JPH01165318A - 切り花の人工開花法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、カーネーション、リンドウ、グラジオラス等
の鑑賞用切り花植物の開花時期を人工的に調整可能とし
て、需要時期に合わせて安定供給する開花法とその実施
に供する装置に間するものである。

（従来の技術） 従来、カーネーション、リンドウ等の切り花植物の栽培
は、リンドウのように春期に定植したものを自然環境に
任せて翌年の秋期に開花させるか、或いはカーネーショ
ンのように、簡易ハウスやガラス温室を設け、その中で
通常６月に定植したものを１０月から翌年の６月頃まで
に段階的に開花させる周年的生産体系を敷くもの等があ
る。

しかし、これらいずれの方法でも、リンドウでは開花時
期は９月−１０月の秋期に限定され、カーネーションで
は、開花時期が一定の幅を持つものの、そのピークが極
めて限定的な一定期間に集中され、且つ、その時期到来
も自然条件によって変動を受けて予測が難しいものとな
る。従って、市場の要求する時期に安定的に供給するこ
とは困難で、需要者の要求に応えられないばかりか、バ
ランスが崩れた時には外国からの輸入攻勢を受けて市場
が荒らされたり、又、「母の日ｊ等の需要の逼迫する時
期には作業者が過重労働に陥ってしまう等の欠点を有し
ている。

（本発明の解決しようとする問題点） 本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的の
第一は、蕾まで育成した切り花を適当長さに切り取り、
一定環境下で冷蔵保存し、需要時期が到来した場合に強
制的に開花させることにより、需要時期に合わせて切り
花を提供できる開花法を開発することにある。そして、
その際、本発明者らが大谷石の主産地である栃木県に在
住することから、この大谷石の採旧跡の洞窟がエチレン
吸着能に優れ且つ恒温多湿で蓄熱性が大である点に着目
してこれを上記開花法の開発に結びつけようとしたもの
である。

又、本発明の第二の目的は、その人工開花法の実施に当
たって、最も効率的に実施し得る装置を開発することに
ある。

［発明の構成］ く方法〉 本発明の開花方法を説明すると、先ず、カーネーション
、リンドウ、グラジオラス、キク等の鑑賞用切り花のう
ち、桜、梅等のいわゆる枝物類を除いた草花類を対象と
し、これを自然条件下で、挿芽又は播種等により育苗し
、圃場に定植する（第１図参照）、そして、その苗が成
長して蕾を形成する段階に入ったら、ａ察を細かくして
、そのかく片の先端がわずか開くか又は花弁の先端がわ
ずかに色づく段階、いわゆるがく片が開裂を開始する前
後の段階になったことを確認する。この時、例えばカー
ネーションでは上から見るとがく片が十文字状態に見え
る。この開裂前後段階において、茎下部に刃物を入れて
切り取り、その蕾及び茎の長さを少なくとも切り花に用
いる長さを若干上回るものとする（第２図参照）。

次いで、この蕾の花器部及び茎部の全体に、保存期間中
の生体維持機能が低下して発病するのを防止する為、キ
ャブタン剤又はベノミル剤等の殺菌剤を散布することが
好ましい、又、かく片の開裂前後から萱はエチレンの生
成を始めるが、このエチレンは植物の熟成老化を促す物
質であるから、切り花を長期保存させる立場からはこの
発生を抑制することが望ましく、そこで、先ず、チオ硫
酸銀等のエチレン抑制剤に切り花の茎下端部を３時間径
度浸漬させてエチレン発生部である花器部に抑制液を浸
透させる。次に、この切り花を５０〜１００本程度束ね
て、プラスチック製の袋体や箱体等の密閉ケーシング内
に封入し、その内部の植物の呼吸で発生する炭酸ガスの
濃度を高めてエチレンの発生を可及的に抑止する（第３
図参照）。

そして、該密閉ケーシングに封入した切り花を、生長を
抑制する意味で約Ｏ〜６℃程度の低温にして、開花が要
請される需要時期まで保存するが、この冷蔵保存に際し
て、大谷石の採漏跡の洞窟（栃木県宇都宮市に存在する
）は、年間を通じて約り℃〜９℃程度の一定温度に保た
れ、且つ、その面積もｌｏｏＯｍ程度の広域を確保でき
るので、この洞窟を使用するのが好適である（表−１参
照）、又、この冷蔵保存にあって、切り花の姿勢を第４
図にある如く逆さ吊りにすることが、植物からの水分蒸
散を極少に抑えることができる点で望ましい、この切り
花を冷蔵保存し得る期間は、最大で約７ケ月程度で、３
ケ月〜４ケ月に留めるのが望ましい。

（条件） 本発明品：温度２℃の大谷石採掘跡の洞窟内に保存した
蕾の状態を観察 自然環境品：夜間温度１２℃、昼間温度２５℃の外気中
に放置した蕾を観察 さて、上記冷蔵保存の期間が過ぎて出荷時期が到来した
ら、前記保存した切り花を開花室に運んで開花準備に入
る。先ず、開花室中央に切り花を立て掛け、その上部及
び側面等の周囲から人工光線を照射し、今まで抑制して
いた花の生長を促すが、この時用いる人工光線は、ナト
リウムランプ、メタルハライドラップ又は蛍光ランプ等
の人工光線を用いると生長及び鮮度保持の点で効率が最
も良い（表−２参Ｎ）。

（条件）開花室の温度＝２１〜２３℃ 間花室の湿度：８０〜８５％ 次いで、該開花室は、第５図に示す如くその周囲を大谷
石等のエチレン吸着能に優れた物質で囲繞することが、
開花した花の鮮度をより長く持続させる上で必要である
。即ち、大谷石は学術上凝灰岩軟石材に含まれるが、そ
の構造はクリノプチロライトに至る過程のクライノタイ
ロ沸石構造を有し、その細孔径が１０μｍ程度の空隙が
多数存在する構造を有しているから、エチレンガスは極
めてこの空隙に捕り込まれ易い。そして、このエチレン
は、前述の通りがく片の開裂に伴って放散量を増し、花
弁部に作用して花びらをローリングインさせ、短期間の
うちに花びらを老化させる機構を営むものであるから、
この大気中に散ったエチレンを大谷石等が吸収すると、
開花過程にある花びらの老化が抑制され、所謂ひもちの
良い鮮度の長持ちする切り花とする上で効果がある（表
−３参照）、該エチレン吸着能に優れた物質には、大谷
石の他に、ゼオライト、活性炭等の多孔質材も含まれる
。そして、この囲繞の仕方は、周囲全面を大谷石等で囲
うことが好ましいが、吸着能が発揮される態様であるな
ら、側面、天井、床等に部分的に施してる良い。更に、
この開花促進における温度及び湿度の条件は、花弁の開
きを円滑にする上で温度２０〜２５℃で湿度８０％以上
程度が最適であるが、大谷石採掘跡の洞窟は、空隙部に
多量の水分を含んで蓄熱容量が大であるから、ヒーター
等で加温すれば、極めて効率的に恒温多湿の環境に保つ
ことができる。従って、この大谷石洞窟内に開花室を設
ければ前記エチレン吸収の面と温度及び湿度管理の面か
らも望ましいものとなる。

１１１且ぶ１ （条件） 本発明品：温度２２℃、湿度８０％の大谷石採掘跡洞窟
の開花室で開花させた カーネーションを、一般の部屋に 飾って観察したもの 試験品：夜間１２℃、昼間２５℃、湿度６０％の外気中
で開花させたカーネ ーションを、一般の部屋に飾って 観察したもの 次いで、光線照射中の切り花の茎下部には、生長を促す
上で、８−ハイドロオキシキノリン酸、硝Ｍ銀、糖分等
を混合した開花促進液を貯留させ、茎部導管を通して吸
収させる（表−４参照）。

斯くして、光線照射日数が、カーネーションで５〜７日
、リンドウで７〜ｌＯ日程度を経過すると、この短期間
で切り花は充分に生長開花し、鑑賞用の美しい切り花と
なり、この開花した切り花を市場の需要時期に合わせて
即時出荷が可能となる（第６図参ｐ！り。

（条件）光源：ナトリウムランプ 温度：２１℃　湿度＝８０〜８５％ 促進液二８−ハイドロオキシキノリ ン酸２００ｐｐｍ、硝酸銀 ２０ｐｐｍ、砂糖０．０７ ｇ／ｃｃの混合液 （実施例１） カーネーションの親株から４〜５節を残して採種し、６
月に挿芽し、簡易ハウス内で栽培し、７月上旬に定植及
び摘芯した。仕立ては、株あたり分岐を３〜５本立ちと
し、大輪系は１本の茎に対し一輪とし、スプレィ系は１
本に対し５−６輪とした。１１月に入り蕾の先端部が少
し開き花弁の色が見える状態に至ったので、総長約８５
ｃｍに切り取り、チオ硫酸銀０．４ｍＭ液に浸漬した後
、約１００本捏度を束ねてポリエチレンフィルムの袋体
に密閉した。これを大谷石採漏跡の洞窟内に約２℃の低
温で、逆さ吊りにして、３ケ月保存した０次いで、２０
℃、湿度８０％にした大谷石採掘跡の洞窟の開花室で、
８−ハイドロオキシキノリン酸２００ｐｐｍ、硝酸銀２
０ｐｐｍ、砂糖０゜０７ｇ／ｃｃの混合液を開花促進液
として、ナトリウムランプを人工光源に用いて５日間照
射し、開花させた。その結果、下表の如き成果のカーネ
ーションを得た。

（実施例２） リンドウを３月に播種し、間引きしながら育苗し、翌年
の４月に定植を行ない、草丈が２０ｃｍ程度になったと
ころでネットを張って育成した。

９月に入り、花穂状のリンドウの蕾のうちその中の一つ
が色づいた段階を目安として、総長的８５ｃｍに切り取
り、チオ硫酸銀０．４ｍＭ液に浸漬した後、約１００本
捏度を束ねてポリエチレンフィルムの袋体に密閉した。

これを大谷石採掘跡の洞窟内に約２℃の低温で、逆さ吊
りにして、３ケ月保存した０次いで、２０℃、湿度８０
％にした大谷石採掘跡の洞窟の開花室で、８−ハイドロ
オキシキノリン酸２００ｐｐｍ、砂ｖｔ１０．０７ｇ／
ＣＣ、ジベレリンｉｐｐｍの混合液を開花促進液として
、ナトリウムランプを人工光源に用いてｌＯ日間照射し
、開花させた。その結果、下表の如き成果のリンドウを
得た。

く装置〉 次に、前記開花室に設ける強制的開花に用いる装置を説
明すると、その要旨は、底部に開花促進液を注液できる
溶液槽を有し、その槽壁に沿って支柱を立設し、その支
柱間に枠体を架設して切り花の立掛枠空間を形成すると
共に、対向する前記枠体間に所定の間隔を保持する二条
の区画枠を少なくとも一組掛架して採光空間を形成して
構成される。

その詳細を第７図の実施例を基に説明すると、１が、所
定容量の開花促進液を注ぐことができる溶液槽で、その
四隅に差し込み孔１ａを穿設し、そこに支柱２を挿脱自
在に立設する。そして、該支柱２の直角二方向には、嵌
合孔３ａを有する止片３を高さ方向所定間隔に設け、そ
の支柱２相互の止片３の嵌合孔３ａ間に両端部を垂直下
方へ屈曲させた棒状の枠体４を着脱自在に架設させて、
切り花の立て掛は空間Ｓｌを形成する。上記中四隅の差
込み孔１ａは、四隅部以外の中間位置にも設けて、切り
花の数が少ないときには枠空間Ｓｌの間隔を狭められる
ようにすることが望ましい。

そして、前記枠体４上の中間所定位置には１０ｃｍ程度
の幅間隔を保持する二つ一組の受樋状の載架片４ａに二
条の区画枠５を掛架して、該載架片３ａに二条の区画枠
５を掛架して後に切り花を立てた場合の採光空間Ｓ２を
形成する。即ち、該採光空間Ｓ２には切り花を立て掛け
ず、そのまま空間として置くことで、密に並べられた切
り花の内部にまで照射光源を導き入れる構造とする。

更に、溶液槽ｌには、先端にフロート弁６ａを配設した
開花促進液を自動供給する為の貯留タンク６を臨ませて
、切り花の生長に伴って吸収される促進液の供給を自動
化できる構造とすることが望ましい。

［発明の効果］ 本発明は以上のようで、切り花を市場の要求する時期に
対応して即時に且つ安定的に納入できるので、従来その
需要と供給のアンバランスで市場が軸人品にあらされた
り、作業者が過電労働に悩まされる等の弊害を生じてい
たものが一掃され、且つ、その栽培後の切り花の品質も
従来品に比べ、色、形、鮮度保持等が優良で高品位とす
ることができる。又、この実施に大谷石採掘跡の洞窟を
用いれば、本発明の実施に最適の環境が得られるばかり
でなく、運転コストも極めて経済的となる。

更に、本発明の人工開花装置を用いれば、支柱と枠体と
によって形成された立掛枠空間に切り花を整然と並べて
、周囲から人工光線を照射しつつ、下部から開花促進液
を吸収できるので、生長が極めて効率的で、且つ、採光
空間から切り花内部にまで光線を導くことができるので
、斑のない均一な開花が期待できる。

【図面の簡単な説明】 図面は本発明の実施例を示すもので、第１図〜第６は本
発明の開花法を示すもので、第１図は切り孔面の栽培状
態を示す正面図、第２図は蕾を形成する段階で切り取り
作業を示す斜視図、第３図は切り花を密閉ケーシング内
に封入した状態の正面図、第４図は密閉ケーシングを逆
さ吊りした状態の正面図、第５図は大谷石採掘跡の洞窟
内に開在室を設けた場合の縦断側面図、第６図が出荷状
態の斜視図、第７図が人工開花装置を示す斜視図。 １・・・溶液槽　　２・・・支柱　　３・・・止片　　
４・・・枠体　　５・・・区画枠任１−−哀η ３容工３二匡１ １１１Σｆｆｉ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）切り花植物の苗を蕾が形成されるまで生育させ、そ
   の蕾のがく片が開裂を開始する前後時期に適当長さに切
   り取り、該切り取り後の花を密閉ケーシングに封入した
   上約０℃〜５℃程度の低温環境下に保存し、出荷時が到
   来したら、周囲を大谷石等のエチレン吸着能に優れた物
   質で囲繞した開花室に運び、該開花室で人工光線を照射
   しつつ茎下端部から開花促進液を吸収させて切り花を開
   花させることを特徴とする切り花の人工開花法。 ２）人工光線が、ナトリウムランプ、メタルハライドラ
   ップ、蛍光ランプのうちいずれか一つ乃至２以上の組み
   合わせから成る特許請求の範囲第１項記載の切り花の人
   工開花法。 ３）底部に開花促進液を注液できる溶液槽を有し、その
   槽壁に沿って支柱を立設し、その支柱間に枠体を架設し
   て切り花の立掛枠空間を形成すると共に、対向する前記
   枠体間に所定間隔を保持する二条の区画枠を少なくとも
   一組架設して採光空間を形成したことを特徴とする切り
   花の人工開花装置。 ４）溶液槽に、先端にフロート弁を配設した自動供給用
   の貯留タンクを臨ませた特許請求の範囲第３項記載の切
   り花の人工開花装置。