JPH01175199A - プラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ発生装置Info
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- JPH01175199A JPH01175199A JP62230325A JP23032587A JPH01175199A JP H01175199 A JPH01175199 A JP H01175199A JP 62230325 A JP62230325 A JP 62230325A JP 23032587 A JP23032587 A JP 23032587A JP H01175199 A JPH01175199 A JP H01175199A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、エレクトロニクス、化学工業等の分野におい
て、低圧ガスをマイクロ波によりプラズマ化しこれを固
体表面(サブストレート)等に接触させプラズマポリマ
を生成堆積させるプラズマ重合や、固体表面に変化を与
えその表面を改質するプラズマ処理等に使用されるプラ
ズマ発生装置に関し、特に、マイクロ波供給点近傍部の
局所放電の抑制を可能とし高エネルギ・プラズマを発生
し得るプラズマ発生装置に関するものである。
て、低圧ガスをマイクロ波によりプラズマ化しこれを固
体表面(サブストレート)等に接触させプラズマポリマ
を生成堆積させるプラズマ重合や、固体表面に変化を与
えその表面を改質するプラズマ処理等に使用されるプラ
ズマ発生装置に関し、特に、マイクロ波供給点近傍部の
局所放電の抑制を可能とし高エネルギ・プラズマを発生
し得るプラズマ発生装置に関するものである。
[従来の技術]
従来、この種のプラズマ発生装置としては、例えば第7
図に示すように、ガス注入管1aが接続され水冷管1b
が巻回された円筒導体l及びこれを閉塞して空ll1i
2を画成する閉蓋導体3からなる円筒共振器4と、閉蓋
導体3の凹所に嵌合され空洞2を気密保持すべき0リン
グ5aを付帯する石英板5と、取付は部材6a及びボル
ト、ナツト6bを以て石英板5に対し開口部が臨むマイ
クロ波供給系としての矩形導波管6と、円筒導体lの底
部に接続されプラズマ反応室7に対し空洞2内で発生し
たプラズマを移送すべきプラズマ導入管8とから構成さ
れている。
図に示すように、ガス注入管1aが接続され水冷管1b
が巻回された円筒導体l及びこれを閉塞して空ll1i
2を画成する閉蓋導体3からなる円筒共振器4と、閉蓋
導体3の凹所に嵌合され空洞2を気密保持すべき0リン
グ5aを付帯する石英板5と、取付は部材6a及びボル
ト、ナツト6bを以て石英板5に対し開口部が臨むマイ
クロ波供給系としての矩形導波管6と、円筒導体lの底
部に接続されプラズマ反応室7に対し空洞2内で発生し
たプラズマを移送すべきプラズマ導入管8とから構成さ
れている。
例えば、この円筒共振器4はT E、、、モード共振器
で、今、マイクロ波発振器(図示せず)からTEl。モ
ード(第7図(A)参照)のマイクロ波が矩形導波管6
を介して伝送され円筒共振器4内に投入されると、第7
図(B)に示すように、T E、、ユモードで共振する
ので、電界分布E1の波腹値が2個発生し、その2個又
は1個の波腹値領域においてプラズマ発生が見られる。
で、今、マイクロ波発振器(図示せず)からTEl。モ
ード(第7図(A)参照)のマイクロ波が矩形導波管6
を介して伝送され円筒共振器4内に投入されると、第7
図(B)に示すように、T E、、ユモードで共振する
ので、電界分布E1の波腹値が2個発生し、その2個又
は1個の波腹値領域においてプラズマ発生が見られる。
[解決すべき問題点]
しかしながら、上記従来のプラズマ発生装置にあっては
1次の問題点がある。
1次の問題点がある。
即ち、矩形導波管6から円筒共振器4へのマイクロ波供
給量(マイクロ波電力)が比較的小さい場合には、円筒
共振器4内においてTE、、ユ共振モードの電界最大点
付近にプラズマ発生領域を得ることができるが、矩形導
波管6内の電界82分布は第7図(A)に示す如く■B
−■B線上において最大点をもつから、マイクロ波電力
を増加させると、ある限界点を越えたところで、石英板
5の内側のマイクロ波供給口3aにて局部的なプラズマ
発生が起こり(第7図示の局部的プラズマ発生領域P)
、更にマイクロ波電力を高めると1局部的プラズマ発生
領域Pのエネルギが強くなり、放電により石英板5の破
損等を招く。
給量(マイクロ波電力)が比較的小さい場合には、円筒
共振器4内においてTE、、ユ共振モードの電界最大点
付近にプラズマ発生領域を得ることができるが、矩形導
波管6内の電界82分布は第7図(A)に示す如く■B
−■B線上において最大点をもつから、マイクロ波電力
を増加させると、ある限界点を越えたところで、石英板
5の内側のマイクロ波供給口3aにて局部的なプラズマ
発生が起こり(第7図示の局部的プラズマ発生領域P)
、更にマイクロ波電力を高めると1局部的プラズマ発生
領域Pのエネルギが強くなり、放電により石英板5の破
損等を招く。
[発明の目的]
本発明は、上記問題点を解決するものであり、その目的
は、電力供給点における局部的プラズマ発生領域がなく
共振器等の構成部品の破損、損傷等を惹起させずに、共
振器内にプラズマエネルギが大なる正規有用なプラズマ
領域の発生のみを実現し得るプラズマ発生装置を提供す
ることにある。
は、電力供給点における局部的プラズマ発生領域がなく
共振器等の構成部品の破損、損傷等を惹起させずに、共
振器内にプラズマエネルギが大なる正規有用なプラズマ
領域の発生のみを実現し得るプラズマ発生装置を提供す
ることにある。
[問題点の解決手段]
上記目的を達成するため、本発明に係るプラズマ発生装
置は、次の2つの主たる構成要件を有するものである。
置は、次の2つの主たる構成要件を有するものである。
■導波管と空洞共振器との間に介在する導波管/同軸変
換器が少なくとも1個あること。
換器が少なくとも1個あること。
ここで「導波管/同軸変換f」には、例えば、導波管に
対するインピーダンス整合用可動短絡器と、同軸線路に
対するインピーダンス整合用可動短絡器と、を有する場
合が包含される。
対するインピーダンス整合用可動短絡器と、同軸線路に
対するインピーダンス整合用可動短絡器と、を有する場
合が包含される。
■該変換器の同軸線路の内導体は該空洞共振器内面に接
続されたループを有すること。
続されたループを有すること。
ここで「同軸線路」としては、例えば、低損失スペーサ
で封止せる中実気密構造である場合が包含される。
で封止せる中実気密構造である場合が包含される。
[作用]
かかる構成のプラズマ発生装置によれば、導波管を介し
て導波管/同軸変換器に電波が導入されると、導波管内
の磁界の作用よって同軸線路の内導体に電流が波れ、こ
れにより空洞共振器内面に接続されたループを再電波源
として空洞共振器内に′ilt波が供給され、空洞共振
器はそのループ位置及びその個数や空洞共振器内の寸法
形状等で決定されるモードで共振するが、導波管と空洞
共振器との結合エネルギとして磁気エネルギを利用する
ものであるから、電波電力が従来に比して大なる場合で
あっても、エネルギ供給点たるループ近傍部においては
局在プラズマの発生が起こりにくく、所定の共振モード
の電界分布の電界最大点付近でエネルギ強度の大なる正
規のプラズマ発生のみを得ることができる。
て導波管/同軸変換器に電波が導入されると、導波管内
の磁界の作用よって同軸線路の内導体に電流が波れ、こ
れにより空洞共振器内面に接続されたループを再電波源
として空洞共振器内に′ilt波が供給され、空洞共振
器はそのループ位置及びその個数や空洞共振器内の寸法
形状等で決定されるモードで共振するが、導波管と空洞
共振器との結合エネルギとして磁気エネルギを利用する
ものであるから、電波電力が従来に比して大なる場合で
あっても、エネルギ供給点たるループ近傍部においては
局在プラズマの発生が起こりにくく、所定の共振モード
の電界分布の電界最大点付近でエネルギ強度の大なる正
規のプラズマ発生のみを得ることができる。
[実施例]
次に2本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第1 (A)図は本発明に係るプラズマ発生装置の第1
実施例を示す正面縦断面図で、第1 (B)図は同実施
例における円筒共振器を示す横断面図である。
実施例を示す正面縦断面図で、第1 (B)図は同実施
例における円筒共振器を示す横断面図である。
第1図中、10はプラズマを発生する円筒共振器で、円
筒導体11及びこれを閉塞して空洞12を画成する閉蓋
導体13から構成されている6円筒導体11と閉蓋導体
13とはボルト、ナツト14を以て締着され、そのフラ
ンジ接合部にはOリング15が介装されており、空洞1
2内を気密的に保持している。円筒共振器10の周囲に
は冷却用の水冷管16が巻回されている0円筒共振器1
0の閉蓋導体13には空洞12内にガスを供給するガス
注入vl?が接続され、これにはガスボンベ等(図示せ
ず)が接続されている0円筒溝体11の底部には反応室
(図示せず)へ空洞12内で発生したプラズマを移送す
るプラズマ導入管18が接続されている。なお、その反
応室は排気ポンプ(図示せず)に接続され、プラズマ導
入管18を排気管として空洞12内が真空状態に保持さ
れている。
筒導体11及びこれを閉塞して空洞12を画成する閉蓋
導体13から構成されている6円筒導体11と閉蓋導体
13とはボルト、ナツト14を以て締着され、そのフラ
ンジ接合部にはOリング15が介装されており、空洞1
2内を気密的に保持している。円筒共振器10の周囲に
は冷却用の水冷管16が巻回されている0円筒共振器1
0の閉蓋導体13には空洞12内にガスを供給するガス
注入vl?が接続され、これにはガスボンベ等(図示せ
ず)が接続されている0円筒溝体11の底部には反応室
(図示せず)へ空洞12内で発生したプラズマを移送す
るプラズマ導入管18が接続されている。なお、その反
応室は排気ポンプ(図示せず)に接続され、プラズマ導
入管18を排気管として空洞12内が真空状態に保持さ
れている。
20は磁気結合型導波管/同軸変換器で、始端部がマイ
クロ波発振器(図示せず)に接続され、終端部にインピ
ーダンス整合用可動短絡器21を具備する矩形導波管2
2と、その終端部りにおいて一方側が導波管22内を貫
通し他方側が円筒共振器lOの円筒導体11の内面にル
ープ23aとして接続導通する内導体としての中心導体
23を有し、その中心導体23の貫通終端部においてイ
ンピーダンス整合用可動短絡器24を具備する同軸線路
25とから構成されている。円筒共振器10と導波管2
2との結合手段としての同軸線路25は、中心導体23
と外側導体26の間を中実とするマイクロ波に対して低
損失のスペーサ27で封止されている。なお、28は中
心導体23とスペーサ27との間に介装されたOリング
で、28は外側導体26とスペーサ27との間に介装さ
れた0リングである。中心導体23を延出して形成され
たループ23aは、円筒導体11の軸長りのほぼ半分の
位置で円筒導体11の底面に平行な平面上において配向
し、そのループ先端部はビス30を以て円筒導体11の
内面に締着されている。
クロ波発振器(図示せず)に接続され、終端部にインピ
ーダンス整合用可動短絡器21を具備する矩形導波管2
2と、その終端部りにおいて一方側が導波管22内を貫
通し他方側が円筒共振器lOの円筒導体11の内面にル
ープ23aとして接続導通する内導体としての中心導体
23を有し、その中心導体23の貫通終端部においてイ
ンピーダンス整合用可動短絡器24を具備する同軸線路
25とから構成されている。円筒共振器10と導波管2
2との結合手段としての同軸線路25は、中心導体23
と外側導体26の間を中実とするマイクロ波に対して低
損失のスペーサ27で封止されている。なお、28は中
心導体23とスペーサ27との間に介装されたOリング
で、28は外側導体26とスペーサ27との間に介装さ
れた0リングである。中心導体23を延出して形成され
たループ23aは、円筒導体11の軸長りのほぼ半分の
位置で円筒導体11の底面に平行な平面上において配向
し、そのループ先端部はビス30を以て円筒導体11の
内面に締着されている。
インピーダンス整合用可動短絡器21は、マイクロ波の
進行波を反射させる可動短絡板21aと、可動短絡板2
1aの遊隙を閉塞し完全反射を期する接触片21bと、
可動短絡板21aを進退調節する摺動a21cとから構
成されている。またインピーダンス整合用可動短絡器2
4は、外側導体を閉塞する同軸線路終端29aに嵌入す
る中心導体23を被摺動部材として進退自在の可動短絡
板24a、可動短絡板24aの摺動遊隙等を閉塞する接
触片24bと、可動短絡板24aを進退せしめる摺動管
24cとから構成されている。
進行波を反射させる可動短絡板21aと、可動短絡板2
1aの遊隙を閉塞し完全反射を期する接触片21bと、
可動短絡板21aを進退調節する摺動a21cとから構
成されている。またインピーダンス整合用可動短絡器2
4は、外側導体を閉塞する同軸線路終端29aに嵌入す
る中心導体23を被摺動部材として進退自在の可動短絡
板24a、可動短絡板24aの摺動遊隙等を閉塞する接
触片24bと、可動短絡板24aを進退せしめる摺動管
24cとから構成されている。
次に、上記第1実施例の作用効果を説明するに、マイク
ロ波発振器(図示せず)から導波管22を介して磁気結
合型導波管/同軸変換器にマイクロ波が伝送導入される
と、導波管22内の所定モードの磁界による磁界結合よ
って導波管22に直交貫通する同軸線路25の中心導体
23に伝導電流が流れ、これを契機として円筒導体11
の内面に接続′され空洞12内に位置するループ23a
に上記伝導電流が流れる故、恰もこのループ23aを放
射アンテナの如く再マイクロ波発生源としてループ23
aの周りに磁界が誘起され、上記伝導電流の時間的変化
によって円筒共振器10内にマイクロ波が磁気結合とし
て誘導供給されることとなる0円筒共振器10の共振モ
ードはそのループ位置、配向及びその個数や共振器10
内の寸法形状等で決定されるが、第1実施例においては
、TE、□モードの円筒共振器lOで、電界Eの最小強
度領域にマイクロ波供給点としてのループ23aが位置
しており、従来に比してマイクロ波電力が高い場合でも
、ループ23aの近傍においては不要な放電即ち偏在プ
ラズマ領域の発生が起こらず、円筒共振器10内のTE
、□モードの電界強度の最大点近傍部においてのみ希望
するプラズマ領域の発生が見られる。なお、軸長りを長
くすることによりT E、、、モード円筒共振器。
ロ波発振器(図示せず)から導波管22を介して磁気結
合型導波管/同軸変換器にマイクロ波が伝送導入される
と、導波管22内の所定モードの磁界による磁界結合よ
って導波管22に直交貫通する同軸線路25の中心導体
23に伝導電流が流れ、これを契機として円筒導体11
の内面に接続′され空洞12内に位置するループ23a
に上記伝導電流が流れる故、恰もこのループ23aを放
射アンテナの如く再マイクロ波発生源としてループ23
aの周りに磁界が誘起され、上記伝導電流の時間的変化
によって円筒共振器10内にマイクロ波が磁気結合とし
て誘導供給されることとなる0円筒共振器10の共振モ
ードはそのループ位置、配向及びその個数や共振器10
内の寸法形状等で決定されるが、第1実施例においては
、TE、□モードの円筒共振器lOで、電界Eの最小強
度領域にマイクロ波供給点としてのループ23aが位置
しており、従来に比してマイクロ波電力が高い場合でも
、ループ23aの近傍においては不要な放電即ち偏在プ
ラズマ領域の発生が起こらず、円筒共振器10内のTE
、□モードの電界強度の最大点近傍部においてのみ希望
するプラズマ領域の発生が見られる。なお、軸長りを長
くすることによりT E、、、モード円筒共振器。
TE、、、モード円筒共振器を構成することができる。
ところで、円筒共振器lO内のプラズマ発生の前後にお
いては導波管22側から共振器lOを見たインピーダン
スが顕著に変化する特性を呈する。仮に今、プラズマ発
生前においてインピーダンス整合を固定的に図った場合
、プラズマ発生によって共振器lOからの反射波が増す
ため不整合状態となり、マイクロ波供給が不充分で、エ
ネルギの大なるプラズマ発生が期待できない、逆に、予
め、プラズマ発生後のインピーダイスに磁気結合型導波
管/同軸変換器のインピーダンスを合せると、プラズマ
発生前においては反射波が多く、プラズマ発生自体が困
難となる。そこで第1図の第1実施例においては、イン
ピーダンス整合用可動短絡器21.24を付設し、可動
短絡板21a、24aを相互に進退yJf!iすること
によって、プラズマ発生の前後に亘リインピーダンスを
整合制御し、速やかなプラズマ発生を企画すると共に、
発生後においてはプラズマ・エネルギの安定的増大化を
図っている。
いては導波管22側から共振器lOを見たインピーダン
スが顕著に変化する特性を呈する。仮に今、プラズマ発
生前においてインピーダンス整合を固定的に図った場合
、プラズマ発生によって共振器lOからの反射波が増す
ため不整合状態となり、マイクロ波供給が不充分で、エ
ネルギの大なるプラズマ発生が期待できない、逆に、予
め、プラズマ発生後のインピーダイスに磁気結合型導波
管/同軸変換器のインピーダンスを合せると、プラズマ
発生前においては反射波が多く、プラズマ発生自体が困
難となる。そこで第1図の第1実施例においては、イン
ピーダンス整合用可動短絡器21.24を付設し、可動
短絡板21a、24aを相互に進退yJf!iすること
によって、プラズマ発生の前後に亘リインピーダンスを
整合制御し、速やかなプラズマ発生を企画すると共に、
発生後においてはプラズマ・エネルギの安定的増大化を
図っている。
第2図は、本発明に係るプラズマ発生装置の第2実施例
における円筒共振器を概略的に示す図である。第2実施
例の第1実施例と異なる点は、周面40bではなく円筒
共振器40の端面40a(上面)の内側に中心導体41
の端部に形成したループ41aを接続したもので、ルー
プ41aは端面40aのほぼ中心部に位置しており、端
面40aに垂直な面上に配向している。この共振器40
はTE、、、モード共振器で、第1実施例とほぼ同様の
作用効果を得ることができる。
における円筒共振器を概略的に示す図である。第2実施
例の第1実施例と異なる点は、周面40bではなく円筒
共振器40の端面40a(上面)の内側に中心導体41
の端部に形成したループ41aを接続したもので、ルー
プ41aは端面40aのほぼ中心部に位置しており、端
面40aに垂直な面上に配向している。この共振器40
はTE、、、モード共振器で、第1実施例とほぼ同様の
作用効果を得ることができる。
第3図は、本発明に係るプラズマ発生装置の第3実施例
における円筒共振器を概略的に示す図である。この円筒
共振器50は第1実施例のそれと同様に周面50aの内
面に接続された中心導体51のループ51aを有してい
おり、T Eo、、モード共振器を構成している・ 第4図は、本発明に係るプラズマ発生装置の第4実施例
における円筒共振器を概略的に示す図である。この円筒
共振器60は、中心導体81.82のループ81a 、
82aを有し、そのループ81a 、 62aは端面
60aの内面に接続されている0両ループC1a、Ha
の位置関係は軸心を挾んで直径上に対称的で、端面13
0aに垂直な面に配向しており、TEo、モード共振器
を構成している。かかる実施例にあっては、複数のマイ
クロ波供給源としてのループ[11a 、 f12aの
存在によって、共振器60内に対し極めて大きなマイク
ロ波エネルギを供給でき、エネルギ強度の高いプラズマ
を得ることができる。
における円筒共振器を概略的に示す図である。この円筒
共振器50は第1実施例のそれと同様に周面50aの内
面に接続された中心導体51のループ51aを有してい
おり、T Eo、、モード共振器を構成している・ 第4図は、本発明に係るプラズマ発生装置の第4実施例
における円筒共振器を概略的に示す図である。この円筒
共振器60は、中心導体81.82のループ81a 、
82aを有し、そのループ81a 、 62aは端面
60aの内面に接続されている0両ループC1a、Ha
の位置関係は軸心を挾んで直径上に対称的で、端面13
0aに垂直な面に配向しており、TEo、モード共振器
を構成している。かかる実施例にあっては、複数のマイ
クロ波供給源としてのループ[11a 、 f12aの
存在によって、共振器60内に対し極めて大きなマイク
ロ波エネルギを供給でき、エネルギ強度の高いプラズマ
を得ることができる。
第5図は、本発明に係るプラズマ発生装置の第5実施例
における矩形共振器を概略的に示す図である。上記各実
施例における円筒共振器と異なり未実施例に使用された
矩形共振器70は、底面70aの中央部内面に接続され
た中心導体71のループ71aと側面70bの中央部内
面に接続された中心導体72のループ72aを有してい
る。どちらのループでも同一の共振モードが得られる。
における矩形共振器を概略的に示す図である。上記各実
施例における円筒共振器と異なり未実施例に使用された
矩形共振器70は、底面70aの中央部内面に接続され
た中心導体71のループ71aと側面70bの中央部内
面に接続された中心導体72のループ72aを有してい
る。どちらのループでも同一の共振モードが得られる。
ループ71aは側面70bに平行な垂直面上に配向して
おり、第5図示の磁界Hを誘導し、またループ72aは
底面70aに平行な水平面上に配向しており、磁界Hを
誘導倍増し、矩形共振器70はT E、、、モードで共
振する。2つのループ?+a 、 72aの存在により
第4実施例と同様なエネルギ強度の高いプラズマを得る
ことができる。
おり、第5図示の磁界Hを誘導し、またループ72aは
底面70aに平行な水平面上に配向しており、磁界Hを
誘導倍増し、矩形共振器70はT E、、、モードで共
振する。2つのループ?+a 、 72aの存在により
第4実施例と同様なエネルギ強度の高いプラズマを得る
ことができる。
第6図は、本発明に係るプラズマ発生装置の第6実施例
における円筒共振器を概略的に示す図である6円筒共振
器80は、第1実施例と同様に、その周面80aの内面
に接続された中心導体81のループ81aを有するが、
ただループ81の配向が異なり、端面80bに垂直な面
上に配向されており、TMo、。モード円筒共振器を構
成している。
における円筒共振器を概略的に示す図である6円筒共振
器80は、第1実施例と同様に、その周面80aの内面
に接続された中心導体81のループ81aを有するが、
ただループ81の配向が異なり、端面80bに垂直な面
上に配向されており、TMo、。モード円筒共振器を構
成している。
[発明の効果]
以上説明したように1本発明に係るプラズマ発生装置は
、伝送路としての導波管とプラズマ発生部としての空洞
共振器との間に導波管/同軸変換器を介在し、結合手段
としての同軸線路の内導体の端部をループとなしてこれ
を空洞共振器の内面に接続導通せしめてなる点に特徴を
有するものであるから、次の効果を奏する。
、伝送路としての導波管とプラズマ発生部としての空洞
共振器との間に導波管/同軸変換器を介在し、結合手段
としての同軸線路の内導体の端部をループとなしてこれ
を空洞共振器の内面に接続導通せしめてなる点に特徴を
有するものであるから、次の効果を奏する。
■空洞共振器に対する電波電力供給方式が同軸線路のル
ープに流れる伝導電流により誘起される磁界を空洞共振
器に投入し、この磁気結合を以て誘導される電波で空洞
共振器内に所定の共振モードを生成せしめるものである
から、電力供給点としてのループ近傍部においては磁界
は強いが電界が弱いので、プラズマ発生がこのループ近
傍部においては起こりにくく、空洞共振器内に生じた所
定の共振モードの電界最大点近傍部でプラズマ発生が顕
在化し、大電力供給の場合であっても、不要な局在プラ
ズマ領域の発生が電力供給点付近では見られず、構成部
品の破損、損傷のおそれがなく、正規の高エネルギのプ
ラズマ領域を得ることができ、薄膜生成、結晶成長1表
面処理等を従来に比して効率良く促進させることができ
る。
ープに流れる伝導電流により誘起される磁界を空洞共振
器に投入し、この磁気結合を以て誘導される電波で空洞
共振器内に所定の共振モードを生成せしめるものである
から、電力供給点としてのループ近傍部においては磁界
は強いが電界が弱いので、プラズマ発生がこのループ近
傍部においては起こりにくく、空洞共振器内に生じた所
定の共振モードの電界最大点近傍部でプラズマ発生が顕
在化し、大電力供給の場合であっても、不要な局在プラ
ズマ領域の発生が電力供給点付近では見られず、構成部
品の破損、損傷のおそれがなく、正規の高エネルギのプ
ラズマ領域を得ることができ、薄膜生成、結晶成長1表
面処理等を従来に比して効率良く促進させることができ
る。
■導波管/同軸変換器が導波管に対するインピーダンス
整合用可動短絡器及び同軸線路に対するインピーダンス
整合用可動短絡器を有する場合には、共振器内のプラズ
マ発生の前後に亘リインピーダンスの整合制御が自由自
在で、速やかなプラズマ発生及びプラズマ状態の安定的
制御等に寄与する。
整合用可動短絡器及び同軸線路に対するインピーダンス
整合用可動短絡器を有する場合には、共振器内のプラズ
マ発生の前後に亘リインピーダンスの整合制御が自由自
在で、速やかなプラズマ発生及びプラズマ状態の安定的
制御等に寄与する。
第1図(A)は、本発明に係るプラズマ発生装置の第1
実施例を示す正面縦断面図であり、第1図(B)は、同
実施例における円筒共振器を示す横断面図である。 第2図(A)は1本発明に係るプラズマ発生装置の第2
実施例における円筒共振器を示す横断面図であり、第2
図(B)は、同円筒共振器を示す正面縦断面図であり、
第2図(C)は、同円筒共振器を示す側面縦断面図であ
る。 第3図(A)は、本発明に係るプラズマ発生装置の第3
実施例における円筒共振器を示す横断面図であり、第3
図(B)は、同円筒共振器を示す正面縦断面図である。 第4図(A)は、本発明に係るプラズマ発生装置の第4
実施例における円筒共振器を示す横断面図であり、第4
図(B)は、同円筒共振器を示す正面縦断面図である。 第5図(A)は、本発明に係るプラズマ発生装置の第5
実施例における矩形共振器を示す正面縦断面図であり、
第5図(B)は、同矩形共振器を示す側面縦断面図であ
る。 第6図(A)は、本発明に係るプラズマ発生装置の第6
実施例における円筒共振器を示す平面図であり、第6図
(B)は、同円筒共振器を示す正面縦断面図である。 第7図(A)は、従来のプラズマ発生装置の一例を示す
平面図であり、第7図(B)は、第7図(A)中■B−
■B線で切断した状態を示す切断面図である。 [主要符号の説明] 10、40.50. Go、 80・・・円筒共振器1
1・・・円筒導体 12・・・空洞 13・・・閉蓋導体 17・・・ガス注入管 18・・・プラズマ導入管 20・・・磁気結合型導波管/同軸変換器21 、24
・・・インピーダンス整合用可動短絡器22・・・矩形
導波管 23、41.51.81.82.7+、 72.81・
・・中心導体23a 、 41a 、 51a 、 8
1a 、 1(2a 、 81a・・・ループ25・・
・外側導体 27・・・低損失のスペーサ 40a 、 Boa 、 80b−・・端面(上面)4
0b 、 50a 、 80a−・−周面70・・・矩
形共振器 70a・・・底面 70b・・・側面 特許出願人 新日本無線株式会社図面の淳資。 手糸売補正書(ヤ<) 昭和62年特許願第230325号 2、発明の名称 ブラズづ発生装置 3、補正をする者 ・1彎1との関係 特許出頭人 住所 東京都港区虎ノ門−丁目22番14号名称
新日本無線株式会社 代表者 星 野 宏 4 代理人 〒390長野県松本市深志1−5−8深志ビル電話 (
0263)32−7931 5、補正命令の日付(発進口) 平成1年1月31日
6 補正の対象 願書塾こ添付した図面7 補正の
内容
実施例を示す正面縦断面図であり、第1図(B)は、同
実施例における円筒共振器を示す横断面図である。 第2図(A)は1本発明に係るプラズマ発生装置の第2
実施例における円筒共振器を示す横断面図であり、第2
図(B)は、同円筒共振器を示す正面縦断面図であり、
第2図(C)は、同円筒共振器を示す側面縦断面図であ
る。 第3図(A)は、本発明に係るプラズマ発生装置の第3
実施例における円筒共振器を示す横断面図であり、第3
図(B)は、同円筒共振器を示す正面縦断面図である。 第4図(A)は、本発明に係るプラズマ発生装置の第4
実施例における円筒共振器を示す横断面図であり、第4
図(B)は、同円筒共振器を示す正面縦断面図である。 第5図(A)は、本発明に係るプラズマ発生装置の第5
実施例における矩形共振器を示す正面縦断面図であり、
第5図(B)は、同矩形共振器を示す側面縦断面図であ
る。 第6図(A)は、本発明に係るプラズマ発生装置の第6
実施例における円筒共振器を示す平面図であり、第6図
(B)は、同円筒共振器を示す正面縦断面図である。 第7図(A)は、従来のプラズマ発生装置の一例を示す
平面図であり、第7図(B)は、第7図(A)中■B−
■B線で切断した状態を示す切断面図である。 [主要符号の説明] 10、40.50. Go、 80・・・円筒共振器1
1・・・円筒導体 12・・・空洞 13・・・閉蓋導体 17・・・ガス注入管 18・・・プラズマ導入管 20・・・磁気結合型導波管/同軸変換器21 、24
・・・インピーダンス整合用可動短絡器22・・・矩形
導波管 23、41.51.81.82.7+、 72.81・
・・中心導体23a 、 41a 、 51a 、 8
1a 、 1(2a 、 81a・・・ループ25・・
・外側導体 27・・・低損失のスペーサ 40a 、 Boa 、 80b−・・端面(上面)4
0b 、 50a 、 80a−・−周面70・・・矩
形共振器 70a・・・底面 70b・・・側面 特許出願人 新日本無線株式会社図面の淳資。 手糸売補正書(ヤ<) 昭和62年特許願第230325号 2、発明の名称 ブラズづ発生装置 3、補正をする者 ・1彎1との関係 特許出頭人 住所 東京都港区虎ノ門−丁目22番14号名称
新日本無線株式会社 代表者 星 野 宏 4 代理人 〒390長野県松本市深志1−5−8深志ビル電話 (
0263)32−7931 5、補正命令の日付(発進口) 平成1年1月31日
6 補正の対象 願書塾こ添付した図面7 補正の
内容
Claims (3)
- (1)導波管を介して空洞共振器内に電波を導入してプ
ラズマを発生させる装置であって、該導波管と該空洞共
振器との間に介在する導波管/同軸変換器を少なくとも
1個含み、該変換器の同軸線路の内導体は該空洞共振器
内面に接続されたループを有することを特徴とするプラ
ズマ発生装置。 - (2)前記導波管/同軸変換器は、前記導波管に対する
インピーダンス整合用可動短絡器と、前記同軸線路に対
するインピーダンス整合用可動短絡器と、を有すること
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のプラズマ発
生装置。 - (3)前記同軸線路は、低損失スペーサで封止せる中実
気密構造であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
又は第2項に記載のプラズマ発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62230325A JPH01175199A (ja) | 1987-09-14 | 1987-09-14 | プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62230325A JPH01175199A (ja) | 1987-09-14 | 1987-09-14 | プラズマ発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01175199A true JPH01175199A (ja) | 1989-07-11 |
Family
ID=16906063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62230325A Pending JPH01175199A (ja) | 1987-09-14 | 1987-09-14 | プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01175199A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5940447A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ源 |
JPS5943991A (ja) * | 1982-09-02 | 1984-03-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 圧縮機の消音装置 |
JPS62140339A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-23 | Hitachi Ltd | マイクロ波イオン源 |
-
1987
- 1987-09-14 JP JP62230325A patent/JPH01175199A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5940447A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-06 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ源 |
JPS5943991A (ja) * | 1982-09-02 | 1984-03-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 圧縮機の消音装置 |
JPS62140339A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-23 | Hitachi Ltd | マイクロ波イオン源 |
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