JPH01160072A - エキシマレーザの波長制御装置 - Google Patents

エキシマレーザの波長制御装置

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JPH01160072A
JPH01160072A JP31954787A JP31954787A JPH01160072A JP H01160072 A JPH01160072 A JP H01160072A JP 31954787 A JP31954787 A JP 31954787A JP 31954787 A JP31954787 A JP 31954787A JP H01160072 A JPH01160072 A JP H01160072A
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理 若林
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伊藤 仙聡
Masahiko Kowaka
雅彦 小若
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    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/136Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
    • HELECTRICITY
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    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この弁明は狭帯域発振エキシマレーザの波長制′a装置
に関し、特に縮小投影露光装置の光源として用いるエキ
シマレーザの波長制御装置に関する。
〔従来の技術] 半導体装置製造用の縮小投影露光装置の光源としてエキ
シマレーザの利用が注目されている。
これはエキシマレーザの波長が短い(KrFレーザの波
長は約248.40IIl)ことから光露光の限界を0
.5μm以下に延ばせる可能性があること、同じ解像度
なら従来用いていた水銀ランプの9線やi線に比較して
し焦点深度が深いこと、レンズの間口数(NA)が小さ
くてすみ、露光領域を大きくできること、大きなパワー
が得られること等の多くの優れた利点が期待できるから
である。
しかしながら、エキシマレーザを縮小投影露光装置の光
源として用いるにあたって解決しなければならない2つ
の大きな問題がある。
その1つは、エキシマレーザの波長が248゜35r+
n+と短いため、この波長を透過する材料が石英、Ca
F2およびMoF3等しかなく、均一性および加工精度
等の点でレンズ累月として石英しか用いることができな
いことである。このため色収差補正をした縮小投影レン
ズの設計が不可能となる。したがって、この色収差が無
視しうる程度まで、エキシマレーザの狭帯域化が必要と
なる。
他の問題はエキシマレーザの狭帯域化に伴い発生するス
ペ□ックル・パターンをいかにして防ぎ、また狭帯域化
に伴うパワーの低減をいかにしておさえるかということ
である。
エキシマレーザの狭帯域化の技術としてはインジエンク
ションロック方式と呼ばれるものがある。
このインジエンクションロック方式は、オシレータ段の
キャビティ内に波長選択素子〈エタロン・回折格子・プ
リズム等)を配置し、ピンホールによって空間モードを
制限して単一モード発振させ、このレーザ光を増幅段に
よって注入同期する。このため、その出力光はコヒーレ
ンス性が高く、これを縮小露光装置の光源に用いた場合
はスペックル・パターンが発生する。一般にスペックル
・パターンの発生はレーザ光に含まれる空間横モードの
数に依存すると考えられている。すなわち、レ一ザ光に
含まれる空間横モードの数が少ないとスペックル・パタ
ーンが発生し易くなり、並に空間モードの数が多くなる
とスペックル・パターンは発生しにくくなることが知ら
れている。上述したインジェクションロック方式は本質
的には空間横モードの数を著しく減らずことによって狭
帯域化を行う技術であり、スペックル・パターンの発生
が大きな問題となるため縮小投影露光装置には採用でき
ない。
エキシマレーザの狭帯域化の技術として他に有望なもの
は波長選択素子であるエタロンを用いたものがある。こ
のエタロンを用いた従来技術としてはAT&Tベル研究
所によりエキシマレーザのフロントミラーとレーザヂャ
ンバとの間にエタロンを配置し、エキシマレーザの狭帯
域化を図ろうとする技術が提案されている。しかし、こ
の方式はスペクトル線幅をあまり狭くできず、かつ、エ
タロン挿入によるパワーロスが大きいという問題があり
、更に空間横モードの数もあまり多くすることができな
いという欠点がある。
−1Q   − そこで、発明者等はエキシマレーザのレーザチャンバと
リアミラーの間に有効径の大きな(数10mmφ程度)
エタロンと大面積の回折格子を配置する構成を採用し、
特に回折格子については回折格子とリアミラーが斜入射
方式の位置関係になるように構成することによって狭帯
域化をおこなっている。すなわち、エキシマレーザのリ
アミラーとレーザチャンバとの間にエタロンおよび回折
格子を配置する構成を採用することにより、レーザの狭
帯域化、空間横モード数の確保、エタロンおよび回折格
子等波長選択素子の挿入によるパワーロスの減少という
縮小投影露光装置の光源として要求される必須の問題を
解決したのである。
しかし、エキシマレーザのリアミラーとレーザチャンバ
との間にエタロンおよび回折格子を配置する構成は、狭
帯域化、空間横モード数の確保、パワーロスの減少とい
う点で優れた利点を有するが、エタロンを透過するパワ
ーや回折格子に入射するパワーが非常に大きくなるため
エタロンや回折格子に温度変動等の物理的変化が生じ、
このため発振出力レーザ光の中心波長が変動したり、多
波長発振したり、エタロンの透過中心波長と回折格子の
選択中心波長が重ならずパワーが著しく低下するという
問題があった。
(発明が解決しようとする問題点) このようにリアミラーとレーザチャンバとの間に有効径
の大きいエタロンと大面積の回折格子を配置する構成を
とると、狭帯域化、空間横モードの数の確保、パワーロ
スの減少−という点で、縮小投影露光装置の光源として
採用するに際し、好ましい利点を生じるが、発振中心波
長の変動、パワーの変動等の新たな問題も生じた。
この発明はリアミラーとレーザチャンバとの間にエタロ
ンおよび回折格子を配置した構成をとるエキシマレーザ
において、出力レーザ光の中心波長を晶精度に固定しレ
ーザパワーの変動を小さくし、安定した出力が得られる
ようにしたエキシマレーザの波長制御装置を提供するこ
とを目的とする。
(問題点を解決するための手段) この発明によれば、リアミラーとレーザチャンバとの間
に配置されたエタロンと回折格子の波長選択特性を、出
力レーザ光の中心波長および中心波長のパワーを検知す
ることによりフィードバック制御する。
この発明においては次の2つの制御を同時にまたは交互
に実行することにより中心波長およびパワーの安定化を
図っている。
1)中心波長制御・・・・・・エタロンの透過波長をシ
フトさせ、出力中心波長を所望の波長に制御する。
2)市ね合わせ制御・・・・・・回折格子の選択中心波
長をシフトすることによりエタロンの透過中心波長と回
折格子の選択中心波長が一致するように制御し、これに
よって最大パワーを得る。
ここて、エタロンの透過中心波長の制御は、エタロンの
温度、角度、■タロンギャップ内の気体の屈折率(すな
わら気体の圧力)■タロンギャップ間隔の制御によって
達成でさ、回折格子の選択中心波長の制御は斜入射方式
に従った位置関係に−21= あるリアミラーをシフトさせる制御によって達成できる
すなわち、この発明によれば、エキシマレーザのレーザ
チャンバとリアミラーとの間に1つのエタロンと1つの
回折格子を配置し、これらエタロンJ5よび回折格子の
波長選択特性をそれぞれ制御することにより出力レーザ
光の波長を制御するエキシマレーザの波長制御装置にお
いて、出力レーザ光の波長を検出する波長検出手段と、
出力レーザ光の中心波長のパワーを検出するパワー検出
手段と、前記波長検出手段による検出波長が所望の特定
波長に一致すべく前記エタロンの波長選択特性を制御す
る第1の制御手段と、前記中心波長パワー検出手段によ
る検出パワーが最大となるべく前記回折格子の選択波長
特性を制御する第2の制御手段とを具えて構成される。
また、この発明によれば、エキシマレーザのレーザチャ
ンバとリアミラーどの間に1つのエタロンと1つの回折
格子を配置し、これらエタロンJ3よひ回折格子の波長
選択特性をそれぞれ制御りることにより出力レーザ光の
波長を制御するエキシマレーザの波長制御装置において
、レーザの出力パワーを検出する第1のパワー検出手段
と、出力レーザ光の所定の波長成分のパワーを検出する
第2のパワー検出手段と、この第2のパワー検出手段の
出ツノを前記第1のパワー検出手段の出力により規格化
する規格化手段と、この規格化手段により規格化された
パワーが最大となるべく前記エタロンの波長選択特性を
制御する第1の制御手段と、前記第2のパワーが最大と
なるべく前記回折格子の波長選択特性を制御する第2の
制御手段とを具えて構成される。
〔作用〕
この発明によれば、中心波長制御を行なう第1の制御手
段により出力レーザ光の中心波長が所望の波長に固定さ
れ、重ね合わせ制御を行なう第2の制御手段により中心
波長のパワーが最大となるように制御される。
〔実施例〕
第1図は、この発明の一実施例をブロック図で示したも
のである。制御対象である■ギシマレーザ10はリアミ
ラー1、レーザチャンバ2、フロン1〜ミラー3を有し
ており、リアミラー1とレーザチャンバ2との間にレザ
ーチャンバ2側にエタロン4、リアミラー1側に回折格
子5を配置し、回折格子5とリアミラー1は互いに斜入
射方式に従った位置関係にあるように構成されている。
エキシマレーザ10から出力されたレーザ光の一部はビ
ームスプリッタ11を介してサンプル光として取出され
、レンズ12、光ファイバ13を介して発振中心波長及
び中心波長パワー検知器14に入力される。
発振中心波長及び中心波長パワー検知器14はサンプル
光に含まれる■キシマレーザ10の発振中心波長λと中
心波長のパワーPλを検出する。
この発振中心波長及び中心波長パワー検知器14として
は第3図に示すものを用いることができる。
第3図に示す発振中心波長及び中心波長パワー検知器1
4は凹面鏡143.145および回折格子144からな
る回折格子型分光器140と先位 24 装 置センサ146を備えて構成される。光ファイバ13を
通って入力されるサンプル光はレンズ141で集光され
、分光器140の入射スリット142から入力される。
この入射スリット142から入力された光は凹面鏡14
3で反射され、平行光となり回折格子144に照射され
る。回折格子144は所定の角度に固定されており、入
射した光の波長に対応した回折角度で反射する。この回
折光を凹面鏡145に導き、凹面鏡145の反射光は光
位置センサ146に導かれて結像される。
すなわち、入射光の波長に対応する入射スリット142
の回折像が光位置センサ146の受光面上に結像され、
この入射スリッ1〜142の回折像の位置からサンプル
光の中心波長λを検出することができる。この入射スリ
ット142の回折像の光強度から中心波長パワーPλを
検出することができる。
なお、光位置センサ146としてはフォトダイオードア
レイまたはPSD(ポジション ゼンシイティブ デバ
イス)等を用いることができる。
ここで、光位置センサ146としてフォトダイオードア
レイを用いた場合、中心波長は最大光強度の受光チャン
ネルの位置により検出し、中心波長パワーは中心波長に
対応するチャンネルの光強度または中心波長付近のチャ
ンネルの光強度の和から検出する。また光位置センサ1
46としてPSDを用いた場合は、PSDの受光面の大
きさを第4図に示すようにサイドピークを受光しない大
きさに設定し、その出力から中心波長を検出し、受光強
度から中心波長パワーを検出する。
発振中心波長及び中心波長パワー検知器14で検出され
たサンプル光の中心波長λおよび中心波長パワーPλは
波長コン1へローラ15に入力される。
波長コントローラ15はドライバ16を介してエタロン
4および回折格子5の波長選択特性(透過中心波長およ
び選択中心波長)を制卸し、サンプル光、すなわちエキ
シマレーザ10の出力光の中心波長が予め設定された所
望の波長に一致し、かつ中心波長パワーが最大となるよ
うにする。こ−つρ − こてドライバ16によるエタロン4および回折格子5の
波長選択特性の制御はエタロン4および回折格子5のそ
れぞれの温度の制御、エタロン4の角度の制御、リアミ
ラー1と回折格子5の位置関係の制御、例えばリアミラ
ー1を回折格子5表面の中心の円周上てシフトさぜるサ
インバー装置の制御、エタロン4のエアギャップ内の圧
力の制御、エタロン4のギャップ間隔の制御等によって
行なう。たとえば、エタロン4の角度の制御と、リアミ
ラー1の位置の制御を採用する場合、エタロン4には第
29図に例示しているようなパレスモータによる角度調
整機構を設け、リアミラー1は第30図に例示している
ようなサインバー装置等に設置し、ドライバ16により
パルスモータ等およびサインバー装置等を駆動するよう
に構成される。
第29図において、エタロン4はエタロンボルダ41よ
りエタロン取付板42に数句けられ、エタロン取付板4
2はヒンジ43により基板44の一端に取付けられる。
基板44の他端にはタップ孔45が穿設され、このタッ
プ孔45には一端がエタロン取付板42に当接し、他端
がパルスモーク46に直結されたネジ51が挿入され、
パルスモータ46はリニアガイド47によってネジ51
の進行方向に移動可能なようにパルスモータ取イ」板4
8に取付けられている。またエタロン数句板42と基板
44との間にはネジ47と■タロン取付板42との当接
を保持するためのバネ49が設けられている。かかる構
成において、ドライバ16によりパルスモータ48を制
御すれば光軸に対するエタロン4の角度を高精度で制御
することができる。なお、第29図においてロッド50
はこの角度調整機構をエキシマレーザ本体に固定するた
めのものである。
また、第30図において、支点30を中心にして回動す
るサインパー25にはリアミラー1が固設され、サイン
パー25の先端にはピン31が植設される。ピン31は
サインパー25とテーブル22との間に取(=lけられ
た引張バネ32によってトランスレーションステージ2
3に植設されたロッド26に摺接させる。トランスレー
ションステ= 28 = 一ジ23はポールネジ24によってテーブル内22を矢
印方向に移動可能に構成されており、ボールネジ21は
パルスモータ21によって回動駆動される。かかる構成
において、ドライバ16の出力によりパルスモータ21
を制御すれば、これによってi−ランスレージョンステ
ージ23の位置が制御され、1〜ランスレージヨンステ
ージ23の制御位置に対応してリアミラー1の角度が可
変制御される。
なおリアミラー1の駆vJ機構は第30図に例示したサ
インバー装置の他に、コセカントバ一方式等を採用した
装置等、リアミラー1が回折格子5によって回折された
レーザ光の回折光を受光できる範囲内を移動でさる機構
であるか、才だはリアミラー1を固定し、回折格子5の
角度を変化させる機構、あるいはリアミラー1、回折格
子5ともに角度調整機構を備えた機構であってもよい。
波長コン1ヘローラ15による制御の詳細を説明する前
に、この制卸の原理を第2図を用いて説明する。
第2図に示すグラフは、この実施例で用いられるエンタ
ロン4と回折格子5の波長選択特性をグラフに示したも
ので、エタロン#E1 (例えばエタロン4)の波長選
択特性を実線で示し、回折格子#G(例えば回折格子5
)の波長選択特性を点線で示す。第1図示したエキシマ
レーザ10の場合エタロン#E1の波長選択特性と回折
格子#Gの波長選択特性が重なった波長域において発信
が生じ、この重なった部分に対応する波長の出力レーザ
光が得られる。そして第2図から明らかなようにエタロ
ン#E1の透過中心波長と、回折格子#Gの選択中心波
長が一致した第2図(a)の場合に最大の出力レーザ光
パワーが得られ、エタロン#F1の透過選択波長と回折
格子#Gの選択中心波長が第2図(b)、第2図(C)
に示すようにずれてくると出力レーザ光パワーは小さく
なり、代りにサイドピークが指数関数的に強くなり、多
波長発振になることが理解できる。また、エタロン#E
1の透過中心波長を固定して、回折格子#Gの選択中心
波長をシフ1−シた場合を考えると、この場合、エキシ
マレーザの発振中心波長はほとんど変化しないことプメ
実験により判明している。
そこで、この実施例の波長コントローラ15においては
、まず発振中心波長及び中心波長パワー検知器14によ
って検出された発振中心波長λと予め設定した設定波長
λ0との差Δλ(−λ−λ0)を算出し、エタロン#E
1の透過中心波長または、エタロン#E1の透過中心波
長と回折格子#Gの選択中心波長をシフトすることによ
り発振中心波長を所望の設定波長に固定し、その後回折
格子#Gの選択中心波長を出力レーザ光パワーの増大す
る方向にシフトすることによりエタロン#E1の透過中
心波長と回折格子#Gの選択中心波長を重ね合わせるよ
うに制御する。
第5図は波長コン1ヘローラ15の具体的制卸例を示し
たものである。まず、ステップ151において、発振中
心波長及び中心波長パワーを読み込む。ここでは発振さ
れたレーザパルスを所定数サンプリングし、平均化して
発振中心波長λおよび中心波長パワーPλを算出してい
る。このような処理を実行する理由は、エキシマレーザ
がパルスガスレーザであるため、パルス毎に出力レーザ
光パワーのバラツキがあるためである。
次に、ステップ152において検出した中心波長λと予
め設定された所望の設定波長λ。どの差Δλを算出する
(Δλ−λ−20)。
続いて、ステップ153において今回サンプリングした
く読み込んだ)中心波長パワーPλと前回サンプリング
した中心波長パワーPλ−1との差ΔPλを算出する(
ΔPλ−Pλ−P/l〜1)。
その後中心波長制御サブルーチン200に移行する。
中心波長制御サブルーチン200の内容は第6図に示さ
れる。すなわち、中心波長制御サブルーチン200にお
いてはエタロン#F1の透過中心波長をステップ152
で口出した値Δλたけシフトする制御を行なう(ステッ
プ201)。なお、この中心波長制御サブルーチン20
0において、■タロン#F1だけでなく、回折格子#G
に関しても選択中心波長をシフトするように構成しても
よい。このようにした場合の中心波長制御サブルーチン
200の内容が第7図に示される。第7図においてはエ
タロン#E1の透過中心波長と回折格子#Gの選択中心
波長の両者を値Δλだけシフトする制御を行なう(ステ
ップ202)。
中心波長制御サブルーチン200が終了すると波長選択
素子エタロン重ね合わゼ制御サブルーチン300に移行
する。この波長選択素子重ね合わせ制御サブルーチン3
00の内容は第8図に示される。まず、ステップ301
において、ステップ153で算出した値△P/lが正(
△Pλ〉0)であるか否かの判断がなされる。ここで△
Pλ〉0であると、ステップ302に分岐し、前回の制
御時(サンプリング時)に回折格子#Gの選択中心波長
を短波長側に所定量シフトしたか否かの判断がなされる
。この判断において短波長側にシフトしたと判断される
とステップ303に分岐し、回折格子#G(7)選択中
心波長を更に短波長側に所定量シフトさせる。また、ス
テップ302において前回回折格子#Gの選択中心波長
を長波長側にシフ]−シたと判断されるとステップ30
4に移行し、回折格子#Gの選択中心波長を長波長側に
所定量シフトさせる。
また、ステップ301において、△Pλ≦0と判断され
るとステップ305に移行する。ステップ305では前
回の制御時(サンプリング時)に回折格子#Gの選択中
心波長を短波長側にシフトしたか否かの判断がなされる
。ここで短波長側にシフトしたと判断されるとステップ
306に分岐し、回折格子#G選択中心波長を長波長側
に所定ωシフトさせる。また、ステップ305にJ3い
て、前回回折格子#G選択中心波長を長波長側にシフト
したと判断されると、スーアップ307に移行し、回折
格子#Gの選択中心波長を短波長側に所定量シフトさせ
る。
このように、波長選択素子重ね合わゼ制御サブルーチン
300においては、値△Pλの符丹と前回の選択中心波
長のシフト方向とにもとづき出力レーザ光パワーを増大
させる回折格子#Gの選択中心波長シフト方向を判断し
、この判断した方向に回折格子#Gの選択中心波長を所
定量シフトさせる。
第9図は回折格子#Gの選択中心波長スペクトルと実際
のレーザ発振スペクi〜ルとの関係をエタロン#E1と
回折格子#Gの重ね合わせとの関係のもとに示したもの
である。第9図において点線の波形は回折格子#Gの選
択波長のスペクトルを示し、実線の波形は実際のレーザ
発振スペクトルを示す。また、第9図において、λE1
はエタロン#E1の透過中心波長、λE2は回折格子#
Gの選択中心波長を示す。第9図から明らかなようにエ
タロン#F1の透過中心波長λE1と回折格子#Gの選
択中心波長λE2が完全に重ね合わされ1こ第9図の(
b)の状態が最大の出力パワーEaXPλが得られ、重
ね合わせが不充分な第9図(a)または第9図(C)の
状態に83いては最大の出力レーザ光パワーは得られな
いことが分かる。
第10図は、エタロン重ね合わせ制卸ザブルーヂン30
0の変更例を示すもので、ここでは、エキシマレーザの
リアミラーとレーザチャンバとの間に゛2個以上のエタ
ロンと唯一個の回折格子が挿入される場合の制御すなわ
ち波長選択素子子ね合わせ制御の対象となる波長選択素
子が複数枚のエタロン#E2 、#E3・・・#Enと
唯一個の回折格子#Gである場合の制御を示している。
この第10図の制御は基本的には第8図に示したものと
同一である。ただし、第10図においては複数のエタロ
ン#E2 、#F3・・・#Fnおよび回折格子#Gの
制御を行なうため、第8図に示したフローにステップ3
08とステップ309が追加されている。すなわち、ス
テップ308では現在制御しているエタロン#Ekある
いは回折格子#Gの重ね合わせが終了したか否かの判断
を行なう。ここで終了したと判断されるとステップ30
9に分岐し、次回の波長選択素子の重ね合わせ制御では
エタロン#Fkある意は回折格子#Gに代えてエタロン
#Ek+1あるいは回折格子#Ga′)重ね合わせ制御
を行なわせるように処理する。この制御はに=nになる
まで続けられまた回折格子#Gの重ね合わせが終了する
まで続CJられる。なお、第= 36− 10図に示した実施例においては]エタロン#E2〜#
Enと回折格子#Gを順次制御するように構成したが、
その制御の順番は任意である。エタロン#F2〜#Fn
の全てのエタロンと回折格子#Gに対して重ね合わゼ制
御を実行すれば、最大の出力レーザ光パワーを得ること
かできる。
第11図は発振中心波長及び中心波長パワー検知器14
をモニタエタロンを用いて構成した変更例を示すもので
ある。この変更例においては第3図に示した回折格子型
分光器140の代りにモニタエタロン147を用いて構
成される。
第11図に示すようにモニタエタロン147によって作
られた干渉縞を検出可能な場所に位置センサ146を設
置する。中心波長が変化すると干渉縞が移動することを
利用して、中心波長を検知することができる。
光位置センサ146としては、フォトダイオードアレイ
またはPSDなどを使用すればよい。
また、中心波長パワーの検出はフォトダイオードアレイ
の場合は中心波長のチャンネルの光強度あるいは、中心
波長付近のチャンネルの光強度の和から検出することが
できる。
また、PSDの場合はサイドピークの干渉縞がPSDの
受光面に入らないように設置することによってPSDの
出力から検出できる。
なお、フォトダイオードアレイを使用する場合は受光面
と複数の干渉縞が入れるように設置してもよい。またモ
ニタエタロン147の設計としてはサイドピークのピー
ク波長と中心波長との差を△λ5ideとすると、モニ
タエタロンのフリースペクトラルレンジF 3 R+n
0n1terとの間に△λ5ide≠n φF S R
moniter(n=1.2.3・・・) となるようにすればよい。このようにすると中心波長を
含むスペクトルによる干渉縞とサイドピークによる干渉
縞が重ならないようにすることができる。
第12図はこの発明の他の実施例を示したものである。
この実施例は発振波長を直接検出ゼずにエキシマレーザ
10の発振波長を所望の波長に制御するもので、第1図
に示した実施例と比較して発振中心波長及び中心波長パ
ワー検知器14がモニタパワーと所定の波長成分パワー
を検出するモニタパワー及び所定の波長成分パワー検知
器17に置き換えられ、これに伴って波長コン1〜ロー
ラ18の構成が第1図に示ず波長」ン1〜ローラ15と
若干界なっている。
モニタパワー及び所定の波長成分パワー検知器17は光
ファイバ13を介して入力されるサンプル光の光強度を
モニタパワーとして検出し、サンプル光の所定の波長成
分パワーを所定の波長成分パワーとして検出するもので
ある。このモニタパワー及び所定の波長成分パワー検知
器17としては第13図に示すものを用いることができ
る。
第13図に示すモニタパワー及び所定の波長成分パワー
検知器17は凹面鏡173,175および回折格子17
4からなる回折格子型分光器170とモニタ成分パワー
を検出する第1の光強度検出器179及び所定の波長成
分パワーを検出する第2の光強度検出器177を備えて
構成される。
光ファイバ13を通って入力されるサンプル光はレンズ
171で集光され、ビームスプリッタ178を通って分
光器1700Å射スリット172から入射される。この
人躬スリツl−172から入射された光は凹面鏡173
て反射され、回折格子174に照射される。回折格子1
74は所定の角度に固定されており、入射された光は、
その波長に応じて回折する。この回折光を凹面鏡175
に導き、凹面鏡1750反則光は出射スリット176上
に、回折像として結像し、出射スリット176を透過し
た光の強度を検出する第2の光強度検出器177に導か
れる。
また、レンズ171で集光された光の一部はハーフミラ
−178で反射されて第1の光強度検出器179に導か
れる。
すなわち、このモニタパワー及び所定の波長成分パワー
検知器17においては、回折格子174の角度によって
設定された所望の設定波長成分のみが第2の光強度検出
器177に導かれる。したがってこの第2の光強度検出
器177によって所望の設定波長成分の光強度が所定の
波長成分パワーpλとして検出される。また、第1の光
強度検出器179には光ファイバ13を通って入力され
たサンプル光がそのまま入力されるので、入力サンプル
光の光強度がモニタパワーPLとして検出される。なお
、第1の光強度検出器179、第2の光強度検出器17
7としてはフ、tl〜マルチプライヤ−またはフォトダ
イオード等を用いることができる。
モニタパワー及び所定の波長成分パワー検知器17で検
出されたサンプル光のモニタパワーPLおよび所定の波
長成分パワーPλは波長コントローラ18に入力される
波長コントローラ18は入力されたモニタパワーPLお
よび所定の波長成分パワーPλにもとづきエタロン4お
よび回折格子5の波長選択特性(透過中心波長および選
択中心波長)をドライバ16を介して制御する。
第14図は波長コン1へローラ18の具体的制御例を示
したものである。まず、ステップ181において、モニ
タパワー及び所定の波長成分パワー検知器17から入力
したモニタパワーP Lおよび所定の波長成分パワーを
読み込む。ここでは、第5図のステップ151と同様に
発振されたレーザパルスを所定数サンプリングし、平均
化して所定波長成分パワーPλを算出する。
次に、ステップ182において、ステップ181で読み
込み、算出した所定の波長成分パワーPλをモニタパワ
ーPLで除算することにより、所定の波長成分パワーP
λの規格化を行なう(P=Pλ/ I) L )。
続いて、ステップ183において、ステップ182で規
格化した所定の波長成分パワーPおよび所定の波長成分
パワーPスと前回サンプリングした所定の波長成分パワ
ーの規格化値P−1および所定の波長成分パワーP2−
1との差をぞれぞれΔPおよび△Pλを算出する(△P
=P−P、。
△Pλ−Pλ−Pλ−1)。
次に、ステップ184において、中心波長制御をするか
否かの判断を行なう。この判断は前回中心波長制御を行
なったか、エタロン重ね合わせ制御を行なったかにもと
づき行なわれる。すなわち、ここで前回波長選択素子重
ね合わせ制御を行なったのであれば中心波長制御をする
と判断され、前回中心波長制御を行なったのであれば中
心波長制御をしないと判断される。これは後述する説明
から明らかになるように、この実施例においては中心波
長制御と波長選択素子の重ね合わせ制御を交互に実行す
るように構成されているからである。
ステップ184で中心波長制御をすると判断されると中
心波長制御はサブルーチンに分岐する。
ステップ184で中心波長制御をしないと判断されると
ステップ185に移行し、ここでは波長選択素子の重ね
合わせ制御をするか否かの判断がなされる。ステップ1
85にd3ける判断も前回中心波長制御をしたか波長選
択素子の重ね合わゼ制御をしたかにもとづいて行なわれ
、前回中心波長制御をした場合は波長選択素子の重ね合
わせ制御をすると判断し、前回波長選択素子の重ね合わ
せ制御をした場合は波長選択素子の重ね合わゼ制御= 
43− をしないと判断される。ステップ185て波長選択素子
の重ね合わせ制御をすると判断した場合は波長選択素子
の重ね合わせサブルーチン500に分岐する。
中心波長制御ザブルーチン400の内容は第15図に示
される。まず、ステップ401に83いて、ステップ1
83で算出した値△Pが正(△P〉0)であるか否かの
判断がなされる。ここで△P>0であるとステップ40
2に分岐し前回の制御時(サンプリング時)に■タロン
#E1の透過波長を短波長側にシフトしたか否かの判断
がなされる。
この判断において短波長側にシフトしたと判断されると
ステップ403に分岐し、エタ]コン#E1の透過波長
を更に短波長側に所定量シフトさせる。
また、ステップ402において前回エタロン#F1の透
過波長を長波長側にシフトシたと判断されるとステップ
404に移行し、■タロン#E1の透過波長を長波長側
に所定量シフ!・ざゼる。
また、ステップ401において、△P≦Oと判断される
とステップ/105に移行する。ステップ405では前
回の制御fOff5’(サンプリング時)にエタロン#
F1の透過波長を短波長側にシフトしたか否かの判断が
なされる。ここで、短波長側にシフトシたと判断される
とステップ406に分岐し、エタロン#E1の透過波長
を長波長側に所定量シフトさせる。また、ステップ40
5において、前回エタロン#E1の透過波長を長波長側
にシフトしたと判断されるとステップ404に移行し、
エタロン#F1の透過波長を短波長側に所定量シフ]へ
させる。
このように△Pの符号と前回の透過波長のシフト方向に
もとづきレーザの出力パワーを増大させるエタロン#E
1の透過波長シフl一方向を判断し、この判断した方向
にエタロン#F1の透過波長を所定量シフl−させる。
なお、ここでは、#E1の透過波長のみをシフトさせて
いるが#E1および#Gの透過あるいは選択中心波長を
同時に同量シフトさせてもよい。
上記制御が終了するとステップ408に移行し、中心波
長制御が終了したか否かの判断を行なう。
ここて中心波長制御が終了したと判断されるとステップ
409に分岐し、次回の制御は重ね合わせ制御を行なう
ようにセラ1〜する処理を実行する。
エタロン重ね合わせサブルーチン500の内容は第16
図に示される。まず、ステップ501において、ステッ
プ181て読み込み、算出した所定の波長成分パワーP
λと前回サンプリングした所定の波長成分パワーP/!
−1との差△Pλが正(′ΔPλ>O)であるか否かの
判断がなされる。
ここで△Pλ〉Oであるとステップ502に分岐し前回
の制御時(サンプリング時)に回折格子#Gの選択中心
波長を短波長側にシフ[へしたか否かの判断がなされる
。この判断において短波長側にシフトしたと判断される
とステップ503に分岐し、回折格子#Gの選択中心波
長を更に所定量短波長側にシフトさせる。また、ステッ
プ502において前回回折格子#Gの選択中心波長を長
波長側にシフトシたと判断されるとステップ504に移
行し、回折格子#Gの選択中心波長を長波長側に所定量
シフトさせる。
また、ステップ501において、△P≦0と判断される
とステップ505に移行する。ステップ505では前回
の制御時(サンプリング時)に回折格子#Gの選択中心
波長を短波長側にシフトしたか否かの判断がなされる。
ここで、短波長側にシフトしたと判断されるとステップ
506に分岐し、回折格子#Gの選択中心波長を長波長
側に所定量シフトさせる。また、ステップ5Q5におい
て、前回回折格子#Gの選択中心波長を長波長側にシフ
トしたと判断されるとステップ507に移行し、回折格
子#Gの選択中心波長を短波長側に所定量シフトざゼる
このように△Pλの符号を前回の選択中心波長のシフト
方向にもとづきレーザの出力パワーを増大させる回折格
子#Gの選択中心波長シフト方向を判断し、この判断し
た方向に回折格子選択中心波長を所定iシフトさせる。
上記制御が終了するとステップ508に移行し、重ね合
わせ制御が終了したか否かの判断を行なう。
ここで重ね合わせ制御が終了したと判断されると= 4
7− ステップ509に分岐し、次回の制御は中心波長制御を
行なうようにセットする処理を実行する。
さらに、レーザ共振器中に2個以上のエタロンと唯一個
の回折格子が配置されている場合は、第10図に示すよ
うに順次エタロンの重ね合ゼ制御を行えばよい。
第17図はモニタパワー及び所定の波長成分パワー検知
器17をモニタエタロンを用いて構成した変更例を示す
ものである。
第17図に示すようにモニタエタロン180によって作
られた干渉縞を検出可能な場所に、スリット181を置
き、スリット181の直後に第2の光強度検出器177
を設置する。
また、モニタエタロン180によって散乱される→ノー
ンプル光強度を第2の光強度検出器179で測定する。
このような構成をとると、第13図に示したものと同様
にモニタパワーおよび所定の波長成分パワーを検出する
ことができる。
第18図はモニタパワー及び所定の波長成分パワー検知
器17の他の構成例を示したものである。
この構成例では気体原子、分子による光の吸収を利用し
ている。ガス封入セル182には所望の設定中心波長に
おいて光吸収を示す気体が封入される。サンプル光はビ
ームスブリック183、ウィンドウ184を介してガス
封入セル182内に入射し、ウィンドウ185を介して
第2の光強度検出器177に導かれる。また、サンプル
光の一部はビームスプリッタ183により反射され、第
1の光強度検出器179に導かれる。
ここで、サンプル光の波長がガス封入セル182中に封
入されている気体の特性吸収波長と一致しないときはガ
ス封入セル182の透過光はあまり減衰しないが、一致
すると大きく減衰する。この減衰光量を第2の光強度検
出器177で測定することによって所定の波長成分パワ
ーを検知することができる。また、第1の光強度検出器
179によりモニタパワーが検出される。
第19図はモニタパワー及び所定の波長成分パワー検知
器17の更に他の構成例を示したものである。この構成
例では気体原子、分子による光吸収によって発生される
螢光(レーザ誘導飽和螢光、以下LIFという)を利用
して所定の波長成分パワーが検出される。第19図に示
すようにLIFセル186には所望の設定中心波長の光
の吸収により螢光を発生する気体が封入される。LIF
セル186で発生した螢光はウィンドウ187を介して
取出され、第2の光強度検出器177によって検出され
る。
ビームスプリッタ183、ウィンドウ184を介して入
力されるサンプル光の波長がLIFセル186に封入さ
れている気体の特性吸収波長と一致すると気体の原子、
分子はレーザ光を吸収し、螢光を発生する(一致しなけ
れば螢光を発生しない)。
この螢光の強度を光強度検出素子八によって測定するこ
とにより所定の波長成分パワーを検知することができる
。また、モニタパワーは第1の光強度検出器179によ
り検出される。
LIFセル186に封入する気体は波長が約−50= 248.35±Q、2nmでチューニング(発振波長選
択)可能なKrF狭帯域発振エキシマレーザの場合には
、So、02 、N20.OC3,C6H6、N2 C
O,CH3Br、CH31,CF31、CH3−C(−
〇>−CH3、NC−CCl−1などを用いることがで
きる。なお、波長が351nm、 337nm、 30
8nm、 2’22nII、 193nm。
157n11などの他のエキシマレーザを利用する場合
はその波長に特性吸収波長を有する物質を選択すればよ
い。
第20図はモニタパワー及び所定の波長成分パワー検知
器17の更に他の構成例を示したものである。この構成
例ではボローカソードランプを利用している。第20図
に示すようにホローノコソードランプ188は内部にア
ノード189、)jソード190を有し、所望の設定中
心波長に特性吸収波長を有する気体が封入される。ビー
ムスプリッタ183、ウィンドウ184を介してホロー
カソードランプ内に入射されるサンプル光の波長がこの
封入された気体の特性吸収波長と一致していないときは
、ランプ188内の気体原子、分子は光イオン化しない
。このため血流電源191、抵抗R、アノード189、
カソード190を介して流れる放電電流は変化しない。
しかし、サンプル光の波長がホローカソードランプ18
8内に封入されている気体原子、分子の特性吸収波長と
一致すると、ランプ188内の気体原子、分子が光イオ
ン化され上記放雷′電流量が変化する。この変化Φをコ
ンデンサCを介して検知することによって中心波長パワ
ーを検出することができる。なお、モニタパワーは第1
の光強度検出器179によって検出される(LOG法)
なお、ホローカソードランプ188としては、波長が約
248.35±Q、2nnでチューニング(発振波長選
択)可能なKrF狭帯域発振エキシマレーザの場合、H
Qまたは「0系のホローノ」ソードランプを使用するこ
とができる。このように、原子または分子の特性吸収線
を利用して波長制御を行うと、発振波長を高精度かつ長
期間にわたって、所望の絶対波長に固定で・きるため、
縮小投影露光用光源として最適なエキシマレーザとなる
第21図はこの発明の更に他の実施例を示したものであ
る。この実施例では中心波長の大きな変化おにび中心波
長パワーを検知する回折格子型分光器を用いた発振中心
波長及び中心波長パワー検知器14aと中心波長の微細
な変化を検知するモニタエタロンを用いた発振中心波長
検知器14bを設けて構成される。一般にモニタエタロ
ンは分解能を、非常に高くすることができ、中心波長の
微小な変化を検知するには最適である。しかしモニタエ
タロンの分解能を上げるためにはそのフリースペクトラ
ルレンジを小さく必要がある。すなわち、モニタエタロ
ンの分解能Rは (ただし口はエタロンの鏡面間媒質の屈折率、dはエタ
ロンの鏡面間隔、tはエタロンのフィネス、λは波長を
表わす。) て表わされる。またフリースペクトラルレンジFSRは て表わされる。したがってモニタエタロンの分解能Rを
フリースペクトラルレンジFSRを用いて表わすと式(
1)、(2)から となる。ここでエタロンのフィネスはある程度以上上げ
ることができないので分解能を上げるためにはフリース
ペクトラルレンジFSRを小ざくする必要がある。しか
し、被検知波長がこのフリースペクトラルレンジFSR
と同じ波長弁だ【ブシフトするとモニタエタロンは、シ
フト前の波長の場合とほとんど同じ干渉縞をつくる。し
たがって高分解能モニタエタロンでは中心波長の大きな
変化を検知することは不可能である。特にエキシマレー
ザのようなパルスレーザではパルス毎に波長が変化した
場合、波長がどの方向にシフトしたか検知できなくなる
可能性がある。そこでこの実施例では高精度に波長を制
御するために高分解能のモ二りエタロンを用いた発振中
心波長検知器14bを設けるとともに中心波長の大きな
変化を検知するために回折格子型分光器を用いた発振中
心波長及び中心波長検知器14aを設ける。
回折格子型分光器を用いlこ発振中心波長及び中心波長
パワー検知器14aとしては第3図に示したものと同様
のものを用いることができ、この発振中心波長及び中心
波長パワー検知器14aによって検出された中心波長;
’I(JJ3よひ中心波長パワーPλは波長コントロー
ラ15aに入力される。
またモニタエタロンを用いた発振中心波長検知器14b
としては第11図に示したものと同様のものを用いるこ
とができ−1この発振中心波長検知器14bで検出され
た高精度の中心波長λeも波長コントローラ15aに入
力される。
波長コントローラ15aは入力され1.:値λq1λe
、Pλにもとつきエタロン4,5の波長選択特性を制御
する。
第22図は波長コンミルローラ15aの具体的制御例を
示したものである。まず、ステップ154において、回
折格子型分光器を用いl〔発振中心波長及び中心波長パ
ワー検知器14aから入力した中心波長および中心波長
パワーを読み込むとともにモニタエタロンを用いた発振
中心波長検知器14bから入力した高′l#i度の中心
波長を読み込む。
ここでは、第5図のステップ151と同様な理由から、
発振されたレーザパルスを所定数サンプリングし、平均
化して中心波長λqおよび中心波長パワーPλおよび中
心波長λeを算出している。
次にステップ155に移行し、ステップ154で口出し
たλq、λeと設定波長λOとの差Δλq、△λe、即
ち△λQ−λq−λO1△λe−λe−λ0を算出する
処理を実行する。
続いて、ステップ156に移行し、回折格子型分光器を
用いた発振中心波長及び中心波長パワー検知器14aで
検出された中心波長の設定波長に対する変化量の絶対値
1Δλg1が発振中心波長検知器14bのモニタエタロ
ンのフリースペクトラルレンジFSRの1/2より大き
いか(1△λgl >FSR/2)否かの判断がなされ
る。ここで、1ΔλC1l >FSR/2であると判断
されるとステップ157に分岐し、中心波長の設定波長
に対する変化量△λをΔλ−Δλqと設定する処理を実
行する。沫た、1Δλq!≦FSR/2であると判断さ
れるとステップ158に移行し、中心波長の設定波長に
対する変化量ΔλをΔλ−Δλeと設定する処理を実行
する。
後のステップは第5図に示したものと同様である。
このように、この実施例においては回折格子型分光器を
用いた発振中心波長及び中心波長パワー検知器14aと
モニタエタロンを用いた発振中心波長検知器14bを設
Gノ、発振中心波長及び中心波長パワー検知器14aで
検出された中心波長の設定波長に対する変化量の絶対値
1Δ:Aglが発振中心波長検知器14bのモニタエタ
ロンのフリースベクトラルレンジFSRの1/2より大
きいか(1△λQ l >FSR/2>否かの判断にも
とづき発振中心波長及び中心波長パワー検知器14aで
検出された中心波長の設定波長に対する変化量△λqま
たは発振中心波長検知器14bで検出された中心波長の
設定波長に対する変化量Δλeは切換え選択するように
構成される。
なお、この実施例において、発振中心波長及び中心波長
パワー検知器14aとして回折格子型分光器を用いたも
のに代えて14bで用いたモニタエタロンのフリースペ
クトラルレンジよりもフリースペクトラルレンジの大き
いモニタエタロンを用いたものを使用しても同様に構成
することができる。また中心波長パワーPλは発振中心
波長及び中心波長パワー検知器’14aにより検出した
がこれをモニタエタロンを用いた発振中心波長検知器1
4bを用いて検出するようにしてもよい。
第23図はこの発明の更に他の実施例を示したもので、
この実施例においては第3図に示したような回折格子型
分光器を用いた発振中心波長及び中心波長パワー検知器
14cと第17図に示すようなモニタエタロンを用いた
所定の波長成分パワー検知器17aを用いて構成される
第24図は、この実施例における波長コン1−ロ−ラ1
5bの具体的制御例を示したものである。
まず、ステップ158において、回折格子型分光器を用
いた発振中心波長及び中心波長パワー検知器14cから
入力した中心波長λqおよび中心波長パワーを読み込む
とともにモニタエタロンを用いた所定の波長成分パワー
検知器17aにおいて、中心波長パワーを読み込む。こ
こでは、第5図のステップ151ど同様な理由から、発
振されたレーザパルスを所定数サンプリングし、平均化
して、中心波長パワーPおよび所定波長成分パワーPm
λを算出している。
次に、ステップ159に移行する。このステップではモ
ニタエタロンを用いた所定の波長成分パワー検知器17
aで、所定波長成分パワーPmλが検出されているか否
か、即ちPmλ−0か否かの判断がなされる。ここで、
Pmλ−0であると一判断されるとステップ160に分
岐し、中心波長λをλ−λqと設定する処理を実行し、
さらに設定波長λ0との差Δλを算出しく△λ−λQ−
λe)その後中心波長制御ザブルーヂン200に移行す
る。この中心波長制御サブルーチン200は第5図に示
した中心波長制御サブルーチン200と同じものである
また、ステップ159において、pmλ≠Oであると判
断されるとステップ162に移行し、所定の波長成分パ
ワーPmλを中心波長パワーPで除惇することにより、
所定の波長成分パワーP mλを規格化した値Pλを算
出する(1〕λ−Pmλ/P)。
続いて、ステップ163に移行し、ステップ162で規
格化した値Pλど前回のサンプリング時に規格化した値
Pλ−1との差△Pλを算出する(△Pλ−Pλ−Pλ
−1)。
その後、中心波長制御サブルーチン4ooに移行する。
この中心波長制御サブルーチン400は第14図に示し
た中心波長制御サブルーチン400と同一である。
中心波長制御サブルーチン200または400が終了す
ると次に波長選択素子重ね合ね七制卸ザブルーヂン30
0に移行する。この波長選択素子重ね合わせ制御サブル
ーチン300は第5図に示した重ね合わせ制御サブルー
チン300と同一である。
なお、この実施例においても発振中心波長及び中心波長
パワー検知器14cどじて回折格子型分光器を用いたも
のに代えて微細な波長の変化を検知する所定の波長成分
パワー検知器17aに使用されているモニタエタロンの
フリースペタ1−ラルレンジよりもフリースペクトラル
レンジが大きいモニタエタロンを用いたものを使用して
も同様に構成することができる。
微細な波長の変化を検知する所定の波長成分パワー検知
器17aとしてモニタエタロンに代えて第18〜20図
に示すような原子または分子の特性吸収線を利用した波
長検知器を使用してもよい。
この場合の制御方法は第26図と同じでよい。このよう
な波長検出器を使用すると発振波長を高精度かつ長期間
にわたって所望の絶対波長に固定できる。
第25図はこの発明の更に他の実施例を示したもので、
この実施例においては第13図に示したような回折格子
型分光器を用いたモニタパワー及び所定の波長成分パワ
ー検知器17bと第17図に示すような高分解能なモニ
タコータロンを用いたモニタパワー及び所定の波長成分
パワー検知器17cを用いて構成される。
第26図は、この実施例にJ3ける波長コントローラ1
8aの具体的制御例を示したものである。
まず、ステップ164において、回折格子型分光器を用
いた検知器17bから入力したモニタパワーおよび所定
の波長成分パワーを読み込むとともにモニタエタロンを
用いたモニタパワー及び所定の波長成分パワー検知器1
7cから入力したモニタパワーおよび中心波長パワーを
読み込む。ここでは、第5図のステップ151と同様な
理由がら発振されたレーザパルスを所定数サンプリング
し、平均化してモニタパワーP L、回折格子型分光器
による所定の波長成分検知器17bによる所定の波長成
分パワーPGどモニタエタロンによる所定の波長成分検
知器17cによる所定の中心波長パワーPeを算出して
いる。
次にステップ165に移行し、中心波長パワーPeおよ
びPqの規格化処”JW (Pe =Pe/Pch。
Pg=Pq/PL)を実行する。
続いて、ステップ166に移行し、規格値Pe。
Pqと前回の読み込み時の規格値Pe−1,Pglとの
差△戸e、ΔPgを等高する処理(Δp続いて、ステッ
プ167に移行し、Pe>Oであるか否かの判断を行な
う。ここで、Pe>Oであるとステップ168に分岐し
△pλ−Δpeとする処理を実行する。その後中心波長
制御ザブルーチン400a、波長選択素子重ね合わせサ
ブルーチン300を実行する。ここで、中心波長制御サ
ブルーチン400aは第14図に示した中心波長制御ザ
ブルーチン400と同一であり、波長選択素子重ね合わ
せサブルーチン300は第5図に示した波長選択素子重
ね合わせ勺ブルーヂン300と同一である。
ステップ167において、pe>oでないと判断される
と、ステップ169に移行し、ΔPλ−△Pgどする処
理を実行する。その後、ステップ184で中心波長制御
すると判断されると中心波長制御サブルーチン400に
分岐し、またステップ185で波長選択素子重ね合わせ
制御をすると判断されると波長選択素子重ね合わせサブ
ルーチン500に分岐する。なお、中心波長制御サブル
ーチン400と波長選択素子重ね合わせサブルーチン5
00は第14図に示したものと同一である。
第27図はこの発明の更に他の実施例を示したもので、
この実施例においては第13図に示したような回折格子
型分光器を用いたモニタパワー及び中心波長パワー検知
器17dど第11図に示すような高分解能のモニタエタ
ロンを用いた発振中心波長検知器14dを用いて構成さ
れる。
第28図は、この実施例における波長コン1〜ローラ1
8bの具体的制郊例を示したものである。
まず、ステップ170において、回折格子型分光器を用
いたモニタパワー及び所定の波長成分パワー検知器17
dから入力したモニタパワーおよび所定の波長成分パワ
ーを読み込むとともにモニタエタロンを用いた発振中心
波長検知器14dから入力した中心波長を読み込む。こ
こでは、第5図のステップ151と同様な理由から、発
振されたレーザパルスを所定数サンプリングし、平均化
して、モニタパワー及び所定の波長成分パワー検知器1
7dによるモニタパワーPLおよび所定の波長成分パワ
ーPCIと、発振中心波長検知器14dによる中心波長
λeを算出している。
次に、ステップ171に移行し、回折格子型分光器によ
る所定の波長成分パワーPqの規格化処3!l (Pq
=Pc+/PL)およびモニタエタロンによる発振中心
波長検出器14dて検出された中心波長λeと設定波長
λ0の差△λe(△λe−/1e−20)および所定の
波長成分パワーPC+と前回サンプリングした所定の波
長成分パワーPq−1との差△Pg(ΔPg=Pq−P
g−1)を算出する。
続いて、中心波長λeと設定波長λ0の差の絶対値1Δ
λe1が発振中心波長検知器14dのモニタエタロンの
フリースペクトラルレンジFSRの1/2より大ぎいか
(1△λe l >FSR/2>否かの判断がなされる
。ここで1Δ、;tel>FSR/2であると判断され
ると、中心波長制御サブルーチン2001波長選択素子
重ね合わせサブルーチン300を実行する。ここで、中
心波長制御力ブルーヂン200、波長選択素子重ね合わ
せサブルーチン300は第5図に示したものと同一であ
る。
ステップ172で1△λe l >FSR/2でないと
判断されると、ステップ173に移行し、ステップ17
1で規格化した値Pqと前回の読み連続いて、ステップ
174においてΔPλ−△Pqとする処理を実行し、中
心波長制卸ザブルーチン400に移行する。この中心波
長制御サブルーチン400は第14図に示したものと同
一である。
なお、第21図から第28図に示す実施例では中心波長
付近の微小な変化を検出する検知器としてモニタエタロ
ンを用いたものを使用し、大きな変化は回折格子型分光
器を用いたものあるいは前記モニタエタロンのフリース
ペクトラルレンジよりも大さ−いフリースペクトラルレ
ンジのモニタエタロンを用いたものを使用する構成につ
いて述べたが、中心波長付近の微小な変化を検出する検
知器として第18図、第19図、第20図に示したJ:
うな原子あるいは分子の吸収線を利用したものを用いて
も同様に構成することかできる。
(発明の効果] 以上説明したようにこの発明によれば、リアミラーとレ
ーザヂャンバとの間に1つのエラ1]ン1つの回折格子
を配置したエキシマレーザにおいて、中心波長制御と重
ね合わゼ制御を組合わゼで出力波長制御を行なうように
したので、安定した中心波長が得られるとともにパワー
の変動も非富に小さなものにすることができる。したが
って、この弁明を適用したエキシマレーザを縮小投影露
光装置の光源として使用した場合は、安定した焦点位置
、倍率および高解像力が得られ、さらに露光時間の一定
性おJ:び露光昂制御が安易となる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のエキシマレーザの波長制御装罫の一
実施例を示すブロック図、第2図はこの発明による波長
制御の原理を示づ一グラフ、第3図は第1図に示した実
施例の発振中心波長及び中心波長パワー検知器の詳細を
示す図、第4図は第3図に示した検知器の光位置検出器
としてPSDを用いた場合の動作を説明するグラフ、第
5図乃至第9図は第11図に示した実施例の動作を説明
するフローチャート、第10図は第5図に示した波長選
択素子臣ね合わせサブルーチンの変更例を示すフローヂ
ャ−1〜、第11図は第3図に示した発振中心波長及び
中心波長パワー検知器の変更例を示す図、第12図はこ
の発明の他の実施例を示すブロック図、第13図は第1
2図に示したモニタパワー及び所定の波長成分パワー検
知器の詳細を示す図、第14図乃至第16図は第12図
に示した実施例の動作を説明するフローチャート、第1
7図乃至第20図は第12図に示したモニタパワー及び
所定の波長成分パワー検知器の変更例を示す図、第21
図はこの発明の他の実施例を示Jブロック図、第22図
は第21図に示した実施例の動作を説明するフローチャ
ート、第23図はこの発明の他の実施例を示すブロック
図、第24図は第23図に示した実施例の動作を示すフ
ローチャート、第25図はこの発明の他の実施例を示す
ブロック図、第26図は第25図に示した実施例の動作
を説明するフローチャート、第27図はこの発明の仙の
実施例を示すブロック図、第28図は第27図に示した
実施例の動作を示すフローチャートである。第29図は
エタロンの角度調整機構の一例を示した図であり、第3
0図はリアミラーの駆動方法の一例を示した図である。 1・・・リアミラー、2・・・レーサチャンバ、3・・
・フロントミラー、4・・・エタロン、5・・・回折格
子、10・・・エキシマレーザ、11・・・ビームスプ
リッタ、14・・・発振波長及び中心波長パワー検知器
、15゜18・・・波長コン1〜ローラ、16・・・ド
ライバ、17・・・モニタパワー及び所定波長成分パワ
ー検知器。 第13図 第18図 第19図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)エキシマレーザのレーザチャンバとリアミラーと
    の間に少なくとも1つのエタロンと回折格子とを配置し
    、これらエタロンおよび回折格子の波長選択特性をそれ
    ぞれ制御することにより出力レーザ光の波長を制御する
    エキシマレーザの波長制御装置において、 出力レーザ光の波長を検出する波長検出手段と、出力レ
    ーザ光の中心波長のパワーを検出するパワー検出手段と
    、 前記波長検出手段による検出波長が所望の特定波長に一
    致すべく前記エタロンの波長選択特性を制御する第1の
    制御手段と、 前記中心波長のパワー検出手段による検出パワーが最大
    となるべく少なくとも回折格子の波長選択特性を制御す
    る第2の制御手段と を具えたエキシマレーザの波長制御装置。 (2)エタロンの波長選択特性の制御は、エタロンの温
    度、角度、ギャップ部の圧力、ギャップ間隔から選択さ
    れた少なくとも1つを変化させることにより行なわれる
    特許請求の範囲第(1)項記載のエキシマレーザの波長
    制御装置。 (3)レーザチャンバとリアミラーとの間に配設される
    エタロンは単一のエタロンからなり、第1の制御手段は
    、前記単一のエタロンの波長選択特性を制御する特許請
    求の範囲第(1)項記載のエキシマレーザの波長制御装
    置。 (4)レーザチャンバとリアミラーとの間に配設される
    エタロンは、2個以上のエタロンからなり、 第1の制御手段は、前記2個以上のエタロンのうちフリ
    ースペクトラルレンジの最小のエタロンの波長選択特性
    を制御し、 第2の制御手段は、前記フリースペクトラルレンジの最
    小のエタロンを除く他のエタロンおよび回折格子の波長
    選択特性を順次制御する特許請求の範囲第(1)項記載
    のエキシマレーザの波長制御装置。 (5)第1の制御手段は、波長検出手段で検出された波
    長と特定波長との差を算出する手段と、この算出する手
    段で算出された値だけエタロンの透過中心波長をシフト
    させる手段と を具える特許請求の範囲第(1)項記載のエキシマレー
    ザの波長制御装置。 (6)第2の制御手段は、前回サンプリングしたパワー
    検出手段の出力と今回サンプリングしたパワー検出手段
    の出力との差を算出する手段と、この算出する手段によ
    る算出値の符号および前回のサンプリング時における波
    長シフト方向にもとづきパワーを増大させる波長シフト
    方向を判別する手段と、 この判別する手段により判別された波長シフト方向に回
    折格子の選択波長をシフトする手段とを具える特許請求
    の範囲第(1)項記載のエキシマレーザの波長制御装置
    。 (7)波長検出手段は、回折格子の回転角が所望の角度
    に固定された回折格子型分光器と、この回折格子型分光
    器の入射スリットの回折像の位置を検出する光位置セン
    サとを具える特許請求の範囲第(1)項記載のエキシマ
    レーザの波長制御装置。 (8)パワー検出手段は、回折格子の回転角が所望の角
    度に固定された回折格子型分光器と、この回折格子型分
    光器の入射スリットの回折像の光強度を検出する光検出
    手段とを具える特許請求の範囲第(1)項記載のエキシ
    マレーザの波長制御装置。 (9)波長検出手段は、モニタエタロンと、このモニタ
    エタロンにより形成される干渉縞の位置を検出する光位
    置センサとを具える特許請求の範囲第(1)項記載のエ
    キシマレーザの波長制御装置。 (10)パワー検出手段は、モニタエタロンと、このモ
    ニタエタロンにより形成される干渉縞の光強度を検出す
    る光検出手段とを具える特許請求の範囲第(1)項記載
    のエキシマレーザの波長制御装置。 (11)エキシマレーザのレーザチャンバとリアミラー
    との間にエタロンと回折格子とを配置し、これらエタロ
    ンおよび回折格子の波長選択特性をそれぞれ制御するこ
    とにより出力レーザ光の波長を制御するエキシマレーザ
    の波長制御装置において、 レーザの出力パワーを検出する第1のパワー検出手段と
    、 出力レーザ光の所定の波長成分のパワーを検出する第2
    のパワー検出手段と、 この第2のパワー検出手段の出力を前記第1のパワー検
    出手段の出力により規格化する規格化手段と、 この規格化手段により規格化されたパワーが最大となる
    べく前記エタロンの波長選択特性を制御する第1の制御
    手段と、 前記所定の波長成分パワーを検出する第2のパワーが最
    大となるべく前記回折格子の波長選択特性を制御する第
    2の制御手段と、 を具えたエキシマレーザの波長制御装置。 (12)第1の制御手段は、前回サンプリングした規格
    化手段の出力と今回サンプリングした規格化手段の出力
    との差を算出する手段と、 この算出する手段による算出値の符号および前回のサン
    プリング時における波長シフト方向にもとづきパワーを
    増大させる波長シフト方向を判別する手段と、 この判別する手段により判別された波長シフト方向にエ
    タロンの選択波長をシフトする手段とを具える特許請求
    の範囲第(11)項記載のエキシマレーザの波長制御装
    置。 (13)第2の制御手段は、前回サンプリングした第2
    のパワー検出手段によるパワーと今回サンプリングした
    第2のパワー検出手段によるパワーとの差を算出する手
    段と、 この算出する手段による算出値の符号および前回のサン
    プリング時における波長シフト方向にもとづきパワーを
    増大させる波長シフト方向を判別する手段と、 この判別する手段により判別された波長シフト方向にエ
    タロンおよび回折格子の選択波長をシフトする手段 とを具える特許請求の範囲第(11)項記載のエキシマ
    レーザの波長制御装置。 (14)第1のパワー検出手段は第2のパワー検出手段
    に入力されるレーザ光の光強度を検出する光検出素子を
    具える特許請求の範囲第(11)項記載のエキシマレー
    ザの波長制御装置。 (15)第2のパワー検出手段は、回折格子の回転角が
    所望の角度に固定された回折格子型分光器に出射スリッ
    トを設置し、このスリットを透過する光強度を検出する
    光検出素子を具える特許請求の範囲第(11)項記載の
    エキシマレーザの波長制御装置。 (16)第2のパワー検出手段は、モニタエタロンと、
    このモニタエタロンにより形成される干渉縞の光強度を
    検出するためにスリットを設置し、このスリットを透過
    する光の光強度を検出する光検出素子とを具える特許請
    求の範囲第(11)項記載のエキシマレーザの波長制御
    装置。 (17)第2のパワー検出手段は、特定の波長の光を吸
    収する気体が封入されたセルと、 このセルを透過した光の強度を検出する光検出素子とを
    具える特許請求の範囲第(11)項記載のエキシマレー
    ザの波長制御装置。 (18)第2のパワー検出手段は、特定の波長の光の吸
    収により螢光を発する気体が封入されたセルと、 このセルから発生される螢光を検出する検出素子とを具
    える特許請求の範囲第(11)項記載のエキシマレーザ
    の波長制御装置。 (19)第2のパワー検出手段は、所望の波長の光を吸
    収する気体および所定の電圧が印加された電極が封入さ
    れたセルと、 前記電極を流れる電流変化を検出する電流検出手段とを
    具える特許請求の範囲第(11)項記載のエキシマレー
    ザの波長制御装置。 (20)エキシマレーザのレーザチャンバとリアミラー
    との間にエタロンと回折格子を配置し、これらエタロン
    および回折格子の波長選択特性をそれぞれ制御すること
    により出力レーザ光の波長を制御するエキシマレーザの
    波長制御装置において、 出力レーザ光の中心波長の微小変化をを検出する高分解
    能なモニタエタロンを用いた第1の波長検出手段と、 出力レーザ光の中心波長の大きな変化を検出する前記モ
    ニタエタロンよりも低分解能な第2の波長検出手段と、 前記第2の波長検出手段による検出波長と設定波長の差
    の絶対値が、前記第1の波長検出手段のモニタエタロン
    のフリースペクトラルレンジの2分の1より大きい場合
    は前記第2の波長検出手段の検出波長を選択し、小さい
    場合は前記第1の波長検出手段の検出波長を選択する選
    択手段と、前記選択手段による選択波長が所望の特定波
    長に一致すべく前記エタロンの波長選択特性を制御する
    第1の制御手段と、 前記中心波長のパワー検出手段による検出パワーが最大
    となるべく前記回折格子の波長選択特性を制御する第2
    の制御手段と を具えたエキシマレーザの波長制御装置。 (21)第2の波長検出手段は回折格子型分光器を用い
    たものからなる特許請求の範囲第(20)項記載のエキ
    シマレーザの波長制御装置。 (22)第2の波長検出手段は第1の波長検出手段のモ
    ニタエタロンのフリースペクトラルレンジより大きいフ
    リースペクトラルレンジを有するモニタエタロンを用い
    たものである特許請求の範囲第(20)項記載のエキシ
    マレーザの波長制御装置。(23)エキシマレーザのレ
    ーザチャンバとリアミラーとの間にエタロンと回折格子
    とを配置し、これらエタロンおよび回折格子の波長選択
    特性をそれぞれ制御することにより出力レーザ光の波長
    を制御するエキシマレーザの波長制御装置において、 出力レーザ光の中心波長のパワーを検出する第1のパワ
    ー検出手段と、出力レーザ光の所定の波長成分のパワー
    を検出する高分解能のモニタエタロンを用いた第2のパ
    ワー検出手段と、この第2のパワー検出手段の出力を前
    記第1のパワー検出手段の出力により規格化する手段と
    、 出力レーザ光の中心波長の大きな変化を検出する前記モ
    ニタエタロンよりも低分解能な波長検出手段と、 前記第1のパワーが検出されない場合は前記波長検出手
    段の検出波長が所望の特定波長に一致すべく前記エタロ
    ンの波長選択特性を制御する第1の制御手段と、 前記第1のパワーが検出される場合は前記規格化手段に
    より規格化されたパワーが最大となるべく前記エタロン
    の波長選択特性を制御する第2の制御手段と、 出力レーザ光の中心波長のパワーを検出する第1のパワ
    ー検出手段による検出パワーが最大となるべく前記回折
    格子の波長選択特性を制御する第3の制御手段と を具えたエキシマレーザの波長制御装置。 (24)第2のパワー検出手段は、特定の波長の光を吸
    収する気体が封入されたセルと、 このセルを透過した光の強度を検出する光検出素子とを
    具える特許請求の範囲第(23)項記載のエキシマレー
    ザの波長制御装置。 (25)第2のパワー検出手段は、特定の波長の光の吸
    収により螢光を発する気体が封入されたセルと、 このセルから発生される螢光を検出する検出素子とを具
    える特許請求の範囲第(23)項記載のエキシマレーザ
    の波長制御装置。 (26)第2のパワー検出手段は、所望の波長の光を吸
    収する気体および所定の電圧が印加された電極が封入さ
    れたセルと、 前記電極を流れる電流変化を検出する電流検出手段とを
    具える特許請求の範囲第(23)項記載のエキシマレー
    ザの波長制御装置。 (27)エキシマレーザのレーザチャンバとリアミラー
    との間にエタロンと回折格子とを配置し、これらエタロ
    ンおよび回折格子の波長選択特性をそれぞれ制御するこ
    とにより出力レーザ光の波長を制御するエキシマレーザ
    の波長制御装置において、 レーザの出力パワーを検出する第1のパワー検出手段と
    、 出力レーザ光の所定の波長成分のパワーを検出する高分
    解能のモニタエタロンを用いた第2のパワー検出手段と
    、 出力レーザ光の所定の波長成分のパワーを検出する第3
    のパワー検出手段と、 前記第2のパワー検出手段の出力を前記第1のパワー検
    出手段の出力により規格化する第1の規格化手段と、 前記第3のパワー検出手段の出力を前記第1のパワー検
    出手段の出力により規格化する第2の規格化手段と、 前記第1の規格化手段の出力が検出される場合は、前記
    第1の規格化手段により規格化されたパワーが最大とな
    るべく前記エタロンの波長選択特性を制御するとともに
    前記第3のパワー検出手段の検出パワーが最大となるべ
    く前記回折格子の波長選択特性を制御する第1の制御手
    段と、 前記第1の規格化手段の出力が検出されない場合は、前
    記第2の規格化手段により規格化されたパワーが最大と
    なるべく前記エタロンの波長選択特性を制御する第2の
    制御手段とを具えたエキシマレーザの波長制御装置。 (28)エキシマレーザのレーザチャンバとリアミラー
    との間にエタロンと回折格子とを配置し、これらエタロ
    ンおよび回折格子の波長選択特性をそれぞれ制御するこ
    とにより出力レーザ光の波長を制御するエキシマレーザ
    の波長制御装置において、 出力レーザ光の中心波長を検出する高分解能のモニタエ
    タロンを用いた波長検出手段と、 レーザの出力パワーを検出する第1のパワー検出手段と
    、 出力レーザ光の所定の波長成分のパワーを検出する第2
    のパワー検出手段と、 この第2のパワー検出手段の出力を前記第1のパワー検
    出手段の出力により規格化する規格化手段と、 前記波長検出手段による検出波長と設定波長の差の絶対
    値が、該波長検出手段のモニタエタロンのフリースペク
    トラルレンジの2分の1と比較して小さい場合は前記規
    格化手段の検出波長が所望の設定波長に一致すべく前記
    エタロンの波長選択特性を制御するとともに、前記第2
    のパワー検出手段により検出されたパワーが最大となる
    べく前記回折格子の波長選択特性を制御する第1の制御
    手段と、 前記波長検出手段による検出波長と設定波長の差の絶対
    値が、該波長検出手段のモニタエタロンのフリースペク
    トラルレンジの2分の1と比較して大きい場合は、前記
    規格化手段により規格化されたパワーが最大となるべく
    前記エタロンの波長選択特性を制御する第2の制御手段
    と を具えたエキシマレーザの波長制御装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0243784A (ja) * 1988-08-04 1990-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長可変レーザ装置
JPH03139893A (ja) * 1989-10-25 1991-06-14 Komatsu Ltd 狭帯域発振エキシマレーザ
FR2717320A1 (fr) * 1994-03-14 1995-09-15 Hughes Aircraft Co Procédé et système de correction de la modulation de puissance d'un laser à modulation de fréquence.
EP1220389A1 (en) * 2001-09-07 2002-07-03 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Optical path length variation for laser influencing
WO2004054054A1 (en) * 2002-12-06 2004-06-24 New Focus, Inc. External cavity laser with dispersion compensation for mode-hop-free tuning
US7130322B2 (en) * 2003-10-30 2006-10-31 Fujitsu Limited Wavelength tunable laser and method of controlling the same

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0243784A (ja) * 1988-08-04 1990-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 波長可変レーザ装置
JPH03139893A (ja) * 1989-10-25 1991-06-14 Komatsu Ltd 狭帯域発振エキシマレーザ
FR2717320A1 (fr) * 1994-03-14 1995-09-15 Hughes Aircraft Co Procédé et système de correction de la modulation de puissance d'un laser à modulation de fréquence.
EP1220389A1 (en) * 2001-09-07 2002-07-03 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Optical path length variation for laser influencing
WO2004054054A1 (en) * 2002-12-06 2004-06-24 New Focus, Inc. External cavity laser with dispersion compensation for mode-hop-free tuning
US6940879B2 (en) 2002-12-06 2005-09-06 New Focus, Inc. External cavity laser with dispersion compensation for mode-hop-free tuning
US7130322B2 (en) * 2003-10-30 2006-10-31 Fujitsu Limited Wavelength tunable laser and method of controlling the same

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