JPH01172576A - 基板加熱方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、気相反応における基板加熱方法に関する。

〔従来の技術〕

気相反応による膜形成においては膜膜形成させる基板の
加熱を要するが、従来の基板の加熱方法には、気体？封
入した反応セル全体をヒーターにより一加熱する方法と
基板全体馨直接ヒーターにより加熱する方法とがあった
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

気相反応による基板上への膜形成は、基板の温度の違い
により生成した膜の物性及び形成速度が著しく変化する
が、従来の基板加熱方法では基板全体が一様に加熱され
るため、基板上の温度分布を変化させて同一基板上の特
定の部分にＭｙｘ形成したり、特定の部分の膜質を変え
ることができなかった。

本発明は上記の問題点を解決しようとするものである。

〔問題点Ｚ解決するための手段〕

本発明は、気相反応による膜形成において、レーザ光乞
照射することによって膜の蒸着用基板乞加熱する。

〔作用〕

上記において、気相反応により原子に分解された膜形成
材料は、基板にレーザ光馨照射し加熱することによって
基板上に蒸着する。

上記により、基板はレーザ光によって部分的に加熱され
るため、基板上の特定部分に膜乞形成させたり、特定の
部分の膜質馨変えることができるようになった。

〔実施例〕

第１図に示す本実施例は、基板支持台６が内装され側壁
に材料ガスの供給口３と排出口４が設けられた反応セル
１、同反応セル１の側面に設けられた光照射窓２ｂ’ｆ
介して上記反応セル１内に反応用レーザ光１０’２照射
可能に上記反応セル１の外部に配設された反応用レーザ
発振器８（エキシマレーザ、波長１９３　ｒＬｍ　）　
　および上記反応セル１の上面に設けられた光照射窓２
ａ’ａ’介して上記基板支持台６の上面に基板加熱用レ
ーザ光９Ｚ照射可能に上記反応セル１の外部に配設され
た基板加熱用レーザ発振器７（ｃ○２ガスレーザ、波長
１０．６μｍ）馨備えている。

上記において、基板支持台６上に基板５乞設置し材料ガ
スのＳｉＨ４Ｙ供給口３より反応セル１内に導入した後
、反応用レーザ発振器８より反応用レーザ光１（１発射
する。上記反応用レーザ光１０は光照射窓２１）’ａ’
経て材料ガス乞照射し分解させＳ１原子を形成させる。

上記の材料ガスより８１原子が形成された後、基板加熱
用レーザ発信器７より基板加熱用レーザ光９を発射する
。上記基板加熱用レーザ光９は光照射窓２ａＹ経て基板
５を照射する。

上記基板加熱用レーザ光９によって照射され加熱された
上記基板５上の部分は上記Ｓ１　原子が蒸着し約２μｍ
の８１膜が形成される。

上記により、基板を部分的に加熱することができるため
に、基板上の特定の部分に膜膜形成させたり、特定の部
分の膜質乞変えることができるようになった。

なお本実施例は気相反応させるために反応用し〜ザ光馨
用いているが、本発明は他の方法を用いた気相反応によ
る膜形成にも利用できる。

〔発明の効果〕

本発明は、レーザ光を用いて基板上の特定の部分が加熱
できるようにしたため、基板上の特定の部分に膜膜形成
させたり、特定の部分の膜質乞変えることができるよう
になった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の説明図である。 １・・・反応セル　　　　　　２ａ　、　２ｂ・・・光
照射窓３・・・材料ガス供給口　　　４・・・材料ガス
排出口５・・・基板　　　　　　　　６・・・基板支持
台７・・・基板加熱用レーザ発振器 ８・・・反応用レーザ発振器　９・・・基板加熱用レー
ザ光１０・・・反応用レーザ光

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 気相反応による膜形成において、レーザ光を照射するこ
   とによって膜の蒸着用基板を加熱することを特徴とする
   基板加熱方法。