
KR900007128B1 (ko) | 건다이오드 발진회로 | |
Brand | Tunable low noise GaAs FET oscillators at 13 GHZ | |
Jacob et al. | Broad-band tunable GaAs-FET oscillator with hybrid-coupled microstrip and evanescent-mode resonators | |
Tofighi et al. | An IC based self-oscillating mixer for telecommunications | |
JPS6025307A (ja) | マイクロ波発振器 | |
SU1192102A1 (ru) | СВЧ генератор | |
JPS63156404A (ja) | マイクロ波発振器 | |
GB1304433A (ja) | ||
KR20000008194A (ko) | 패시브 모드 mesfet를 이용한 유전체 공진기 vco | |
JPS63292706A (ja) | マイクロ波発振器 | |
JPS6046102A (ja) | 発振逓倍器 | |
Ghanevati et al. | An efficient SOM for front-end UHF electronics |