JPH0117266B2 - - Google Patents
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- JPH0117266B2 JPH0117266B2 JP55176237A JP17623780A JPH0117266B2 JP H0117266 B2 JPH0117266 B2 JP H0117266B2 JP 55176237 A JP55176237 A JP 55176237A JP 17623780 A JP17623780 A JP 17623780A JP H0117266 B2 JPH0117266 B2 JP H0117266B2
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- thyristor
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- cathode
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
- H01L31/1113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors the device being a photothyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/744—Gate-turn-off devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thyristors (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、主サイリスタと、これを駆動する駆
動用サイリスタとを共通の基板上に設けてなる複
合サイリスタに関するものである。
動用サイリスタとを共通の基板上に設けてなる複
合サイリスタに関するものである。
本発明において対象とするサイリスタには、光
駆動のサイリスタ及びゲートターンオフサイリス
タが含まれる。
駆動のサイリスタ及びゲートターンオフサイリス
タが含まれる。
この種の複合サイリスタ又は光駆動サイリスタ
として第１図〜第５図のような構造のものが知ら
れている。
として第１図〜第５図のような構造のものが知ら
れている。
第１図は光駆動サイリスタを例示するものであ
つて、第１のベース層となるシリコン等のＮ型半
導体基板２の片面にアノード層となるＰ層１を形
成し、又反対側の面に、Ｎ層２をコレクタとする
駆動用光トランジスタのベース層となるＰ層３及
びその中にエミツタ層となるＮ層４を形成すると
ともに、主サイリスタ部の第２のベース層となる
Ｐ層５及びその中に形成したカソード層となるＮ
層６とを設けている。駆動用光トランジスタのエ
ミツタ即ちＮ層４はワイヤ７を介して主サイリス
タのゲート即ちＰ層５に電気的に接続され、複合
サイリスタとしてのゲート端子Ｇは駆動用光トラ
ンジスタのベース即ちＰ層３から導出され、カソ
ード端子Ｋは主サイリスタのカソード即ちＮ層６
から導出され、アノード端子Ａは両者に共通にＰ
層１から導出されている。
つて、第１のベース層となるシリコン等のＮ型半
導体基板２の片面にアノード層となるＰ層１を形
成し、又反対側の面に、Ｎ層２をコレクタとする
駆動用光トランジスタのベース層となるＰ層３及
びその中にエミツタ層となるＮ層４を形成すると
ともに、主サイリスタ部の第２のベース層となる
Ｐ層５及びその中に形成したカソード層となるＮ
層６とを設けている。駆動用光トランジスタのエ
ミツタ即ちＮ層４はワイヤ７を介して主サイリス
タのゲート即ちＰ層５に電気的に接続され、複合
サイリスタとしてのゲート端子Ｇは駆動用光トラ
ンジスタのベース即ちＰ層３から導出され、カソ
ード端子Ｋは主サイリスタのカソード即ちＮ層６
から導出され、アノード端子Ａは両者に共通にＰ
層１から導出されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
この第１図のサイリスタでは、光トランジスタ
部分の光感度を良くするためにはベース層即ちＰ
層３を薄くしなければならず、そのため、この光
トランジスタ部分の耐圧が低くなり、高耐圧用に
は不適である。
部分の光感度を良くするためにはベース層即ちＰ
層３を薄くしなければならず、そのため、この光
トランジスタ部分の耐圧が低くなり、高耐圧用に
は不適である。
第２図及び第３図のサイリスタは、光感度を上
げるためにサイリスタのＰ型ベース層５の一部を
薄くした単一素子からなるサイリスタであるが、
感度は多少良くなるとは言つてもなお不満足であ
る。第４図のサイリスタはカソード端子Ｋを導出
するN+層６の一部を薄くしているが、これでも
所望の感度を得ることは難しい。
げるためにサイリスタのＰ型ベース層５の一部を
薄くした単一素子からなるサイリスタであるが、
感度は多少良くなるとは言つてもなお不満足であ
る。第４図のサイリスタはカソード端子Ｋを導出
するN+層６の一部を薄くしているが、これでも
所望の感度を得ることは難しい。
最後に第５図は、補助光サイリスタを主サイリ
スタの駆動用として構成したもので、共通のＰ層
１及びＮ層２の上に、補助光サイリスタのゲート
層となるＰ層３と、主サイリスタのゲート層とな
るＰ層５とを並設し、各Ｐ層３，５の中にそれぞ
れカソード層となるＮ層４，６を形成している。
主サイリスタのカソード及びゲートと補助光サイ
リスタのカソード及びゲートとの間に所定の結線
を施して複合サイリスタが構成されている。しか
し、この第５図のサイリスタも高感度にする程、
耐電圧が低下するという欠点がある。
スタの駆動用として構成したもので、共通のＰ層
１及びＮ層２の上に、補助光サイリスタのゲート
層となるＰ層３と、主サイリスタのゲート層とな
るＰ層５とを並設し、各Ｐ層３，５の中にそれぞ
れカソード層となるＮ層４，６を形成している。
主サイリスタのカソード及びゲートと補助光サイ
リスタのカソード及びゲートとの間に所定の結線
を施して複合サイリスタが構成されている。しか
し、この第５図のサイリスタも高感度にする程、
耐電圧が低下するという欠点がある。
本発明の目的は上述の欠点を除去し、より高耐
電圧で高感度の光サイリスタ及び高いオフゲイン
特性のサイリスタを提供することにある。
電圧で高感度の光サイリスタ及び高いオフゲイン
特性のサイリスタを提供することにある。
この目的を達成するために本発明は、主サイリ
スタ及び駆動用サイリスタのうちのいずれか一方
のサイリスタのゲート層を他方のサイリスタのゲ
ート層よりも薄く形成し、この薄くしたゲート層
に対向して、そのゲート層のアノード側に隣接す
るゲート層とは異なる一導電型の層内に、この層
の導電型とは異なる他導電型の層を格子状又は網
目状に形成するとともに前記駆動用から主サイリ
スタへ電流が流れるように結線したことを特徴と
するものである。
スタ及び駆動用サイリスタのうちのいずれか一方
のサイリスタのゲート層を他方のサイリスタのゲ
ート層よりも薄く形成し、この薄くしたゲート層
に対向して、そのゲート層のアノード側に隣接す
るゲート層とは異なる一導電型の層内に、この層
の導電型とは異なる他導電型の層を格子状又は網
目状に形成するとともに前記駆動用から主サイリ
スタへ電流が流れるように結線したことを特徴と
するものである。
本発明はこのように構成することにより、第６
図に示すように受光部となる駆動用光サイリスタ
のゲート即ちＰ領域１６及び（又は）カソード即
ちN+領域１８を薄くして受光感度を高くしても、
N-層１４，１２の中に格子状又は網目状にＰ層
１３が形成されているため、このＰ層１３と、Ｐ
層１３の格子又は網目の間に介在するN-層１２，
１４とにより形成されるPN接合が逆バイアス状
態（サイリスタとしては順方向バイアス状態）に
あるときN-層中にその電圧値に応じて空乏層が
拡がり、その結果或る電圧以上で前記格子間の
N-層１２，１４はピンチオフ状態となる。この
ピンチオフする電圧値よりも受光部となる光サイ
リスタの順方向降伏電圧を高めに設計しておくこ
とにより、N-層がピンチオフ前の電圧では主サ
イリスタ部のＰ層１５及びN-層１４からなるPN
接合部で耐圧を負担し、更に電圧が上昇してN-
層１２，１４がピンチオフされると、これよりも
高い電圧は、このN-層１４，１２とＰ層１３，
１５で電圧を分担するので、Ｐ層１３，１５と
N-層１４，１２との間にPN接合部の降伏電圧ま
でこの複合サイリスタの耐圧を高めることが可能
となる。本発明により、受光部のＰ層１６及び
（又は）N+層１８を薄くし、さらに、Ｐ層１３を
設けることにより、従来100V程度の順方向耐圧
しかなかつたものを1000V以上の順方向耐圧にま
で高めることが可能になる。
図に示すように受光部となる駆動用光サイリスタ
のゲート即ちＰ領域１６及び（又は）カソード即
ちN+領域１８を薄くして受光感度を高くしても、
N-層１４，１２の中に格子状又は網目状にＰ層
１３が形成されているため、このＰ層１３と、Ｐ
層１３の格子又は網目の間に介在するN-層１２，
１４とにより形成されるPN接合が逆バイアス状
態（サイリスタとしては順方向バイアス状態）に
あるときN-層中にその電圧値に応じて空乏層が
拡がり、その結果或る電圧以上で前記格子間の
N-層１２，１４はピンチオフ状態となる。この
ピンチオフする電圧値よりも受光部となる光サイ
リスタの順方向降伏電圧を高めに設計しておくこ
とにより、N-層がピンチオフ前の電圧では主サ
イリスタ部のＰ層１５及びN-層１４からなるPN
接合部で耐圧を負担し、更に電圧が上昇してN-
層１２，１４がピンチオフされると、これよりも
高い電圧は、このN-層１４，１２とＰ層１３，
１５で電圧を分担するので、Ｐ層１３，１５と
N-層１４，１２との間にPN接合部の降伏電圧ま
でこの複合サイリスタの耐圧を高めることが可能
となる。本発明により、受光部のＰ層１６及び
（又は）N+層１８を薄くし、さらに、Ｐ層１３を
設けることにより、従来100V程度の順方向耐圧
しかなかつたものを1000V以上の順方向耐圧にま
で高めることが可能になる。
第６図は本発明による複合サイリスタ部の一実
施例を示すものである。ベース層となるシリコン
等のN-型半導体基板１２の片面にアノード層と
なるP+層１１を形成し、又、反対側の面に格子
状又は網目状にＰ層１３を形成している。基板１
２上には更にＰ層１３を覆うように基板１２と同
一導電型のN-層１４をエピタキシヤル等により
形成する。このN-層１４の上には、周辺部に主
サイリスタ部第１のゲート領域となるＰ領域１５
を拡散プロセスにより周辺部のＰ層１３と結合す
るように形成し、中央部にＰ領域１５よりも薄い
駆動用光サイリスタの第２のゲート領域となるＰ
領域１６を形成する。Ｐ領域１５，１６の中には
それぞれのサイリスタのカソード即ちそれぞれ対
応して第１、第２のカソード領域となるN+領域
１７，１８を形成する。しかる後、P+層１１か
らアノード端子Ａを導出し、Ｐ領域１６から必要
に応じてゲート端子Ｇを導出し、更にN+層１７
からカソード端子Ｋを導出する。又、N+領域１
８とＰ領域１５との間はワイヤ１９により直接接
続しておく。
施例を示すものである。ベース層となるシリコン
等のN-型半導体基板１２の片面にアノード層と
なるP+層１１を形成し、又、反対側の面に格子
状又は網目状にＰ層１３を形成している。基板１
２上には更にＰ層１３を覆うように基板１２と同
一導電型のN-層１４をエピタキシヤル等により
形成する。このN-層１４の上には、周辺部に主
サイリスタ部第１のゲート領域となるＰ領域１５
を拡散プロセスにより周辺部のＰ層１３と結合す
るように形成し、中央部にＰ領域１５よりも薄い
駆動用光サイリスタの第２のゲート領域となるＰ
領域１６を形成する。Ｐ領域１５，１６の中には
それぞれのサイリスタのカソード即ちそれぞれ対
応して第１、第２のカソード領域となるN+領域
１７，１８を形成する。しかる後、P+層１１か
らアノード端子Ａを導出し、Ｐ領域１６から必要
に応じてゲート端子Ｇを導出し、更にN+層１７
からカソード端子Ｋを導出する。又、N+領域１
８とＰ領域１５との間はワイヤ１９により直接接
続しておく。
このようにして形成した複合サイリスタはその
Ｐ層１６に光が照射される前はN-層１４、Ｐ層
１５間のPn接合に大部分の逆バイアスがかかり、
格子状Ｐ層１３の間のN-層１２，１４は空乏層
によつてピンチオフされる。一方、Ｐ層１６に光
が照射されるとN+層１８、Ｐ層１６、N-層１４
がフオトトランジスタの原理で導通するためN+
層１８とN-層１４との電位差は非常に小さくな
る。さらに、N+層１８とＰ層１５の間はワイヤ
１９で接続されてほぼ同電位であるからN-層１
４とＰ層１５とほぼ短絡状態となる。したがつ
て、N-層１４とＰ層１５間のPn接合には逆バイ
アスがかからなくなり、ピンチオフ状態が解消さ
れるので、格子状Ｐ層１３の間のN-層１２，１
４を通つて電流が流れるようになる。
Ｐ層１６に光が照射される前はN-層１４、Ｐ層
１５間のPn接合に大部分の逆バイアスがかかり、
格子状Ｐ層１３の間のN-層１２，１４は空乏層
によつてピンチオフされる。一方、Ｐ層１６に光
が照射されるとN+層１８、Ｐ層１６、N-層１４
がフオトトランジスタの原理で導通するためN+
層１８とN-層１４との電位差は非常に小さくな
る。さらに、N+層１８とＰ層１５の間はワイヤ
１９で接続されてほぼ同電位であるからN-層１
４とＰ層１５とほぼ短絡状態となる。したがつ
て、N-層１４とＰ層１５間のPn接合には逆バイ
アスがかからなくなり、ピンチオフ状態が解消さ
れるので、格子状Ｐ層１３の間のN-層１２，１
４を通つて電流が流れるようになる。
つまりN+層１８、Ｐ層１６、N-層１４、N-
層１２及びP+層１１で構成される駆動用サイリ
スタ部が導通して電流が流れるようになり、続い
てN+層１７、Ｐ層１５、N-層１２及びP+層１１
で構成される主サイリスタ部のゲートを構成する
Ｐ層１５に駆動用サイリスタの導通電流が主サイ
リスタ部のゲート電流としてワイヤ１９を経て流
れ込み、主サイリスタ部が導通するようになる。
層１２及びP+層１１で構成される駆動用サイリ
スタ部が導通して電流が流れるようになり、続い
てN+層１７、Ｐ層１５、N-層１２及びP+層１１
で構成される主サイリスタ部のゲートを構成する
Ｐ層１５に駆動用サイリスタの導通電流が主サイ
リスタ部のゲート電流としてワイヤ１９を経て流
れ込み、主サイリスタ部が導通するようになる。
以上述べたように本発明によれば、駆動用光サ
イリスタ部のアノード側に隣接したベース領域
N-層１２，１４中に格子状又は網目状に、この
ベース領域とは反対の導電型のＰ層１３を形成
し、かつ受光部のゲートとなるＰ領域１６及びカ
ソードとなるN+領域１８を薄くして高感度にし
たために、一般には順方向耐電圧が低下するとこ
ろ、前記のようなＰ層１３の格子間のN-層が逆
バイアスによる空乏層の拡がりによりピンチオフ
されることが可能となり、その結果ピンチオフ電
圧以上の電圧をＰ層１３，１５とN-層１２，１
４間のPN接合で負担することが可能となる。従
つて、高耐圧の光サイリスタが製作可能となり、
これと主サイリスタとの結合によつて高感度、高
耐圧、大容量の複合光サイリスタの製作も可能と
なる。又、N-層中に形成されたＰ層１３により、
受光部のdv／dtによる誤点弧も弱められるとい
う付加的利点がある。即ち、アノード・カソード
間に大きなdv／dtが印加されても、N-層中に形
成されたPN接合のコンデンサ作用によつてその
dv／dtが弱められ、受光部のＰゲート領域１６
が薄く横方向抵抗が大きくなつてもdv／dt耐量
が向上するのである。
イリスタ部のアノード側に隣接したベース領域
N-層１２，１４中に格子状又は網目状に、この
ベース領域とは反対の導電型のＰ層１３を形成
し、かつ受光部のゲートとなるＰ領域１６及びカ
ソードとなるN+領域１８を薄くして高感度にし
たために、一般には順方向耐電圧が低下するとこ
ろ、前記のようなＰ層１３の格子間のN-層が逆
バイアスによる空乏層の拡がりによりピンチオフ
されることが可能となり、その結果ピンチオフ電
圧以上の電圧をＰ層１３，１５とN-層１２，１
４間のPN接合で負担することが可能となる。従
つて、高耐圧の光サイリスタが製作可能となり、
これと主サイリスタとの結合によつて高感度、高
耐圧、大容量の複合光サイリスタの製作も可能と
なる。又、N-層中に形成されたＰ層１３により、
受光部のdv／dtによる誤点弧も弱められるとい
う付加的利点がある。即ち、アノード・カソード
間に大きなdv／dtが印加されても、N-層中に形
成されたPN接合のコンデンサ作用によつてその
dv／dtが弱められ、受光部のＰゲート領域１６
が薄く横方向抵抗が大きくなつてもdv／dt耐量
が向上するのである。
第６図の実施例に基づいて行つた以上の説明
は、受光部即ち駆動用サイリスタ部を高感度とし
た複合サイリスタについての説明であるが、第７
図に示すように、電流増幅率の大きいN+PN-層
から形成されるサイリスタ部を主サイリスタとす
ることも可能である。
は、受光部即ち駆動用サイリスタ部を高感度とし
た複合サイリスタについての説明であるが、第７
図に示すように、電流増幅率の大きいN+PN-層
から形成されるサイリスタ部を主サイリスタとす
ることも可能である。
第７図の実施例は、電気回路図的には第６図の
ものと同様であるが、構造的に主サイリスタと駆
動用光サイリスタの配置を交換したものに相当す
るものである。即ち、この実施例では、主サイリ
スタのゲートとなるＰ領域１５を薄くしてN-層
１４上の中央部に形成し、その周辺部に駆動用光
サイリスタのゲートとなるＰ領域１６を形成して
いる。カソードとなるN+領域１７，１８はそれ
ぞれＰ領域１５，１６の中に形成されている。他
の構成部分は第６図のものと同一である。この場
合は主サイリスタ部のN+PN-部、即ちN+領域１
７、Ｐ領域１５及びN-層１４，１２から成る主
サイリスタ部の電流増幅率α1が大きくなることか
ら、サイリスタとしてオフゲインの大きなゲート
ターンオフ・サイリスタの製作が可能となる。今
主サイリスタ部のN+PN-部の電流増幅率α1、同
サイリスタ部のＰ層１５、N-層１２，１４、P+
層１１からなるPN-P+層の電流増幅率α2とすれ
ば、一般に知られているオフゲインの理論式か
ら、α1が大きく、α2が小さいということはオフゲ
インを大きくすることになるからである。従来の
ゲートターンオフ・サイリスタではα1を大きくす
るためにＰ領域を薄くすると順方向耐電圧が低下
するので、或る程度以上にα1を大きくすることは
不可能であり、従つて、一般に高耐圧のものでオ
フゲインを高くすることは不可能であつた。しか
し、本発明により、第７図の構成とすることによ
り、高耐圧で高いオフゲインのゲートターンオ
フ・サイリスタの製作が可能となる。
ものと同様であるが、構造的に主サイリスタと駆
動用光サイリスタの配置を交換したものに相当す
るものである。即ち、この実施例では、主サイリ
スタのゲートとなるＰ領域１５を薄くしてN-層
１４上の中央部に形成し、その周辺部に駆動用光
サイリスタのゲートとなるＰ領域１６を形成して
いる。カソードとなるN+領域１７，１８はそれ
ぞれＰ領域１５，１６の中に形成されている。他
の構成部分は第６図のものと同一である。この場
合は主サイリスタ部のN+PN-部、即ちN+領域１
７、Ｐ領域１５及びN-層１４，１２から成る主
サイリスタ部の電流増幅率α1が大きくなることか
ら、サイリスタとしてオフゲインの大きなゲート
ターンオフ・サイリスタの製作が可能となる。今
主サイリスタ部のN+PN-部の電流増幅率α1、同
サイリスタ部のＰ層１５、N-層１２，１４、P+
層１１からなるPN-P+層の電流増幅率α2とすれ
ば、一般に知られているオフゲインの理論式か
ら、α1が大きく、α2が小さいということはオフゲ
インを大きくすることになるからである。従来の
ゲートターンオフ・サイリスタではα1を大きくす
るためにＰ領域を薄くすると順方向耐電圧が低下
するので、或る程度以上にα1を大きくすることは
不可能であり、従つて、一般に高耐圧のものでオ
フゲインを高くすることは不可能であつた。しか
し、本発明により、第７図の構成とすることによ
り、高耐圧で高いオフゲインのゲートターンオ
フ・サイリスタの製作が可能となる。
以上の説明はすべてＰゲート型のサイリスタを
例示して行つたが、本発明はＮゲート型のサイリ
スタにも適用可能である。その場合、前述の実施
例における導電型Ｐの代わりにＮを、又Ｎの代わ
りにＰを用いればよい。もちろん、Ｐ型のベース
層中にＮ層を格子状又は網目状にして配置する構
造となる。
例示して行つたが、本発明はＮゲート型のサイリ
スタにも適用可能である。その場合、前述の実施
例における導電型Ｐの代わりにＮを、又Ｎの代わ
りにＰを用いればよい。もちろん、Ｐ型のベース
層中にＮ層を格子状又は網目状にして配置する構
造となる。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、主サイリス
タ部と駆動用サイリスタ部のうちの一方のゲート
領域を薄く形成し、このゲート領域に隣接する異
なる導電型のベース層中に、このベース層とは異
なる導電型の層を格子状又は網目状に形成して配
置することにより、高感度で高耐圧の複合サイリ
スタを提供することができる。
タ部と駆動用サイリスタ部のうちの一方のゲート
領域を薄く形成し、このゲート領域に隣接する異
なる導電型のベース層中に、このベース層とは異
なる導電型の層を格子状又は網目状に形成して配
置することにより、高感度で高耐圧の複合サイリ
スタを提供することができる。
第１図、第２図、第３図、第４図及び第５図は
それぞれ公知のサイリスタの縦断面図、第６図及
び第７図はそれぞれ本発明による複合サイリスタ
の異なる実施例を示す縦断面図である。 １１……P+層、１２，１４……N-層、１３…
…格子状又は網目状のＰ層、１５，１６……Ｐ領
域、１７，１８……N+領域、Ａ……アノード端
子、Ｋ……カソード端子、Ｇ……ゲート端子。
それぞれ公知のサイリスタの縦断面図、第６図及
び第７図はそれぞれ本発明による複合サイリスタ
の異なる実施例を示す縦断面図である。 １１……P+層、１２，１４……N-層、１３…
…格子状又は網目状のＰ層、１５，１６……Ｐ領
域、１７，１８……N+領域、Ａ……アノード端
子、Ｋ……カソード端子、Ｇ……ゲート端子。
Claims (1)
- １ 一導電型のアノード層と、このアノード層に
隣接する他導電型のベース層とを備え、このベー
ス層内に表面から形成される一導電型の第１ゲー
ト領域と、この領域内に表面から形成される他導
電型の第１のカソード領域とからなるサイリスタ
部を形成し、さらに前記ベース層内に前記第１ゲ
ート領域とは別個で、その厚さがより薄い一導電
型の第２ゲート領域と、この領域内に前記第１の
カソード領域と同様に形成される第２のカソード
領域とからなる異なるサイリスタ部を形成し、さ
らにまた、前記ベース層内には前記第２ゲート領
域とはその下方にて対向するように配置され、か
つ前記第１ゲート領域に結合される格子状又は網
目状の一導電型の層を有し、前記アノード層表面
からはアノード端子が導出され、前記第１及び第
２のカソード領域のいずれかにはカソード端子、
第１及び第２ゲート領域のいずれかにはゲート端
子がそれぞれ導出されるものにおいて、ゲート端
子を導出した駆動用サイリスタ部のカソード領域
と、カソード端子を導出した主サイリスタ部のゲ
ート領域とを結線したことを特徴とする複合サイ
リスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55176237A JPS5799773A (en) | 1980-12-13 | 1980-12-13 | Composite thyristor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55176237A JPS5799773A (en) | 1980-12-13 | 1980-12-13 | Composite thyristor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5799773A JPS5799773A (en) | 1982-06-21 |
| JPH0117266B2 true JPH0117266B2 (ja) | 1989-03-29 |
Family
ID=16010028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55176237A Granted JPS5799773A (en) | 1980-12-13 | 1980-12-13 | Composite thyristor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5799773A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS594074A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Toshiba Corp | ゲ−トタ−ンオフサイリスタ装置 |
| JPS59211271A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS61141179A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-28 | Mitsuteru Kimura | タ−ン・オフ・サイリスタ |
-
1980
- 1980-12-13 JP JP55176237A patent/JPS5799773A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5799773A (en) | 1982-06-21 |
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